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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201610415414.X (22)申请日 2016.06.13 (71)申请人 郑甘裕 地址 518000 广东省深圳市南山区桃园东 路巷头新村24-2 (72)发明人 郑甘裕 (74)专利代理机构 深圳青年人专利商标代理有 限公司 44350 代理人 傅俏梅 (51)Int.Cl. C09K 11/74(2006.01) H01L 33/50(2010.01) H01L 27/32(2006.01) (54)发明名称 一种铕掺杂铝砷酸盐发光材料、 制备方法及 其应用 (57。
2、)摘要 一种铕掺杂铝砷酸盐发光材料， 其化学式为 MeAs2AlO8： xEu3+， 其中， x为0.010.05， Me选自 镓元素， 铟元素， 铊元素中至少一种， Eu3+离子是 激活元素。 该铕掺杂铝砷酸盐发光材料制成的发 光薄膜的电致发光光谱(EL)中， 在620nm波长区 都有很强的发光峰， 能够应用于薄膜电致发光显 示器中。 本发明还提供该铕掺杂铝砷酸盐发光材 料的制备方法及其应用。 权利要求书2页 说明书5页 附图1页 CN 106118654 A 2016.11.16 CN 106118654 A 1.一种铕掺杂铝砷酸盐发光材料， 其特征在于： 其化学式为MeAs2AlO8： 。
3、xEu3+， 其中， x为 0.010.05， Me选自镓元素， 铟元素， 铊元素中至少一种， Eu3+离子是激活元素。 2.一种铕掺杂铝砷酸盐发光材料的制备方法， 其特征在于， 包括以下步骤： 根据MeAs2AlO8： xEu3+各元素的化学计量比称取， 其中， x为0.010.05， Me选自镓元素， 铟元素， 铊元素中至少一种； 及 有机源分别选用 二酮三族金属盐(DPM)3Me， 砷烷AsH3， 二酮铝(DPM)3Al和四甲基庚二 酮酸铕Eu(TMHD)3， 其摩尔比为1： 2： 1： x， 用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至1.010-2Pa1.010-3Pa， 衬底进行700热 处。
4、理1030分钟， 调节衬底托的转速为501000转/分， 通入载气Ar气， 气流量为5 15sccm， 然后通入氧气， 流量为10200sccm， 开始薄膜的沉积， 得到化学式为MeAs2AlO8： xEu3+的材料。 3.一种铕掺杂铝砷酸盐发光薄膜， 其特征在于， 该铕掺杂铝砷酸盐发光薄膜的材料的 化学通式为MeAs2AlO8： xEu3+， 其中， x为0.010.05， Me选自镓元素， 铟元素， 铊元素中至少 一种， Eu3+离子是激活元素。 4.如权利要求3所述铕掺杂铝砷酸盐发光薄膜， 其特征在于， 所述薄膜的厚度为80 300nm。 5.如权利要求4所述铕掺杂铝砷酸盐发光薄膜， 其。
5、特征在于， 所述薄膜的厚度为150nm。 6.一种铕掺杂铝砷酸盐发光薄膜的制备方法， 其特征在于， 包括以下步骤： 根据MeAs2AlO8： xEu3+各元素的化学计量比称取， 其中， x为0.010.05， Me选自镓元素， 铟元素， 铊元素中至少一种； 及 有机源分别选用 二酮三族金属盐(DPM)3Me， 砷烷AsH3， 二酮铝(DPM)3Al和四甲基庚二 酮酸铕Eu(TMHD)3， 其摩尔比为1： 2： 1： x， 用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至1.010-2Pa1.010-3Pa， 衬底进行700热 处理1030分钟， 调节衬底托的转速为501000转/分， 通入载气Ar气， 气流。
6、量为5 15sccm， 然后通入氧气， 流量为10200sccm， 开始薄膜的沉积， 得到化学式为MeAs2AlO8： xEu3+的薄膜。 7.如权利要求6所述铕掺杂铝砷酸盐发光薄膜的制备方法， 其特征在于， 所述真空腔体 的真空度为4.010-4Pa， 衬底底托的转速为300转/分， Ar气流量为10sccm， 氧气流量为 120sccm。 8.一种薄膜电致发光器件， 该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、 阳极层、 发光层 以及阴极层， 其特征在于， 所述发光层的材料为铕掺杂铝砷酸盐发光材料， 该铕掺杂铝砷酸 盐发光材料的化学式为MeAs2AlO8： xEu3+， 其中， x为0.010.。
7、05， Me选自镓元素， 铟元素， 铊 元素中至少一种， Eu3+离子是激活元素。 9.一种薄膜电致发光器件的制备方法， 其特征在于， 包括以下步骤： 提供具有阳极的衬底； 在所述阳极上形成发光层， 所述发光层的材料为铕掺杂铝砷酸盐发光材料， 该铕掺杂 铝砷酸盐发光材料的化学式为MeAs2AlO8： xEu3+， 其中， x为0.010.05， Me选自镓元素， 铟元 素， 铊元素中至少一种， Eu3+离子是激活元素； 在所述发光层上形成阴极。 权利要求书 1/2 页 2 CN 106118654 A 2 10.根据权利要求9所述的薄膜电致发光器件的制备方法， 其特征在于， 所述发光层的 制备。
8、包括以下步骤： 根据MeAs2AlO8： xEu3+各元素的化学计量比称取， 其中， x为0.010.05， Me选自镓元素， 铟元素， 铊元素中至少一种； 及 有机金属源分别选用环戊二烯碱土盐(C5H5)2Me、 硅烷SiH4和甲基二茂锰(MCp)， 其摩尔 比为(1-x)： 2： x， ， 用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至1.010-2Pa1.010-3Pa， 衬底进行700热 处理1030分钟， 调节衬底托的转速为501000转/分， 通入载气Ar气， 气流量为5 15sccm， 然后通入氧气， 流量为10200sccm， 开始薄膜的沉积， 得到化学式为MeAs2AlO8： xEu3+。
9、的材料。 权利要求书 2/2 页 3 CN 106118654 A 3 一种铕掺杂铝砷酸盐发光材料、 制备方法及其应用 【技术领域】 0001 本发明涉及一种铕掺杂铝砷酸盐发光材料、 其制备方法、 铕掺杂铝砷酸盐发光薄 膜、 其制备方法、 薄膜电致发光器件及其制备方法。 【背景技术】 0002 薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、 全固体化、 耐冲击、 反应快、 视角 大、 适用温度宽、 工序简单等优点， 已引起了广泛的关注， 且发展迅速。 目前， 研究彩色及至 全色TFELD， 开发多波段发光的材料， 是该课题的发展方向。 但是， 可应用于薄膜电致发光显 示器的铕掺杂铝砷酸盐发光。
10、材料， 仍未见报道。 【发明内容】 0003 基于此， 有必要提供一种铕掺杂铝砷酸盐发光材料， 其化学式为MeAs2AlO8： xEu3+， 其中， x为0.010.05， Me选自镓元素， 铟元素， 铊元素中至少一种， Eu3+离子是激活元素。 0004 一种铕掺杂铝砷酸盐发光材料的制备方法， 包括以下步骤： 0005 根据MeAs2AlO8： xEu3+各元素的化学计量比称取， 其中， x为0.010.05， Me选自镓 元素， 铟元素， 铊元素中至少一种； 及 0006 有机源分别选用 二酮三族金属盐(DPM)3Me， 砷烷AsH3， 二酮铝(DPM)3Al和四甲基 庚二酮酸铕Eu(TM。
11、HD)3， 其摩尔比为1： 2： 1： x， 0007 用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至1.010-2Pa1.010-3Pa， 衬底进行700 热处理1030分钟， 调节衬底托的转速为501000转/分， 通入载气Ar气， 气流量为5 15sccm， 然后通入氧气， 流量为10200sccm， 开始薄膜的沉积， 得到化学式为MeAs2AlO8： xEu3+的材料； 0008 一种铕掺杂铝砷酸盐发光薄膜， 该铕掺杂铝砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为 MeAs2AlO8： xEu3+， 其中， x为0.010.05， Me选自镓元素， 铟元素， 铊元素中至少一种， Eu3+离 子是激活元素； 0。
12、009 一种铕掺杂铝砷酸盐发光薄膜的制备方法， 包括以下步骤： 0010 根据MeAs2AlO8： xEu3+各元素的化学计量比称取， 其中， x为0.010.05， Me选自镓 元素， 铟元素， 铊元素中至少一种； 及 0011 有机源分别选用 二酮三族金属盐(DPM)3Me， 砷烷AsH3， 二酮铝(DPM)3Al和四甲基 庚二酮酸铕Eu(TMHD)3， 其摩尔比为1： 2： 1： x。 0012 用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至1.010-2Pa1.010-3Pa， 衬底进行700 热处理1030分钟， 调节衬底托的转速为501000转/分， 通入载气Ar气， 气流量为5 15sccm。
13、， 然后通入氧气， 流量为10200sccm， 开始薄膜的沉积， 得到化学式为MeAs2AlO8： xEu3+的薄膜。 0013 一种薄膜电致发光器件， 该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、 阳极层、 发光 层以及阴极层， 所述发光层的材料为铕掺杂铝砷酸盐发光材料， 该铕掺杂铝砷酸盐发光材 说明书 1/5 页 4 CN 106118654 A 4 料的化学式为MeAs2AlO8： xEu3+， 其中， x为0.010.05， Me选自镓元素， 铟元素， 铊元素中至 少一种， Eu3+离子是激活元素； 0014 一种薄膜电致发光器件的制备方法， 包括以下步骤： 0015 提供具有阳极的衬底； 。
14、0016 在所述阳极上形成发光层， 所述发光层的材料为铕掺杂铝砷酸盐发光材料， 该铕 掺杂铝砷酸盐发光材料的化学式为MeAs2AlO8： xEu3+， 其中， x为0.010.05， Me选自镓元素， 铟元素， 铊元素中至少一种， Eu3+离子是激活元素； 0017 在所述发光层上形成阴极； 0018 一种薄膜电致发光器件的制备方法， 发光层的制备包括以下步骤： 0019 根据MeAs2AlO8： xEu3+各元素的化学计量比称取， 其中， x为0.010.05， Me选自镓 元素， 铟元素， 铊元素中至少一种； 及 0020 有机源分别选用 二酮三族金属盐(DPM)3Me， 砷烷AsH3， 。
15、二酮铝(DPM)3Al和四甲基 庚二酮酸铕Eu(TMHD)3， 其摩尔比为1： 2： 1： x， 0021 用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至1.010-2Pa1.010-3Pa， 衬底进行700 热处理1030分钟， 调节衬底托的转速为501000转/分， 通入载气Ar气， 气流量为5 15sccm， 然后通入氧气， 流量为10200sccm， 开始薄膜的沉积， 得到化学式为MeAs2AlO8： xEu3+的材料。 0022 上述铕掺杂铝砷酸盐发光材料(MeAs2AlO8： xEu3+)制成的发光薄膜的电致发光光 谱(EL)中， 在620nm波长区都有很强的发光峰， 能够应用于薄膜电致发光显。
16、示器中。 【附图说明】 0023 图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图； 0024 图2为实施例1制备的铕掺杂铝砷酸盐发光薄膜的电致发光谱图； 【具体实施方式】 0025 下面结合附图和具体实施例对铕掺杂铝砷酸盐发光材料、 其制备方法、 铕掺杂铝 砷酸盐发光薄膜、 其制备方法、 薄膜电致发光器件及其制备方法进一步阐明。 0026 一实施方式的铕掺杂铝砷酸盐发光材料， 其化学式为MeAs2AlO8： xEu3+， 其中， x为 0.010.05， Me选自镓元素， 铟元素， 铊元素中至少一种， Eu3+离子是激活元素。 0027 优选的， x为0.03。 0028 该铕掺杂铝砷酸盐发光。
17、材料中MeAs2AlO8： xEu3+是基质， Eu3+离子是激活元素。 该铕 掺杂铝砷酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中， 在620nm波长区都有很强 的发光峰， 能够应用于薄膜电致发光显示器中。 0029 上述铕掺杂铝砷酸盐发光材料的制备方法， 包括以下步骤： 0030 步骤S11、 根据MeAs2AlO8： xEu3+各元素的化学计量比称取， 其中， x为0.010.05， Me选自镓元素， 铟元素， 铊元素中至少一种。 0031 步骤S12、 有机源分别选用 二酮三族金属盐(DPM)3Me， 砷烷AsH3， 二酮铝(DPM)3Al 和四甲基庚二酮酸铕Eu(TMHD)3，。
18、 其摩尔比为1： 2： 1： x， 用机械泵和分子泵把腔体的真空度 抽至1.010-2Pa1.010-3Pa， 衬底进行700热处理1030分钟， 调节衬底托的转速为 说明书 2/5 页 5 CN 106118654 A 5 501000转/分， 通入载气Ar气， 气流量为515sccm， 然后通入氧气， 流量为10200sccm， 开始薄膜的沉积， 得到化学式为MeAs2AlO8： xEu3+的材料。 0032 请参阅图1， 一实施方式的薄膜电致发光器件100， 该薄膜电致发光器件100包括依 次层叠的衬底1、 阳极2、 发光层3以及阴极4。 0033 衬底1为玻璃衬底。 阳极2为形成于玻璃。
19、衬底上的氧化铟锡(ITO)。 发光层3的材料 为铕掺杂铝砷酸盐发光材料， 该铕掺杂铝砷酸盐发光材料的化学式为MeAs2AlO8： xEu3+， 其 中， x为0.010.05， Me选自镓元素， 铟元素， 铊元素中至少一种， Eu3+离子是激活元素。 阴极4 的材质为银(Ag)。 0034 上述薄膜电致发光器件的制备方法， 包括以下步骤： 0035 步骤S31、 提供具有阳极2的衬底1。 0036 本实施方式中， 衬底1为玻璃衬底， 阳极2为形成于玻璃衬底上的氧化铟锡(ITO)。 具有阳极2的衬底1先后用丙酮、 无水乙醇和去离子水超声清洗并用对其进行氧等离子处 理。 0037 步骤S32、 在。
20、阳极2上形成发光层3， 发光层3的材料为铕掺杂铝砷酸盐发光材料， 该 铕掺杂铝砷酸盐发光材料的化学式为MeAs2AlO8： xEu3+， 其中， x为0.010.05， Me选自镓元 素， 铟元素， 铊元素中至少一种， Eu3+离子是激活元素。 0038 本实施方式中， 发光层3由以下步骤制得： 0039 首先， 将根据MeAs2AlO8： xEu3+各元素的化学计量比称取， 其中， x为0.010.05， Me 选自镓元素， 铟元素， 铊元素中至少一种。 0040 其次， 有机源分别选用 二酮三族金属盐(DPM)3Me， 砷烷AsH3， 二酮铝(DPM)3Al和 四甲基庚二酮酸铕Eu(TMH。
21、D)3， 其摩尔比为1： 2： 1： x。 0041 然后， 用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至1.010-2Pa1.010-3Pa， 衬底进 行700热处理1030分钟， 调节衬底托的转速为501000转/分， 通入载气Ar气， 气流量为 515sccm， 然后通入氧气， 流量为10200sccm， 开始薄膜的沉积， 得到化学式为MeAs2AlO8： xEu3+的材料， 镀膜， 在阳极2上形成发光层3。 0042 步骤S33、 在发光层3上形成阴极4。 0043 本实施方式中， 阴极4的材料为银(Ag)， 由蒸镀形成。 0044 下面为具体实施例。 0045 实施例1： 衬底为南玻公司购买的。
22、ITO玻璃， 先后用甲苯、 丙酮和乙醇超声清洗5分 钟， 然后用蒸馏水冲洗干净， 氮气风干后送入设备反应室。 用机械泵和分子泵把腔体的真空 度抽至4.010-3Pa； 然后把衬底进行700热处理20分钟， 然后温度降为500。 打开旋转 电机， 调节衬底托的转速为300转/分， 通入 二酮三族金属盐(DPM)3Ga， 砷烷AsH3， 二酮铝 (DPM)3Al和四甲基庚二酮酸铕Eu(TMHD)3的载气Ar气， 其摩尔流量比为1： 2： 1： 0.03， 流量为 10sccm。 通入氧气， 流量为120sccm， 开始薄膜的沉积。 薄膜的厚度沉积至150nm， 关闭有机源 和载气， 继续通氧气， 。
23、温度降到100以下， 取出样品GaAs2AlO8:0.03Eu3+。 最后在发光薄膜 上面蒸镀一层Ag， 作为阴极。 0046 实施例2： 衬底为南玻公司购买的ITO玻璃， 先后用甲苯、 丙酮和乙醇超声清洗5分 钟， 然后用蒸馏水冲洗干净， 氮气风干后送入设备反应室。 用机械泵和分子泵把腔体的真空 度抽至1.010-3Pa； 然后把衬底进行700热处理10分钟， 然后温度降为250。 打开旋转 说明书 3/5 页 6 CN 106118654 A 6 电机， 调节衬底托的转速为50转/分， 通入 二酮三族金属盐(DPM)3Ga， 砷烷AsH3， 二酮铝 (DPM)3Al和四甲基庚二酮酸铕Eu(。
24、TMHD)3的载气Ar气， 其摩尔流量比为1： 2： 1： 0.06， 通入氧 气， 流量为10sccm， 开始薄膜的沉积。 薄膜的厚度沉积至80nm， 关闭有机源和载气， 继续通氧 气， 温度降到100以下， 取出样品GaAs2AlO8:0.06Eu3+。 最后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag， 作为阴极。 0047 实施例3： 衬底为南玻公司购买的ITO玻璃， 先后用甲苯、 丙酮和乙醇超声清洗5分 钟， 然后用蒸馏水冲洗干净， 氮气风干后送入设备反应室。 用机械泵和分子泵把腔体的真空 度抽至1.010-2Pa； 然后把衬底进行700热处理30分钟， 然后温度降为650。 打开旋转 电机， 调节衬。
25、底托的转速为1000转/分， 通入 二酮三族金属盐(DPM)3Ga， 砷烷AsH3， 二酮铝 (DPM)3Al和四甲基庚二酮酸铕Eu(TMHD)3的载气Ar气， 其摩尔流量比为1： 2： 1： 0.01， 通入氧 气， 流量为200sccm， 开始薄膜的沉积。 薄膜的厚度沉积至300nm， 关闭有机源和载气， 继续通 氧气， 温度降到100以下， 取出样品GaAs2AlO8:0.01Eu3+。 最后在发光薄膜上面蒸镀一层 Ag， 作为阴极。 0048 实施例4： 衬底为南玻公司购买的ITO玻璃， 先后用甲苯、 丙酮和乙醇超声清洗5分 钟， 然后用蒸馏水冲洗干净， 氮气风干后送入设备反应室。 用。
26、机械泵和分子泵把腔体的真空 度抽至4.010-3Pa； 然后把衬底进行700热处理20分钟， 然后温度降为500。 打开旋转 电机， 调节衬底托的转速为300转/分， 通入 二酮三族金属盐(DPM)3In， 砷烷AsH3， 二酮铝 (DPM)3Al和四甲基庚二酮酸铕Eu(TMHD)3的载气Ar气， 其摩尔流量比为1： 2： 1： 0.03， 流量为 10sccm。 通入氧气， 流量为120sccm， 开始薄膜的沉积。 薄膜的厚度沉积至150nm， 关闭有机源 和载气， 继续通氧气， 温度降到100以下， 取出样品InAs2AlO8:0.03Eu3+。 最后在发光薄膜 上面蒸镀一层Ag， 作为阴。
27、极。 0049 实施例5： 衬底为南玻公司购买的ITO玻璃， 先后用甲苯、 丙酮和乙醇超声清洗5分 钟， 然后用蒸馏水冲洗干净， 氮气风干后送入设备反应室。 用机械泵和分子泵把腔体的真空 度抽至1.010-3Pa； 然后把衬底进行700热处理10分钟， 然后温度降为250。 打开旋转 电机， 调节衬底托的转速为50转/分， 通入 二酮三族金属盐(DPM)3In， 砷烷AsH3， 二酮铝 (DPM)3Al和四甲基庚二酮酸铕Eu(TMHD)3的载气Ar气， 其摩尔流量比为1： 2： 1： 0.06， 通入氧 气， 流量为10sccm， 开始薄膜的沉积。 薄膜的厚度沉积至80nm， 关闭有机源和载气。
28、， 继续通氧 气， 温度降到100以下， 取出样品InAs2AlO8:0.06Eu3+。 。 最后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag， 作为阴极。 0050 实施例6： 衬底为南玻公司购买的ITO玻璃， 先后用甲苯、 丙酮和乙醇超声清洗5分 钟， 然后用蒸馏水冲洗干净， 氮气风干后送入设备反应室。 用机械泵和分子泵把腔体的真空 度抽至1.010-2Pa； 然后把衬底进行700热处理30分钟， 然后温度降为650。 打开旋转 电机， 调节衬底托的转速为1000转/分， 通入 二酮三族金属盐(DPM)3In， 砷烷AsH3， 二酮铝 (DPM)3Al和四甲基庚二酮酸铕Eu(TMHD)3的载气Ar气， 其摩。
29、尔流量比为1： 2： 1： 0.01， 通入氧 气， 流量为200sccm， 开始薄膜的沉积。 薄膜的厚度沉积至300nm， 关闭有机源和载气， 继续通 氧气， 温度降到100以下， 取出样品InAs2AlO8:0.01Eu3+。 最后在发光薄膜上面蒸镀一层 Ag， 作为阴极。 0051 实施例7： 衬底为南玻公司购买的ITO玻璃， 先后用甲苯、 丙酮和乙醇超声清洗5分 钟， 然后用蒸馏水冲洗干净， 氮气风干后送入设备反应室。 用机械泵和分子泵把腔体的真空 说明书 4/5 页 7 CN 106118654 A 7 度抽至4.010-3Pa； 然后把衬底进行700热处理20分钟， 然后温度降为5。
30、00。 打开旋转 电机， 调节衬底托的转速为300转/分， 通入 二酮三族金属盐(DPM)3Tl， 砷烷AsH3， 二酮铝 (DPM)3Al和四甲基庚二酮酸铕Eu(TMHD)3的载气Ar气， 其摩尔流量比为1： 2： 1： 0.03， 流量为 10sccm。 通入氧气， 流量为120sccm， 开始薄膜的沉积。 薄膜的厚度沉积至150nm， 关闭有机源 和载气， 继续通氧气， 温度降到100以下， 取出样品TlAs2AlO8:0.03Eu3+。 最后在发光薄膜 上面蒸镀一层Ag， 作为阴极。 0052 实施例8： 衬底为南玻公司购买的ITO玻璃， 先后用甲苯、 丙酮和乙醇超声清洗5分 钟， 然。
31、后用蒸馏水冲洗干净， 氮气风干后送入设备反应室。 用机械泵和分子泵把腔体的真空 度抽至1.010-3Pa； 然后把衬底进行700热处理10分钟， 然后温度降为250。 打开旋转 电机， 调节衬底托的转速为50转/分， 通入 二酮三族金属盐(DPM)3Tl， 砷烷AsH3， 二酮铝 (DPM)3Al和四甲基庚二酮酸铕Eu(TMHD)3的载气Ar气， 其摩尔流量比为1： 2： 1： 0.06， 通入氧 气， 流量为10sccm， 开始薄膜的沉积。 薄膜的厚度沉积至80nm， 关闭有机源和载气， 继续通氧 气， 温度降到100以下， 取出样品TlAs2AlO8:0.06Eu3+。 最后在发光薄膜上面。
32、蒸镀一层Ag， 作为阴极。 0053 实施例9： 衬底为南玻公司购买的ITO玻璃， 先后用甲苯、 丙酮和乙醇超声清洗5分 钟， 然后用蒸馏水冲洗干净， 氮气风干后送入设备反应室。 用机械泵和分子泵把腔体的真空 度抽至1.010-2Pa； 然后把衬底进行700热处理30分钟， 然后温度降为650。 打开旋转 电机， 调节衬底托的转速为1000转/分， 通入 二酮三族金属盐(DPM)3Tl， 砷烷AsH3， 二酮铝 (DPM)3Al和四甲基庚二酮酸铕Eu(TMHD)3的载气Ar气， 其摩尔流量比为1： 2： 1： 0.01， 通入氧 气， 流量为200sccm， 开始薄膜的沉积。 薄膜的厚度沉积至。
33、300nm， 关闭有机源和载气， 继续通 氧气， 温度降到100以下， 取出样品TlAs2AlO8:0.01Eu3+。 最后在发光薄膜上面蒸镀一层 Ag， 作为阴极。 0054 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式， 其描述较为具体和详细， 但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。 应当指出的是， 对于本领域的普通技术人员 来说， 在不脱离本发明构思的前提下， 还可以做出若干变形和改进， 这些都属于本发明的保 护范围。 因此， 本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。 说明书 5/5 页 8 CN 106118654 A 8 图1 图2 说明书附图 1/1 页 9 CN 106118654 A 9 。