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暖白光发光二极管及其溴化物荧光粉.pdf

  • 上传人：1520****312
  • 文档编号：8610322
  • 上传时间：2020-09-22
  • 格式：PDF
  • 页数：14
  • 大小：962.11KB
    • 摘要
    申请专利号：

    CN200810161492.7

    		 申请日：

    20081006
    公开号：

    CN101368102B

    		 公开日：

    20130116
    当前法律状态：

    		有效性：

    失效
    法律详情：

    IPC分类号：

    C09K11/86,H01L33/00

    		 主分类号：

    C09K11/86,H01L33/00
    申请人：

    罗文渊
    发明人：

    索辛纳姆,罗维鸿,蔡绮睿
    地址：

    200231 上海市徐汇区华泾路1305弄18号B座1楼
    优先权：

    CN200810161492A
    专利代理机构：

    北京戈程知识产权代理有限公司

    		 代理人：

    程伟
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    内容摘要

    本发明是关于一种溴化物荧光粉，其是以稀土氧化石榴石元素为基础，其特征在于：该荧光粉在石榴石成份中添加溴离子，其组成的化学当量式为(∑Ln)3Al2[Al(O1-xBr2x)4]3，其中∑Ln＝Gd及/或Y及/或Lu及/或Dy及/或Ce及/或Pr，该化学计量指数为x＝0.0001～0.05；立方晶格参数值为a＝12.1～12.6A，且在光谱的橙红色发光区域的最大辐射波长λ＝580～610nm，色坐标x＝0.46，y＝0.532。此外，本发明亦揭露一种使用该溴化物荧光粉的暖白光发光二极管。

    权利要求书

    1.一种溴化物荧光粉，以稀土氧化石榴石元素为基础，其特征在于：该荧光粉在石榴石成分中添加溴离子，其组成的化学当量式为(∑Ln)Al[Al(OBr)]，其中∑Ln＝Gd及Y及Lu及Dy及Ce及Pr及Tb且x＝0.0001～0.05，其中该荧光粉组成中的原子分率主要有：0.5≤Gd/∑Ln≤0.95；0.01＜Y/∑Ln≤0.5；0.01≤Tb/∑Ln≤0.11；0.01＜Ce/∑Ln≤0.045；0.0001＜Pr/∑Ln≤0.01；0.001＜Lu/∑Ln≤0.03；0.0001≤Dy/∑Ln≤0.01。 2.如权利要求1所述的溴化物荧光粉，其中该化学计量指数为x＝0.0001～0.05；立方晶格参数值为a＝12.1～12.6A，且在光谱的橙红色发光区域的最大辐射波长λ＝580～610nm，色坐标x＝0.46，y＝0.532。 3.如权利要求1所述的溴化物荧光粉，其激发光谱位于在次能带上的波长λ＝400～490nm。 4.如权利要求1所述的溴化物荧光粉，其中当增加合成荧光粉中的Br含量时，其发光辐射波长λ从580增长至610nm。 5.如权利要求1所述的溴化物荧光粉，其中当达到温度85℃时，其发光亮度还有在室温25℃下的92％。 6.如权利要求1所述的溴化物荧光粉，其中当引入的炉料中增大或减少Br成份时，该荧光粉的颗粒具有直径d＝0.6～2.75微米，且呈椭圆型。 7.如权利要求1所述的溴化物荧光粉，其进一步可结合氧化稀土元素热加工处理，其中该热加工处理是在可还原气体的5％H+95％N中，添加含氧化程度为Br的气态，当热加工处理温度从T＝800～1400℃，采用Ce(BrO).9HO作为激活成份。 8.一种暖白光发光二极管，其是以InGaN半导体异质结为基质，并涂有一发光转换层，其特征在于：该发光转换层具有如权利要求6中所述的溴化物荧光粉，所述椭圆的颗粒分布在以有机硅胶为基质的透明聚合物中，其分子质量M＝15000～25000碳单位且该荧光粉颗粒在该发光转换层中的重量比率为8～75％。 9.如权利要求8所述的暖白光发光二极管，其中该发光转换层具有均匀的厚度，其辐射表面与侧面的厚度为80～160微米。 10.如权利要求8所述的暖白光发光二极管，其中其主要辐射面呈中心对称的形态分布，透过一球形光学透镜，所产生的折射系数为n≥1.45。 11.如权利要求8所述的暖白光发光二极管，其中对于位于橙红色光谱区域的辐射，其色坐标值x＝0.46±0.02，y＝0.45±0.03，在2θ＝60°时I＝100～500烛光，所采用仪器的工作电压为3.0～3.9V。 12.如权利要求8所述的暖白光发光二极管，其中在电功率为1瓦特时，其光通量68～98流明。 13.如权利要求8所述的暖白光发光二极管，其中加热外壳温度达到T＝85℃，其色温T＝2500～4500K。 14.如权利要求8所述的暖白光发光二极管，其演色系数R≥70。

    说明书

    技术领域

    本发明是有关于一种电子技术领域，尤指一种与广义上 被称之为“固态光源”(Solid state lighting)的照明技术有关 的溴化物荧光粉及使用该溴化物荧光粉的暖白光发光二极 管。

    背景技术

    以氮化铟镓InGaN异质结(即P-N接面)为基础的半导 体光源逐渐取代了荧光灯、气体放电灯等多种类型的照明光 源，使现代化的照明技术更加完善。

    在该半导体照明架构中含有大量的量子阱成份，在半导 体辐射中实质性的增加了有效发光转换，可增加有效电致发 光的转换过程。内部电转光效率95～99％，外部的取光效率 大于40％。

    第二个重点指出高效的内部参数不仅仅取决于半导体 异质结InGaN，特殊的发光光谱与荧光粉辐射材料的相互作 用，相关部分在www.espacenet.com的专利中有详细的描述。

    首先，指出其中将氮化物GaN半导体架构与斯托克斯 荧光粉相结合，是由日本中村修一(请参照S.N akanura Blue laser Springer-Verlar Berlin 1997，在此不详细描述)所提议。 采用的辐射发光，最大发光辐射分布在可见光谱领域，可以 产生其它色调的发光。

    具体有关提议在斯托克斯荧光粉的质量中采用熟知的 材料Y3Al5O12(请参S.G.Blasse Luminescent material. Amst.Berliu，1997)被用于在封装架构上。知名的日亚(Nichia) 公司专利中(请参照S.Schimizu等人之美国US.20071149914 专利申请案)利用蓝光辐射及遵循十七世纪牛顿的互补色定 律来获取有效的白光。而早于这篇日本专利之前，互补色的 物理发光原理就曾被利用，比如由蓝光及黄光相结合运用在 彩色电视机的映像管上。

    在上述US20071149914专利申请案的描述中，其运用异 质结InGaN为基质。尽管这种技术得到广泛的应用，但它仍 然存在着一系列的缺点：1.在仪器中呈现出天蓝色的发光； 2.具有T＞6500K的高色温辐射；3.对于光学参数不高的半导 体辐射设备；4.悬浮液聚合物不稳定性的荧光粉拥有 d50＝6～12微米；以及5.白光发光二极管的光学技术参数的范 围，在特殊的荧光粉合成过程中不具备复制性等。

    这些主要的原因，出现在WO2008/051486 A1专利申请 案中，其中有关描述纳米尺寸的钇铝石榴石，其具体的公式 为：(Y，A)3(Al，B)5(O，C)12。其中A＝Tb、Gd、La、Sr、Ba、Ca、 Mg，主要的替取离子Y，B＝Si、Ge、B、P、S，替换离子 Al等。

    必须指出该化学公式并未遵照原专利的内容，例如在荧 光粉成份中的氮离子N-3以及硫离子S-2。同样，在吾人之前 的专利中有提到在石榴石的荧光粉成份中加入F-1离子以及 Si+4离子(请参照Sochchin N.等人之中华民国发明专利 2495678，/2006/02/07)，然而这一存在的缺点在 WO2008/051486 A1专利申请案中得以解决，其数据并且可 以采用在本专利上。

    然而它仍然存在着缺点：1.在蓝光的激发下，具有 6500K或更高的色温；2.相对于发光效率不高的荧光粉，是 因为在成份中没有添加F-1离子及Cl-1离子；3.纳米的石榴石 颗粒稳定性不高，综WO2008/051486 A1专利申请案在黄 色颗粒荧光粉上重要的蓝光散射。

    发明内容

    为解决上述习知技术之缺点，本发明之主要目的是提供 一种溴化物荧光粉，其可消除已知材料的颗粒高色温的不 足。

    为解决上述习知技术之缺点，本发明之另一目的是提供 一溴化物荧光粉，其可排除不稳定性及在仪器中的使用寿 命。

    为解决上述习知技术之缺点，本发明之另一目的是提供 一种溴化物荧光粉，其具有稀土元素石榴石基质，可用于半 导体二极管的暖红色发光荧光粉。

    为解决上述习知技术之缺点，本发明之另一目的是提供 一种暖白光发光二极管，其创造以InGaN半导体异质结为基 质的发光二极管架构。

    为达上述之目的，本发明之一种溴化物荧光粉，是以稀 土氧化石榴石元素为基础，其特征在于：该荧光粉在石榴石 成份中添加溴离子，其组成的化学当量式为(∑ Ln)3Al2[Al(O1-xBr2x)4]3，其中∑Ln＝Gd及/或Y及/或Lu及/或 Dy及/或Ce及/或Pr。

    为达上述之目的，本发明之一种暖白光发光二极管，其 系以InGaN半导体异质结为基质，并涂有一发光转换层，其 特征在于：该发光转换层具有上述的溴化物荧光粉，以及该 荧光粉颗粒是具有直径d50＝0.6～2.75微米的椭圆型颗粒，其 分布在透明的聚合物中与有机硅胶相结合，其分子质量M ＝15000～25000碳单位。该荧光粉颗粒在该发光转换层中的 重量比率为8～75％。该发光转换层具有均匀的厚度，其辐 射表面与侧面的厚度为80～160微米。所述的暖白光发光二 极管，其中其主要辐射面呈中心对称的形态分布，透过一球 形光学透镜，所产生的折射系数为n≥1.45。所述的暖白光 发光二极管，其中对于位于橙红色光谱区域的辐射，其色坐 标值x＝0.46±0.02，y＝0.45±0.03，在2θ＝60°时I＝100～500 烛光，所采用仪器的工作电压为3.0～3.9V。所述的暖白光发 光二极管，其中在电功率为1瓦特时，其光通量68～98流明。 所述的暖白光发光二极管，其中加热外壳温度达到T＝85℃ 时，其色温T＝2500～4500K。所述的暖白光发光二极管，其 演色系数R≥70。

    具体实施方式

    首先，本发明之目的在于消除上述荧光粉及使用该荧光 粉之暖白光发光二极管的缺点。为了达到这个目标，本发明 之稀土溴化物荧光粉，以稀土氧化石榴石元素为基础，其特 征在于：该荧光粉在石榴石成份中添加溴离子，其组成的化 学当量式为(∑Ln)3Al2[Al(O1-xBr2x)4]3，其中∑Ln＝Gd及/或Y 及/或Lu及/或Dy及/或Ce及/或Pr。

    其中，该荧光粉组成之原子分率主要有： 0.5≤Gd/∑Ln≤0.95；0.01＜Y/∑Ln≤0.5； 0.01≤Tb/∑Ln≤0.11；0.01＜Ce/∑Ln≤0.045；0.0001＜Pr/∑ Ln≤0.01；0.001＜Lu/∑Ln≤0.03；0.0001≤Dy/∑Ln≤0.01。

    其中，该化学计量指数为x＝0.0001～0.05；立方晶格参 数值为a＝12.1～12.6A，且在光谱的橙红色发光区域的最大 辐射波长λ＝580～610nm，色坐标x＝0.46，y＝0.532。

    其中，该荧光粉之激发光谱位于在次能带上的波长λ ＝400～490nm。

    其中，当增加合成荧光粉中的Br含量时，其发光辐射 波长增长从λ＝580～610nm。

    其中，当达到温度85℃时，其发光亮度还有在室温25 ℃下的92％。

    其中，当引入的炉料中增大或减少Br成份时，该荧光 粉的颗粒具有直径d50＝0.6～2.75微米，且呈椭圆型。

    其中，进一步可结合氧化稀土元素热加工处理，其中该 热加工处理是在可还原气体的5％H2+95％N2中，添加含氧 化程度为Br-1溴的气态，当热加工处理温度从T＝800～1400 ℃，采用Ce(BrO3)3·9H2O作为激活成份。

    首先，本发明是属于有关钆-铝石榴石族元素，主要的 在阳离子晶格中的Gd+3离子，而并非传统的早先主要熟知的 石榴石荧光粉成份(请参照上述习知专利)；第二，本发明 所提出之的添加材料包括大尺寸的Br-1离子，第三，本发明 所提出之材料属于双线性石榴石，不仅仅具有传统的氧离 子，组成八面体[AlO4]，但是同样第二个配合体中添加Br-1， 引入[AlO4-xBr2x]的形式中。

    本发明所提出之荧光粉的差别在于增大晶格的参数自a ＝12.1～12.16A。而对于氟氧化物(Y1-xLnx)3Al2[Al(O1-yF2y)4]3， 数值为a＝11.95～11.98A。

    而接着本发明所提出之荧光粉成份其特征位于：在阳离 子的晶格中添加引入稀土添加物，像这样的添加物总共有五 个，这所有的添加物位于活效的光谱中，如Tb+3离子的添加 保证了光谱激发充分的扩展，及辐射光谱在+10nm上，镏离 子Lu+3的添加保证了荧光粉短波位移的激发光谱在Δ ＝-5nm。接着稀土添加物则作为激活剂，在铈离子Ce+3在5d2成份中的转换，保证了主要的发光辐射位于波长λ ＝520～800nm处。对于Pr+3离子，在起初引进4f，特殊独立 的窄波带辐射区域是从λ＝608～612nm，同时加强激活剂Ce +3的作用。

    在此强调，在阳离子晶格中每种物质的最佳原子分率例 如但不限于为： 0.5≤Gd/∑Ln≤0.95；0.01＜Y/∑Ln≤0.5； 0.01≤Tb/∑Ln≤0.11；0.01＜Ce/∑Ln≤0.045；0.0001＜Pr/∑ Ln≤0.01；0.001＜Lu/∑Ln≤0.03；0.0001≤Dy/∑Ln≤0.01。

    像这样的荧光粉的特质，对于熟知的Y3Al5O12:Ce标准 机构的波长位移透过固化反应的模式建立 Y3Al5O12-Gd3Al5O12，对于部分钇被钆取代，当钆离子浓度达 到40％时，波长从λ＝540nm位移到λ＝569nm，位移量Δ ＝29nm。吾人指出，当添加Br-1离子时，会有明显的位移量 Δ＝10nm，该位移显示在荧光粉辐射波长上Br-1离子是非常 有效的成份，除此之外，还显示扩大传统习知的半波宽λ 0.5＝120～128nm。在不对称的光谱曲线图中，Br-1的最大浓度 值在氧化铝四面体同样也位于不对程的高斯辐射曲线图上， 在此部分的红色，橙色发光部分有增加。

    本发明所提出的荧光粉的一个不寻常的特质，即在荧光 粉的基质中将Pr+3与Ce+3及Dy+3相结合其最大辐射光谱有提 升。

    本发明所提出的荧光粉，其特征在于：在荧光粉的成份 其中所添加引入Br-1离子为基质的材料从0.0001～0.05原子 分率，Br-1取代替换部分围绕四面体周遭的氧铝离子。

    Br-1离子进入复杂的四面体组份中，氧离子O-2(τ o＝1.38～1.40A)与Br-1(τBr＝1.90A)之间存在着不同的尺寸。

    本发明所提出的荧光粉其实质上的优势，其特征在于： 在荧光粉的成份中添加Br-1离子可敏化激活物Ce+3离子，可 使激活物Ce+3离子浓度小些。

    必须指出本发明所提出的荧光粉成份中Br-1的一个重要 的特性，在化学式中改变成份O-2←→Br-1出现了一个有效的 电子装填。在化学式中等值替换O-2＝2Br-1，在离子半径中不 存在不同的数值，因为所提议的在化学计量式中加入替换的 Ce+4替换Gd+3离子，根据公式

    Ce+4+Br-1→(CeGd)°+(Bro)`

    本发明所提出的荧光粉还显露出一重要的特性，即有关 荧光粉的热稳定性。一般对于标准的石榴石发光荧光粉提升 温度，其发光亮度都会降低，但本发明的荧光粉当温度增加 至75℃时，所产生的亮度仅降低了2～4％，当温度增加至 T＝85℃时，所产生的亮度仅仅降低了6～8％。类似于这样的 亮度下降不多的发光，该材料可以运用在中等电功率以及高 功率的半导体仪器设备上。

    本发明所提出的荧光粉采用分散的成份分散度d50＝4～8 微米，对于采用自动化生产设备所需的荧光粉成份分散度 d50＝1～2微米。

    当然像这样的微型颗粒所采用的类似的发光，在这里的 操作透过改变荧光粉的颗粒形态(外部形态)，这降低了其 效能并使其原子排列变坏，如此会影响其热稳定性。

    个别具有大光通量(F＞5001m)的制备，采用的异质结吸 收尺寸大于1.5×1.5mm，制备这样的发光转换层中的荧光粉 具有正确的形态，比较荧光粉的颗粒直径其成份为d50＝ 12～16微米，除此之外，荧光粉颗粒应该具有d90≥20微米。

    所有的荧光粉发光颗粒形式具有：微型粒径、中等粒径 及大粒径，对于复杂的生产需要精确的荧光粉合成机构组 织。

    对于本发明所提出之具有微型及中等型分散形式的合 成荧光粉，这确定了中型颗粒分散尺寸与Br-1离子数量(浓 度)在空气中合成荧光粉颗粒的倚赖关系。如若成份中Br-1 浓度小于0.5％原子分率，那么颗粒的中位线直径d50＝3～4微 米。如果B r在空气中的浓度增长至1％，或者更高，那么 其荧光粉中位线直径会减小至1.5～2.5微米。但是假设颗粒 的直径与Br-1成份的浓度在空气中合成荧光粉包括；Br-1离 子在荧光粉合成物中的可溶性与大气中的Br-1成正比，荧光 粉颗粒中的Br-1离子浓度过高时，也就是说，当Br-1浓度一 直上升(τ＝1.90A)时，Br-1离子半径过大而造成荧光粉不同 程度范围的破裂，而出现的微型颗粒在如图4的荧光粉测试 报告中可以看到样品1的颗粒形状为椭圆形，且颗粒直径减 小。

    实现这样的优势在本发明所提出之荧光粉，其材料创造 具有椭圆型的微型颗粒，d50＝0.6～2.75微米。

    直径减少，增加独立的Br-1物质在炉子中的5合成法来制 备荧光粉。

    所有熟知的具有石榴石架构的荧光粉一般采用陶瓷工 艺方法或者凝胶合成法。在初始的配料中多半采用氧化物类 型Lu2O3、CeO2、Al2O3等必须的物质，亦可采用氢氧化物， 同样这样的成份Lu(OH)3、Ce(OH)3、Al(OH)3等。在采用凝 胶技术工艺合成在最初物质采用水以及酒精溶液组成 Y3(NO3)3·6H2O Al(NO3)3·9H2O等及相似成份的物质。

    本发明所提出的新型的合成荧光粉技术架构，在初次的 试剂中采用稀土氧化成份及铝的成份，例如： Ce(BrO3)3·9H2O，之后在还原气体中煅烧。

    由添加NBr3及Br2成份，炉内的溴气成份与氮气的比例 为Br2∶H2∶N2＝0.1∶4.9∶95～1∶4∶95，炉温为T＝800～1300℃，保持 6～16小时，冷却后取出配料，用稀释酸液(HCl、HNO3、H3PO4等)酸洗。

    合成本发明所提出的荧光粉具体的特殊组份，例如表1 中所述。

    表1

      荧光粉的化学组份   最大   辐射   光谱   nm   主波   长   nm   相对发   光亮度   半   波   宽   λ0.5   色温   K   1   (Gd0.7Y0.215Tb0.04Lu0.01Ce0.03Dy0.005  )3Al2[Al(O3.99Br0.02)4]3   571.9   581   24276   128   2858   2   (Gd0.75Y0.125Tb0.08Lu0.01Ce0.03Dy0.005  )3Al2[Al(O3.98Br0.04)4]3   581.8   581   24703   129   2873   3   (Gd0.7Y0.21Tb0.04Lu0.01Ce0.03Dy0.005P   r0.005)3Al2[Al(O3.99Br0.02)4]3   609.4   582   23581   126   3116

    以下，请一并参照图1～图5，用以解释本发明所提出 之荧光粉的成份之影响作用。其中，图1为表1中样品1的 光谱图；图2为表1中样品2的光谱图；图3为表1中样品 3的光谱图；图4为表1中样品1的颗粒形状图；图5本发 明之发光二极管的架构示意图。

    如图5所示，其绘示根据本发明之荧光粉所制成之发光 二极管的架构示意图。其中，该发光二极管包括两个接脚2、 3、一InGaN半导体异质结4(以下称半导体异质结)、一锥 形发光5及发光转换层7，该发光转换层7系由荧光粉颗粒 6与聚合物(图未示)所结合而成，该发光二极管的表层进 一步装有球形光学透镜8。对于暴露的辐射输出其间隔是在 球形光学透镜8与聚合物的透明发光转换层7之间。

    使用本发明所提出之荧光粉之发光二极管在附加电压 值U＝3.0～3.9V时，开始发出光波长为λ＝455nm的蓝光。其 发光数量依附着可渗透性，经过该半导体异质结4之电流， 一般这一参数为I＝20～350mA。

    蓝光呈现出与荧光粉颗粒6相互配合，分布在聚合物发 光转换层7上，这时荧光粉颗粒6发出橙红色的具有λ ＝580nm的光，而经过该半导体异质结4所发出之第一级蓝 光与该发光转换层7具有橙黄色发光相结合，其结果将呈现 出暖白发光。这样的发光分布在所有的面，具有帮助圆锥型 发光转换透过球形光学透镜8。

    以下将更详细的描述该发光转换层7。这一部分的仪器 位于该半导体异质结4的表面由2个部分组成：聚合物透光 层(图未示)以及本发明所提出之荧光粉颗粒6分布。在聚 合膜层中本发明检验用不同的组织相结合：环氧树脂 (epoxy)，丙烯酸乙烯及有机硅聚合物。指出最佳的聚合物 来自硅胶，具有分子质量M＝15000～25000碳单位。

    同样规定，该荧光粉颗粒6在发光转换层7中的重量比 率8～75％。这样具有强烈的发光转换层7再次蓝光辐射保 证了必要的暖白色辐射光。

    在该半导体异质结4为基质上，带有发光转换层7，其 特征在于：该发光转换层7内的荧光粉6系分布在以硅胶为 基质的光学透明聚合物中，具有分子质量M＝15000～25000 碳单位，该荧光粉颗粒6在该发光转换层7中的重量比率 8～75％。

    该发光转换层7组份中含有专业的配料架构在半导体 异质结4的表层。由聚合物及荧光粉颗粒6中选择这样的样 本，全部辐射棱面及端面覆盖浓度均匀的聚合膜层。聚合物 成份与荧光粉颗粒6之间的比例为1至10厘泊(cP)。该发 光转换层7的最佳厚度例如但不限于为80～160微米，同时 指出，该发光转换层7应该具有相等的厚度。

    在发光二极管中达到的这一成就，其特征在于：对于发 光二极管实现具有相同厚度形式，最佳的表层薄壁厚度例如 但不限于为80～160微米。

    该球形光学透镜8的焦点应该是直接的，其透镜中心与 半导体异质结4主要的辐射表面相连接，该半导体异质结4 的表层与半球形光学透镜8间填入了光学透明聚合物(图未 示)，其具有的折射系数为n≥1.45，这保证了高机械及发光 二极管的撞击强度(耐久性)。

    上述白光发光二极管之其特征在于：其主要的辐射面中 心是直接的，与球形光学透镜8相结合，该球形光学透镜8 的空间与填充在发光转换层7表层的透明聚合物之间具有n ≥1.45的折射系数。

    以上已指出，本发明之白光发光二极管具有在白色及橙 黄色可见光谱区域体，具有暖白色辐射，其色坐标x＝0.46 ±0.02，y＝0.45±0.03，蓝光辐射从I＝100～500c d，对于2θ ＝60°下发光二极管透过电流100～500mA，工作电压 U＝3.0～3.9V。

    对于专业的发光技术改变自本发明所提议之发光二极 管的光通量，对于激发功率为1瓦特，其特征在于：对于发 光二极管的功率为1瓦特时其光通量为F＝68～98流明，发 光光谱之色温T＝2500～4500K。

    虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限 定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明之精神及范 围内，当可作少许之更动与润饰，因此本发明之保护范围当 视后附之申请专利范围所界定者为准。

    附图说明

    图式简单说明：

    接脚2、3            半导体异质结4锥形发

    光5                    荧光粉颗粒6发光转换层7

    球形光学透镜8

    主要组件符号说明：

    图1为一示意图，其绘示表1中样品1的光谱示意图。

    图2为一示意图，其绘示表1中样品2的光谱图。

    图3为一示意图，其绘示表1中样品3的光谱图。

    图4为一示意图，其绘示表1中样品1的颗粒形状图。

    图5为一示意图，其绘示本发明之发光二极管的架构示 意图。

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    白光 发光二极管 及其 溴化物 荧光粉
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