一种实现可控硅可靠关断的方法.pdf

用可控硅控制交流电的导通或关断时，控制信号两端一般通过一小变压器将控制信号引入，但由于变压器为一储能元件，在切出控制信号后，所存贮的能量仍然和主回路感应过来的能量叠加，可能导致控制信号两端电压不能下降到可控硅的不触发电压之下，从而导致可控硅继续导通，处于失控状态，特别是小容量可控硅控制大电流时，此种现象更突出。本发明正是为了解决此问题而提出。本发明是一种实现可控硅可靠关断的方法。它是通过在可控硅的控制信号两端接一负载，此负载在导通状态时，阻抗值较大，不影响正常运行；在关断状态时，阻抗值较小，使控制信号两端的电压迅速降低至可控硅的不触发电压之下，从而实现可控硅的可靠关断。本发明主要应用于可控硅控制电路。

1、  一种实现可控硅可靠关断的方法，其特征在于：
1)可控硅的控制信号两端接一可变负载，此负载的阻抗值随控制信号的状态不同而变化。
2)在控制导通状态时，可变负载的阻抗值较大，不改变控制特性，使可控硅实现正常接通。
3)在切出控制信号时，可变负载的阻抗值较小，从而将控制信号两端的电压迅速拉低至可控硅的不触发电压之下，使可控硅实现可靠关断。

2、  根据权利要求1的可控硅控制电路，其特征在于：采用在可控硅的控制信号端接可变负载的方法来实现可控硅的可靠关断。

一种实现可控硅可靠关断的方法
所属技术领域
本发明属电子技术领域，应用于在控制信号切出后可靠关断可控硅，避免可控硅处于失控状态。
背景技术：
目前，在用可控硅控制交流电的导通或关断时，一般都是采用一个小变压器将控制信号引入至可控硅的控制信号输入端，但由于变压器固有的储能属性，在切出控制信号后，其所存贮的能量仍然和主回路感应过来的能量叠加，可能导致控制信号两端电压不能下降到可控硅的不触发电压以下，从而导致可控硅继续导通，造成可控硅无法正常关断而处于失控状态。特别是在用小容量可控硅控制大电流的情况下，此种现象更为突出。
发明内容：
为了克服现有上述所存在的问题，本发明提出一种新方法，该方法能有效地解决切出控制信号后可控硅可靠关断的问题。
本发明所采用的技术方案是：在可控硅的控制信号输入两端接一个负载，此负载在可控硅处于导通状态时，其阻抗值较大，不影响可控硅的正常导通；在可控硅处于关断状态时，其阻抗值较小，使控制信号两端的电压迅速降低至可控硅的不触发电压之下，从而保证可控硅能可靠地关断。
本发明的有益效果是，能够保证在发出切出信号后确保可控硅有效地实现关断，避免可控硅处于失控状态，从而保证了控制的有效性和可靠性。
附图说明：
下面结合附图和实例对本发明进行进一步说明。
图1是本发明的电路原理图。
图2是本发明的一个应用实例图。
具体实施方案：
图1是本发明的控制电路(以一相为例，如需控制三相，则增加二相即可)。图中的可控硅可用单向的，亦可用双向的，在可控硅控制信号输入两端的可变负载可通过检测控制信号的不同状态而改变自身阻抗或由于两种状态地参数不同其阻抗自动变换：在导通状态下，阻抗较大，在切出状态下，阻抗较小，从而使得切出控制信号后，控制信号输入两端电压迅速降低，可控硅可靠关断。
图2是本发明应用的一个实例图。此例主回路为50Hz的交流电，可控硅为双向可控硅，控制导通信号是频率为60kHz的交流信号，电感L为470微亨，在控制导通时，电感L上的感抗为177Ω，阻抗较大，切出控制信号后，由于主回路为50Hz的信号，主回路通过感应在电感L上的感抗变为0.15Ω，阻抗较小，从而使控制信号两端的电压迅速降低，由此实现可控硅的可靠关断。由以上分析可知，两状态之间的阻抗相差1200倍，实现了阻抗的自动变换。