多层立体集成电路.pdf

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文档编号：703153

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本发明属电子技术领域,目前的集成电路很难再提高密度,本发明目的在于,提供一种成倍提高密度的方法。本发明是这样实现的,把集成电路做成多层立体的结构。。

摘要
申请专利号：	CN96109183.5	申请日：	1996.08.16
公开号：	CN1174411A	公开日：	1998.02.25
当前法律状态：	撤回	有效性：	无权
法律详情：	专利申请的视为撤回公告日:1998.2.25\|\|\|公开
IPC分类号：	H01L27/02; H01L21/82	主分类号：	H01L27/02; H01L21/82
申请人：	葛晓峰;
发明人：	葛晓峰
地址：	100061北京市崇文区龙潭北里5条1楼1单元11号
优先权：
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内容摘要

本发明属电子技术领域,目前的集成电路很难再提高密度,本发明目的在于,提供一种成倍提高密度的方法。本发明是这样实现的,把集成电路做成多层立体的结构。

权利要求书

1：一种多层立体集成电路，其特征在于：多层立体结构先制好一片集成电路，再在集成片上涂制一层绝缘层，再用光刻腐蚀的方法在第一，二层集成片之间需要连接的部位把绝缘层腐蚀出窗口，再将集成片曝置在受主杂质的热气体中，使绝缘层上再形成一层P型层，一层新的P型衬底，可再在这层新的P型衬底上再制造一层新的集成电路通过绝缘层上的窗口，可使一，二层集成电路之间需要相通地部位相通。再在第二层集成电路上面再涂一层绝缘层后，用以上方法再制造第三层集成电路和地四层，第五层保护以上特征。

说明书

多层立体集成电路
本发明属电子技术领域，目前的集成电路路很难再提高密度，本发明目的在于，提供一种成倍提高密度的方法本发明是这样实现的。把集成电路做成多层立体的结构先制好一片集成电路，再在集成片上涂制一层绝缘层，再用光刻腐蚀的方法在第一，二层集成片之间需要连接的部位把绝缘层腐蚀出窗口，再将集成片曝置在受主杂质的热气体中，使绝缘层上再形成一层型层，一层新的P型衬底，可再在这层新的P型衬底上再制造一层新的集成电路通过绝缘层上的窗口，可使一，二层集成电路之间需要相通的部位相通。再在第二层集成电路上面再涂一层绝缘层后，用以上方法再制造第三层集成电路和地四层，第五层如附图所示图中1，第一层集成电路，2绝缘层，3绝缘层的窗口，4，第二层集成电路，5，第二层绝缘层，5，第三层集成电路。6，第四层，7，每一层集成电路自己内部的内连引线