相变存储器.pdf

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文档编号：674310

上传时间：2018-03-03

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一种相变存储器，包括存储节点，存储节点包括：下电极(1)，用于连接衬底；第一相变层(2)，位于下电极之上；第二相变层(3)，层叠于第一相变层上；上电极(4)，位于第二相变层上；存储节点根据第一相变层和第二相变层不同的阻值来存储不同的数据。由于在第二相变层和第一相变层之间不设置隔离层，不仅降低制作存储节点的工艺复杂度，也降低了存储节点的生产成本。。

摘要
申请专利号：	CN201480003525.9	申请日：	2014.04.30
公开号：	CN105247677A	公开日：	2016.01.13
当前法律状态：	实审	有效性：	审中
法律详情：	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/115申请日:20140430\|\|\|公开
IPC分类号：	H01L27/115; H01L45/00	主分类号：	H01L27/115
申请人：	华为技术有限公司
发明人：	缪向水; 余念念; 童浩; 徐荣刚; 赵俊峰; 张树杰
地址：	518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
优先权：
专利代理机构：	北京同立钧成知识产权代理有限公司11205	代理人：	马爽
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内容摘要

一种相变存储器，包括存储节点，存储节点包括：下电极(1)，用于连接衬底；第一相变层(2)，位于下电极之上；第二相变层(3)，层叠于第一相变层上；上电极(4)，位于第二相变层上；存储节点根据第一相变层和第二相变层不同的阻值来存储不同的数据。由于在第二相变层和第一相变层之间不设置隔离层，不仅降低制作存储节点的工艺复杂度，也降低了存储节点的生产成本。