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1、10申请公布号CN104073766A43申请公布日20141001CN104073766A21申请号201410079015122申请日20140305201306857720130328JPC23C14/3220060171申请人住友重机械工业株式会社地址日本东京都72发明人酒见俊之74专利代理机构广州三环专利代理有限公司44202代理人温旭郝传鑫54发明名称成膜装置57摘要本发明提供一种成膜装置，其能够降低因成膜对象物的位置产生的膜质的偏差。本发明的成膜装置（1）具备向真空腔室（10）内供给原料气体（在此为氧气）的原料气体供给部（30），并且具备对成膜对象物（11）局部地供给比原料气体活。
2、化的活化气体的活化气体供给部（40）。其中，通过成膜对象物（11）与沉积部（2）的位置关系，有时在成膜对象物（11）中的一部分中，与其他部分相比供给到膜中的氧变少。对于膜中的氧变少的部分，通过活化气体供给部（40）局部地供给氧的活化气体，从而能够弥补膜中的氧。因此，能够降低因成膜对象物（11）的位置产生的膜中的氧的偏差。综上，能够降低因成膜对象物（11）的位置产生的膜质的偏差。30优先权数据51INTCL权利要求书1页说明书7页附图3页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书7页附图3页10申请公布号CN104073766ACN104073766A1/1页21一种成。
3、膜装置，其在真空腔室内使成膜材料的粒子沉积于成膜对象物，该成膜装置具备成膜对象物配置部，能够在所述真空腔室内配置所述成膜对象物；沉积部，使所述成膜材料的粒子沉积于所述成膜对象物；原料气体供给部，向所述真空腔室内供给原料气体；及活化气体供给部，对配置于所述成膜对象物配置部的所述成膜对象物局部地供给比所述原料气体活化的活化气体。2根据权利要求1所述的成膜装置，其中,所述沉积部具备多个等离子源，在所述真空腔室内生成等离子射束；多个主炉缸，作为填充有所述成膜材料并向所述成膜材料导入所述等离子射束或导入有所述等离子射束的主阳极；及多个环炉缸，配置于所述主炉缸的周围并作为引导所述等离子射束的辅助阳极。3根。
4、据权利要求2所述的成膜装置，其中，所述活化气体供给部向配置于所述成膜对象物配置部的所述成膜对象物中的、从所述成膜材料的粒子的照射方向观察时相互邻接的所述主炉缸之间的位置供给所述活化气体。4根据权利要求2所述的成膜装置，其中，所述活化气体供给部向配置于所述成膜对象物配置部的所述成膜对象物中的、从所述成膜材料的粒子的照射方向观察时比在所述多个主炉缸排列的方向上配置于最端部的所述主炉缸更靠外缘侧的位置供给所述活化气体。权利要求书CN104073766A1/7页3成膜装置0001本申请主张基于2013年3月28日申请的日本专利申请第2013068577号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说。
5、明书中。技术领域0002本发明涉及一种成膜装置。背景技术0003作为在成膜对象物的表面形成膜的成膜装置，例如采用离子镀法或溅射法。例如在专利文献1中，记载有采用离子镀法的成膜装置，该离子镀法使已蒸发的成膜材料扩散于真空腔室内而使成膜材料附着于成膜对象物的表面。在该专利文献1所记载的成膜装置中设置有两个产生等离子射束的等离子源及通过该等离子射束使成膜材料蒸发的主炉缸等，以能够与作为成膜对象物的基板的大型化对应。在该成膜装置中，将氧作为原料气体向真空腔室内供给而进行成膜。并且，在专利文献2所记载的成膜装置中，向作为成膜对象物的整个基板供给已活化的氧气而进行成膜。0004专利文献1日本特开平1101。
6、2725号公报0005专利文献2日本特开平03097853号公报0006在此，随着成膜对象物的大型化，如上述的专利文献1所记载的成膜装置，设置多个主炉缸等而进行成膜时，有时在成膜对象物上的膜中产生氧不足的区域。或者，有时产生过量地供给氧的区域。与此相对，如专利文献2即使向整个成膜对象物供给已活化的氧气，有时在膜中也会产生氧的浓淡。综上，因成膜对象物的位置而在膜质上产生偏差。发明内容0007因此，本发明的目的在于提供一种能够降低因成膜对象物的位置产生的膜质的偏差的成膜装置。0008本发明所涉及的成膜装置为在真空腔室内使成膜材料的粒子沉积于成膜对象物的成膜装置，其中，具备成膜对象物配置部，能够在真。
7、空腔室内配置成膜对象物；沉积部，使成膜材料的粒子沉积于成膜对象物；原料气体供给部，向真空腔室内供给原料气体；及活化气体供给部，向配置于成膜对象物配置部的成膜对象物局部地供给比原料气体活化的活化气体。0009本发明所涉及的成膜装置具备向真空腔室内供给原料气体的原料气体供给部，并且具备向成膜对象物局部地供给比原料气体活化的活化气体的活化气体供给部。其中，通过成膜对象物与沉积部的位置关系，有时在成膜对象物中的一部分中，与其他部分相比供给到膜中的原料变少。对于这种部分，通过活化气体供给部局部地供给活化气体，从而能够弥补膜中的原料。因此，能够降低因成膜对象物的位置产生的膜中的原料的偏差。综上，能够降低因。
8、成膜对象物的位置产生的膜质的偏差。0010在本发明所涉及的成膜装置中，沉积部可具备多个等离子源，在真空腔室内生成说明书CN104073766A2/7页4等离子射束；多个主炉缸，作为填充有成膜材料并向成膜材料导入等离子射束或导入有等离子射束的主阳极；及多个环炉缸，配置于主炉缸的周围并作为引导等离子射束的辅助阳极。沉积部由多个等离子源、多个主炉缸及多个环炉缸构成时，通过与各主炉缸的位置关系，在成膜对象物的一部分中，与其他部分（接近主炉缸的区域）相比膜中的原料变少。对于这种部分，通过活化气体供给部局部地供给活化气体，从而能够弥补膜中的原料。0011在本发明所涉及的成膜装置中，活化气体供给部可向配置于。
9、成膜对象物配置部的成膜对象物中的、从成膜材料的粒子的照射方向观察时相互邻接的主炉缸之间的位置供给活化气体。由于成膜对象物中，在相互邻接的主炉缸之间，膜中的原料容易变少，因此通过活化气体供给部对该部分局部地供给活化气体，从而能够弥补膜中的原料。0012在本发明所涉及的成膜装置中，活化气体供给部可向在配置于成膜对象物配置部的成膜对象物中，从成膜材料的粒子的照射方向观察时，比在多个主炉缸排列的方向上配置于最端部的主炉缸更靠外缘侧的位置供给活化气体。由于成膜对象物中，在比配置于最端部的主炉缸更靠外缘侧膜中的原料容易变少，因此通过活化气体供给部对该部分局部地供给活化气体，从而能够弥补膜中的原料。0013。
10、根据本发明，能够降低因成膜对象物的位置产生的膜质的偏差。附图说明0014图1是表示本发明的成膜装置的一实施方式的结构的剖视图。0015图2是沿图1所示的IIII线的剖视图。0016图3是表示成膜对象物与主炉缸的位置关系的示意图。0017图中1成膜装置，2沉积部，3输送机构（成膜对象物配置部），6环炉缸，7等离子源，10真空腔室，10A输送室（成膜对象物配置部），11成膜对象物，17主炉缸，30原料气体供给部，40活化气体供给部。具体实施方式0018以下，参考附图对本发明的成膜装置的一实施方式进行详细说明。另外，在附图说明中对相同要件标注相同符号，并省略重复说明。0019图1是表示本发明的成膜装。
11、置的一实施方式的结构的剖视图。图2是沿图1所示的IIII线的剖视图。本实施方式的成膜装置1是所谓用于离子镀法的离子镀法装置。另外，为了方便说明，在图1示出XYZ坐标系。Y轴方向为后述的成膜对象物被输送的方向。X轴方向为成膜对象物与后述的炉缸部20对置的方向。Z轴方向为与X轴方向和Y轴方向正交的方向。0020如图1及图2所示，本实施方式的成膜装置1是使成膜对象物以成膜对象物的板厚方向成为水平方向的方式直立或从直立的状态倾斜地配置于真空腔室内并进行输送的所谓立式成膜装置。此时，X轴方向为水平方向且为成膜对象物的板厚方向，Y轴方向为水平方向，Z轴方向成为铅垂方向。另一方面，在本发明的成膜装置的一实施。
12、方式中，也可以是成膜对象物以成膜对象物的板厚方向大致成为铅垂方向的方式配置于真空腔室内并进行输送的所谓卧式成膜装置。此时，Z轴及Y轴方向为水平方向，X轴方向成为铅垂方向且成为板厚方向。另外，在以下实施方式中，以立式成膜装置为例，对本发明的成膜装置的一说明书CN104073766A3/7页5实施方式进行说明。0021本实施方式的成膜装置1具备沉积部2、输送机构（成膜对象物配置部）3、真空腔室10、原料气体供给部30及活化气体供给部40。并且，沉积部2具备多个等离子源7及多个炉缸部20。0022真空腔室10具有输送室（成膜对象物配置部）10A，用于输送成膜对象物11，该成膜对象物11上形成成膜材料。
13、的膜；成膜室10B，使成膜材料MA扩散；及等离子口10C，使从等离子源7照射的等离子射束P进入真空腔室10。输送室10A、成膜室10B及等离子口10C相互连通。输送室10A沿预定的输送方向（图中的箭头A）（沿Y轴）设定。并且，真空腔室10由导电性材料构成并连接于地电位。真空腔室10中连接有压力调整装置（未图示），调整真空腔室10内的压力。压力调整装置例如具有涡轮分子泵或低温泵等减压部，及测定真空腔室10内的压力的压力测定部。0023成膜室10B具有沿着输送方向（箭头A）的一对侧壁10J及10K（参考图2）、沿着与输送方向（箭头A）交叉的方向（X轴方向）的一对侧壁10H及10I（参考图1）、以及。
14、与输送室10A对置的侧壁10M。侧壁10H配置于成膜室10B中的输送方向A的上游侧（即Y轴负方向侧）。侧壁10I配置于成膜室10B中的输送方向A的下游侧（即Y轴正方向侧）。0024输送机构3沿输送方向A输送以与成膜材料MA对置的状态保持成膜对象物11的成膜对象物保持部件16。输送机构3包括设置于输送室10A内的多个输送辊15。输送辊15沿输送方向A等间隔配置，并支承成膜对象物保持部件16且沿输送方向A输送成膜对象物保持部件16。另外，成膜对象物11例如使用玻璃基板或塑料基板等板状部件。并且，成膜对象物保持部件16例如使用以使成膜对象物11的被成膜面露出的状态保持成膜对象物11的输送托盘等。00。
15、25等离子源7为压力梯度型，且其主体部分经由设置于成膜室10B的侧壁10H的等离子口10C连接于成膜室10B。等离子源7在真空腔室10内生成等离子射束P。等离子源7中生成的等离子射束P从等离子口10C向成膜室10B内射出。通过设置于等离子口10C的转向线圈（未图示）来控制等离子射束P的射出方向。0026相对于1个成膜室10B设置有多个（本实施方式中为2个）等离子源7。多个等离子源7沿成膜对象物11的长边方向（Z轴方向）并排配置。多个等离子源7配置于相同的侧壁10H。另外，多个等离子源7也可以在对置的一对侧壁10H、10I中交替配置。多个等离子源7也可以沿成膜对象物11的厚度方向（X轴方向）并排。
16、配置。并且，多个等离子源7也可以是沿Z轴方向排列且沿X轴方向排列的结构。0027成膜装置1中设置有多个（本实施方式中为2个）炉缸部20。1个炉缸部20包括1个主炉缸17及1个环炉缸6。因此，成膜装置1中设置有多个（本实施方式中为2个）主炉缸17及多个（本实施方式中为2个）环炉缸6。多个炉缸部20与多个等离子源7对应地配置于侧壁10M。多个炉缸部20沿成膜对象物11的长边方向（Z轴方向）并排配置。另外，多个炉缸部20也可以沿成膜对象物11的短边方向（Y轴方向、输送方向）并排配置。并且，多个炉缸部20也可以是沿Z轴方向及Y轴方向这两个方向排列的结构。0028炉缸部20具有用于保持成膜材料MA的机构。
17、。炉缸部20设置于真空腔室10的成膜室10B内，且从输送机构3观察，该炉缸部20配置在X轴方向的负方向。炉缸部20具有作为将从等离子源7射出的等离子射束P导入于成膜材料MA的主阳极或作为导入有从等说明书CN104073766A4/7页6离子源7射出的等离子射束P的主阳极的主炉缸17。0029主炉缸17具有筒状的填充部17A，填充有成膜材料MA并沿X轴方向的正方向延伸；及凸缘部17B，从填充部17A突出。由于主炉缸17相对于真空腔室10所具有的地电位保持在正电位，因此吸引等离子射束P。在射入有该等离子射束P的主炉缸17的填充部17A形成有用于填充成膜材料MA的贯穿孔17C。并且，成膜材料MA的前。
18、端部分在该贯穿孔17C的一端暴露于成膜室10B中。0030环炉缸6为具有用于引导等离子射束P的电磁铁的辅助阳极。环炉缸6配置于保持成膜材料MA的主炉缸17的填充部17A的周围。环炉缸6具有环状的线圈9、环状的永久磁铁13及环状的容器12，且线圈9及永久磁铁13容纳于容器12中。环炉缸6根据流过线圈9的电流的大小来控制射入到成膜材料MA的等离子射束P的方向或射入到主炉缸17的等离子射束P的方向。0031成膜材料MA中例如有ITO或ZNO等透明导电材料和SION等绝缘密封材料。成膜材料MA由绝缘性物质构成时，若向主炉缸17照射等离子射束P，则通过来自等离子射束P的电流来加热主炉缸17，且使成膜材料。
19、MA的前端部分蒸发，被等离子射束P离子化的成膜材料粒子MB在成膜室10B内扩散。并且，成膜材料MA由导电性物质构成时，若向主炉缸17照射等离子射束P，则等离子射束P直接射入到成膜材料MA，且使成膜材料MA的前端部分加热蒸发，被等离子射束P离子化的成膜材料粒子MB在成膜室10B内扩散。在成膜室10B内扩散的成膜材料粒子MB向成膜室10B的X轴正方向移动，且在输送室10A内附着于成膜对象物11的表面。另外，成膜材料MA为成形为预定长度的圆柱形状的固体物，且多个成膜材料MA被一次性填充于炉缸部20的主炉缸17。而且，随着成膜材料MA的消耗，成膜材料MA从炉缸部20的主炉缸17的X轴负方向侧依次挤出，。
20、以使最前端侧的成膜材料MA的前端部分与主炉缸17上端保持预定的位置关系。0032原料气体供给部30向真空腔室10内供给原料气体。在本实施方式中将氧气用作原料气体，但是此外，也可以采用H20、N2、NH3等。原料气体供给部30具备氧气瓶31，向内部填充作为原料气体的氧气；质量流量控制器（MFC；MASSFLOWCONTROLLER）32，即以预定的流量向成膜室10B内供给氧气瓶31内的氧气的气体流量控制器。氧气通过质量流量控制器32及供给管路L1供给到真空腔室10的成膜室10B内。另外，供给管路L1与真空腔室10的连接位置（即氧气的供给口）并无特别限定，但是例如在过于接近成膜对象物11的位置供给。
21、原料气体时，由于原料气体在腔室内变得不均匀，因此优选隔开预定距离。0033活化气体供给部40对配置于输送室10A的输送机构3的成膜对象物11局部地供给比原料气体活化的活化气体。在本实施方式中，由于将氧气用作原料气体，因此活化气体供给部40供给已活化的氧气。另外，由于只要比原料气体活化即可，因此例如也可以将臭氧用作活化气体。活化气体供给部40具备氧气瓶41，将作为活化的原料气体的氧气填充到内部；质量流量控制器42，即以预定的流量向成膜室10B内供给氧气瓶41内的氧气的气体流量控制器；活化部43，使原料气体活化；管路L2，向成膜室10B内导入在活化部43活化的活化气体，及喷出部44，向成膜对象物1。
22、1供给通过管路L2的活化气体。活化部43只要能够使原料气体活化，则采用任何方式都可以，例如可通过射频（RF）放电、微波放电来使原料气体活化。在本实施方式中，采用射频放电作为活化方式，活化部43具备引导室45、感应线圈46及向感应线圈46供给射频的射频电源47。说明书CN104073766A5/7页70034喷出部44对该成膜对象物11的成膜面局部地供给活化气体。喷出部44可设置于以沿着成膜对象物11的成膜面的方式供给活化气体的位置。由此，能够抑制因成膜材料在管路L2中附着/落下而引起的粒子的产生。另外，喷出部44可配置于与成膜对象物11的成膜面对置的位置。喷出部44的喷出口的形状并无特别限定，。
23、可以是如直线状喷出活化气体的形状，也可以是使活化气体扩散喷出的形状。管路L2的布线并无特别限定，从真空腔室10的各侧壁10H、10I、10J、10K、10M的任一部分进入成膜室10B内即可。而且，管路L2在成膜室10B内的布线也并无特别限定，但优选尽可能不附着来自主炉缸17的成膜材料粒子MB的布线。例如，可在一对主炉缸17之间的Z轴方向上的中间位置，沿Y轴方向延伸管路L2。另外，作为构成管路L2的配管及喷出部44的材料，优选采用不锈钢。0035其中，参考图3对成膜对象物11中由喷出部44供给活化气体的位置进行说明。图3是从厚度方向（X轴方向）观察成膜对象物11的成膜面的示意图。如图3所示，随着。
24、成膜对象物11大型化，使用多个主炉缸17而使氧化物薄膜成膜时，在接近主炉缸17的区域由于等离子的浓度变浓而容易进行作为原料气体的氧气的活化。因此，在形成于成膜对象物11的膜中，从成膜材料粒子MB的照射方向（主炉缸17与成膜对象物11对置的方向，在此为X轴方向）观察时，接近主炉缸17的区域供给有已活化的氧气，从而充分进行氧化。另一方面，由于越远离主炉缸17，等离子的浓度变得越低，因此形成于成膜对象物11的膜中，从照射方向观察时，越向径向（图中箭头所示的方向）远离主炉缸17的区域，氧化程度越不足。因此，从照射方向观察时，一个主炉缸17A与另一个主炉缸17B之间的区域中，在各主炉缸17A、17B之间。
25、的大致中间位置的区域E1，膜中的氧尤其不足。并且，在成膜对象物11中，从照射方向观察时，在比主炉缸17A、17B排列的方向B（在此为Z轴方向）上配置于最端部的主炉缸17A更靠外缘11A侧的区域E2，膜中的氧尤其不足。而且，在成膜对象物11中，从照射方向观察时，在比主炉缸17A、17B排列的方向B上配置于最端部的主炉缸17B更靠外缘11B侧的区域E3，膜中的氧尤其不足。另外，本实施方式中，由于主炉缸17为两个，因此任一主炉缸17A、17B均相当于“在方向B上最端部的主炉缸”。0036综上，如图1及图2所示，活化气体供给部40通过向成膜对象物11中，膜中的氧容易不足的区域局部地供给活化气体，即对成。
26、膜对象物11部分供给活化气体，从而能够弥补膜中的氧。具体而言，活化气体供给部40的喷出部44配置于能够向图3所示的区域E1、区域E2、区域E3中的任一（或全部）区域供给活化气体的位置（如图1所示，可以是能够沿成膜对象物11的成膜面供给活化气体的位置，也可以配置于与各区域对置的位置）。即，喷出部44配置在成膜对象物11处，从照射方向观察时，与主炉缸17A与主炉缸17B之间的区域的各主炉缸17A、17B之间的大致中间位置的部分（对应于图3的区域E1）对置的位置等，且能够向该部分供给活化气体。另外，喷出部44只要在主炉缸17A、17B之间，朝向任何位置（改变活化气体的照射轴的朝向）供给活化气体均可。。
27、并且，相对于成膜面的供给角度可以不垂直，可以倾斜，也可以平行于成膜面。而且还可以由多个喷出部44供给。并且，供给活化气体的范围可设为至少小于1个主炉缸17能够使成膜材料粒子MB附着于成膜对象物11的范围。0037并且，设置多个喷出部44时，1个喷出部44配置于在成膜对象物11处，从照射方向观察时，与比在主炉缸17A、17B排列的方向B上配置于最端部的主炉缸17A更靠外缘11A侧的部分（对应于图3的区域E2）对置的位置等，且能够向该部分供给活化气体。另外，配说明书CN104073766A6/7页8置于该位置的喷出部44在图2中用双点划线表示（可以是能够沿成膜对象物11的成膜面供给活化气体的位置）。
28、。另外，喷出部44只要在比主炉缸17A更靠外缘11A侧，朝向任何位置（改变活化气体的照射轴的朝向）供给活化气体均可。并且，相对于成膜面的供给角度可以不垂直，可以倾斜，也可以平行于成膜面。而且，可以在该位置设置多个喷出部44，并由多个喷出部44进行供给。同样，设置多个喷出部44时，1个喷出部44配置于在成膜对象物11处，从照射方向观察时，与比在主炉缸17A、17B排列的方向B上配置于最端部的主炉缸17B更靠外缘11B侧的部分（对应于图3的区域E3）对置的位置等，且能够向该部分供给活化气体。另外，配置于该位置的喷出部44在图2中用双点划线表示（可以是能够沿成膜对象物11的成膜面供给活化气体的位置）。
29、。另外，喷出部44只要在比主炉缸17B更靠外缘11B侧，朝向任何位置（改变活化气体的照射轴的朝向）供给活化气体均可。并且，相对于成膜面的供给角度可以不垂直，可以倾斜，也可以平行于成膜面。而且，也可以在该位置设置多个喷出部44，并由多个喷出部44进行供给。喷出部44也可以配置于上述的3个位置中的任意1个位置或2个位置或全部3个位置。0038接着，对本实施方式所涉及的成膜装置1的作用、效果进行说明。0039本实施方式所涉及的成膜装置1具备向真空腔室10内供给原料气体（在此为氧气）的原料气体供给部30，并且具备对成膜对象物11局部地供给比原料气体活化的活化气体的活化气体供给部40。其中，通过成膜对象。
30、物11与沉积部2的位置关系，有时在成膜对象物11中的一部分中，与其他部分相比，供给到膜中的氧变少。因此，在该部分的膜中的氧不足。或者，供给氧气以免在该部分的膜中的氧不足时，在其他部分的氧变得过量。在本实施方式所涉及的成膜装置1中，对膜中的氧变少的部分，通过活化气体供给部40局部地供给氧的活化气体，从而能够弥补膜中的氧。因此，无论成膜对象物11的位置如何，均能够使膜中的氧均匀，综上，能够降低因成膜对象物11的位置产生的膜质的偏差。0040在本实施方式所涉及的成膜装置1中，沉积部2由多个等离子源7、多个主炉缸17及多个环炉缸6构成。通过这种结构，能够对应于成膜对象物11的大型化。其中，从照射方向（。
31、X轴方向）观察时，主炉缸17附近由于等离子浓度高，因此活化气体较多，越远离主炉缸17，等离子浓度越低，因此活化气体变少。因此，通过与各主炉缸17的位置关系，在成膜对象物11的一部分中，与其他部分（接近主炉缸的区域）相比，膜中的氧变少。对于这种部分，通过活化气体供给部40局部地供给活化气体，从而能够弥补膜中的氧。0041在本实施方式所涉及的成膜装置1中，活化气体供给部40从成膜时的成膜材料粒子MB的照射方向观察时，在相互邻接的主炉缸17（17A、17B）之间，向配置于输送室10A的输送机构3的成膜对象物11供给活化气体。由于成膜对象物11中，在相互邻接的主炉缸17（17A、17B）之间，膜中的氧。
32、容易变少，因此通过活化气体供给部40对该部分局部地供给活化气体，从而能够弥补膜中的氧。0042在本实施方式所涉及的成膜装置1中，活化气体供给部40向配置于输送室10A的输送机构3的成膜对象物11中，从成膜时的成膜材料粒子MB的照射方向观察时，比在多个主炉缸17（17A、17B）排列的方向上配置于最端部的主炉缸17A、17B更靠外缘11A、11B侧供给活性气体。由于成膜对象物11中，在比配置于最端部的主炉缸17A、17B更靠外缘11A、11B侧，膜中的氧容易变少，因此通过活化气体供给部40对该部分局部地供给活化气体，从而能够弥补膜中的氧。说明书CN104073766A7/7页90043本发明并不。
33、限定于上述实施方式。0044例如，等离子源7及炉缸部20的个数和配置并不限定于上述的实施方式，能够适当变更。即使是这种情况，活化气体供给部40从照射方向观察时，可以在相互邻接的主炉缸17之间，向成膜对象物11供给活化气体。并且，活化气体供给部40可向成膜对象物11中，从照射方向观察时，比在多个主炉缸17排列的方向上配置于最端部的主炉缸17更靠外缘侧供给活化气体。例如，沿上下方向（Z轴方向）排列有3个主炉缸17时，可向成膜对象物11中，最上侧的主炉缸17与中间的主炉缸17之间的部分供给活化气体，也可向中间的主炉缸17与最下侧的主炉缸17之间的部分供给活化气体。并且，可向成膜对象物11中，比在最上。
34、侧的主炉缸17更靠上侧的外缘侧供给活化气体，也可向比最下侧的主炉缸17更靠下侧的外缘侧供给活化气体。等离子源7及炉缸部20为4个以上的情况也可设为相同宗旨的结构。0045并且，上述的成膜装置1具备通过离子镀法使成膜材料粒子MB沉积的沉积部2，但也可以采用利用溅射法的沉积部。利用溅射法的沉积部具备作为设置在真空腔室内的成膜材料的靶、及通过放电产生等离子的电力源，通过在真空中、在环境气体中产生等离子而使等离子中的正离子与靶冲突，从而弹出金属原子，使其附着于成膜对象物11上而进行成膜。即使采用利用这种溅射法的沉积部，膜中的原料也会因成膜对象物的位置而产生偏差，因此通过活化气体供给部向原料容易变少的部分局部地供给活化气体，从而能够减少膜质的偏差。说明书CN104073766A1/3页10图1说明书附图CN104073766A102/3页11图2说明书附图CN104073766A113/3页12图3说明书附图CN104073766A12。