液晶显示单元及液晶显示器 (1)技术领域
本发明有关一种在信号线的像素电极或通用电极的位置关系及形状方面具有特点的液晶显示单元(cell)及液晶显示器，特别是关于一种平面切换型的液晶显示单元及液晶显示器。
(2)背景技术
相对于像素电极和通用电极隔着液晶层配置于对向位置的所谓扭曲向列(Twisted Nematic)(TN)型液晶显示单元，提出一种平面切换型(In-Plane-Switching：以下称为「IPS」)液晶显示单元，后者已经实用化。IPS型液晶显示单元，其特点是：通过液晶分子施加于基板平行方向的电场以控制液晶分子的定向。基于这种机制，IPS型液晶显示单元与对于基板在垂直方向施加电场的TN型液晶显示单元相比，具有优良的电压保持特性或宽的视界角。
图12是显示习知IPS型液晶显示单元一部分构造的示意图。其中，图12(a)是显示IPS型液晶显示单元的平面图，图12(b)是显示图12(a)的A-A线截面图。习知IPS型液晶显示单元如图12(a)所示，像素电极104和通用电极103平行延伸，像素电极104通过形成于平坦化层113的通孔122连接于下层的源极121，通用电极103连接于电源线(图中未示出)。平坦化层113形成覆盖在栅绝缘层112上，信号线102形成于其栅绝缘层112上以及TFT 110的信道形成于栅绝缘层112上(其具体构造在图中未示出)。
栅绝缘层112形成覆盖在数组基板111上以及扫描线105形成于数组基板111上，扫描线105也具有作为TFT 110的栅极的功能。此外，信号线102如图所示，配置成其长度方向位于通用电极103的正下方，其突出地一部分也具有作为TFT 110的漏极的功能。因此，TFT 110具有作为开关组件的功能，其根据扫描线105的电压，即扫描信号，进行开/关动作，在开时，将信号线102的电压，即像素信号通过源极121和通孔122供应给像素电极104。
此外，在图12(a)，辅助配线106和扫描线(栅极)105位于同层，和在上层的像素电极104之间构成用作保持TFT 110为开状态的电容器。藉由以上的构造，可施加单向的电压给位于通用电极103和像素电极104之间的液晶，实现平面切换的液晶定向控制。另外，为简化图面，在图12(a)、(b)中中关于TFT 110部的截面图、在构成位于通用电极103和像素电极104上部的液晶层、位于液晶层上部的彩色滤光片、固定彩色滤光片的对向基板等液晶显示单元上必须的构件均省略标号。
此处，如图12(b)所示，通用电极103和像素电极104隔开特定距离形成于被平坦化的平坦化层113上。然而，此构造在通用电极103及像素电极104和位于这些电极下层的信号线102之间会产生电场，特别是在按照像素信号而产生电位变动的像素电极附近，电场的紊乱显著。此紊乱会使液晶的定向受到影响，所以结果成为造成画质品质降低的问题。于是，提出一种构造：如图12(b)所示，将通用电极103形成在信号线102的正上方有其信号线102宽度以上的宽度，藉此屏蔽产生像素电极104和信号线102之间的电场(参考专利文献1：特开平11-119237号公报)。
此外，也提出过一种更增进上述电场屏蔽作用的构造(参考日本专利申请特愿2002-328816)。图13(a)、(b)为显示其构造的示意图。另外，在图13(a)、(b)和图12(a)、(b)共同的部分附上同一符号而省略其说明。在图13(a)、(b)所示的液晶显示单元，和图12(a)、(b)的不同点为信号线102附近且在和扫描线(栅极)105同层形成具有和通用电极103同一电位的电场屏蔽电极107。藉由此电场屏蔽电极107的存在，从信号线102向像素电极104的电场被电场屏蔽电极107吸收而被阻挡，可减低像素电极104附近的电场的紊乱。
在以上例示的图12(a)、(b)及图13(a)、(b)都是关于液晶显示单元构造的，但此处作为与本发明相关的技术，将就上述平坦化层的众所周知的形成方法(参考专利文献2：特开平2002-107744号公报)加以叙述。图14(a)、(b)为用作对其习知平坦化膜形成方法的说明。另外，在图14(a)、(b)中，201表示玻璃基板，202表示栅极，203表示栅绝缘层，204表示半导体层，205表示欧姆接触层，206表示源极，207表示漏极，208表示钝化膜，209表示平坦化膜，209b及210a表示凹部，210表示像素电极，220表示光罩，220a表示开口部，220b表示狭缝，220c表示狭缝部，220d表示屏蔽部，230及231表示光。此外，图14(a)为显示平坦化膜209曝光时的状态图，图14(b)为显示平坦化膜209蚀刻处理后形成像素电极210的状态图。
此平坦化膜209的形成方法，其主要目的是为了增加在反射型液晶显示装置有效的由像素电极210所进行的光的不规则反射，而在其像素电极210表面用简单方法形成凹凸。因此，需要在位于像素电极210下层的平坦化膜209表面形成凹凸，在其形成方法具有特点。具体而言，将具有比曝光解像度小的宽度的多数狭缝220b设于在平坦化膜209的曝光工序使用的光罩220，利用其狭缝220b的光衍射现象(干射条纹)，在平坦化膜209表面照射在条纹间不同大小的光能。
然而，在图12(a)、(b)所示的习知IPS型液晶显示单元(以下称为习知例1)，为了充分屏蔽产生于信号线102和像素电极104之间的电场，需要更加增大从信号线102向通用电极的电场量，即对于信号线102的宽度更加增大通用电极103的宽度。然而，扩大此通用电极103会产生使液晶显示单元的开口率降低的问题。
另一方面，在图13(a)、(b)所示的习知IPS型液晶显示单元(以下称为习知例2)，虽然电场屏蔽效果比习知例1大，但是需要在和扫描线105(栅极)同层形成电场屏蔽电极107，所以这些金属图案变得复杂，会产生造成液晶显示单元不良率增加的问题。
(3)发明内容
本发明是鉴于解决上述习知技术问题，其目的在于提供一种不牺牲开口率且以简单构造可提高品质图像显示的液晶显示单元及液晶显示器。
为了达到上述目的，根据本发明一方面提供一种液晶显示单元，其特点是，包括：第一基板；第二基板；液晶层，其封入所述第一及第二基板之间；像素电极和通用电极，其位于所述第一及第二基板之间；绝缘层，其层迭于所述第一基板上；扫描线，其传送扫描信号；信号线，其单向延伸而层迭于所述绝缘层上，同时传送像素信号；开关组件，其根据所述扫描信号和所述像素信号控制所述像素电极的电压；平坦化层，其覆盖所述信号线上及所述绝缘层上且在所述信号线正上方有凹部，同时该凹部的肩部表面被平坦化，所述像素电极和通用电极的任何一方的一部分形成于所述凹部的内壁上，该其他部分形成于所述肩部的表面。
此外，根据本发明的液晶显示单元所述凹部的宽度大于所述信号线的宽度。
根据本发明另一方面提供一种液晶显示单元，其特点是，包括：第一基板；第二基板；液晶层，其封入第一及第二基板之间；像素电极和通用电极，其位于所述第一及第二基板之间；绝缘层，其层迭于所述第一基板上；扫描线，其传送扫描信号；信号线，其单向延伸而层迭于所述绝缘层上，同时传送像素信号；开关组件，其根据所述扫描信号和所述像素信号控制所述像素电极的电压；平坦化层，其覆盖所述信号线上及所述绝缘层上且在所述信号线两侧有凹部，同时该凹部的肩部表面被平坦化，所述像素电极和通用电极的任何一方的一部分形成于所述凹部的内壁上，该其他部分形成于所述肩部的表面。
此外，根据本发明的液晶显示单元，所述凹部的宽度小于所述信号线的宽度。
此外，根据本发明的液晶显示单元所述通用电极的一部分形成于所述凹部的内壁上，所述通用电极的其他部分和所述像素电极都形成于所述肩部的表面。
此外，根据本发明的液晶显示单元所述通用电极的一部分遍及该内侧面和该底面的全面形成于所述凹部的内壁上。
此外，根据本发明的液晶显示单元所述像素电极的一部分形成于所述凹部的内壁上，同时该其他部分形成于所述肩部的表面，所述通用电极形成于隔着所述液晶层的所述第二基板上。
此外，根据本发明的液晶显示单元所述凹部的深度为小于所述平坦化层的该凹部以外的厚度一半。
此外，根据本发明的液晶显示单元所述平坦化层具有通孔，其用作电气连接所述开关组件和所述像素电极。
此外，根据本发明的液晶显示单元保护膜介于所述平坦化层和所述信号线及所述绝缘层之间。
此外，根据本发明又一方面提供一种采用本发明上述液晶显示单元的液晶显示器，其特点是，包括：液晶显示面板，其将所载的液晶显示单元配置成矩阵状；信号线驱动电路，其和所述信号线电气连接，供应图像信号给该信号线；扫描线驱动电路，其和所述扫描线电气连接，供应扫描信号给该扫描线。
藉由本发明的液晶显示单元，由于在位于信号线正上方的平坦化层部分形成凹部，在其凹部内形成通用电极或像素电极，所以信号线和其电极之间的距离变小，可用其电极吸收起因于信号线而产生的电场的大部分。
(4)附图说明
图1为本发明第一实施例的液晶显示单元的示意图。
图2(a)、(b)为用于说明本发明第一实施例的液晶显示单元中在平坦化层形成凹部的方法的示意图。
图3(a)至图3(d)为用于说明通用电极附近的电场分布的说明示意图。
图4为关于本发明第二实施例的液晶显示单元的示意图。
图5(a)、(b)为用于说明本发明第二实施例的液晶显示单元在平坦化层形成两个凹部的方法的示意图。
图6(a)、(b)为用于说明本发明第三实施例在信号线正上方形成凹部的方法的示意图。
图7(a)、(b)为用于说明本发明第三实施例在信号线两侧分别形成凹部的方法的示意图。
图8(a)、(b)为用于本发明第三实施例在信号线正上方形成凹部的其它方法的示意图。
图9(a)、(b)为用于本发明第四实施例在信号线正上方形成凹部的方法的示意图。
图10(a)、(b)为用于说明本发明第四实施例在信号线两侧分别形成凹部的方法的示意图。
图11(a)为显示适用本发明时的TN型液晶显示单元的一部分截面示意图；图11(b)是与和习知TN型液晶显示单元同位置截面示意图。图12(a)、(b)为就习知IPS型液晶显示单元一部分构造显示的示意图。
图13(a)、(b)为就习知其它IPS型液晶显示单元一部分构造显示的示意图。
图14(a)、(b)为用于说明习知平坦化膜形成方法的示意图。
(5)具体实施方式
以下，根据附图详细说明关于本发明的液晶显示单元及液晶显示器的实施形态。另外，本发明不为此实施形态所限定。
(第一实施例)
首先，就关于第一实施例的液晶显示单元加以说明。第一实施例在IPS型液晶显示单元，其特点是：在位于信号线正上方的平坦化层部分形成凹部，在其凹部内形成通用电极。
图1为关于第一实施例的液晶显示单元的示意图，特别是相当于图12(a)所示的A-A线的部分的截面图。另外，在图1中和图12(b)共同的部分附上同一符号而省略其说明。如图1所示，平坦化层113在信号线102正上方形成凹部5，在其凹部5内壁(内侧面和底面)上和相当于其凹部5肩部的平坦化层113平坦表面上形成通用电极3。此处，最好凹部5的深度h1为凹部5以外的平坦化层113的厚度h2一半程度。例如假设平坦化层113的厚度h2为4μm，则最好凹部5的深度h1为2μm程度。因为再增大平坦化层113的厚度h2，则信号线102和通用电极3之间的寄生电容变大，使传送到信号线102的像素信号的响应性受到不良影响。此外，最好凹部5的宽度等于大于信号线102的宽度。
其次，就此凹部5的形成方法加以说明。图2为用于说明第一实施例的液晶显示单元在平坦化层113形成凹部5的方法的示意图。此处说明的方法，其特点是：使用光罩，其形成凹部5的位置，即信号线102正上方的位置为具有小于100％的光通过率的灰色调(graytone)。图2(a)为和图1同样的截面图，图2(b)为A-A线截面相当于图2(a)的液晶显示单元的平面图。另外，图2(a)、(b)中和图12(a)、(b)共同的部分附上同一符号而省略其说明。
平坦化层113以例如正型低介电常数感旋旋光性聚合物形成，以覆盖于TFT的信道部(图中未示出)和信号线102的方式涂布此聚合物，藉由施以硬化、平坦化处理而得到。虽然是对于如此得到的平坦化层113形成上述凹部5，但本来需要在此平坦化层113形成通孔122，其用作电气连接像素电极104和源极121。因此，为形成上述凹部5而使用的光罩20也含有其通孔的图案22。但是，相对于通孔的图案22为使光(紫外线)完全通过的开口部，相当于凹部5的位置，如图2(a)所示，是只使被照射的光的一部分通过的灰色调21。
因此，对于配置于平坦化层113上的光罩20以同量且同时间照射光时，在上述通孔的图案22方面，十分大量的光通过，从平坦表面到TFT的源极121的部分感光、变性，但在灰色调21方面，通过的光量少，所以只从平坦表面到一定深度变性。即，在此曝光后的显影处理，可得到图1所示的深度h1的凹部5。
平坦化层113的显影处理后，即通孔122和凹部5形成后，转移到像素电极104和通用电极3的形成处理。像素电极104和通用电极3均为使用同一屏蔽的蒸镀处理所形成，所使用的材料为具有导电性且具有优良光通过特性的ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等。另外，在像素电极104的蒸镀工序，也进行导电路的形成，该导电路用作实现不仅如图1所示的平坦化层113上，而且通过通孔122和下层的源极的电气接触。
图3(a)至3(d)为用作说明通用电极附近的电场分布的示意图。图3(a)显示图1所示的本实施形态的构造且凹部5的深度h1为2μm的情况，图3(b)显示图1所示的本实施形态的构造且凹部5的深度h1为1μm的情况，图3(c)和图3(d)为分别就上述习知例1和2的构造显示通用电极附近的电场分布情况。如图3(c)所示，习知例1在通用电极103的边缘部观察到大的电场紊乱。对此，在习知例2显示减低其紊乱的产生。相对于这些习知例，本实施形态的液晶显示单元藉由将通用电极3形成于具有2μm深度的凹部5内，而几乎观察不到电场的紊乱。此外，即使是凹部5具有1μm深度的情况，和相当于习知例1的图3(c)相比较，也显示可减低电场的紊乱。
如以上说明，藉由关于第一实施例的液晶显示单元，在IPS型液晶显示单元方面，由于在位于信号线正上方的平坦化层部分形成凹部，在其凹部内形成通用电极，所以信号线102和通用电极3之间的距离变小，可用通用电极3吸收起因于信号线102而产生的电场的大部分，结果可缩小信号线102给与像素电极104的影响。
(第二实施例)
其次，就关于第二实施例的液晶显示单元加以说明。第二实施例在IPS型液晶显示单元，其特点是：在位于信号线两侧的平坦化层部分形成两个凹部，在其凹部内形成通用电极。
图4为关于第二实施例的液晶显示单元的示意图，特别是相当于图12(a)所示的A-A线的部分的截面图。另外，在图4中和图1共同的部分附上同一符号而省略其说明。如图4所示，平坦化层113在信号线102两侧分别形成凹部7a、7b，在这些凹部7a、7b的内壁(内侧面和底面)上和相当于这些凹部7a、7b的肩部的平坦化层113的平坦表面上形成通用电极3。此处，关于凹部7a、7b的深度h1，也和在第一实施例说明的凹部5同样，最好为凹部7a、7b以外的平坦化层113的厚度h2一半程度。此外，最好凹部7a、7b的宽度比信号线102的宽度小。
其次，就这些凹部7a、7b的形成方法加以说明。图5(a)、(b)为用于说明第二实施例的液晶显示单元在平坦化层113形成凹部7a、7b的方法的示意图。此处说明的方法，其特点是：使用光罩30，其形成凹部7a、7b的位置，即信号线102两侧的位置为灰色调(graytone)。图5(a)为和图4同样的截面图，图5(b)为A-A线截面相当于图5(a)的液晶显示单元的平面图。另外，在图中和图2共同的部分附上同一符号而省略其说明。此外，光罩30和在第一实施例说明的光罩20同样，也有灰色调31a、31b以外的图案，即通孔图案22。
因此，对于配置于平坦化层113上的光罩30以同量且同时间照射光时，在上述通孔的图案22方面极大部分的光通过，从平坦表面到TFT的源极121的部分变性，但在灰色调31a、31b方面，通过的光量少，所以只从平坦表面到一定深度变性。即在此曝光后的显影处理，可得到图4所示的深度h1的两个凹部7a、7b。
平坦化层113的显影处理后，即通孔122和凹部7a、7b形成后，如在第一实施例说明，转移到像素电极104和通用电极3的形成处理。
如以上说明，藉由关于第二实施例的液晶显示单元，在IPS型液晶显示单元方面，由于在位于信号线两侧的平坦化层部分分别形成凹部，在这些凹部内形成通用电极，所以可具有和第一实施例同样的效果。再者，在关于第二实施例的液晶显示单元方面，由于位于信号线102正上方的通用电极3位于平坦化层113的平坦表面上，有充分的距离，所以可缩小在信号线102和通用电极3之间产生的寄生电容，可实现更稳定的液晶显示。
(第三实施例)
其次，就关于第三实施例的液晶显示单元加以说明。第三实施例是说明关于在第一及第二实施例所示的平坦化层113的凹部形成方法的其它实施例，所得到的构造和图1或图4同样。第一及第二实施例为了形成平坦化层113的凹部，使用相当于凹部的位置为灰色调的光罩，但第三实施例则在这些位置使用具有比曝光解像度小的宽度(或比衍射界限小的宽度)的狭缝的光罩。
图6(a)、(b)为用于说明在第三实施例在信号线正上方形成凹部的方法的示意图。特别是图6(a)为和图1同样的截面图，同图(b)为A-A线截面相当于图6(a)的液晶显示单元的平面图。另外，在图中和图2共同的部分附上同一符号而省略其说明。在图6(a)、(b)中，光罩40在形成凹部5的位置，即信号线102正上方的位置有狭缝部41。特别是此狭缝部41，其特点是：是比曝光解像度小的宽度且具有多数条在长度方向延伸的狭缝。另外，光罩40和在第一实施例说明的光罩20同样，也有狭缝部41以外的图案，即通孔图案22。
因此，对于配置于平坦化层113上的光罩40以同样且同时间照射光时，在上述通孔的图案22方面极大部分的光通过，从平坦表面到TFT的源极121的部分变性。然而，在狭缝部41方面，因衍射而入射光扩大，光密度变小，因此平坦化层113只从平坦表面到一定深度变性。即，在此曝光后的显影处理，可得到图1所示的深度h1的凹部5。
平坦化层113的显影处理后，即通孔122和凹部5形成后，如在第一实施例说明，转移到像素电极104和通用电极3的形成处理。
图7(a)、(b)为在信号线两侧分别形成凹部的方法的示意图。特别是图7(a)为和图4同样的截面图，图7(b)为A-A线截面相当于图7(a)的液晶显示单元的平面图。另外，在图中和图2共同的部分附上同一符号而省略其说明。在图7(a)、(b)中，光罩50在形成凹部7a、7b的位置，即信号线102两侧的位置有狭缝部51a、51b。特别是这些狭缝部51a、51b，其特点是：分别具有至少一条狭缝，其是比曝光解像度小的宽度且在长度方向延伸。另外，光罩50和在第一实施例说明的光罩20同样，也有狭缝部51a、51b以外的图案，即通孔图案22。
因此，对于配置于平坦化层113上的光罩50以同量且同时间照射光时，和图6(a)、(b)所示的光罩40同样，在上述通孔的图案22方面，从平坦表面到TFT的源极121的部分变性，但在狭缝部51a、51b方面，只从平坦表面到一定深度变性。即，在此曝光后的显影处理，可得到图4所示的深度h1的两个凹部7a、7b。
此外，构成上述狭缝部的各狭缝可以如图6(a)、(b)及图7(a)、(b)所示，不在信号线102的长度方向延伸，也可以在其长度方向排列。图8(a)、(b)为用于说明其实施例的示意图，图8(a)为和图4同样的截面图，图8(b)为A-A线截面相当于图8(a)的液晶显示单元的平面图。特别是在图8(a)、(b)中，光罩60的狭缝部61为多个狭缝所构成，该狭缝具有比曝光解像度小的宽度且在与信号线102长度方向垂直的方向以特定间隔形成。另外，在图8(a)、(b)中和图2共同的部分附上同一符号而省略其说明。此图8(a)、(b)为显示在信号线102正上方形成凹部5的情况，但关于如图7(a)、(b)在信号线102两侧形成凹部7a、7b的情况，也可使用具有和狭缝部61同样的狭缝的光罩。
如以上所述，藉由关于第三实施例的液晶显示单元，在IPS型液晶显示单元方面，使用具有比曝光解像度小的宽度的狭缝的光罩，藉此也可在平坦化层部分形成在第一及第二实施例说明的凹部。
(第四实施例)
其次，就关于第四实施例的液晶显示单元加以说明。第四实施例和第三实施例同样，是说明关于在第一及第二实施例所示的平坦化层113的凹部形成方法的其它实施例，所得到的构造和图1或图4相同。第一及第二实施例为了形成平坦化层113的凹部，使用相当于凹部的位置为灰色调(gray tone)的光罩，但第四实施例的特点是：这些灰色调的部分为完全通过光的开口部，并且使具有其开口部的光罩在曝光途中移动到别的凹部形成位置上者。
图9(a)、(b)为用于说明第四实施例在信号线正上方形成凹部的方法的示意图。特别是图9(a)为和图1同样的截面图，图9(b)为A-A线截面相当于图9(a)的液晶显示单元的平面图。另外，在图中和图2共同的部分附上同一符号而省略其说明。在图(a)、(b)9，光罩70在形成凹部5的位置，即信号线102正上方的位置有开口部71。此开口部71的宽度无需比曝光解像度小。另外，光罩70和在第一实施例说明的光罩20同样，也有开口部71以外的图案，即通孔图案22。
但是，此光罩70是将多个液晶显示单元一度形成矩阵状之际所使用。此处，若是在第一至第三实施例所述的光罩，则对于全部液晶显示单元各个形成上述通孔的图案和形成凹部的图案。然而，若是在本实施例使用的光罩70，则通孔与全部液晶显示单元对应所形成，另一方面凹部形成图案是扫描线105每隔一条或信号线102每隔一条所形成。换言之，在曝光工序，在最初固定光罩的状态，只对于配置于构成矩阵的奇数行的液晶显示单元或配置于奇数列的液晶显示单元，才形成凹部图案。
此外，在从前的曝光工序，曝光中无需使光罩移动，但本实施例使上述光罩70在曝光中以说明于下的定时和距离移动。首先，设形成通孔所需的时间为t，则开始曝光经过时间t/2之际，使此光罩70仅一个液晶显示单元的部分瞬间移动。而且，其移动后，等待时间t/2，结束曝光处理。若用图9(a)、(b)说明，则最初在将通孔和凹部形成图案配置于液晶显示单元10a上的状态开始曝光，到达时间t/2之际，使光罩70的开口部71如以箭头所示，移动到隔壁的液晶显示单元10b。其后，进行时间t/2的曝光。
藉此，在形成各液晶显示单元的通孔的位置进行时间t分的曝光，另一方面在形成凹部5的位置分别只曝光时间t/2。此意味着在形成凹部5的位置，不能给其平坦化层113从平坦化层113的表面到TFT的信道部(图未示出)的变性，在曝光后的显影处理，可得到图1所示的深度h1的凹部5。
另外，凹部形成图案不形成于以液晶显示单元为每隔一个的位置，而是每隔两个以上也可，其可按照凹部5的深度h1适当设计。另外，在这种情况时，使光罩70移动的时间间隔也需要调整。
图10(a)、(b)为用于说明第四实施例在信号线两侧分别形成凹部的方法的示意图。特别是图10(a)为和图4同样的截面图，图10(b)为A-A线截面相当于图10(a)的液晶显示单元的平面图。另外，在图中和图2共同的部分附上同一符号而省略其说明。上述图9(a)、(b)的说明是使光罩70移动的距离和凹部形成图案的形成位置以液晶显示单元大小为单位而变化，但在此图10(a)、(b)中，其单位成为隔着相同信号线102的凹部形成位置间隔。
因此，如图10(a)、(b)所示，藉由开口部81在曝光中移动，在形成通孔122的区域，在其移动前后区域22a和22b一部分重复被曝光。而且，只在其重复的部分形成从平坦化层113的表面到TFT的信道部(图中未示出)的通孔。
如以上说明，藉由关于第四实施例的液晶显示单元，在IPS型液晶显示单元方面，使用只对于有多个凹部形成位置的一部分有凹部形成图案的光罩，在曝光中藉由以特定定时和距离使其光罩移动，也可在平坦化层部分形成在第一及第二实施例说明的凹部。
(第五实施例)
其次，就关于第五实施例的液晶显示单元加以说明。第五实施例将说明使在第一实施例说明的凹部形成适用于TN型液晶显示单元的实施例。
图11(a)为显示适用本发明时的TN型液晶显示单元的一部分截面图和图11(b)是与习知TN型液晶显示单元同位置的截面图。如图11(b)所示，习知TN型液晶显示单元在形成于数组基板11上的栅绝缘层12上形成信号线13，如覆盖其信号线13和栅绝缘层12那样形成平坦化层17。而且，在其平坦化层17表面形成以信号线13为中心而邻接的液晶显示单元各个的像素电极14a、14b。
对于此习知构造，藉由在第一、三或四实施例说明的方法，在平坦化层17形成凹部16，在其凹部16内壁上和平坦化层17表面分别形成像素电极15a、15b。但是，为了两像素电极不接触，例如需要将像素电极15a的前端部形成于凹部16内的左侧面，将像素电极15b的前端部形成于凹部16内的右侧面。
如以上说明，藉由关于第五实施例的液晶显示单元，对于TN型液晶显示单元也可采用在第一实施例说明的构造，也可同样达到其效果。
另外，在以上说明的第一至第五实施例，也可以保护膜介于信号线和平坦化层之间。
此外，藉由组合将在上述第一至第五实施例说明的液晶显示单元配置成矩阵状所得到的液晶显示面板、扫描线驱动电路、信号线驱动电路及其它在进行液晶显示上必需的结构，当然也可提供一种具有本发明效果的液晶显示显示器。
如以上说明，藉由关于本发明的液晶显示单元及液晶显示器，由于在构成液晶显示单元的信号线正上方或两侧且平坦化层的凹部内形成像素电极或通用电极，所以实现形成于其凹部内的电极对于信号线的有效电场屏蔽，不牺牲开口率而取得高品质图像显示的效果。