影像感测器模组及相机模组.pdf

一种影像感测器模组，其包括一影像感测器及一导热基板，所述影像感测器设置于所述导热基板上，所述影像感测器模组还包括一热管结构，所述热管结构包括一蒸发端及一冷凝端，所述基板与所述热管结构的蒸发端热性连接，所述热管结构包括两相对的上基板及下基板，所述上基板及下基板的内部形成有凹槽用于容置工作流体，所述上基板与下基板相互密封以将所述工作流体封装在上基板及下基板的凹槽形成的空间内。本发明还提供一种采用所述影像感测器模组的相机模组。

1.  一种影像感测器模组，其包括一影像感测器及一导热基板，所述影像感测器设置于所述导热基板上，其特征在于，所述影像感测器模组还包括一热管结构，所述热管结构包括一蒸发端及一冷凝端，所述基板与所述热管结构的蒸发端热性连接，所述热管结构包括两相对的上基板及下基板，所述上基板及下基板的内部形成有凹槽用于容置工作流体，所述上基板与下基板相互密封以将所述工作流体封装在上基板及下基板的凹槽形成的空间内。

2.  如权利要求1所述的影像感测器模组，其特征在于，所述上基板及下基板的材料为硅。

3.  如权利要求1所述的影像感测器模组，其特征在于，所述上基板和下基板为形状相同的矩形。

4.  如权利要求3所述的影像感测器模组，其特征在于，所述矩形的长边长度范围为10mm至50mm。

5.  如权利要求3所述的影像感测器模组，其特征在于，所述矩形的短边长度范围为5mm至50mm。

6.  如权利要求1所述的影像感测器模组，其特征在于，所述上基板及下基板的厚度范围均为100μm至1000μm。

7.  如权利要求1所述的影像感测器模组，其特征在于，所述下基板的内表面上形成有多个突起。

8.  如权利要求7所述的影像感测器模组，其特征在于，所述突起为横截面呈V形或U形的条状突起。

9.  如权利要求1所述的影像感测器模组，其特征在于，所述热管结构的冷凝端设有散热鳍片或散热风扇。

10.  如权利要求1所述的影像感测器模组，其特征在于，所述导热基板具有一第一表面及与所述第一表面相对的一第二表面，所述导热基板的第一表面或第二表面上设置有一热界面材料层。

11.  一种相机模组，其包括一镜头模组、一镜座及一影像感测器模组，所述镜座用于收容所述镜头模组及所述影像感测器模组，所述影像感测器模组包括一影像感测器及一导热基板，所述影像感测器设置于所述导热基板上，其特征在于，所述影像感测器模组还包括一热管结构，所述热管结构包括一蒸发端及一冷凝端，所述导热基板与所述热管结构的蒸发端热性连接，所述热管结构包括两相对的上基板及下基板，所述上基板及下基板的内部形成有凹槽用于容置工作流体，所述上基板与下基板相互密封以将所述工作流体封装在上基板及下基板的凹槽形成的空间内。

12.  如权利要求11所述的相机模组，其特征在于，所述上基板及下基板的材料为硅。

影像感测器模组及相机模组
技术领域
本发明涉及影像感测器模组，尤其涉及一种具有较高散热效率的影像感测器模组及采用所述影像感测器模组的相机模组。
背景技术
随着电子产品多功能化的发展，相机模组在手机、笔记本电脑、数码相机、个人数字助理等消费性电子产品中得到广泛应用。人们在追求多功能化的同时，也希望电子产品具有优良的影像效果，即，需要相机模组具有高质量的成像品质，由此带来相机模组的分辨率及成像质量不断得到提高，以满足人们的更高要求。
随着相机模组的成像质量的不断提高，用于成像及处理图像信息的关键组件即影像感测器模组的研究与设计也在不断改进。由于影像感测器的分辨率不断提高，要求其处理影像数据的效率及数据处理能力也越来越高，随之带来的影响是，影像感测器由于要处理大量数据从而导致其发热量越来越大，就会造成影像感测器模组甚至相机模组的发热量过高，对相机模组的成像稳定性产生不良影响。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种散热效率高的影像感测器模组及采用所述影像感测器的相机模组。
一种影像感测器模组，其包括一影像感测器及一导热基板，所述影像感测器设置于所述导热基板上，其特征在于，所述影像感测器模组还包括一热管结构，所述热管结构包括一蒸发端及一冷凝端，所述基板与所述热管结构的蒸发端热性连接，所述热管结构包括两相对的上基板及下基板，所述上基板及下基板的内部形成有凹槽用于容置工作流体，所述上基板与下基板相互密封以将所述工作流体封装在上基板及下基板的凹槽形成的空间内。
一种相机模组，其包括一镜头模组、一镜座及一影像感测器模组，所述镜座用于收容所述镜头模组及所述影像感测器模组，所述影像感测器模组包括一影像感测器及一导热基板，所述影像感测器设置于所述导热基板上，所述影像感测器模组还包括一热管结构，所述热管结构包括一蒸发端及一冷凝端，所述导热基板与所述热管结构的蒸发端热性连接，所述热管结构包括两相对的上基板及下基板，所述上基板及下基板的内部形成有凹槽用于容置工作流体，所述上基板与下基板相互密封以将所述工作流体封装在上基板及下基板的凹槽形成的空间内。
相较于现有技术，本发明提供的影像感测器模组及采用所述影像感测器模组的相机模组具有如下优点：由于导热基板由导热材料制成，可将影像感测器所产生的热量迅速导走，而导热基板设置于热管结构的蒸发端，通过热管结构中的工作流体，不断将热量导至热管结构的冷凝端，使所述影像感测器模组具有较高的散热效率，降低影像感测器由于发热量大而产生的图像噪声，从而提高影像感测器的稳定性和成像品质。
附图说明
图1是本发明实施例提供的相机模组的剖视图。
图2是本发明实施例提供的影像感测器模组的剖视图。
图3是本发明实施例提供的影像感测器模组的立体图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明实施例作进一步的详细说明。
请参阅图1至图3，本发明实施例提供的相机模组100包括镜头模组10、镜座20及影像感测器模组30。
所述镜头模组10包括镜筒11及设置于所述镜筒11中的多个镜片12。所述镜筒11为圆筒体，其具有相对的内壁和外壁13。所述镜筒外壁13可设有外螺纹以与镜座20配合组装。
所述镜座20为上圆下方的筒状物。所述镜座20上端为圆筒形以与所述镜筒11相互配合组装，并部分收容所述镜筒11。与所述镜筒11的外壁13相对应，所述镜座20的上端内壁21可设有内螺纹以与镜筒11配合组装。所述镜座20下端为方形，所述镜座20下端内部具有一收容空间用于部分收容影像感测器模组30。
所述影像感测器模组30包括影像感测器31、导热基板33及热管结构34。
所述影像感测器31通常用于感测图像并产生对应于图像的电信号，其可为电荷耦合感测器(Charge Coupled Device，CCD)或互补金属氧化物半导体感测器(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，CMOS)。在本实施例中，所述影像感测器100采用芯片级封装(Chip Scale Package；CSP)。
所述导热基板33具有第一表面331及与所述第一表面331相对的第二表面332。所述导热基板33由导热性能良好的导热材料制成。本实施例的导热基板33采用金属基板，选用的金属为铝。为增强所述导热基板33的导热效果，还可在所述导热基板33第一表面331上涂布一层热界面材料层333，以使所述影像感测器31上的热量迅速传导至导热基板33上。相应地，所述第二表面332上也可涂布一层热界面材料层。所述导热基板33可为印刷电路板或柔性电路板。所述导热基板33上排布有导线或触点。所述导热基板33与所述影像感测器31为电性连接。
所述热管结构34包括一蒸发端343及一冷凝端344，所述导热基板33设置于所述热管结构34的蒸发端343。
所述热管结构34包括两相对的上基板341及下基板342，所述下基板342的内部形成有凹槽3421用于容置工作流体3422，同样地，所述上基板的内部也对应形成有凹槽(图未示)。所述上基板341及下基板342相互密封以将所述工作流体3422封装在上基板341及下基板342形成的空间内。
在本实施例中，所述上基板341和下基板342为形状相同的矩形。所述矩形的长边长度范围为10mm至50mm。所述矩形的短边长度范围为5mm至50mm。所述上基板341及下基板342的厚度范围为100um至1000um。可以理解，所述热管结构34的形状也可以设置为其他形状，例如：方形、菱形等。
所述下基板342的凹槽3421具有一内表面3423，所述内表面3423上形成有多个突起3424。所述突起3424为横截面呈V形或U形的条状突起。在本实施例中，所述上基板341的内表面上仅有凹槽而没有突起，可以理解，所述突起3424也可以设置在上基板的凹槽内表面上。所述突起3424可以有利于形成毛细现象而将冷却后的工作流体3422传导回蒸发端343。
所述上基板341及下基板342的材料为硅。所述上基板341及下基板342采用芯片级封装工艺封装。所述下基板342上的多个突起3424可以采用光罩或蚀刻法而制作形成。可以理解，所述上基板341及下基板342的材料也可以采用金属等本领域常见的热管材料制成。
为提高散热效率，所述热管结构34的冷凝端344设有多个散热鳍片3441。所述冷凝端344也可以设置有散热风扇，以利冷凝端344的工作流体3422迅速冷却。
相较于现有技术，本发明提供的影像感测器模组及采用所述影像感测器模组的相机模组具有如下优点：由于导热基板由导热材料制成，可将影像感测器所产生的热量迅速导走，而导热基板设置于热管结构的蒸发端，通过热管结构中的工作流体，不断将热量导至热管结构的冷凝端，使所述影像感测器模组具有较高的散热效率，降低影像感测器由于发热量大而产生的图像噪声，从而提高影像感测器的稳定性和成像品质。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。