气体电子倍增器聚合物薄膜网格的制作方法 技术领域：
本发明涉及X射线探测，特别是一种应用于X射线探测的气体电子倍增器的聚合物薄膜网格的制作方法。
背景技术：
气体电子倍增器(GEM)如图1所示，其主要组成部分是聚合物薄膜网格。目前制作聚合物薄膜网格的办法，主要是采用光刻技术。由于光刻技术对设备的要求很高，价格昂贵，因此实际使用受到影响。
发明内容：
本发明要解决的技术问题在于克服现有技术的缺点，提供一种简单实用的气体电子倍增器聚合物薄膜网格的制作方法。
本发明的技术解决方案：
一种气体电子倍增器聚合物薄膜网格的制作方法，其特征在于该方法的实质是利用308nm准分子激光直接对聚酰亚胺薄膜(6)打孔来制作气体电子倍增器聚合物薄膜网格。
该方法包括下列具体步骤：
①在XeCl准分子激光器的输出光路的光轴上，依次设置衰减器、蝇眼光束均匀器、汇聚透镜、微孔阵列掩膜板和聚酰亚胺薄膜，该微孔阵列掩膜板紧贴该聚酰亚胺薄膜，所述的聚酰亚胺薄膜的两面各镀有一层紫铜膜；
②调整各元部件，使该激光器发出的308nm准分子激光，经衰减器、蝇眼光束均匀器输出均匀光斑，使聚酰亚胺薄膜位于汇聚透镜的焦面上；
③启动XeCl准分子激光器，该激光器发出地308nm准分子激光，经衰减器、蝇眼光束均匀器输出均匀光斑，再经汇聚透镜聚焦，激光通过微孔阵列掩膜板对聚酰亚胺薄膜照射直接打孔，形成微孔网格。
所述的聚酰亚胺薄膜放置在一X-Y扫描平台上。利用x-y平台的扫描，可以获得任意大小的微孔网格。
本发明的GEM聚合物薄膜网格制作，利用308nm准分子激光直接打孔的方法，简单有效。
附图说明：
图1为气体电子倍增器和聚合物薄膜网格的结构示意图；
图2为本发明的实施例的示意图。
【具体实施方式】
图2为本发明实施例的示意图。308nm的准分子激光1，经过衰减器2和蝇眼均匀器3后，经汇聚透镜4，照射到两面镀有紫铜膜的聚酰亚胺(PI)薄膜6，紧贴PI薄膜6之前为一片用YAG激光打孔获得的微孔阵列掩膜板5。微孔阵列5的微孔大小为70μm，孔间距140μm，掩膜板厚度为70μm。PI薄膜厚50μm，两面各镀有10μm的紫铜膜。照射到PI薄膜6的有效光斑大小为3.5mm×3.5mm，激光单脉冲能量为120mJ，工作频率10Hz。
利用x-y平台的扫描，可以获得任意大小的微孔网格。
实际我们制作的是20mm×20mm的网格。