针迹检查装置、探测装置、和针迹检查方法.pdf

本发明提供能够对检查之后的基板自动且高精度地检测电极垫的基地层的露出的有无等的露出状况的针迹检查装置、具有该装置的探测装置、和针迹检查方法，该针迹检查装置包括：取得从R成分数据(D2)、G成分数据(D3)和B成分数据(D4)中，根据电极垫(2)的材质与基底层(6)的材质的反射率的差而被选择的B成分数据(D4)的RGB成分取得部(50)；和对于B成分数据(D4)，为了与电极垫(2)区别开地取得基底层(6)的图像，求取被设定的灰度级与具有该灰度级的像素数的关系数据的B成分直方图取得部(52)，根据求得的直方图，判定针迹(10)中基底层(6)的露出的有无。

1.  一种针迹检查装置，其在使探针与被检查基板上的电极垫接触而进行电测量之后，对在所述电极垫上形成的针迹进行摄像，检查电极垫的基底层的露出的有无，该针迹检查装置的特征在于，包括：
取得从作为彩色成分的R成分、G成分和B成分中根据电极垫的材质与基底层的材质的反射率的差而被选择的彩色成分的图像数据的机构；
从通过该机构取得的图像数据，为了与电极垫区别开地取得基底层的图像，求取被设定的灰度级与具有该灰度级的像素数的关系数据的机构；和
基于通过该机构求得的关系数据，判定针迹中的基底层的露出的有无的机构。

2.  如权利要求1所述的针迹检查装置，其特征在于：
取得所述被选择的彩色成分的图像数据的机构具备：取得包含R成分、G成分和B成分的彩色成分的图像的彩色照相机、仅取得被选择的彩色成分的照相机、和仅照射被选择的彩色成分的光的照射机构中的任意一种。

3.  如权利要求1或2所述的针迹检查装置，其特征在于：
还包括基于所述被选择的彩色成分的图像数据设定所述灰度级，并对该图像数据进行二值化处理，取得用于检测基底膜露出区域的二值化图像数据的机构，
所述关系数据是该二值化图像数据。

4.  如权利要求1或2所述的针迹检查装置，其特征在于：
所述灰度级是根据直方图而被设定的，所述直方图是根据所述被选择的彩色成分的图像数据制作的表示预先设定的范围中的灰度级与像素数的关系的直方图。

5.  如权利要求1或2所述的针迹检查装置，其特征在于：
电极垫的材质是铝，基底层的材质是铜，被选择的彩色成分是B成分。

6.  如权利要求3所述的针迹检查装置，其特征在于，还包括：
取得从在R成分、G成分和B成分中除去所述被选择的彩色成分后的成分中根据电极垫的切削残渣的阴影与基底层的材质的反射率的差异而被选择的彩色成分的图像数据，将对该图像数据进行二值化而得到的二值化图像数据作为掩模数据，对于用于检测基底膜露出区域的二值化图像数据，进行用于除去与电极垫的切削残渣的阴影对应的像素的掩模处理的机构。

7.  如权利要求6所述的针迹检查装置，其特征在于：
电极垫的材质是铝，基底层的材质是铜，用于掩模数据而被选择的彩色成分是R成分。

8.  如权利要求6所述的针迹检查装置，其特征在于：
基底层的材质是铜，用于二值化图像数据而被选择的彩色成分是B成分，其中，该二值化图像数据是用于所述基底层露出区域的检测的数据。

9.  如权利要求1或2所述的针迹检查装置，其特征在于：
取得被选择的彩色成分的图像数据的机构以取得从在R成分、G成分和B成分中除去所述被选择的彩色成分后的成分中所选择的彩色成分的图像数据，从该图像数据中切出与针迹区域对应的图像数据的方式构成，根据该被切出的图像数据进行以后的处理。

10.  如权利要求9所述的针迹检查装置，其特征在于：
电极垫的材质为铝，基底层的材质为铜，用于切出与针迹区域对应的图像数据而被选择的彩色成分是G成分。

11.  一种探测装置，其包括探测卡，将基板载置在载置台上，使探测卡的探针与基板上的芯片的电极垫接触而进行芯片的电测量，该探测装置的特征在于：
包括权利要求1～10中任一项所述的针迹检查装置。

12.  一种针迹检查方法，其在使探针与被检查基板上的电极垫接触而进行电测量之后，对在所述电极垫上形成的针迹进行摄像，检查电极垫的基底层的露出的有无，该针迹检查方法的特征在于，包括：
取得从作为彩色成分的R成分、G成分和B成分中根据电极垫的材质与基底层的材质的反射率的差而被选择的彩色成分的图像数据的工序；
对于通过该工序取得的图像数据，为了与电极垫的材质区别开地取得基底层的材质的图像，而求取被设定的灰度级与具有该灰度级的像素数的关系数据的工序；和
根据在该工序中求得的关系数据，判定针迹中基底层的露出的有无的工序。

13.  如权利要求12所述的针迹检查方法，其特征在于：
还包括根据所述被选择的彩色成分的图像数据设定所述灰度级，并且对该图像数据进行二值化处理，取得用于检测基底膜露出区域的二值化图像数据的工序，
所述关系数据是该二值化图像数据。

14.  如权利要求12或13所述的针迹检查方法，其特征在于：
所述灰度级是根据直方图而被设定的，所述直方图是根据所述被选择的彩色成分的图像数据制作的表示预先设定的范围中的灰度级与像素数的关系的直方图。

15.  如权利要求12或13所述的针迹检查方法，其特征在于：
电极垫的材质是铝，基底层的材质是铜，被选择的彩色成分是B成分。

16.  如权利要求12或13所述的针迹检查方法，其特征在于，还包括：
取得从在R成分、G成分和B成分中除去所述被选择的彩色成分后的成分中根据电极垫的切削残渣的阴影与基底层的材质的反射率的差异而被选择的彩色成分的图像数据，将对该图像数据进行二值化而得到的二值化图像数据作为掩模数据，对于用于检测基底膜露出区域的二值化图像数据，进行用于除去与电极垫的切削残渣的阴影对应的像素的掩模处理的工序。

17.  如权利要求16所述的针迹检查方法，其特征在于：
电极垫的材质是铝，基底层的材质是铜，用于掩模数据而被选择的彩色成分是R成分。

18.  如权利要求16所述的针迹检查方法，其特征在于：
基底层的材质是铜，用于二值化图像数据而被选择的彩色成分是B成分，其中，该二值化图像数据是用于所述基底层露出区域的检测的数据。

19.  如权利要求12或13所述的针迹检查方法，其特征在于：
取得根据所述电极垫的材质与基底层的材质的反射率的差而被选择的彩色成分的图像数据的工序包括：取得从在R成分、G成分和B成分中除去所述被选择的彩色成分后的成分中所选择的彩色成分的图像数据，从该图像数据中切出与针迹区域对应的图像数据的工序，根据该被切出的图像数据进行以后的处理。

20.  如权利要求19所述的针迹检查方法，其特征在于：
电极垫的材质为铝，基底层的材质为铜，用于切出与针迹区域对应的图像数据而被选择的彩色成分是G成分。

针迹检查装置、探测装置、和针迹检查方法
技术领域
本发明涉及对使用例如探针检查之后的基板自动检测电极垫的基底层的露出的有无等的露出状况的针迹检查装置、针迹检查方法、和具有针迹检查装置的探测装置。
背景技术
在现有技术中，作为测定在半导体的基板上形成的IC芯片的电特性的装置，使用探测装置。探测装置包括载置基板并能够在三维方向上自由移动的工作台和探测卡，进行使探测卡的探针与电极垫接触的所谓的探测器测试，其中，该电极垫与基板上的配线图案连接，由此进行芯片的电气测定。
作为探测器一般使用探针，为了削去电极垫的表面的自然氧化膜而施加过驱动(使探针与电极垫接触后，进一步使电极垫上升)。而且，在探针为横针的情况下，因为在施加过驱动时探针横向滑动，所以形成纵长的针迹，即使在探针为垂直针的情况下，为了确保可靠的接触也使基板工作台横向移动，形成纵长的针迹。
从而，在探测器测试之后检测电极垫的针迹，掌握在电极垫上是否存在针迹，在没有针迹的情况下判断为测定不良。而且，因为在探针比预定的程度更深地刺入电极垫而使电极垫的基底层露出的情况下，器件的可靠性下降，所以对于这些电极垫也需要作为不良品对待，此外，如果产生这样的深挖，则基底层的切削残渣会附着在探针上，成为污染的主要原因。从而在针迹的检测中，需要迅速地检测露出的有无。
在基板从探测装置被搬出之后，操作者对该基板使用金属显微镜等进行上述电极垫的针迹检查。但是从一块基板能够制造多个例如1000个芯片，在一个芯片中形成多个例如10个电极垫，因此，进行针迹检查的电极垫的数量非常庞大。因此，在现有的针迹检查作业中检查需要非常长的时间，而且也需要准备金属显微镜。
对于这样的问题，存在通过CCD照相机等对晶片W进行摄像，在控制部分析该摄像数据从而进行针迹检查的针迹检查装置。例如，在专利文献1中记载了一种针迹检测测定装置，其对探测器测试后的基板进行摄像，作为二维图像取得半导体芯片中的探针的接触痕迹，并分析该二维图像以检测针迹，并且研究针迹中的颜色的浓度值的平均值，比较该平均值和具备与预先决定的平均值对应的孔的深度的数据，从而能够判定针迹的深度。
此外，在专利文献2中，记载了一种针迹检测装置，其对基板进行摄像并取得基板上表面的图像数据，根据图像数据取得电极垫区域的数据，通过针痕迹阈值决定部求取电极垫区域的像素值的直方图，根据直方图求取针痕迹区域取得用的阈值，基于该阈值对电极垫区域进行二值化，正确地检测针迹的位置。此外，在专利文献3中，记载了一种针迹检测装置，其对基板进行摄像并取得基板上表面的图像数据，根据图像数据取得电极垫区域的数据，通过针痕迹阈值决定部求取电极垫区域的像素值的直方图并求取针痕迹取得用的阈值，将电极垫区域分割为多个区域，基于在每个区域求得的阈值设定个别的阈值，正确地检测针迹。
但是，在上述各装置中，因为使用黑白照相机作为摄像机构，所以例如如图22所示，当对基板进行摄像时，电极垫100的数据作为黑白图像被取得。此时在电极垫100的中央形成有椭圆形的针迹110，在其中央部，因为探针刺破电极垫100而使基底的铜露出，形成露出区域111，此外，因为探针从一个方向倾斜刺入，所以形成在针迹110的一端侧弧状堆积的电极垫100的切削屑，形成其阴影112。
然后，在将该图像二值化并进行判定的情况下，灰度级(gray level)高的露出区域111和切削屑的阴影112，以及针迹110的边缘部110a的阴影的部分变黑，其它的区域变白。因此，在利用现有的各装置判定露出区域111的情况下，如图23所示，从图23(a)的黑白图像获得图23(b)所示的二值化图像，不能够判别切削屑的阴影112和露出区域111。因此，会产生下述问题，即，将露出区域111错误识别为切削屑的阴影112，将形成有露出区域111的芯片判定为合格品，或者相反地将切削屑的阴影112错误识别为露出区域111，判定是合格品的芯片为不合格品，从而难以通过控制部判别在电极垫100上是否形成有露出区域111。
专利文献1：日本特开2003-68813号公报(段落号码0044～0058)
专利文献2：日本特开2006-190974号公报(段落号码0030～0048)
专利文献3：日本特开2007-114073号公报(段落番号0035～0046)
发明内容
本发明鉴于上述情况而完成的，其目的是提供一种针迹检查装置、具有该装置的探测装置、和针迹检查方法，其能够对使用探针进行检查之后的基板自动且高精度地检测电极垫的基底层的露出的有无等露出状况。
本发明提供一种针迹检查装置，其在使探针与被检查基板上的电极垫接触而进行电测量之后，对在上述电极垫上形成的针迹进行摄像，检查电极垫的基底层的露出的有无，该针迹检查装置的特征在于，包括：
取得从作为彩色成分的R成分、G成分和B成分中根据电极垫的材质与基底层的材质的反射率的差而被选择的彩色成分的图像数据的机构；
从通过该机构取得的图像数据，为了与电极垫区别开地取得基底层的图像，求取被设定的灰度级与具有该灰度级的像素数的关系数据的机构；和
基于通过该机构求得的关系数据，判定针迹中基底层的露出的有无的机构。
此外，特征在于：取得上述被选择的彩色成分的图像数据的机构具备：取得包含R成分、G成分和B成分的彩色成分的图像的彩色照相机、仅取得被选择的彩色成分的照相机、和仅照射被选择的彩色成分的光的照射机构中的任意一种。
此外，还包括：基于上述被选择的彩色成分的图像数据，利用被设定的灰度级对图像数据进行二值化处理，取得用于检测基底膜露出区域的二值化图像数据的机构，上述被设定的灰度级与像素数的关系数据是该二值化图像数据。上述被设定的灰度级根据直方图而被设定，上述直方图是根据上述被选择的彩色成分的图像数据制作的表示预先确定的范围中的灰度级与像素数的关系的直方图。在电极垫的材质是铝、基底层的材质是铜的情况下，优选被选择的彩色成分是B成分。
此外，还包括：取得从在R成分、G成分和B成分中除去上述已被选择的彩色成分后的成分中根据电极垫的切削残渣的阴影与基底层的材质的反射率的差异而被选择的彩色成分的图像数据，将对该图像数据进行二值化而得到的二值化图像数据作为掩模数据，对于用于检测基底膜露出区域的二值化图像数据，进行用于除去与电极垫的切削残渣的阴影对应的像素的掩模处理的机构。在电极垫的材质是铝、基底层的材质是铜的情况下，优选用于掩模数据而被选择的彩色成分是R成分。进一步，在基底层的材质是铜的情况下，优选用于二值化图像数据而被选择的彩色成分是B成分，其中，该二值化图像数据是用于上述基底层露出区域的检测的数据。
此外，取得被选择的彩色成分的图像数据的机构以取得从在R成分、G成分和B成分中除去上述被选择的彩色成分后的成分中所选择的彩色成分的图像数据，从该图像数据中切出与针迹区域相对应的图像数据的方式构成，根据该被切出的图像数据进行以后的处理。此外，在电极垫的材质为铝、基底层的材质为铜的情况下，优选为了切出与针迹区域相对应的图像数据而被选择的彩色成分是G成分。此外，本发明的探测装置包括探测卡，将基板载置在载置台上，使探测卡的探针与基板上的芯片的电极垫接触而进行芯片的电测量，该探测装置的特征在于，具备上述各针迹检查装置。
本发明的针迹检查方法在使探针与被检查基板上的电极垫接触而进行电测量之后，对形成在上述电极垫上的针迹进行摄像，检查电极垫的基底层的露出的有无，该针迹检查方法的特征在于，包括：
取得从作为彩色成分的R成分、G成分和B成分中根据电极垫的材质与基底层的材质的反射率的差而被选择的彩色成分的图像数据的工序；
对于通过该工序取得的图像数据，为了与电极垫的材质区别开地取得基底层的材质的图像，求取被设定的灰度级与具有该灰度级的像素数的关系数据的工序；和
根据在该工序中求得的关系数据，判定针迹中基底层的露出的有无的工序。
此外，特征在于，还包括：根据上述被选择的彩色成分的图像数据设定上述灰度级，并且对该图像数据进行二值化处理，取得用于检测基底膜露出区域的二值化图像数据的工序，上述关系数据是该二值化图像数据。此外，上述灰度级是根据直方图而被设定的，上述直方图是根据上述被选择的彩色成分的图像数据制作的表示预先确定的范围中的灰度级与像素数的关系的直方图。此外，优选，电极垫的材质是铝，基底层的材质是铜，被选择的彩色成分是B成分。
此外，特征在于，还包括：取得从在R成分、G成分和B成分中除去上述已被选择的彩色成分后的成分中根据电极垫的切削残渣的阴影与基底层的材质的反射率的差异而被选择的彩色成分的图像数据，将对该图像数据进行二值化而得到的二值化图像数据作为掩模数据，对于用于检测基底膜露出区域的二值化图像数据，进行用于除去与电极垫的切削残渣的阴影对应的像素的掩模处理的工序。而且，也可以为如下方式，即，电极垫的材质是铝，基底层的材质是铜，用于掩模数据而被选择的彩色成分是R成分。进一步，优选基底层的材质是铜，用于二值化图像数据而被选择的彩色成分是B成分，其中，该二值化图像数据是用于上述基底层露出区域的检测的数据。
此外，取得根据上述电极垫的材质与基底层的材质的反射率的差而被选择的彩色成分的图像数据的工序包括，取得从在R成分、G成分和B成分中除去上述被选择的彩色成分后的成分中所选择的彩色成分的图像数据，从该图像数据中切出与针迹区域对应的图像数据的工序，根据该被切出的图像数据进行以后的处理。此外，电极垫的材质为铝，基底层的材质为铜，为了切出与针迹区域对应的图像数据而被选择的彩色成分是G成分。
本发明的存储介质，存储有在针迹检查装置中使用的计算机程序，该针迹检查装置在使探针与被检查基板上的电极垫接触而进行电测量之后，对形成在上述电极垫上的针迹进行摄像，检查电极垫的基底层的露出的有无，该存储介质的特征在于：
上述计算机程序以执行上述各针迹检查方法的方式构成步骤组。
发明的效果
根据本发明，在进行针迹的检查时取得作为彩色数据的图像数据，在从图像数据抽出的R成分数据、G成分数据、B成分数据中，将电极垫的材质的光的相对反射率与基底层的材质的光的相对反射率的差最大的成分数据选择为基底层露出的判定用数据。并且，切出针迹区域，生成灰度等级和像素数的相关的数据，根据该数据，基于与基底层对应的灰度等级的范围，判定针迹中基底层的露出的有无。从而能够自动、迅速、精度良好且可靠地检测出深挖的情况，能够大幅减少操作员的负担。此外，因为能够在探测装置内进行针迹的检查，所以不需要如现有技术那样由操作员将晶片W搬送至金属显微镜的作业区域，而且能够迅速地掌握探针的异常、过驱动的异常等。
附图说明
图1是本发明的实施方式的探测装置的概要结构图。
图2是本实施方式的晶片W的概要平面图。
图3是本实施方式的晶片W的概要截面图。
图4是说明本实施方式的针迹检查装置的检测顺序的第一流程图。
图5是说明本实施方式的针迹检查装置的检测顺序的第二流程图。
图6是说明本实施方式的针迹检查装置的检测顺序的第一说明图。
图7是用于说明在本实施方式的针迹检查中使用的数据的选定方法的说明图。
图8是说明本实施方式的针迹检查装置的检测顺序的第二说明图。
图9是说明本实施方式的针迹检查装置的检测顺序的第三说明图。
图10是说明本实施方式的针迹检查装置的检测顺序的第四说明图。
图11是说明本实施方式的针迹检查装置的检测顺序的第五说明图。
图12是说明本实施方式的针迹检查装置的检测顺序的第六说明图。
图13是说明本实施方式的针迹检查装置的检测顺序的第七说明图。
图14是本发明的第二实施方式的探测装置的概要结构图。
图15是本发明的第三实施方式的探测装置的概要结构图。
图16是本发明的其它实施方式的针迹检查方法的说明图。
图17是用于说明本发明的实施例的第一流程图。
图18是用于说明本发明的实施例的第二流程图。
图19是用于说明本发明的实施例的第一说明图。
图20是用于说明本发明的实施例的第二说明图。
图21是用于说明本发明的实施例的第三说明图。
图22是用于说明现有的针迹检查装置中的问题的第一说明图。
图23是用于说明现有的针迹检查装置中的问题的第二说明图。
符号说明
1芯片
2电极垫
4控制部
6基底层
10针迹
10a边缘部的阴影
11露出区域
12切削屑的阴影
13针迹区域
13bB针迹区域
15露出位置确定数据
21第一工作台
22第二工作台
23第三工作台
24顶部吸盘
28、28a照明机构
28bB照明机构
28gG照明机构
28rR照明机构
30顶板
33探针
34照相机搬送部
41RAM
45探测用程序
46针迹检查用程序
50RGB成分取得部
51针迹区域抽出部
52B成分直方图取得部
53B成分二值化部
54掩模处理部
72、72m上照相机(摄像机构)
73照相机单元(摄像机构组)
73aR照相机(R成分摄像机构)
73bG照相机(G成分摄像机构)
73cB照相机(B成分摄像机构)
D1摄像数据
D2R成分数据
D3G成分数据
D4B成分数据
D21掩模数据
D31G灰度数据
D32G二值化数据
D41B灰度数据
D42B二值化数据
P1峰
W晶片
具体实施方式
[第一实施方式]
图1是表示组装有本发明的实施方式的针迹检查装置的探测装置的图。该探测装置具有基台20，在该基台20上，第一工作台21以在沿X方向平行延伸的第一导轨21a上能够移动地被支承的状态被载置，通过轴线贯通第一工作台21的未图示的滚珠丝杠和电动机能够向图示X方向移动。此外，在第一工作台21上，与该第一工作台21相同，第二工作台22以能够在与X和Z方向正交的未图示的Y方向移动的方式被载置，在第二工作台22上，载置有通过未图示的电动机能够在图示Z方向移动的第三工作台23。
在第三工作台23的移动体上，设置有作为载置台的顶部吸盘(Chuck top)24，其以Z轴为旋转中心且仅具有微少的旋转自由量(在θ方向具有微少的旋转自由量，例如仅能够向左右各自由移动1度)。从而，在该探测装置中，以第一、第二、第三工作台21、22、23、和顶部吸盘24作为驱动部，能够使晶片W向X、Y、Z、θ方向移动。
此外，在顶部吸盘24的上方，在相当于探测装置的外装体的顶部的顶板30上通过嵌插环31设置有探测卡32。探测卡32在上表面侧具有与未图示的测试头电连接的电极组，在下表面侧，与芯片1的电极垫2(参照后述的图2)的排列相对应地设置有与该电极组分别电连接的探针、例如由向斜下方伸出的金属线构成的探针33。其中，作为探针33，也可以是相对于晶片W的表面垂直延伸的垂直针(线材探针)、或在挠性膜上形成的金凸点电极等。
在第三工作台23上设置有固定板23a，在该固定板23a上，载置有下照相机70，该下照相机70是组合用于对探针33的针尖进行放大摄像的高倍率的光学系统70a和CCD照相机70b而构成的。此外，在固定板23a上，用于在广范围内对探针33的排列进行摄影的低倍率照相机71以与下照相机70邻接的方式被载置，以相对于下照相机70的聚焦面，能够利用进退机构26在与光轴交叉的方向上进退的方式设置有靶27。
在顶部吸盘24与探测卡32之间的区域，与下照相机70为相同结构的上照相机(摄像机构)72被载置在沿未图示的导轨能够自由移动地被支承的照相机搬送部34上，靶27构成为能够通过下照相机70和上照相机72进行图像识别，例如在透明的玻璃板上形成有用于定位的被摄体。此外，在探测装置的外装体上，设置有在通过上照相机72对晶片W进行摄像时照亮晶片W的例如由蓝色发光二极管构成的照明机构28。在本实施方式中，作为上照相机72，使用在对晶片W进行摄像时作为具有R、G、B各成分的彩色数据能够取得晶片W的摄像数据D1的彩色照相机。
此外，在探测装置中，设置有用于控制上述各部件的驱动等的控制部4，具有CPU40、ROM(Read Only Memory：只读存储器)41、RAM(Random Access Memory：随机读取存储器)42、输入部43、画面等的显示部44、探测用程序45、针迹检查用程序46等，这些各个装置以通过总线47能够进行数据、命令的接收发送的方式被连接。而且，该控制部4由与探测装置连接的控制器和与控制器连接的个人计算机构成。探测用程序45是用于控制探测装置进行探测器测试的命令组，对第一～第三工作台21～23和顶部吸盘24进行驱动控制，控制被载置的晶片W的位置，进行探测器测试。
针迹检查用程序46是用于对通过上照相机72取得的晶片W的摄像数据进行处理，对探测器测试后的电极垫2的针迹进行检测检查的命令组。在针迹检查用程序46中设置有：与取得根据本发明的电极垫的材质与基底层的材质的反射率的差而被选择的彩色成分的图像数据的机构对应的RGB成分取得部50；与求取本发明的被设定的灰度级和具有该灰度级的像素数的关系数据的机构对应的针迹区域抽出部51；包括判定本发明的针迹中的基底层的露出的有无的机构的B成分直方图(histogram)取得部52；与取得用于本发明的基底膜露出区域的检测的二值化图像数据的机构对应的B成分二值化部53；和与进行本发明的掩模处理的机构对应的掩模处理部54。RGB成分取得部50是从摄像数据抽出R、G、B各成分的数据，并取得R成分的灰度阶(grayscale)数据、G成分的灰度阶数据、B成分的灰度阶数据的命令组。针迹区域抽出部51是处理G成分的灰度阶数据并选出针迹区域的命令组。B成分直方图取得部52是处理B成分的灰度阶数据，并检查电极垫2中的基底层的露出区域的有无的命令组。B成分二值化处理部53是将B成分的灰度阶数据二值化并检测露出区域的位置的命令组。掩模处理部54是将R成分的灰度阶数据二值化，并取得与电极垫2的切削残渣对应的掩模，进行掩模处理，对针迹的位置进行确定的命令组。而且，在本实施方式中，由该针迹检查用程序46、上照相机72和照明机构28构成针迹检查装置。
接着，说明上述实施方式的作用。首先，根据探测用程序45进行作为被检查基板的晶片W的探测器测试。图2、图3中表示该晶片W的芯片(IC芯片)1中的电极垫2的配置部分的大致分析图。在晶片W上形成有多个作为半导体芯片的原型的芯片1，在一个芯片1的上表面上形成有多个(在图2中为了方便表示为10个)成为电极的例如由铝(Al)构成的电极垫2。该电极垫2形成于基底层6的上表面，该基底层6由在由半导体例如硅(Si)形成的基台5之上成膜的例如铜(Cu)构成。
在探测器测试中，利用上照相机72对晶片W的电极垫2进行摄像，并且利用下照相机70对探测卡32的探针33的针尖进行摄像，求取在各摄像时的顶部吸盘24的驱动系统或者由线性标尺特定的X、Y、Z方向的坐标位置，使晶片W移动至基于这些坐标位置求得的接触位置。然后使探针33与晶片W上的电极垫2接触，利用未图示的测试器测定各芯片1的电特性，其中，该测试器通过与探测卡32连接的测试头被连接。当探测器测试结束时，进行电极垫2上的针迹的检查。
接着说明针迹的检查。以下一系列的动作根据针迹检查用程序46而被进行。如图4的流程图所示，首先由照明机构28对探测器测试之后的晶片W进行照明，利用上照相机72进行摄像，取得晶片W上表面的图像作为具有RGB成分的彩色的摄像数据D1，并存储在RAM42中(步骤S1)。接着，如图6(参照后述的图19)所示，从摄像数据D1中抽出R(Red：红色)成分、G(Green：绿色)成分、B(Blue：蓝色)成分的各成分，取得作为各自的灰度数据的R成分数据D2、G成分数据D3、B成分数据D4(步骤S2)。
在详细叙述这之后的动作之前，先简单叙述其概要内容和目的。图7(a)的图表中，纵轴为相对反射率，横轴为光的波长，分别针对铜、铝、硅表示两者的关系，虚线L1表示铜，实线L2表示铝，点划线L3表示基台5的硅。根据该图可知，铜相对于紫色的光(波长400nm)的相对反射率为47.5％，较低，随着波长变长，相对反射率变高，相对于红色的光(波长700nm)的相对反射率成为97.5％。与此相对，在为铝的情况下，相对于紫色的光的相对反射率是94.8％，相对于红色的光是89.9％，随着光的波长的变化相对反射率变化不大，表示为较高的值。另一方面，硅相对于任一种光的波长的相对反射率均为50％以下。
本发明着眼于这样的由于各材质和光的波长的不同而相对反射率不同的特性，利用该特性进行基底层6的露出区域11(铜的露出区域)的检测。即，在本实施方式中，通过使用与铜和铝的相对反射率的差最大的紫色光的波长最接近的B成分数据D4，区别作为电极垫2的材质的铝和出现在基底层6的露出区域11的铜。而且，当相对于B成分数据D4进行这样的区别时，由于基台5的硅的反射率很低，所以之后的数据处理变得困难，即使在进一步为了排除基台5的影响而切出电极垫2的情况下，也因为当对电极垫2整体区域进行这样的区别时数据处理的负荷变得较大，所以将B成分数据D4的处理对象区域限定于针迹区域。
基于这样的观点，具体进行下述处理(参照后述的图20)。即，对G成分数据D3进行灰度阶变换，取得G灰度阶数据D31(步骤S3)。在G成分数据D3中，因为铝的相对反射率高，电极垫2的部分被明亮地显示，所以当变换为G灰度数据D31时，电极垫2部分的灰度级整体变高。然后，对于G灰度数据D31的全部的像素，对画面上进行扫描，取得使像素的坐标位置与其灰度级对应的数据，并存储在RAM42中，检测出灰度级高且连续的区域，并且检测出区域的图示X轴方向和Y轴方向的端部的坐标，检测出连接它们的矩形。
检测出矩形之后，读出预先存储的电极垫2的匹配模板并与该矩形进行比较(步骤S4)。图8表示这样的一系列的处理的图像(image)。D31是G灰度数据，T1是匹配模板。而且，在匹配模板T1和检测出的矩形的一致率为规定值例如90％以上的情况下，判定检测出的矩形是电极垫2的区域，相反，在此以下的情况下重新进行检测(步骤S5)。
重复进行步骤S4、S5，在G灰度数据D31的整个区域中电极垫2的检测结束时，对检测出的各个电极垫2的区域进行针迹10的位置特定(抽出)。首先，对如图9所示那样被切出的电极垫2的图像进行二值化(步骤S6)。在该区域中，如上所述电极垫2的区域的灰度级变高，与此相对，在针迹10中，其边缘部的阴影、切削屑的阴影的位置的像素的灰度级变低，进而在针迹10形成有露出区域11的情况下，因为铜的相对反射率比电极垫2低，所以在露出区域11的位置，像素的灰度级变低。因此，当进行二值化时，取得在电极垫2的区域中，边缘部10a、切削屑的阴影12、露出区域11的部分的像素为0，其它区域为1的G二值化数据D32。
在取得G二值化数据D32之后，对G二值化数据D32进行与对G灰度数据D31进行的像素的搜索同样的搜索。此时，例如在RAM42中预先确保存储最大X位置、最小X位置、最大Y位置、最小Y位置的各坐标的区域，在最初发现值为0的像素的情况下，将该像素的坐标存储在整个上述存储区域。然后继续进行搜索，在接着发现值为0的像素的情况下，分别对存储的各坐标与X、Y坐标进行比较，在发现的坐标的值为更佳的值的情况下，例如在X的值比存储在最大X位置的存储区域中的值更大的情况下，将发现的坐标写入各个存储区域。
由此判定针迹10的X-Y平面上的位于最外侧的像素的位置，基于该坐标位置检测出与针迹10一致的例如与针迹10的外周侧相接的矩形形状的针迹区域13、及其坐标位置，将该数据存储在RAM42(步骤S7)。然后，重复步骤S6、S7，检测出全部的电极垫2的每一个的针迹区域13及其坐标位置，并将其数据存储在RAM42。
另外，在本实施方式中，将在使电极垫2的区域二值化时所使用的灰度级的阈值存储在RAM42中，再读出该阈值，但本发明的实施方式并不限定于此，例如也能够调查电极垫2的区域中的像素的灰度级，生成以灰度级为横轴、以像素数为纵轴的直方图，基于该直方图的峰等的形状决定阈值。
在检测出全部的针迹区域13之后，如图5的流程图所示，首先如图10(a)所示，对B成分数据D4进行灰度阶变换，取得B灰度数据D41(步骤S21)。然后，从B灰度数据D41切出与针迹区域13对应的区域的数据，图10(b)所示那样，取得B针迹区域13b，根据B针迹区域13b生成图11(a)所示的以灰度级为横轴、以像素数为纵轴的直方图(步骤S22)。
在生成直方图之后，如图11(b)所示那样，抽出预先设定的灰度级的范围内的直方图C。该灰度级的范围是以基底层6的铜与电极垫2的铝的反射率的差为基础，能够区分基底层6与电极垫2的区域的范围，即是作为铜的检测范围被设定的灰度级的范围，在本实施方式中，灰度级的值为从70到100之间的范围作为上述范围被设定。然后，通过公知的方式从直方图C检测出存在的全部的峰(步骤S23)。
在本实施方式中，作为电极垫2使用铝，作为基底层6使用铜，因此，在B成分数据D4中，露出有基底膜6的露出区域11的相对反射率与电极垫2的相对反射率相比较低，与电极垫2的区域相比，露出区域11显示得较暗。因此，在B灰度数据D41中形成有露出区域11的情况下，露出区域11的灰度级与电极垫2的区域相比较低。此外，在B灰度数据D41中，铜的灰度级为与上述的铜的检测范围对应的灰度级的范围内的值，因此当在形成有露出区域11的状态下生成直方图时，与露出区域11对应的灰度级的像素数变多，在直方图C内形成特征性的、例如明显比其他峰大的峰(步骤S24)。从而，在检测出该特征性的峰的情况下判定形成有露出区域11。
该特征性的峰的检测通过公知的方法(例如低通滤波处理等)进行。并且，在能够检测出特征性的峰、例如图11(b)所示的峰P1的情况下，将峰P1的起点P2和终点P3的灰度级的值设定为将B针迹区域13b二值化时的阈值的上限和下限(步骤S25)。另外，在没有发现与露出区域11对应的峰P1的情况下，对与检测中的B针迹区域13b对应的电极垫2，判断不存在露出区域11，结束检测，将该信息存储在RAM42中(步骤S30)。
当阈值范围被设定时，如图10(c)所示，根据该阈值的范围对B针迹区域13b进行二值化，在B针迹区域13b的像素中，令阈值内的灰度级的像素为“0”，令偏离阈值的灰度级的像素为“1”。于是，露出有铜的露出区域11的像素和阈值内的像素的区域为黑，其它的区域为白，取得这样的B二值化数据D42，并将该数据存储在RAM42中(步骤S26)。然后，重复上述的步骤S21～S24，对全部的电极垫2进行峰P1的检测，取得每个电极垫2的B二值化数据D42，将该数据存储在RAM42中。
这样得到的B二值化数据D42存在包含在灰度级的阈值的范围内与针迹10的边缘部、铝的阴影相对应的灰度级的情况，如果这样，则不仅是铜的露出区域11，与这些阴影对应的区域也表示为“0”(黑像素)。于是，为了区分这些区域，使用已经被收录并被存储在RAM42中的R成分数据D2，对上述阴影施加掩模，进行掩模处理。即，首先如图12(参照后述的图21)所示，将R成分数据D2二值化，取得掩模数据D21(步骤S27)。图12中，10a是边缘部的阴影，12是切削残渣的阴影。在R成分数据D2中，电极垫2的铝与基底层6的铜的相对反射率没有差别，因此，露出区域11显示得较为明亮，仅边缘部10a的阴影、切削屑的阴影12的区域显现得较暗。因此，当取得掩模数据D21时，如图12所示，仅是与阴影部分对应的像素为0，其它的部分的像素为1。
对该掩模数据D21如上所述切出针迹区域13，使用被切出的掩模数据D21，对B二值化数据D42进行掩模处理。即，将与掩模数据D21的“0”像素重合的B二值化数据D42的“0”像素转换为“1”像素(步骤S28)。利用该处理，与从图13所示的B二值化数据D42中的黑区域中除去与边缘部的阴影10a、切削屑的阴影12对应的黑区域，结果能够得到以铜的露出区域11为黑区域的针迹区域13的图像。称该图像数据为露出位置确定数据15。而且，该露出位置确定数据15被存储在RAM42中(步骤29)。然后，重复步骤S25～S27，对全部的B二值化数据D42进行掩模处理，取得掩模处理后的露出位置确定数据15，将该数据存储在RAM42中。
之后，从RAM42读出与各电极垫2对应的针迹10的相关信息，例如对包括没有针迹10的电极垫2的IC芯片添加再检查的表示，对于包括在露出位置确定数据15中作为铜的露出区域对待的“0”的像素的数量超过预先设定的像素数的电极垫2的芯片1、例如“0”的像素存在1个的芯片1，对该芯片1添加针迹10为深挖等的信息并存储在RAM42中。对取得这样的信息之后的处理的一个例子进行叙述，对于判断为深挖的电极垫2，可以是，操作者将该电极垫2的例如混合有RGB成分的原图像显示在显示部中，由操作者确认深挖的判断是否适当，如果最终判断为深挖，则将包括该电极垫2的芯片1作为不合格品处理。此外，当然也可以不进行这样的操作者的确认。也可以使针迹检查的结果例如与晶片W上的芯片1的位置相对应地显示在显示部中，例如对各芯片1进行与该结果对应的颜色分类等。
另外，在本实施方式中，与步骤S1、步骤S2对应的工序由RGB成分取得部50进行，与步骤S3～步骤S7对应的工序由针迹区域抽出部51进行，与步骤S21～步骤S25、步骤S30对应的工序由B成分直方图取得部52进行，与步骤S26对应的工序由B成分二值化部53进行，与步骤S27～步骤S29对应的工序由掩模处理部54进行。
以上所述的本实施方式的探测装置，在进行针迹10的检查时取得为彩色数据的摄像数据D1，选择从摄像数据D1抽出的R成分数据D2、G成分数据D3、和B成分数据D4中的、为电极垫2的材质的铝的光的相对反射率与为基底层6的材质的铜的光的相对反射率的差最大的B成分数据D4为基底层的露出判定用数据。然后，从B成分数据D4中切出针迹区域13，生成灰度级与像素数的直方图，根据该直方图检测与基底层6的铜对应的灰度级的范围内的峰P1，将与该峰P1对应的灰度级作为阈值的范围取得B二值化数据D42。进一步，进行使用R成分数据D2的掩模处理，除去与切削残渣的阴影12等对应的区域。由此，能够自动、迅速且高精度地可靠地检测出由探针33引起的垫2的深挖(挖至基底层6的状态)，能够大幅减少操作者的负担。此外，因为能够在探测装置内进行针迹10的检查，所以不需要如现有技术那样操作者将晶片W搬送至金属显微镜的作业区域，而且，能够迅速掌握探针的异常、过驱动的异常等。
此外，在本实施方式中，从摄像数据D1抽出R成分数据D2、G成分数据D3、B成分数据D4，将R成分数据D2使用于掩模处理，将G成分数据D3用于针迹位置检测处理，将B成分数据D4用于基底层露出判定处理。因此，进行实际的处理的数据与摄像数据D1相比数据量较少，能够实现各处理的高效化。
在上述的实施方式中，对B二值化数据D42利用R成分数据D2进行掩模处理，因此，具有能够分离针迹10的边缘、铝的切削残渣的阴影与铜的露出区域的优点，但作为本发明的实施方式，也可以不进行掩模处理。在此情况下，例如基于实验数据预先决定铝的切削残渣等的阴影的区域的面积(像素数)，使用从B二值化数据D42的黑区域的像素数中减去阴影的区域的像素数所得的数据，能够判定铜的露出区域的有无。此外，在上述实施方式中，在每次对电极垫2进行摄像时，针对B成分数据D4求取图7所示的直方图，并求取灰度级的阈值，但是例如也可以是，按照晶片W的每个种类，预先求取上述阈值并存储在RAM42中，根据作为针迹检查的对象的晶片W的种类读出阈值，使用该阈值制作B成分的二值化数据。然后，也可以从该B成分的二值化数据除去电极垫的切削残渣的阴影等的像素，搜索该B成分的二值化数据，根据发现“0”像素的情况判定露出区域的有无。
但是，因为基于图7所示的直方图求得的阈值用于抽出灰度级比该阈值高的像素，即与铜的露出区域对应的像素，所以，例如也可以是，不根据该阈值制作二值化数据，而对灰度级比该阈值高的像素的数量进行计数，从其计数值，针对与针迹10的边缘部、铝的阴影相当的区域，减去预先设定的像素数，根据得到的像素数判定铜的露出区域的有无。此外，也可以不是求取像素数，而根据位置坐标求取灰度级高的像素的区域的面积，根据该区域的面积判定铜的露出区域的有无。
而且，在本发明中，从R、G、B的各成分中，根据电极垫的材质与基底层的材质的反射率的差选择适当的成分，即具有在确定一方的材质的灰度级的范围内确定另一方的材质的灰度级与其不重合，能够有效地区分两者的程度的反射率的差的波长成分，如上所述，目的在于检测基底层的露出区域，因此，电极垫的材质、基底层的材质各自并不限于铜、铝，根据使用的各材质利用R、G、B中的任一种成分的图像即可。此处，本发明的针迹检测装置并不限于与探测装置组合设置，也可以构成为独立系统。此外，在本实施方式中，在针迹区域的检测中使用G成分的数据，但是作为本发明的实施方式，只要能够进行垫区域的确定、针迹区域的检测、和基底层的露出判定，则也可以构成为，仅使用单一的彩色成分的数据例如B成分的数据，进行垫区域的特定、针迹区域的检测、和针迹区域的直方图的取得，从而判定露出的有无。
[第二实施方式]
本发明是针迹检查装置，其取得电极垫的彩色图像，并取得与该图像的R、G、B成分对应的图像，利用该各成分数据中的、电极垫的反射率与基底膜的反射率的差在这些成分中最大的成分数据，检测露出区域。由此，晶片W的摄像机构并不限于第一实施方式的上照相机72，例如也可以将另外的专用的照相机设置在与上照相机72不同的位置，例如顶板等上。此外，作为摄像机构，并不限于上照相机72那样的能够取得包括R、G、B成分的彩色图像的彩色照相机，例如也可以组合专门取得R、G、B各个成分的三台照相机而构成摄像机构。
根据上述内容，作为本发明的实施方式，也可以是以下的第二实施方式所示的方式。在该第二实施方式的探测装置中，如图14所示，将照相机单元73设置在顶板30，该照相机单元73组合有：仅取得上述的R成分的摄像数据的R照相机73a、仅取得G成分的摄像数据的G照相机73b、和仅取得B成分的摄像数据的B照相机73c，利用该照相机单元73，从探测卡32的侧面对探测针33与电极垫2刚接触时的图像进行摄像。此外，照相机单元73包括照明单元28a。而且，照相机单元73在对晶片W进行摄像时不是获得摄像数据D1，而且由各照相机73a～73c取得R成分数据D2、G成分数据D3、B成分数据D4。在这样的实施方式中，也能够将B成分数据D4选择为基底层的露出判定用数据，能够进行例如与第一实施方式同样的处理。
此外，在本实施方式中，在对晶片W进行摄像时，不需要为了使上照相机72移动而使顶板30退避，能够在探测器测试之后立即通过照相机单元73取得各成分数据D2～D4，进行露出区域11及其位置的检测，因此能够提高检查效率。另外，在本实施方式中，也可以在照相机单元73的各照相机73a～73c设置滤波器单元，基于根据基底层6的材质的R成分、G成分、B成分的光的反射率设定的抽出用阈值进行滤波，仅抽出与基底层6的材质对应的各成分灰度级的范围内的像素，取得数据D2～D4。此外，因为照相机单元73采用分别由各个照相机73a～73c对RGB各成分的数据D2～D4进行摄像的结构，所以也可以调整照明机构28的光的各成分的光度，使各照相机73a～73c的摄像定时偏移，使得RGB各成分数据D2～D4能够由各照相机73a～73c鲜明地进行摄像。
[第三实施方式]
此外，作为本发明的实施方式，也可以是以下的第三实施方式所示的方式。在该第三实施方式的探测装置中，代替在第一实施方式中设置的上照相机72和照明机构28，设置有图15所示的能够作为黑白图像取得摄像数据D1的上照相机72m，进一步设置有由用于对晶片W进行照明的由例如发光二极管构成的R照明机构28r、G照明机构28g、B照明机构28b。R照明机构28r以红色的光照明晶片W，G照明机构28g以绿色的光照明晶片W，B照明机构28b以蓝色的光照明晶片W。由此，在上照相机72m中，能够仅取得与从各照明机构28r、28g、28b依次照射的光对应的成分的图像数据，因此，与第二实施方式同样分别取得R成分数据D2、G成分数据D3、B成分数据D4。在这样的实施方式中，也将B成分数据D4选择为基底层的露出判定用数据，例如能够进行与第一实施方式同样的处理。此外，在本实施方式中，仅调整R照明机构28r、G照明机构28g、B照明机构28b的光的强度，即能够鲜明地摄取RGB各成分数据D2～D4。
以上说明了本发明的各实施方式，但本发明并不限于上述实施方式。例如，如图16所示，也可以是，露出位置确定部52在生成直方图时，基于预先决定的B灰度数据D41中的与基底层6对应的灰度级的标准试样h1，使用现有技术中已知的最大似然估计法(Maximumlikelihood estimation method)等使直方图平滑，吸收灰度级的偏差。由此，能够吸收由于基底层6的铜的氧化、针迹10的形状的差异、上照相机72和照明机构28的角度、光度等产生的灰度级的偏差。因此，能够应对在使用能够取得彩色数据的摄像机构的情况下产生的问题，即，例如基底的铜由于氧化而变色，或摄像数据依赖于光源而使得摄像数据自身变化，结果颜色的显现方式变化，在数据产生宽度。而且，利用本实施方式的控制部4，能够进一步提高露出区域11及其位置检测的精度。
[实施例]
接着，对具备本发明的针迹检查装置的探测装置的具体的运用方法，参照图17、18进行说明。首先，作为第一运用法，如图17的流程所示，使探针33与电极垫2接触，进行最初的探测器测试(步骤S31)，在探测器测试结束后，通过作为摄像机构的上照相机72，或照相机单元73(以下简称为摄像机构)对晶片W的检查区域整体进行摄像，取得摄像数据D1(步骤S32)。接着，图像抽出部50从摄像数据D1抽出G成分数据D3，利用G成分数据D3检测针迹10(步骤S33)。在针迹检查后，例如预先决定针迹10中的一个像素的允许数，抽出形成有具有超过该允许数的一个像素的针迹10的电极垫2，即抽出存在形成有露出区域11的可能性的电极垫2(步骤S34)。
然后，通过摄像机构仅对抽出的电极垫2进行摄像(步骤S35)，新取得B成分数据D4、R成分数据D2，在露出位置确定部52、掩模处理部53进行处理，判定在电极垫2是否形成有露出区域11(步骤S36)。根据该运用方法，能够知道最初探针33与电极垫2以能够形成露出区域11的程度强力接触，因此，在之后的试验中，能够防止在电极垫2上附着基底层6的铜，而且能够进行探针33与电极垫2的接触位置的微调整。
下面，作为第二运用方法，如图18的流程所示，在探测器测试结束后调查对全部的芯片1的探测器测试的结果。在探测器测试时探针33的前端到达基底层6的情况下，探测器测试的结果进入预先决定的特定BIN的范围，因此检测出该芯片1的位置(步骤S41)。然后，通过摄像机构对该芯片1的电极垫2进行摄像(步骤S42)，在针迹位置确定部50根据G成分数据D3确定针迹位置(步骤S43)。接着，通过与步骤S34同样的方法抽出存在形成有露出区域11的可能性的电极垫2(步骤S44)，根据B成分数据D4、R成分数据D2，在露出位置确定部52、掩模处理部53进行处理，判定在电极垫2是否形成有露出区域11(步骤S45)。根据该运用方法，能够从探测器测试后的结果中仅检查存在在电极垫2上形成有露出区域11的可能性的芯片1，因此能够提高检查效率。
接着，对用于确认本发明的效果的实验进行说明。首先，作为第一实验，使用第一实施方式的探测装置，利用上照相机72对晶片W进行摄像，取得与晶片W的整个面对应的例如分割为39份的摄像数据D1。接着，以金属显微镜目视观察晶片W，取得将露出区域11的像素置换为“0”、这之外的像素置换为“1”的二值化的图像，即人用眼观察而生成的所谓Ground Truth(地面实况)图像(以下简称为GT图像)，从中选择例如75个电极垫2作为试样。然后比较从GT图像检测出的形成有露出区域11的电极垫2的数目和通过控制部4检测摄像数据D1所得的结果，调查露出区域11的检测精度。其中，在实验中，在作为样品使用的75个电极垫2中，在53个电极垫2上形成有露出区域11。在表1中表示该第一实验的结果。
在第一实验中，如以下的表1所示，对于形成有露出区域11的电极垫2，全部检测出形成有露出区域11。另一方面，对于未检测出露出区域11的22个电极垫2，22个中的4个电极垫2被错误检测出形成有露出区域11。对该错误检测的电极垫2进行实物调查，发现在电极垫2存在附着有像素单位的非常小的基底层6的铜的部分，将该部分错误识别为露出区域11是引起错误检测的原因。换言之，在控制部4中，针对附着有由金属显微镜无法检测出的微小的铜的电极垫2，也能够检测为存在露出区域11。在电极垫2上附着有铜的情况下，可能会对芯片1的电特性带来不良影响，因此这样的芯片1是不合格品，根据上述内容可知，在本实施方式的针迹检查装置中，露出区域11的检测精度非常高，进一步，针对由金属显微镜等在目视中不能够检测出的作为不合格品的芯片1，也能够判定为不合格品。此外，因为能够检测出微小的铜，所以也能够进行探针33的污染检查。此外，作为抑制该错误识别、仅检测露出面的方法，在利用二值化图像进行露出位置检测时，通过设置用于排除一定的面积以下的部分的阈值能够得到100％的正确答案。
[表1]