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声表面波装置和通信装置
    【发明背景】

    【发明领域】

    本发明涉及包括声表面波装置的通信装置，所述声表面波装置适用于诸如蜂窝电话之类的小型通信装置，尤其涉及包括具有平衡—不平衡转换功能的声表面波装置的通信装置。

    现有技术的说明

    近年来，在减小诸如蜂窝电话之类通信装置的大小和重量的领域中的技术已经得到了显著的进步。为了得到这种技术，正在进行具有多个功能的部件的开发，以及减少部件的数量和大小。在如此的背景下，近年来，已经广泛开发了用于诸如蜂窝电话之类通信装置的RF(射频)部分的具有平衡—不平衡转换功能，也称为“平衡—不平衡转换器”，的声表面波装置，并且这种声波装置主要用于GMS蜂窝电话。

    例如，作为具有不同输入阻抗和输出阻抗以及平衡—不平衡转换功能的声表面波装置，具有图2所示配置的一种声表面波装置是众所周知的。图2中示出的声表面波装置包括第一声表面波滤波器装置108、输出信号设计成与第一声表面波滤波器装置108相位差180°的第二声表面波滤波器装置119、设置在未示出的压电衬底上的单端口声表面波谐振器112和116。在日本公开专利申请公布号10-117123或日本公开专利申请公布号2001-308672中揭示如此的装置。

    第一声表面波滤波器装置108包括三个梳状电极(还把它称为“叉指式变换器”，在下文中将称之为“IDT”)，即，在附图中地IDT 103、104和105，其中分别把IDT 104和IDT 105设置在IDT 103的左侧和右侧。此外，把反射器106和107安置成围绕这些IDT 104、103和105，就是说，第一声表面波滤波器装置108是具有包括三个IDT的配置的轴向耦合谐振器型滤波器。

    单端口声表面波谐振器112包括安置成围绕IDT 109的反射器110和111。单端口声表面波谐振器116包括安置成围绕IDT 113的反射器114和115。IDT103与IDT 109串联连接。此外，IDT 104和105的每一个都与IDT 113串联连接。

    在是轴向耦合谐振器型滤波器的第一声表面波滤波器装置108中，围绕IDT 103和IDT 104相互相邻的区域以及IDT 103和IDT 105相互相邻的区域(图2中示出的区域117和118)提供间距比其它区域窄的预定数量的电极指(下文中将称之为“窄间距电极指”)，此外，把这些IDT设置成其间隔约为其中传播的声表面波的半波长，从而抑制了由于作为体波逃逸的成分引起的损耗。注意，为了简化附图，图2示出具有较少数量电极指的例子。

    除了在中央部分处的IDT是面向相反方向之外，第二声表面波滤波器装置119是与第一声表面波滤波器装置108具有相同配置的3-IDT轴向耦合谐振器型滤波器装置。把第二声表面波滤波器装置119连接到与单端口声表面波谐振器112具有相同配置的单端口声表面波谐振器120，以及与单端口声表面波谐振器116具有相同配置的单端口声表面波谐振器121。

    在第一和第二声表面波滤波器108和119中，一对端子122和123在电气上并联连接到负载，而另一对端子124和125在电气上串联连接到负载，从而并联连接到负载的端子定义了不平衡信号端子，而串联连接到负载的端子定义了平衡信号端子。

    在具有平衡—不平衡转换功能的上述声表面波装置中，不平衡信号端子和一个平衡信号端子之间的电路与不平衡信号端子和另一个平衡信号端子之间的电路比较，理想地展现出相同振幅特性和相反相位的传输特性。注意，在下文中，把上述两个电路之间的振幅和相位的实际差异分别称为“振幅差异”和“相位差异”。

    具体地说，得到振幅差异和相位差异如下。假定定义具有平衡—不平衡转换功能的上述滤波器的声表面波装置是包括定义不平衡输入端口1以及定义平衡输出端口2和端口3的3-端口装置。在这样的情况下，不振幅差异定义为|A|，其中A＝|20log(S21)|-|20log(S31)|。另一方面，不相位差异定义为|B-180|，其中，B＝|∠s21-∠s31|。理想的振幅差异和相位差异分别为0dB和0°。

    然而，采用上述传统技术，具有图2所示配置的声表面波装置展现出离开理想值的振幅差异和相位差异的偏差，导致实际使用中不可忽略的问题。原因在于当使与IDT 104和IDT 105相邻的IDT 103的电极指接地时，与IDT 126和IDT 128相邻的IDT 127的电极指定义信号电极。

    具体地说，在IDT的耦合电极中之一接地以及其它电极定义信号电极的IDT-耦合配置中，与IDT的两个耦合电极都接地或都作为信号电极的IDT-耦合配置相比较，IDT-耦合配置在具有振幅峰值的谐振模式中展现出较高的电流转换效率，导致一个问题，即前者的IDT-耦合配置比后者的IDT-耦合配置在通带中尤其在高频侧，展现出较小的插入损耗，并且展现出比与此更宽的通带，导致它们之间的相位偏差的问题。

    在具有包括第一声表面波滤波器装置108和第二声表面波滤波器装置119的平衡—不平衡转换功能的传统声表面波装置中，上述差异导致振幅差异和相位差异分别离开理想值(即，0dB和0°)的偏差。

    发明概要

    为了克服上述问题，本发明的较佳实施例提供具有改进传输性能(诸如抑制平衡信号端子之间的振幅差异和相位差异)的一种声表面波装置。

    根据本发明的第一较佳实施例，具有平衡—不平衡转换功能的一种声表面波装置包括具有至少两个IDT的至少两个声表面波滤波器装置，其中把第一声表面波滤波器装置连接到平衡信号端子中之一，并且把第二声表面波滤波器装置连接到另一个平衡信号端子，以及第一和第二声表面波滤波器装置配置成在它们之间发生激励的SSBW(表面滑行体波(Surface Skimming Bulk Wave))的强度的差异。

    如果按照上述配置，在第一和第二声表面波滤波器装置之间发生激励的SSBW的强度的差异，因此，通过调节发生在其中的SSBW中的差异控制在平衡信号端子之间的振幅差异和相位差异，从而改进了传输性能，诸如抑制平衡信号端子之间的振幅差异和相位差异。

    第一和第二声表面波滤波器装置最好包括在电极指尖端和汇流条之间具有不同间隔的IDT，为的是产生第一和第二声表面波滤波器装置之间的激励SSBW的强度的差异。此外，第一和第二声表面波滤波器装置可以包括在电极指尖端和每一个连接到汇流条的假电极指(dummy electrode fingers)之间具有不同间隔的IDT，为的是产生第一和第二声表面波滤波器装置之间的激励的SSBW的强度的差异。此外，第一和第二声表面波滤波器装置可以包括具有每一个连接到汇流条的各种长度的假电极指的IDT，为的是引入在电极指和汇流条之间，以便产生第一和第二声表面波滤波器装置之间的激励的SSBW的强度的差异。再进一步，第一和第二声表面波滤波器装置可以包括具有薄膜厚度和/或薄膜结构各不相同的汇流条的IDT，以便产生第一和第二声表面波滤波器装置之间的激励的SSBW的强度的差异。

    第一和第二声表面波滤波器装置最好包括具有汇流条上涂有声音吸收材料的IDT，以致声音吸收材料由相互不同的成分来构成，和/或具有相互不同的厚度，为的是在第一和第二声表面波滤波器装置之间产生激励的SSBW的强度的差异。在第一和第二声表面波滤波器之间的所有IDT可以具有不同的结构。或者，在第一和第二声表面波滤波器之间可以只有IDT中之一具有不同的结构。

    根据本发明的第二较佳实施例，声表面波装置包括具有至少三个IDT的平衡—不平衡转换功能的声表面波滤波器，其中在连接到平衡信号端子中之一的IDT和连接到另一个平衡信号端子的IDT之间发生SSBW的强度的差异。

    采用上述配置，在连接到各个平衡信号端子的IDT之间发生激励的SSBW的强度的差异，因此，通过调节发生在其中的SSBW的差异控制在平衡信号端子之间的振幅差异和相位差异，从而通过抑制平衡信号端子之间的振幅差异和相位差异而改进了传输性能。

    最好串联连接多个声表面波滤波器，连接到平衡信号端子的每个IDT最好具有不同的电极指尖端和汇流条的间隔，为的是实现它们之间的激励的SSBW的强度的差异，或连接到平衡信号端子的每个IDT可以在电极指尖端和每一个连接到汇流条的假电极之间具有不同的间隔，为的是产生它们之间的激励的SSBW的强度的差异。此外，连接到平衡信号端子的每个IDT可以具有不同长度的、每个连接到汇流条的假电极指，为的是引入在电极指和汇流条之间，以便在它们之间产生激励的SSBW的强度的差异。此外，连接到平衡信号端子的每个IDT可以具有薄膜厚度和/或不同的薄膜结构各不相同的汇流条部分，为的是在它们之间产生激励的SSBW的强度的差异。

    连接到平衡信号端子的每个IDT最好包括涂覆在汇流条上的、具有不同成分和/或具有不同厚度的声音吸收材料，为的是在它们之间产生激励的SSBW的强度的差异。

    最好把第一和第二声表面波滤波器装置中的每一个串联连接到声表面波谐振器。采用串联连接声表面波谐振器的上述配置，通带外的信号的衰减可以进行调节而得到增加。

    根据本发明的第三较佳实施例，声表面波装置包括具有平衡—不平衡转换功能和具有至少两个IDT的至少一个声表面波滤波器，以及串联连接到各个平衡信号端子的声表面波谐振器，其中两个声表面波谐振器在电极指尖端和汇流条之间具有不同的间隔。

    根据本发明的第四较佳实施例，声表面波装置包括具有平衡—不平衡转换功能和具有至少两个IDT的至少一个声表面波滤波器，以及串联连接到各个平衡信号端子的声表面波谐振器，其中两个声表面波谐振器在电极指尖端和每个连接到汇流条的假电极指之间具有不同的间隔。

    根据本发明的第五较佳实施例，声表面波装置包括具有平衡—不平衡转换功能和具有至少两个IDT的至少一个声表面波滤波器，以及串联连接到各个平衡信号端子的声表面波谐振器，其中两个声表面波谐振器具有不同长度的、每个连接到汇流条的假电极指，为的是引入在电极指和汇流条之间。

    根据本发明的第六较佳实施例，声表面波装置包括具有平衡—不平衡转换功能和具有至少两个IDT的至少一个声表面波滤波器，以及串联连接到各个平衡信号端子的声表面波谐振器，其中两个声表面波谐振器具有不同薄膜厚度汇流条部分和/或不同薄膜结构的汇流条部分。

    根据本发明的第七较佳实施例，声表面波装置包括具有平衡—不平衡转换功能和具有至少两个IDT的至少一个声表面波滤波器，以及串联连接到各个平衡信号端子的声表面波谐振器，其中两个声表面波谐振器具有涂覆在汇流条上的、具有不同成分和/或不同厚度的声音吸收材料。

    根据本发明的第八较佳实施例，具有平衡—不平衡转换功能的声表面波装置包括至少两个声表面波滤波器，所述滤波器中的每一个包括至少两个IDT，其中把不平衡信号端子连接到两个声表面波滤波器装置，同时把两个平衡信号端子中的每一个连接到独立的声表面波滤波器装置，而声表面波谐振器串联连接在不平衡信号端子和每一个与不平衡信号端子相连接的两个声表面波滤波器装置之间，两个声表面波谐振器在电极指尖端和汇流条之间具有不同的间隔。

    根据本发明的第九较佳实施例，具有平衡—不平衡转换功能的声表面波装置包括至少两个声表面波滤波器，所述滤波器中的每一个包括至少两个IDT，其中，不平衡信号端子连接到两个声表面波滤波器装置，同时把两个平衡信号端子中的每一个连接到独立的声表面波滤波器装置，而声表面波谐振器串联连接在不平衡信号端子和每一个与不平衡信号端子相连接的两个声表面波滤波器装置之间，两个声表面波谐振器在电极指尖端和每个连接到汇流条的假电极指之间具有不同的间隔。

    根据本发明的又一个较佳实施例，具有平衡—不平衡转换功能的声表面波装置包括至少两个声表面波滤波器，所述滤波器中的每一个包括至少两个IDT，其中，不平衡信号端子连接到两个声表面波滤波器装置，同时把两个平衡信号端子中的每一个连接到独立的声表面波滤波器装置，而声表面波谐振器串联连接在不平衡信号端子和每一个与不平衡信号端子相连接的两个声表面波滤波器装置之间，两个声表面波谐振器具有不同长度的、每个连接到汇流条的假电极指，为的是引入在IDT的电极指和汇流条之间。

    根据本发明的又一个较佳实施例，具有平衡—不平衡转换功能的声表面波装置包括至少两个声表面波滤波器，所述滤波器中的每一个包括至少两个IDT，其中，不平衡信号端子连接到两个声表面波滤波器装置，同时把两个平衡信号端子中的每一个连接到独立的声表面波滤波器装置，而声表面波谐振器串联连接在不平衡信号端子和每一个与不平衡信号端子相连接的两个声表面波滤波器装置之间，两个声表面波谐振器具有不同薄膜结构的汇流条部分和/或不同薄膜厚度的汇流条部分。

    根据本发明的又一个较佳实施例，具有平衡—不平衡转换功能的声表面波装置包括至少两个声表面波滤波器，所述滤波器中的每一个包括至少两个IDT，其中，不平衡信号端子连接到两个声表面波滤波器装置，同时把两个平衡信号端子中的每一个连接到独立的声表面波滤波器装置，而声表面波谐振器串联连接在不平衡信号端子和每一个与不平衡信号端子相连接的两个声表面波滤波器装置之间，两个声表面波谐振器包括涂覆在汇流条上的、不同成分的和/或不同厚度的声音吸收材料。

    采用上述配置，在连接到各个平衡信号端子的声表面波谐振器之间发生激励的SSBW的强度的差异，因此，通过调节发生在其中的SSBW中的差异可控制平衡信号端子之间的振幅差异和相位差异，从而改进了传输性能，诸如抑制了平衡信号端子之间的振幅差异和相位差异。

    具有平衡—不平衡转换功能的上述声表面波装置可以包括至少两个声表面波滤波器装置，每一个包括至少两个IDT，其中，平衡信号端子中之一连接到第一声表面波滤波器装置，同时另一个平衡信号端子连接到第二声表面波滤波器装置，第一和第二声表面波滤波器装置配置成在第一和第二声表面波滤波器装置之间，在电极指尖端和汇流条之间的间隔、在电极指尖端和连接到汇流条的假电极指之间的间隔、连接到汇流条的假电极指的长度、汇流条的薄膜厚度、汇流条的薄膜结构、涂覆在汇流条上的声音吸收材料的成分、以及声音吸收材料的厚度方面存在至少一种差异。

    具有平衡—不平衡转换功能的上述声表面波装置可以包括至少三个IDT，其中，连接到平衡信号端子的IDT中之一以及连接到另一个平衡信号端子的另一个IDT，配置成在连接到平衡信号端子的IDT之间，在电极指尖端和汇流条之间的间隔、在电极指尖端和连接到汇流条的假电极指之间的间隔、连接到汇流条的每个假电极指的长度、汇流条的薄膜厚度、汇流条的薄膜结构、涂覆在汇流条上的声音吸收材料的成分、以及声音吸收材料的厚度方面产生至少一种差异。

    此外，可以提供一种配置，把其中一部分面向耦合到与平衡信号端子中之一连接的IDT的IDT的电极指连接到一个信号端子，同时把一部分面向耦合到与另外平衡信号端子连接的IDT的IDT接地。

    此外，IDT在电极指尖端和汇流条之间可以具有约0.1μm或更大的间隔，并且等于或小于在其中传播的声表面波的波长(λ)的约0.55倍。

    根据本发明的另一个较佳实施例的通信装置包括具有上述配置中之一的声表面波装置。采用上述配置，抑制了平衡信号端子之间的振幅差异和相位差异，从而改进了通信装置的传输特性。

    如上所述，根据本发明的各个较佳实施例的、具有平衡—不平衡转换功能的声表面波装置具有一种配置，其中在连接到各个平衡信号端子、用于激励声表面波的部分之间发生SSBW的强度的差异。

    如上所述，根据本发明的较佳实施例的声表面波装置具有上述配置，其中在它们之间发生SSBW的强度的差异，因此，通过调节其中发生的SSBW的差异可控制平衡信号端子之间的振幅差异和相位差异，从而改进了传输特性，诸如上述抑制振幅差异和相位差异。

    从下面参考附图的较佳实施例的详细说明中，对本发明的其它特性、元件、特征和优点将更为明了。

    附图简述

    图1是配置图，示出根据本发明的第一较佳实施例的声表面波装置；

    图2是配置图，示出传统的声表面波装置；

    图3是曲线图，示出上述第一较佳实施例和传统配置的频率和振幅差异之间的关系；

    图4A和4B是曲线图，示出根据第一较佳实施例的声表面波装置在电极指尖端和汇流条之间具有各种间隔(间隙)的频率和插入损耗之间的关系，其中图4A示出具有“地—地配置”的插入损耗对频率关系，而图4B示出具有“地—信号配置”的插入损耗对频率关系；

    图5是曲线图，用于描述发生在声表面波装置上的SSBW；

    图6是曲线图，示出根据本发明的第一较佳实施例的上述声表面波装置在电极指尖端和汇流条之间具有各种间隔(间隙)的频率和插入损耗之间的关系；

    图7是曲线图，示出根据本发明的第一较佳实施例的上述声表面波装置在电极指尖端和汇流条之间具有另外的各种间隔(间隙)的频率和插入损耗之间的关系；

    图8是曲线图，示出上述间隔(间隙)和因激励的SSBW发生的纹波频率之间的关系；

    图9是曲线图，示出根据第一较佳实施例的上述声表面波装置在电极指尖端和汇流条之间的间隔和因SSBW发生的纹波引起的插入损耗之间的关系；

    图10是曲线图，示出根据第一较佳实施例的上述声表面波装置在电极指尖端和汇流条之间的间隔和插入损耗之间的关系；

    图11是另一幅曲线图，示出根据第一较佳实施例的上述声表面波装置在电极指尖端和汇流条之间的间隔和插入损耗之间的关系；

    图12是配置图，示出根据本发明的上述第一较佳实施例的修改；

    图13是配置图，示出根据本发明的上述第一较佳实施例的另一种修改；

    图14是配置图，示出根据本发明的上述第一较佳实施例的又一种修改；

    图15是配置图，示出根据本发明的上述第一较佳实施例的又一种修改；

    图16是配置图，示出根据本发明的上述第一较佳实施例的又一种修改；

    图17是配置图，示出根据本发明的上述第一较佳实施例的又一种修改；

    图18是配置图，示出根据本发明的上述第一较佳实施例的又一种修改；

    图19是配置图，示出根据本发明的上述第一较佳实施例的又一种修改；

    图20是配置图，示出根据本发明的上述第一较佳实施例的又一种修改；

    图21是配置图，示出根据本发明的上述第一较佳实施例的又一种修改；

    图22是配置图，示出根据本发明的上述第一较佳实施例的又一种修改；

    图23是配置图，示出根据本发明的上述第一较佳实施例的又一种修改；

    图24是配置图，示出根据本发明的上述第一较佳实施例的又一种修改；

    图25是配置图，示出根据本发明的第二较佳实施例的声表面波装置；

    图26是曲线图，示出上述第二较佳实施例和传统配置的频率和振幅差异之间的关系；

    图27是配置图，示出根据本发明的上述第二较佳实施例的修改；

    图28是配置图，示出根据本发明的上述第二较佳实施例的另一种修改；

    图29是配置图，示出根据本发明的上述第二较佳实施例的又一种修改；

    图30是配置图，示出根据本发明的上述第二较佳实施例的又一种修改；

    图31是配置图，示出根据本发明的上述第二较佳实施例的又一种修改；

    图32是配置图，示出根据本发明的上述第二较佳实施例的又一种修改；

    图33是配置图，示出根据本发明的第三较佳实施例的声表面波装置；

    图34是曲线图，示出上述第三较佳实施例和传统配置的频率和振幅差异之间的关系；

    图35是曲线图，示出上述第三较佳实施例和传统配置的频率和相位差异之间的关系；

    图36是配置图，示出根据本发明的上述第三较佳实施例的修改；

    图37是配置图，示出根据本发明的上述第三较佳实施例的另一种修改；

    图38是配置图，示出根据本发明的上述第三较佳实施例的又一种修改；

    图39是配置图，示出根据本发明的第四较佳实施例的声表面波装置；

    图40是配置图，示出声表面波装置的比较例子，用于描述根据本发明的第四较佳实施例的上述声表面波装置的优点；

    图41是曲线图，示出上述第四较佳实施例和传统配置的频率和相位差异之间的关系；

    图42是配置图，示出根据本发明的上述第四较佳实施例的修改；

    图43是配置图，示出根据本发明的上述第四较佳实施例的另一种修改；

    图44是配置图，示出根据本发明的上述第四较佳实施例的又一种修改；以及

    图45是方框图，示出使用根据本发明的上述任一个较佳实施例中的声表面波装置的通信装置的主要部件。

    较佳实施例的详述

    第一较佳实施例

    图1示出根据本发明的第一较佳实施例的声表面波装置。将以用于PSC装置的接收滤波器作为一个例子，对第一较佳实施例进行说明。根据第一较佳实施例的声表面波装置包括诸如IDT、反射器以及声表面波谐振器之类的声表面波装置，例如，最好由在未示出的40±5°Y-切割-X-传播(-Y-cut-X-propagation)LiTaO3衬底(压电衬底)上的铝(Al)电极构成。

    最好每个IDT包括在压电衬底上提供的两个电极配置，所述电极配置的每一个包括带状汇流条(基体)，以及从该汇流条的一侧向基本上垂直于汇流条的轴向方向延伸以及安置成基本上相互平行的多个带状电极指。上述两个电极配置安排成所述电极指配置两者相互交错，具体地说，安排成一个电极配置的每个电极指的侧面面对另一个电极配置的对应电极指的侧面。

    因此，在IDT中，当通过每个汇流条而建立的两个电极指配置之间的电压差出现时，在压电衬底的一部分上产生声表面波，并且在压电衬底的表面上，在电极指的宽度方向的两个方向(基本上与每个电极指的轴向方向垂直的方向)上传播。另一方面，不接收电极信号的IDT通过其上的电极指检测由于传播声表面波而在压电衬底表面上建立的电压差，为的是把声表面波转换成输出电信号。

    在如此的IDT中，通过调节每个电极指的长度和宽度以及交错深度可控制信号转换特性和通带，所述交错深度是交错的电极配置的电极指相互面对的长度。

    上述反射器安排成在其传播方向上反射传播的声表面波。每个反射器包括一对基体部分(汇流条)以及从上述汇流条的侧面与该汇流条的上述侧面基本垂直的方向延伸且与所述汇流条两者电气相连、基本上相互平行的多个电极指。

    除了将在下面描述的根据本发明的部件之外，根据本发明的第一较佳实施例的声表面波装置最好基本上与图2示出的传统配置具有相同的配置。根据本发明的第一较佳实施例的声表面波装置包括第一声表面波滤波器装置208以及第二声表面波滤波器装置219，声表面波滤波器装置中的每一个输出信号，这些信号相对于另一个声表面波滤波器装置的输出信号具有相反的相位。第一声表面波滤波器装置208是3-IDT轴向耦合谐振器滤波器装置。第一声表面波滤波器装置208最好连接到单端口声表面波谐振器212和216。

    轴向耦合谐振器型第一声表面波滤波器208包括设置在中间部分处的IDT203，为的是使之设置在位于其左侧和右侧的IDT 204和205的中间(沿声表面波的传播方向)。此外，把反射器206和207安排在其左侧和右侧，为的是围绕这些IDT 204、203和205。

    单端口声表面波谐振器212包括设置在中间部分处的IDT 209，为的是使之位于设置在其左侧和右侧的反射器210和211之间。另一方面，单端口声表面波谐振器216包括设置在中间部分处的IDT 213，为的是使之位于设置在其左侧和右侧的反射器214和215之间。此外，把IDT 203串联连接到IDT 209。此外，把IDT 213串联连接到IDT 204和205。

    在具有如此配置的轴向耦合谐振器型第一声表面波滤波器装置208中，预定数量的电极指在围绕IDT 203和IDT 204相邻的区域、IDT 203和IDT 205相邻的区域(图1中示出的区域217和218)，具有比其它区域较窄的间距(在下文中将称之为“窄间距电极指”)，此外，把这些IDT设置成具有的间隔约为其中传播的声表面波的半波长，从而抑制了因作为体波逃逸的成分而引起的损耗。注意，为了简化附图，图1示出具有较少数量电极指的例子。

    除了在对应于第一声表面波滤波器装置208的IDT 203的中间部分处的IDT 219是面向相反方向的之外，第二声表面波滤波器装置219是与第一声表面波滤波器装置208具有相同配置的3-IDT轴向耦合谐振器滤波器装置。最好把第二声表面波滤波器装置219连接到与单端口声表面波谐振器212具有相同配置的单端口声表面波谐振器220，以及与单端口声表面波谐振器216具有相同配置的单端口声表面波谐振器221。

    在第一和第二声表面波滤波器208和209中，一对端子222和223在电气上并联连接到负载，而另一对端子224和225在电气上串联连接到负载，从而并联连接到负载的端子形成不平衡信号端子，而串联连接到负载的端子用于作为平衡信号端子。

    将对第一和第二声表面波滤波器装置208和219的设计进行详细说明，而其正常间距确定的波长为λ1，以及其窄间距电极指的间距确定的波长为λ2。

    也就是说：

    ·交错深度：约为29.2λ1

    ·IDT的电极指的数量(按IDT 204、203和205的排序)：25(4)、(4)/47/(4)以及(4)/25，(括号中的数字是窄间距电极指的数量)

    注意，IDT 228、229和230的每一个具有相同数量的电极指。

    ·IDT波长λ1：约为2.049μm、λ2：约为1.860μm(λ1对应于正常间距，λ2对应于窄间距)

    ·反射器波长λR：约为2.056μm

    ·反射器的电极指数量：150

    ·IDT-IDT间隔(具有波长λ1的正常电极指和具有波长λ2的窄电极指之间的间隔)：约为0.25λ1+0.25λ2

    ·IDT-IDT间隔(具有波长λ2的窄电极指之间的间隔)：约为0.50λ2

    ·IDT-反射器间隔：约为0.50λR

    ·IDT的占空度：约为0.70

    ·反射器的占空度：约为0.57

    ·电极厚度：约为8.03λ1

    ·电极指尖端和汇流条之间的间隔

    ·第一声表面波滤波器装置208：约为0.9μm

    ·第二声表面波滤波器装置219：约为0.3μm

    下面将对单端口声表面波谐振器212和220的设计进行详细说明。

    也就是说：

    ·交错深度：约为49.1λ1

    ·IDT的电极指的数量：281

    ·IDT波长和反射器波长：约为2.035μm

    ·反射器的电极指数量：29

    ·IDT-反射器间隔：约为0.50λR

    下面将对单端口声表面波谐振器216和221的设计进行详细说明。

    也就是说：

    ·交错深度：约为17.7λ1

    ·IDT的电极指的数量：281

    ·IDT波长和反射器波长：约为1.980μm

    ·反射器的电极指数量：29

    ·IDT-反射器间隔：约为0.50λR

    根据本发明的第一较佳实施例的声表面波装置具有下述特征的配置，其中第一和第二声表面波滤波器装置208和219中每一个在电极指尖端和汇流条之间配备不同的间隔，即，当第一声表面波滤波器装置208在电极指尖端和汇流条之间具有约为0.9μm的间隔时，第二声表面波滤波器装置219在电极指尖端和汇流条之间具有约为0.3μm的间隔。

    下面将对根据本发明的第一较佳实施例的声表面波装置的优点进行说明。图3是曲线图，示出具有根据第一较佳实施例的配置的振幅差异对频率的关系。作为对比例子，图3还示出图2中示出的传统配置的振幅差异的特性。注意，PCS接收滤波器的通带的频率范围是1930MHz到1990MHz。在上述范围中，传统配置展现出1.50dB的最大振幅差异时，而根据第一较佳实施例的配置展现出约为1.23dB的最大振幅差异，从而改进振幅差异约0.27dB。

    下面将对根据本较佳实施例的配置展现出改进特性的原因进行说明。首先，具有如在图2中示出的配置的传统配置展现出振幅差异的偏差的原因在于耦合到IDT 104和105的IDT 103的电极指是接地的，但是耦合到IDT 126和128的IDT 127的电极指定义信号电极。

    这导致第一声表面波滤波器装置108和第二声表面波滤波器装置119之间频率特性的差异，从而导致第一声表面波滤波器装置108和第二声表面波滤波器装置119之间的频率特性和相位特性的差异，产生了振幅差异的较大偏差。

    另一方面，在谐振型声表面波滤波器装置和声表面波谐振器中，在IDT电极指尖端和汇流条之间的间隙部分发生SSBW(表面滑行体波)，导致谐振模式电平的改变。

    在第一较佳实施例中，第二声表面波滤波器装置219，与第一声表面波滤波器装置208相比，在产生声表面波的电极指尖端和在电气上连接到面向上述电极指的电极指的汇流条之间具有较小的间隔(间隙)。

    因此，根据本较佳实施例，通过调节在第一声表面波滤波器装置208和第二声表面波滤波器装置219上发生的SSBW的量值来补偿第一声表面波滤波器装置208和第二声表面波滤波器装置219之间的频率特性的偏差。

    因此，采用本较佳实施例，第一声表面波滤波器装置208和第二声表面波滤波器装置219之间的频率特性的偏差得到补偿，从而补偿了振幅差异。

    接着，将对根据本发明的较佳实施例的机理来进行说明。首先，准备具有如图1所示配置的声表面波装置，使之在电极指尖端和汇流条之间具有数个不同的间隔，并且测量振幅特性。测量结果示于图4A和4B。

    图4A示出连接到一个平衡信号端子224的第一声表面波滤波器装置208的插入损耗，其中，与IDT 203耦合、连接到平衡信号端子224的IDT 204和205的电极指，和耦合到IDT 204和205的上述电极指的IDT 203的电极指是接地的。另一方面，图4B示出连接到另一个平衡信号端子225的第二声表面波滤波器装置219的插入损耗，其中与IDT 229耦合的、连接到平衡信号端子225的IDT 228和230的电极指是接地的，但是耦合到IDT 228和230的上述电极指的IDT 229的电极指是连接到信号电极的。

    从图4A和4B可以理解，电极指尖端和汇流条之间的间隔的改变导致激励的SSBW的量值的改变，从而引起插入损耗的改变。

    图5示出SSBW和频率特性之间的关系。如在图5中所示，SSBW的激励导致频率大体约1948MHz频率的纹波，该频率位于第0次轴向模式和第二次轴向模式被间并的谐振点和IDT-IDT谐振点之间的中间部分的周围，导致增大的纹波，从而引起在对应于纹波的频带内插入损耗的增加。在大多数情况中，激励的SSBW导致如上所述的纹波的产生，因此，在一般情况中，最好抑制SSBW。然而，根据本发明的各个较佳实施例的声表面波装置具有有特征的配置，其中，SSBW的产生受控，以改进声表面波装置的平衡。

    此外，每个IDT所具有的电极指尖端和汇流条之间的间隔最好等于或小于在其中传播的声表面波的波长(λ)的约0.55倍、和等于和大于约0.1μm。接着，将对这个间隔的理由进行说明。

    首先，图6示出传输特性和电极指尖端和汇流条之间的间隔之间的关系。如在图6中所示，具有电极指尖端和汇流条之间间隔约为0.3μm的IDT在1945MHz附近展现出改进的插入损耗，比具有电极指尖端和汇流条之间间隔约为1.0μm的IDT要小约0.2dB。也就是说，假定电极指尖端和汇流条之间间隔的减少使纹波频率(fSSBW)偏移到超过第0次轴向模式和第二次轴向模式被间并的谐振频率和IDT-IDT模式(f2或f1)谐振频率之间的中间部分((f1+f2)/2)周围的低频侧，并且减少因体波的激励(SSBW)而产生的纹波，从而改进了插入损耗。注意，插入损耗的改进不仅在对应于因SSBW引起的上述纹波的1945MHz频率附近，而且还在整个频率范围。如上所述，SSBW的激励对插入损耗的影响不仅在对应于SSBW的1954MHz频率附近，而且还在整个频率范围，因此，最好抑制SSBW的激励，以便在整个频率范围上改进插入损耗。

    接着，图7示出在电极指尖端和汇流条之间分别具有约0.5μm、约1.0μm以及约2.0μm的间隔的IDT的传输特性。如在图7中所示，电极指尖端和汇流条之间的间隔越大，因SSBW的激励产生的量值和纹波频率也越大，相似于上述图6。

    接着，图8示出在第一较佳实施例的电极指尖端和汇流条之间的间隔以及纹波频率(fSSBW)之间的关系，所述纹波频率是SSBW的激励引起的、在第0次轴向模式和第二次轴向模式(f1或f2)被间并的谐振点和IDT-IDT模式的谐振频率(f2或f1)之间的中间部分((f1+f2)/2)处的频率。

    在图8中，用在其中传播的声表面波的波长使由水平轴表示的电极指尖端和汇流条之间的间隔归一化，以及用第0次轴向模式和第二次轴向模式(f1或f2)被间并的谐振频率和IDT-IDT模式的谐振频率(f2或f1)之间的中间部分((f1+f2)/2)使由垂直轴表示的因SSBW的激励引起的纹波频率(fSSBW)归一化，即，垂直轴表示(2·(fSSBW)/(f1+f2))。

    如图8所示，在电极指尖端和汇流条之间间隔等于或小于在其中传播的声表面波的波长的约0.55倍(由虚线示出)的声表面波装置中，上述声表面波装置所展现出的因SSBW的激励引起的纹波频率(fSSBW)要低于第0次轴向模式和第二次轴向模式(f1或f2)被间并的谐振频率和IDT-IDT模式的谐振频率(f2或f1)之间的中间部分((f1+f2)/2)。

    如上所述，通过调节频率特性改进了声表面波装置的通带范围内的插入损耗，以致因SSBW的激励引起的纹波频率(fSSBW)从中间部分((f1+f2)/2)偏移，其中f2和f1表示频率轴上相邻的两个谐振模式的谐振频率。

    作为有效地偏移上述频率的一种方法，在单个IDT中，调节一个IDT电极的电极指尖端和另一个IDT电极的汇流条之间的间隔。

    尤其，根据第一较佳实施例，在单个IDT中，把一个IDT电极的电极指尖端和另一个IDT电极的汇流条之间的间隔调节成因SSBW的激励引起的纹波频率(fSSBW)偏移到超过第0次轴向模式和第二次轴向模式(f1或f2)被间并的谐振频率和的IDT-IDT模式的谐振频率(f2或f1)之间的中间部分((f1+f2)/2)的较低频率侧，即，(fSSBW)＜((f1+f2)/2)，造成纹波电平的减少，从而有效地改进了插入损耗。

    然而，已经确定把IDT频率特性的调节成(fSSBW)大于((f1+f2)/2)的(fSSBW)会增大纹波电平，与具有(fSSBW)一般为((f1+f2)/2)的频率特性的IDT相比较，会导致插入损耗变差。

    现在，图9示出电极指尖端和汇流条之间的间隔和插入损耗之间的关系，所述插入损耗是因SSBW的激励发生具有(fSSBW)频率的纹波引起的。如在图9中所示，减小电极指尖端和汇流条之间的间隔有效地改进了因SSBW的激励产生的纹波引起的插入损耗。

    然而，减小电极指尖端和汇流条之间的间隔导致一个问题，即，在电极指尖端和汇流条之间的寄生电容增加。该寄生电容可能导致插入损耗变差。图10示出电极指尖端和汇流条之间的间隔和由于寄生电容引起的插入损耗之间的关系，其中用有限元件方法已经计算寄生电容。如在图10中清楚地示出，当电极指尖端和汇流条之间的间隔小于约0.1μm时，电极指尖端和汇流条之间的寄生电容快速增加，这导致插入损耗变差。

    图11示出电极指尖端和汇流条之间的间隔和由于寄生电容引起的插入损耗之间的关系，其中插入损耗包括因图9中示出的SSBW的激励而产生纹波所造成的影响以及图10中示出的寄生电容所造成的影响两者。如上所述，电极指尖端和汇流条之间具有窄间隔的IDT，尤其它们之间的间隔等于或小于在其中传播的声表面波的波长的约0.55倍的IDT展现出因SSBW的激励引起的纹波的减少。然而，如图11中清楚地示出，电极指尖端和汇流条之间所具有的间隔小于约0.1μm的IDT展现出由于增加寄生电容引起的插入损耗的变差要大于通过减小来自SSBW的纹波所改进的插入损耗。结果，这导致在整个范围上的插入损耗的变差。

    因此，已经确定IDT所具有的间隔最好约为0.1μm或更大以及等于或小于在其中传播的声表面波的波长的约0.55倍。这种IDT的设计以相同的方式有效地结合在以后描述的其它较佳实施例中。

    如上所述，电极指尖端和汇流条之间间隔的改变引起SSBW的激励的改变，以及寄生电容的改变。因此，在压电衬底上的金属薄膜构成的IDT的实际形成时，必须进行已经在传统配置中执行的IDT厚度和电极指线宽度的精确控制，而且还必须进行电极指尖端和汇流条之间的间隔的精确控制，以便获得稳定的电特性。

    通常，使用具有来自约0.2μm到约0.4μm的曝光光源的光波长的照相平版印刷术来形成IDT。因此，由于光的衍射效应，难于进行约0.5μm或更小的IDT电极的间隙宽度的精确控制。

    然而，由于与特性有关的优点，减小IDT电极的大小正获得进展。在根据本发明的各个较佳实施例的声表面波装置中，IDT电极最好形成为电极指尖端和汇流条之间的间隔以及电极指之间的最小间隙与来自曝光光源的光的波长大体相同，为的是产生改进的性能。因此，在本较佳实施例中，使IDT形成为电极指尖端和汇流条之间的间隔和电极指之间的最小间隙两者彼此大体相同的，这使对于两者的精确控制成为可能，从而使声表面波装置展现出更稳定的电特性。

    在根据本较佳实施例的声表面波装置中，使IDT形成为电极指尖端和汇流条之间的间隔和电极指之间的最小间隙彼此相同，因此，声表面波装置不包括任何窄间隙，从而进一步改进耐浪涌能力和耐电压能力。

    此外，根据本发明的各个较佳实施例的声表面波装置最好具有一种配置，其中，把包括在连接到平衡信号端子中之一的电路中的声表面波滤波器和IDT配置成展现出大的SSBW的激励，而把包括在连接到另一个平衡信号端子的电路中的声表面波滤波器和IDT构成为产生小的SSBW的激励。此外，具有使相互耦合的IDT电极的电极指接地的一种配置的电路在低频侧展现出改进的插入损耗，而具有相互耦合的IDT电极的电极指的一种配置的电路中，使一个IDT电极的电极指接地，以及使其它IDT电极的电极指连接到信号电极，这种电路在高频侧展现出改进的插入损耗。

    另一方面，SSBW导致通带内的低频侧上的插入损耗变差。在滤波器部分上的汇流条和电极指尖端之间的间隙越小，由于SSBW引起的插入损耗的变差也越小，以及把由于SSBW引起的插入损耗的变差偏移到低频侧(见图6)。

    在声表面波滤波器装置的声表面波装置部分上附加假电极，使由于SSBW引起的插入损耗的上述变差减少，以及把变差偏移到低频侧(见图6)。因此，声表面波滤波器装置最好设计如下。下面描述的设计对于以后描述的其它较佳实施例也是有利的。

    在具有一种配置的声表面波装置中，其中，声表面波滤波器连接到平衡信号电极中之一，把相互耦合的IDT的所有电极指都接地，以及把声表面波滤波器连接到其它平衡信号电极，在相互耦合的IDT中，使耦合的IDT中之一的电极指接地，而把其它IDT的电极指连接到信号电极。

    (1)在具有一种配置的声表面波滤波器中，其中，把相互耦合的IDT的所有电极指都接地，把IDT设计成在声表面波滤波器部分上增加汇流条和电极指尖端之间的间隙，为的是增加SSBW的激励(或在具有一种配置的声表面波滤波器中，其中，对相互耦合的IDT的电极指来说，其中使耦合的IDT中之一的电极指接地，把其它IDT的电极指连接到信号电极，把IDT设计成在声表面波滤波器部分上减少汇流条和电极指尖端之间的间隙，为的是抑制SSBW的激励)。

    (2)在具有一种配置的声表面波滤波器中，其中，把相互耦合的IDT的所有电极指都接地，把IDT设计为包括一个小尺寸假电极，以便产生增加的SSBW的激励，或在具有一种配置的声表面波滤波器中，其中，具有相互耦合的IDT的电极指，其中把耦合的IDT中之一的电极指接地，把其它IDT的电极指连接到信号电极，把IDT设计成包括大尺寸假电极，以便产生减少的SSBW的激励。同时，抑制振幅平衡的起伏。

    注意SSBW容易与横向模式波组合。因此横向模式特性的改变造成SSBW和横向模式波的组合的改变，导致SSBW的激励的改变。也就是说，通过调节横向模式特性来控制SSBW的激励，从而也得到根据本发明的较佳实施例的优点。

    注意，虽然在第一较佳实施例中已对一种配置进行说明，在该配置中，最好把是3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波装置的第一和第二声表面波滤波器装置208和219中的每一个串联连接到输入侧上的单端口声表面波谐振器以及在输出侧上的另一个单端口声表面波谐振器，但是，根据本发明的配置不限于上述配置，可以把本发明应用于产生相同优点而与其配置无关的、包括平衡信号端子的声表面波装置。例如，可以把本发明应用于产生相同优点的一种配置，其中，把是3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波装置的第一和第二声表面波滤波器装置208和219中的每一个串联仅连接到输入侧(不平衡信号端子侧)上的单端口声表面波谐振器，如在图12中所示。此外，可以把本发明应用于也产生相同优点的一种配置，其中，把是3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波装置的第一和第二声表面波滤波器装置208和219中的每一个串联仅连接到输出侧(平衡信号端子侧)上的单端口声表面波谐振器，如在图13中所示。

    此外，虽然在第一较佳实施例中已对一种配置进行说明，在该配置中具有是3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波装置的第一和第二声表面波滤波器装置208和219中的每一个，把设置在中间部分处的IDT连接到输入端子(不平衡信号端子)，把设置在中间部分处的IDT的左侧和右侧的IDT连接到输出端子(平衡信号端子)，但是，可以把本发明应用于也产生相同优点的一种配置，例如在该配置中具有是3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波装置的第一和第二声表面波滤波器装置208和219中的每一个，把设置在中间部分处的IDT连接到输出端子(平衡信号端子)，把设置在中间部分处的IDT的左侧和右侧的IDT连接到输入端子(不平衡信号端子)。

    此外，虽然在第一较佳实施例中已对一种配置进行说明，在该配置中，第一和第二声表面波滤波器装置208和219中的每一个包括3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波装置，但是，可以把本发明应用于一种配置，在该配置中对应于第一和第二声表面波滤波器装置208和219的第一和第二声表面波滤波器装置208a和219a的每一个分别包括2-IDT轴向耦合谐振器型声表面波装置，如在图15中所示，而且，可以把本发明应用于一种配置，在该配置中对应于第一和第二声表面波滤波器装置208和219的第一和第二声表面波滤波器装置208b和219b的每一个分别包括5-IDT轴向耦合谐振器型声表面波装置，如在图16中所示，它们中的每一个也都产生相同的优点。

    此外，在本较佳实施例中，如在图17中所示，可以把本发明应用于也产生相同优点的、包括三个声表面波滤波器装置91、92和93(它们中的每一个包括两个或多个IDT)的一种配置，其中把声表面波滤波器装置91连接到不平衡信号端子94，把另两个声表面波滤波器装置92和93中的每一个并联连接到声表面波滤波器装置91，同时还分别连接到平衡信号端子95和96。

    此外，虽然在第一较佳实施例中已对一种配置进行说明，在该配置中，第一和第二声表面波滤波器装置208和219中的每一个包括单个3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波装置，但是，可以把本发明应用于也产生相同优点的一种配置，例如在该配置中，第一和第二声表面波滤波器装置208和219的每一个包括串联连接的两个3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波装置，如在图18中所示，它也产生相同的优点。

    此外，如在图19中所示，可以把本发明应用于一种配置，除了把声表面波滤波器装置231和232配置成在IDT电极指尖端和连接到面向上述电极指的电极指的汇流条之间具有相同间隔，同时把声表面波滤波器装置233和234配置成在IDT电极指尖端和连接到面向上述电极指的电极指的汇流条之间具有不同间隔之外，该配置具有与上述图18中示出的配置相同的配置，它也产生相同的优点。

    此外，如在图20中所示，可以把本发明应用于也产生相同优点的、包括至少三个IDT的、具有平衡—不平衡转换功能的、声表面波装置1200，其中，把平衡信号端子124和125分别连接到IDT 1202和1203，并且把IDT 1202和1203配置成在电极指尖端和汇流条之间具有不同间隔。

    此外，如在图21中所示，可以把本发明应用于也产生相同优点的、包括三个IDT的、具有平衡—不平衡转换功能的、声表面波装置1300，其中，把设置在中间部分处的IDT 1301的梳状电极分割成沿声表面波传播方向的两部分，为的是分别连接到平衡信号端子124和125，其中梳状电极分割成的两部分在电极指尖端和汇流条之间具有不同的间隔，同时把设置在中间部分处的IDT 1301的左侧和右侧的IDT 1302和1303连接到不平衡信号端子。

    此外，如在图22中所示，可以把本发明应用于也产生相同优点的、包括三个IDT的、具有平衡—不平衡转换功能的、声表面波装置1400，其中，把设置在中间部分处的IDT 1401的梳状电极分割成沿交错方向的两部分，其中梳状电极分割成的两部分在电极指尖端和汇流条之间具有不同的间隔，同时把设置在中间部分处的IDT 1401的左侧和右侧的IDT 1402和1403连接到不平衡信号端子。

    此外，如在图23中所示，可以把本发明应用于也产生相同优点的声表面波装置1500，其中，串联连接每个具有两个或多个IDT的两个声表面波滤波器装置1511和1512，使设置在中间部分处的IDT 1501的左侧和右侧的一个声表面波滤波器装置1511的IDT 1502和1503连接到不平衡信号端子，并且把设置在中间部分处的IDT 1506的左侧和右侧的另一个声表面波滤波器装置1512的IDT 1507和1508连接到平衡信号端子124和125，上述IDT 1507和1508在电极指尖端和汇流条之间具有不同的间隔。

    此外，如在图24中所示，可以把本发明应用于也产生相同优点的声表面波装置1600，其中，串联连接每个具有两个或多个IDT的两个声表面波滤波器装置1611和1612，把设置在声表面波滤波器装置1611的中间部分处的IDT1601连接到不平衡信号端子，把设置在另一个声表面波滤波器装置1612的中间部分处的IDT 1606沿声表面波的传播方向分割成两部分，把两个经分割的梳状电极分别连接到平衡信号端子124和125，两个经分割的梳状电极在电极指尖端和汇流条之间具有不同的间隔。

    注意，在图23和24中示出的配置包括在垂直方向上相互连接的两个声表面波滤波器装置，最好具有与图20和21中的配置相同的配置，其中把平衡信号端子124和125两者连接到单个声表面波滤波器装置。

    如上所述，在根据本实施例的使用两个或多个声表面波滤波器装置的、执行平衡—不平衡转换功能的、声表面波装置中，第一轴向耦合声表面波滤波器装置和第二轴向耦合声表面波滤波器装置包括在电极指尖端和汇流条之间具有不同间隔的IDT，从而以致平衡信号端子之间的振幅差异。

    第二较佳实施例

    将以用于PCS装置的接收滤波器作为一个例子，对根据本发明的第二较佳实施例进行说明。例如，根据第二较佳实施例的声表面波装置最好包括在未示出的40±5°Y截割X传播LiTaO3衬底上的铝电极。除了下面描述的配置之外，根据第二较佳实施例的声表面波装置最好与图2中示出的传统配置具有相同的配置。因此，下面将参考图25对根据第二较佳实施例的配置和传统配置之间的差异来进行说明。

    在第二较佳实施例中，用附加的假电极来调节电极指尖端和汇流条之间的间隔。特别，在传统配置的情况中，把假电极提供给每个电极指和汇流条之间的IDT，假电极所具有的长度为0μm(即，第一和第二声表面波滤波器装置108和119两者都不包括假电极)，而根据第二较佳实施例的轴向耦合谐振器型声表面波滤波器装置302，把假电极提供给每个电极指和汇流条之间的IDT，假电极所具有的长度约为0.3μm(例如，由标号303表示的部分)。注意，轴向耦合谐振器型声表面波滤波器装置301不包括假电极。

    根据第二较佳实施例的声表面波装置具有一种配置，其中声表面波滤波器装置301和302包括具有不同长度假电极的IDT，它们中的每一个都设置在它的电极指尖端和汇流条之间。

    接着，将对根据第二较佳实施例的声表面波装置的优点进行说明。图26是曲线图，示出根据第二较佳实施例的配置得到的频率与振幅差异。图26示出作为对比例子的图2所示传统配置得到的振幅差异。注意，PCS接收滤波器的通带的频率范围是1930MHz到1990MHz。传统配置在上述范围中展现出1.50dB的最大振幅差异，而根据第二较佳实施例的配置在该范围中展现出约1.29dB的最大差异，改进了约0.21dB。

    将对根据第二较佳实施例的声表面波装置展现出上述优点的理由进行说明。在第二较佳实施例中，声表面波滤波器装置302包括IDT，这些IDT的每一个都提供于电极指尖端和汇流条之间、所具有的假电极的长度比声表面波滤波器装置301的要长。因此，在第二较佳实施例中，调节发生在声表面波滤波器装置301和302上的SSBW的强度，使声表面波滤波器装置301和302之间的频率特性的偏差和相位特性的偏差得到补偿。

    结果，在第二较佳实施例中，在由声表面波滤波器装置301以及单端口声表面波谐振器304和305定义的声表面波装置，和由声表面波滤波器装置302以及单端口声表面波谐振器307和308定义的声表面波装置之间补偿了频率特性的偏差和相位特性的偏差，从而抑制了振幅差异。

    虽然在第二较佳实施例中已对一种配置进行说明，在该配置中，把3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波滤波器装置301和302的输入/输出端子中的每一个都串联连接到一个单端口声表面波谐振器，但是，根据本发明的配置不限于上述配置，而是可以把本发明应用于产生相同优点的、具有平衡信号端子而与配置无关的任何声表面波装置。例如，可以把本发明应用于产生相同优点的一种配置，在该配置中，把声表面波滤波器装置301和302的输入端子中的每一个都连接到如图27所示的单端口声表面波谐振器，以及应用于产生相同优点的一种配置，在该配置中，把声表面波滤波器装置301和302的输出端子中的每一个都连接到如图28所示的单端口声表面波谐振器。

    虽然在第二较佳实施例中已对一种配置进行说明，在该配置中，两个声表面波滤波器装置301和302都包括3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波滤波器装置，但是，本发明可以应用于产生相同优点的一种配置，在该配置中，对应于声表面波滤波器装置301和302的声表面波滤波器装置301a和302a包括2-IDT轴向耦合谐振器型声表面波滤波器装置，如在图29中所示，以及可以应用于产生相同优点的一种配置，在该配置中，对应于声表面波滤波器装置301和302的声表面波滤波器装置301b和302b包括5-IDT轴向耦合谐振器型声表面波滤波器装置，如在图30中所示。

    此外，虽然已对一种配置进行说明，在该配置中，把两个3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波滤波器装置301和302都并联连接，但是，可以把本发明应用于产生相同优点的一种配置，例如在该配置中，声表面波滤波器装置301和302的每一个包括串联连接的两个3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波滤波器装置，如在图31中所示。

    此外，如在图32中所示，除了声表面波滤波器装置310和311在电极指尖端和电气上连接到面向上述电极指的电极指的汇流条之间具有相同间隔，同时声表面波滤波器装置312和313在电极指尖端和汇流条之间具有不同间隔之外，可以把本发明应用于具有如图31所示配置的、也产生相同优点的、一种配置。

    如上所述，在使用根据第二较佳实施例的两个声表面波滤波器装置执行平衡—不平衡转换功能的声表面波装置中，第一和第二轴向耦合声表面波滤波器装置包括具有不同长度的假电极的、每一个都提供给在电极指尖端和汇流条之间的IDT，从而抑制了平衡信号端子之间的振幅差异。

    第三较佳实施例

    将以用于PCS装置的接收滤波器作为一个例子，对根据本发明的第三较佳实施例进行说明。例如，根据第三较佳实施例的声表面波装置最好包括在未示出的40±5°Y截割X传播LiTaO3衬底上的铝电极。除了下面描述的配置之外，根据第二较佳实施例的声表面波装置与图2中示出的传统配置具有相同的配置。因此，下面将对根据第三较佳实施例的配置和传统配置之间的差异进行说明。

    如在图33中所示，传统配置的单端口声表面波谐振器(单端口声表面波谐振器112、116、120和121)的IDT配置成在电极指尖端和在电气上连接到面向上述电极指的电极指的汇流条之间具有0.9μm的间隔，而在本第三较佳实施例中，单端口声表面波谐振器401和402的IDT在其之间具有约0.9μm的间隔，并且单端口声表面波谐振器403和404的IDT在其之间具有约0.3μm的间隔。

    根据第三较佳实施例的声表面波装置具有一种配置，在该配置中，单端口声表面波谐振器401和402以及单端口声表面波谐振器403和404包括IDT，这些IDT在电极指尖端和在电气上连接到面向上述电极指的电极指的汇流条之间具有不同的间隔。

    接着，将对第三较佳实施例的优点进行说明。图34是曲线图，示出在通过图34示出的根据第三较佳实施例的声表面波装置得到的频率与振幅差异，图35是曲线图，示出在通过根据第三较佳实施例的声表面波装置得到的频率上的相位差异。图34和35分别示出作为对比例子的通过传统配置得到的振幅差异和相位差异。

    注意，PCS接收滤波器的通带的频率范围是1930MHz到1990MHz。传统配置在上述范围中展现出1.50dB的最大振幅差异，而根据第三较佳实施例的配置在该范围内展现出约1.35dB的最大差异，改进了约0.15dB。

    此外，传统配置在该范围内展现出4.8°的最大相位差异，而根据第三较佳实施例的配置展现出约4.4°的最大相位差异，改进了约0.4°。

    下面将对根据第三较佳实施例的声表面波装置展现出上述优点的理由进行说明。在第三较佳实施例中，单端口声表面波谐振器403和404包括IDT，这些IDT与单端口声表面波谐振器401和402的IDT相比，在电极指尖端和在电气上连接到面向上述电极指的电极指的汇流条之间具有较小的间隔。因此，在第三较佳实施例中，在单端口声表面波谐振器403和404以及单端口声表面波谐振器401和402上发生的SSBW的强度得到调节。

    结果，在第三较佳实施例中，在包括轴向耦合谐振器型声表面波滤波器405和单端口声表面波谐振器401和402的声表面波装置以及包括轴向耦合谐振器型声表面波滤波器406和单端口声表面波谐振器403和404的声表面波装置之间对频率特性的偏差和相位特性的偏差进行补偿，从而抑制了平衡信号端子之间的振幅差异和相位差异。

    虽然在第三较佳实施例中已对一种配置进行说明，在该配置中，把3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波滤波器装置405和406的输入/输出端子中的每一个串联连接到一个单端口声表面波谐振器，但是，根据本发明的配置不限于上述配置，而是本发明可以应用于产生相同优点的、具有平衡信号端子而与其配置无关的任何声表面波装置。

    例如，可以把本发明应用于一种配置，在该配置中，只把声表面波滤波器装置405和406的输入端子中的每一个串联连接到单端口声表面波谐振器，如图36所示，以及应用于一种配置，在该配置中，只把声表面波滤波器装置405和406的输出端子中的每一个串联连接到单端口声表面波谐振器，如图37所示，它们产生相同的优点。

    此外，如在图38中所示，可以构成与图33中示出的配置相同的一种配置，除了IDT 501和503包括IDT(这些IDT在电极指尖端和在电气上连接到面向上述电极指的电极指的汇流条之间具有相同的间隔)以及IDT 502和504在其之间具有不同的间隔之外，它们产生相同的优点。

    第四较佳实施例

    图39示出根据本发明的第四较佳实施例的声表面波装置，以及图40示出第四较佳实施例的对比例子。将以DCS装置的接收滤波器作为一个例子，对根据本发明的第四较佳实施例进行说明。例如，根据第四较佳实施例的声表面波装置最好包括设置在未示出的40±5°Y截割X传播LiTaO3衬底上的铝电极。

    除了下面描述的配置之外，根据第四较佳实施例的的声表面波装置具有与传统对比例子的配置相同的配置。也就是说，轴向耦合谐振器型声表面波滤波器装置601和602具有一种配置，在该配置中，IDT 603和611；IDT 611和604；IDT 605和612；以及IDT 612和606之间的间隔的附近(在图39中，由标号607、608、609和610表示的区域)的预定数量的电极指比其它区域中的电极指具有较窄的间距(在下文中将称之为“窄间距电极指”)，并且把相邻的IDT设置成具有约0.5倍IDT波长的间隔，从而抑制了因作为体波逃逸的成分而引起的损耗。注意，为了简化附图，图39和40示出电极指数量较少的一个例子。

    将对声表面波滤波器装置601和602的设计进行详细说明，其中，由窄间距电极指的间距确定的波长是λ2，由正常间距确定的波长是λ1以及反射器波长是λR。

    也就是说：

    ·交错深度：约为50.9λ1

    ·IDT的电极指的数量(按IDT 603、611和604的排序)：17(4)、(4)/37/(4)以及(4)/17，(括号中的数字是窄间距电极指的数量)

    注意，IDT 605、612、以及606，每个具有相同数量的电极指。

    ·IDT波长λ1：约为2.162μm、λ2：约为1.958μm(λ1对应于正常间距，λ2对应于窄间距)

    ·反射器波长λR：约为2.174μm

    ·反射器的电极指数量：150

    ·IDT-IDT间隔(具有波长λ1的正常电极指和具有波长λ2的窄电极指之间的间隔)：约为0.25λ1+0.25λ2

    ·IDT-IDT间隔(具有波长λ2的窄电极指之间的间隔)：约为0.50λ2

    ·IDT-反射器间隔：约为0.50λR

    ·IDT的占空度：约为0.63

    ·反射器的占空度：约为0.57

    ·电极厚度：约为9.48λ1

    ·电极指尖端和汇流条之间的间隔：约为0.9μm

    下面将对单端口声表面波谐振器613和614的设计进行详细说明。

    也就是说：

    ·交错深度：约为21.5λ1

    ·IDT的电极指的数量：241

    ·IDT波长和反射器波长：约为2.098μm

    ·反射器的电极指数量：30

    ·IDT-反射器间隔：约为0.50λR

    ·提供给每个电极指和汇流条之间的IDT的假电极的长度：

    单端口声表面波谐振器613：0μm(没有假电极)

    单端口声表面波谐振器614(由标号615表示的部分)：约为2μm

    下面将对单端口声表面波谐振器616和617的设计进行详细说明。

    也就是说：

    ·交错深度：约为36.8λ1

    ·IDT的电极指的数量：241

    ·IDT波长和反射器波长：约为2.040μm

    ·反射器的电极指数量：30

    ·IDT-反射器间隔：约为0.50λR

    ·提供给每个电极指和汇流条之间的IDT的假电极的长度：

    单端口声表面波谐振器616：0μm(没有假电极)

    单端口声表面波谐振器617(由标号618表示的部分)：约为2μm

    根据第四较佳实施例的声表面波装置具有一种配置，在该配置中，单端口声表面波谐振器613和616包括IDT，这些IDT具有在电极指和汇流条之间提供的长度为0μm的假电极(即，没有假电极)，而单端口声表面波谐振器614和617在其之间具有长度约为2μm的假电极，为的是在其之间具有不同的间隔(间隙)。

    接着，将对第四较佳实施例的优点进行说明。图41是曲线图，示出由根据第四较佳实施例的声表面波装置得到的频率与相位差异。图41还示出作为对比例子的由传统配置得到的相位差异。注意，DCS接收滤波器的通带的频率范围是1805MHz到1880MHz。在上述范围中，传统配置展现出8°的最大相位差异，而根据第四较佳实施例的配置展现出约为5°的最大相位差异，改进了约3°。

    下面将对根据第四较佳实施例的声表面波装置展现出上述优点的理由进行说明。在第四较佳实施例中，单端口声表面波谐振器614和617具有每一个提供给在电极指和汇流条之间的IDT的、长度比在单端口声表面波谐振器613和616中的要长的假电极。因此，在第四较佳实施例中，在单端口声表面波谐振器613和616上和在单端口声表面波谐振器614和617上发生的SSBW的强度得到调节。

    结果，在第四较佳实施例中，在包括轴向耦合谐振器型声表面波滤波器601的声表面波装置和单端口声表面波谐振器613和616之间以及以及包括轴向耦合谐振器型声表面波滤波器602的声表面波装置和单端口声表面波谐振器614和617之间对频率特性的偏差和相位特性的偏差进行补偿，从而抑制了平衡信号端子之间的相位差异。

    虽然在第四较佳实施例中已对一种配置进行说明，在该配置中，把3-IDT轴向耦合谐振器型声表面波滤波器装置601和602的输入/输出端子中的每一个串联连接到单端口声表面波谐振器，但是，根据本发明的配置不限于上述配置，而是本发明可以应用于产生相同优点的、具有平衡信号端子而与其配置无关的任何声表面波装置。

    例如，可以把本发明应用于一种配置，如图42所示，在该配置中，只把声表面波滤波器装置601和602的输入端子串联连接到单端口声表面波谐振器，以及应用于一种配置，如图43所示，在该配置中，只把声表面波滤波器装置601和602的输出端子串联连接到单端口声表面波谐振器，它们展现出相同的优点。

    此外，如在图44中所示，除了在单端口声表面波谐振器中，IDT 701和703具有每个都提供给在电极指和汇流条之间的IDT的、不同长度的假电极，同时IDT 702和704在其之间具有相同长度的假电极之外，可以提供与图39中的配置相同的、产生相同优点的一种配置。

    如上所述，可以把本发明应用于具有平衡—不平衡转换功能的、包括两个或多个声表面波滤波器装置(每一个具有包括两个或多个IDT的轴向耦合谐振器型声表面波滤波器装置以及单端口声表面波谐振器)的声表面波装置。也就是说，根据本发明，具有如此配置的声表面波装置进一步包括在用于引起声表面波的激励的电极指尖端和在电气上连接到面向上述电极指的电极指的汇流条之间具有不同间隔的两个声表面波滤波器装置或两个单端口声表面波谐振器。或者，根据本发明，具有如此配置的声表面波装置进一步包括具有不同长度的假电极(每一个提供给在电极指尖端和汇流条之间的IDT)的两个声表面波滤波器装置或两个单端口声表面波谐振器。在每一种配置中，抑制了声表面波装置的平衡信号端子之间的相位差异。

    注意，虽然已对一种配置进行说明，在该配置中，提供40±5°Y截割X传播LiTaO3衬底作为压电衬底，但是，在本发明中使用的压电衬底不限于上述压电衬底，而是在本发明中可以使用产生相同优点的压电衬底，诸如64°Y截割X传播LiNbO3衬底、47°Y截割X传播LiNbO3衬底或其它合适的压电衬底。

    此外，虽然已对一种配置进行说明，在该配置中，连接到平衡信号电极中之一的IDT以及连接到其它平衡信号电极的IDT在电极指尖端和面向上述电极指的汇流条之间具有不同的间隔，以致在连接到各个平衡电极的上述两个IDT上发生的SSBW的强度之间得到合适的差异，但是，根据本发明的配置不限于上述配置，而是可以利用任何配置，所述任何配置在连接到各个平衡信号电极的电路上发生的SSBW的特性之间产生合适的差异。

    例如，可以提供一种配置，在该配置中，上述两个IDT具有不同薄膜厚度的上述汇流条部分，或具有不同结构的上述汇流条部分。此外，可以提供一种配置，其中，在连接到平衡端子中之一的声表面波滤波器以及连接到其它平衡端子的声表面波滤波器中，用不同成分和/或不同厚度的声音吸收材料来涂覆其中的IDT的汇流条。粘合到汇流条上的弹性材料足以满足上述声音吸收材料的要求。例如，可以使用硅橡胶或其它合适的材料作为上述吸收部件。

    在薄膜厚度或薄膜结构，或声音吸收材料的粘合中的上述改变不会改变SSBW的激励强度，但是会改变横向模式特性。然而，SSBW容易与横向模式波组合，因此，横向模式特性中的改变改变了横向模式波和SSBW的组合，从而影响SSBW的激励的变化。因此，一种具有可得到横向模式特性中的合适的改变的配置产生根据本发明的相同的优点。

    下面将列出可以应用于本发明的声表面波滤波器装置。

    (1)包括两个声表面波滤波器装置的一种配置，所述声表面波滤波器装置包括两个或多个IDT，其中把两个声表面波滤波器装置中的每一个的端子中之一连接到不平衡信号端子，而把另一个端子连接到各自的平衡信号端子(图1、12、13、14、15和16)。

    (2)包括三个声表面波滤波器装置的一种配置，所述声表面波滤波器装置包括两个或多个IDT，其中把三个声表面波滤波器装置中之一连接到不平衡信号端子，并且把其它声表面波滤波器装置连接到各自的平衡信号端子，同时还并联连接到一个声表面波装置(图17)。

    (3)包括四个声表面波滤波器装置(A、B、C和D)的一种配置，所述声表面波滤波器装置包括两个或多个IDT，其中把两个个声表面波装置(A、B)的端子中之一连接到单个不平衡信号端子，同时把它们的其它端子在垂直方向上(A-C和B-D)分别连接到其它声表面波滤波器装置(C、D)，并且把在垂直方向上连接到前面的声表面波滤波器装置(A、B)的声表面波滤波器装置(C、D)连接到各自的平衡信号端子(图1 8、19、31和32)。

    (4)包括具有平衡—不平衡转换功能、包括三个或更多的IDT的声表面波滤波器装置的一种配置，其中，把平衡信号端子中的每一个都连接到独立的IDT(图20)。

    (5)包括具有平衡—不平衡转换功能、包括三个IDT的声表面波滤波器装置的一种配置，其中把左侧和右侧的IDT连接到不平衡信号端子，同时在声表面波的传播方向上把中间部分处的IDT的梳状电极中之一分割成两部分，并且把两个经分割的梳状电极连接到各自的平衡信号端子(图21)。

    (6)包括具有平衡—不平衡转换功能的、包括三个IDT的、声表面波滤波器装置的一种配置，其中把左侧和右侧的IDT连接到各自的平衡信号端子，以及在交错方向上把中间部分处的IDT的梳状电极中之一分割成两部分(图22)。

    (7)包括两个串联连接的声表面波滤波器装置的一种配置，所述声表面波滤波器装置包括两个或多个IDT，其中把声表面波滤波器装置中之一连接到不平衡信号端子，并且把其它声表面波滤波器装置连接到平衡信号端子(图23和24)。

    注意，在上述(1)到(3)中的配置中，在连接到平衡信号端子的两个声表面波滤波器装置之间发生SSBW的强度的差异。另一方面，在上述(4)到(7)中的配置中，在连接到平衡信号端子的声表面波滤波器装置的IDT之间发生SSBW的强度的差异。

    接着，将参考图45对包括具有根据上述较佳实施例的任何一种配置的声表面波装置的通信装置进行说明。通信装置800最好包括天线801、天线共享部分/RF顶部滤波器802、放大器803、Rx(接收机)级间滤波器804、混频器805、第一接口滤波器806、混频器807、第二接口滤波器808、第一和第二本地合成器811、TCXO(温度补偿晶体振荡器)812、分压器813以及本地滤波器814，构成接收机侧(Rx侧)电路。

    此时，最好把平衡信号从Rx级间滤波器804发送到混频器805以保证平衡，如图45中双线所示。

    此外，作为用于发送的发射机侧(Tx侧)电路，上述通信装置800进一步包括与上述Rx侧电路共享的上述天线801和天线共享部分/RF顶部滤波器802、以及Tx接口滤波器821、混频器822、Tx级间滤波器823、放大器824、耦合器825、隔离器826以及APC(自动功率控制)827。

    此时，对于上述Rx级间滤波器804、第一接口滤波器806、Tx接口滤波器821、Tx级间滤波器823，可合适地使用于根据上述较佳实施例中之一的声表面波装置。

    根据本发明的各个较佳实施例的声表面波装置具有改进性能的、抑制振幅差异和相位差异的优点。因此，包括根据本发明的各个较佳实施例的声表面波装置的上述通信装置具有改进的发送特性的优点。

    本发明不限于上述较佳实施例，而是可以作出在所附的权利要求书的范围内的各种修改。此外，使用上述较佳实施例中揭示的技术特征的组合的各种修改也包括在本发明的技术范围内。