本发明是关于一种集成电路，特别是关于一种当特定条件发生时，能自我摧毁的集成电路。 一般而言，集成电路的设计与制造必须满足其设定的规格。于大多数的规格中，集成电路的使用寿命以及启动次数是希望其愈长且愈多才愈好，也就是说多数的规格在使用寿命以及启动次数是没有上限的。传统的集成电路全部具有此类的规格。
但是，在少数的特殊应用领域中，集成电路的制造商或其后续系统制造商，例如电脑游戏卡制造者，宁可于某特定条件发生时，就中止此集成电路的寿命。或者，他们希望集成电路只能被启动某个预定的次数，例如一万次等。例如，在电脑游戏的领域中，有时候希望当特定条件发生时，此电脑游戏即不能再继续进行。预定的条件包括集成电路被启动次数到达设定上限次数时，或某一特定位址被执行的次数，或该电脑游戏累计被执行时间到达设定上限时间等等。另外的一个例子，为电子门禁系统。例如当某一个电子门禁卡片的使用者输入密码错误达设定次数时，该卡片上的集成电路立即自我摧毁，使得使用者无法再行使用此一门禁卡片。
本发明的目的是提供一种集成电路，能于某设定条件发生后，失去原设计功能而自行执行自毁地功能，以满足上述特殊应用的需要。
本发明所提供的集成电路包含一晶体管及一熔丝型式的开关装置。晶体管具有一控制端于起始状态时与第一参考电压连接，使此集成电路能正常工作。熔丝型式的开关装置，响应于一电压信号，使控制端与一第二参考电压连接，以便使集成电路的功能永久性地失效。当预定条件发生时，该电压信号随之产生。
由下述实施例的详细说明以及相关图示可对本发明的精神得到进一步的了解。其中：
图1为本发明的第一较佳实施例。
图2为本发明的第二较佳实施例。
图3为本发明中一自毁确认电路的一较佳实施例。
如图1所示，本发明的集成电路1包含一晶体管11及一熔丝型式的开关装置13。晶体管11具有一控制端110，于起始状态时与一第一参考电压V1连接，使此集成电路1启动工作。换而言之，当控制端110与第一参考电压V1连接时，集成电路1如设计规格所希望的方式工作。
当一自毁确认电路15发出一动作的电压信号151至熔丝型式的开关装置13，会迫使控制端110与一第二参考电压V2连接。因而，集成电路1即被永久性失效或者产生无法正常工作的误动作（malfunc-tion）。
可在集成电路1内选择任一个功率开关（power switch）或任一个逻辑门代替晶体管11，只要它的失效会迫使整个集成电路1失效或误动作即可。
依据集成电路1内的细部设计，晶体管11可以是一个金属氧化物半导体（MOS）场效应晶体管，或一个双极（bipolar）晶体管或是一个面结型（Junction）场效应晶体管。
而且依据集成电路1内被选择作为晶体管11的种类，控制端110可以是面结型或MOS场效应晶体管的栅极、漏极或源极端，也可以是双极晶体管的基极、发射极或是集电极端。
如图1所示，熔丝型式的开关装置13具有一第一端131、一第二端133及一信号输入端135。第一端131与控制端110连接，第二端133与第二参考电压V2连接。于起始状态时第一端131与第二端133间具有一第一类关系。信号输入端135供以输入电压信号151，因而当电压信号151动作时，第一端131与第二端133间具有一第二类关系。第一类关系与第二类关系互成相反的状态。当第一类关系为连接关系时第二类关系即为非连接（disconnect）关系。而第一类关系为非连接关系时第二类关系即为连接关系。依据晶体管11的型态，所选择的控制端110，以及第一及第二参考电压V1、V2的类型，可设定第一类关系为连接或非连接。
当第一参考电压V1为高电位时，第二参考电压V2即为低电位。而当第一参考电压V1为低电位时，第二参考电压V2即为高电位。
熔丝型式开关13可以不同的型式构成，例如以硅熔丝（siliconfuse）型式，或以非易失性（non-Volatile）存贮单元（memory cell）型式，或以硅反熔丝（anti-fuse）型式，或多晶硅（poly silicon）熔丝型式构成。在本说明书内所称的熔丝，是指当电压信号151动作时，熔丝会被熔断而使两端点成开路（open）状态。相反地，所称的反熔丝，是指当电压信号151动作时，熔丝会被熔合而使两端点成闭合（close）状态。于各种不同的非易失性存贮单元中，较佳的选择包含单次可编程只读存贮（OTPROM）单元，电气式可抹除可编程只读存贮（EEPROM）单元，或强电（Ferro-Electric）随机存取存贮（RAM）单元。而在各种不同的单次可编程只读存贮单元中，较佳的选择包含可抹除可编程只读存贮（EPROM）单元。
如图1所示，响应一事件信号150，自毁确认装置15产生所述的电压信号151。事件信号150是由系统的其他电路所产生，此系统包含集成电路1、自毁确认装置15及其他电路。自毁确认装置15可以为集成电路1的一部分，也可以是为集成电路1以外的一电路。
自毁确认电路15的一较佳实施例为如图3所示的一计数/计时器（counter/timer）3。所示的计数/计时器3为一非易失性可预设（presettable）的型式，其具有一时钟脉冲（CLK）端输入事件信号150，一预设端（PRESET）输入一预设信号152，一计数值（countdata）端输入一计数值信号153。事件信号150可以为一开机启动（Power-up）信号，一位址比较（address comparison）信号，或为任何可用来计数的信号。集成电路1制造完成的最后步骤，可于预设端输入动作（active）的预设信号152，同时将预设计数值信号153送入计数端，以便预设此计数/计时器3的计数值。
如前所述，熔丝型开关装置13包含有多种不同的型式。但是，针对这些不同型式的熔丝型式开关13，却有不同的最低电压值才能改变其熔断或熔合的状态。
因此，本发明提供一第二实施例，如图2所示，以适用某些熔丝型开关装置13，这类装置13都有较高的状态变换最低电压值。
图2中所有的元件，除了电压升压装置17外，都与图1所揭示的相同，因而其功能以及其工作方式可参考前述有关图1的叙述，于此将不再重复描述。如图2所示，由自毁确认电路15产生的一确认信号151发动一电压升压装置17，此电压升压装置17于是产生一高电压值的电压信号171。此高电压信号171于是用来改变熔丝型式开关装置13的状态;也就是说由熔合状态变成熔断状态，或者是由熔断状态改变成熔合状态。
如同自毁确认电路15，电压升压装置17可安排在集成电路1之内，亦可安排在集成电路1之外。