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1、10申请公布号CN104081877A43申请公布日20141001CN104081877A21申请号201380005016522申请日20130125201201604720120130JPH05B33/04200601C03C8/24200601H01L51/52200601H05B33/1020060171申请人日立化成株式会社地址日本东京72发明人内藤孝青柳拓也立薗信一吉村圭桥场裕司泽井裕一藤枝正74专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038代理人贾成功54发明名称电子零件及其制法、以及用于其的密封材料糊剂57摘要本发明涉及电子零件及其制法、以及用于其的密封材料糊剂。。
2、所述电子零件为在2片透明基板1、2之间具有有机部件3、用含低熔点玻璃的密封材料5接合了上述2片透明基板1、2的外周部的电子零件，上述低熔点玻璃含有氧化钒V2O5、氧化碲TEO2、氧化磷P2O5及氧化铁FE2O3，以如下的氧化物换算，为V2O5TEO2P2O5FE2O375质量，V2O5TEO2P2O5FE2O3质量。30优先权数据85PCT国际申请进入国家阶段日2014070986PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/0516252013012587PCT国际申请的公布数据WO2013/115101JA2013080851INTCL权利要求书3页说明书18页附图10页按照条约第19条修。
3、改的权利要求书3页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书3页说明书18页附图10页按照条约第19条修改的权利要求书3页10申请公布号CN104081877ACN104081877A1/3页21一种电子零件，其为在2片透明基板之间具有有机部件、用含低熔点玻璃的密封材料接合了上述2片透明基板的外周部，其中，上述低熔点玻璃含有氧化钒V2O5、氧化碲TEO2、氧化磷P2O5及氧化铁FE2O3，以如下的氧化物换算，为V2O5TEO2P2O5FE2O375质量，V2O5TEO2P2O5FE2O3质量。2根据权利要求1所述的电子零件，其中，上述低熔点玻璃以如下的氧化物换算，V2O5为35。
4、55质量，TEO2为1930质量，P2O5为717质量，FE2O3为515质量。3根据权利要求1所述的电子零件，其中，上述低熔点玻璃还含有氧化钨WO3、氧化钼MOO3、氧化铌NB2O5、氧化钼TA2O5、氧化锰MNO2、氧化锑SB2O3、氧化铋BI2O3、氧化锌ZNO、氧化钡BAO、氧化锶SRO、氧化银AG2O及氧化钾K2O中的任一种以上，以如下的氧化物换算，WO3、MOO3、NB2O5、TA2O5、MNO2、SB2O3、BI2O3、ZNO、SRO、BAO、AG2O、K2O中的一种以上的合计为25质量以下。4根据权利要求3所述的电子零件，其中，上述低熔点玻璃以如下的氧化物换算，WO3、MOO3。
5、、NB2O5、TA2O5、MNO2、SB2O3、BI2O3、ZNO、SRO、BAO、AG2O、K2O中的一种以上的合计为20质量以下。5根据权利要求1所述的电子零件，其中，通过照射处于4001100NM的波长范围的激光，使上述低溶点玻璃软化流动。6根据权利要求1所述的电子零件，其中，上述低熔点玻璃的转化点为320以下及软化点为380以下。7根据权利要求1所述的电子零件，其中，上述低熔点玻璃的30250的热膨账系数为100L07/以下。8根据权利要求1所述的电子零件，其中，上述密封材料含有填料，上述填料为磷酸钨酸锆ZR2WO4PO42、氧化铌NB2O5、硅SI中的一种以上。9根据权利要求8所述的。
6、电子零件，其中，上述填料的含量相对于上述低熔点玻璃100体积份为35体积份以下。10根据权利要求1所述的电子零件，其中，接合上述2片透明基板的外周部的上述密封材料的厚度为20M以下。11根据权利要求1所述的电子零件，其中，上述2片透明基板的间隔为100M以上，上述2片透明基板的外周部经由隔离件而用上述密封材料接合，接合上述2片透明基板的各片和上述隔离件的上述密封材料的厚度为20M以下。12根据权利要求11所述的电子零件，其中，上述透明基板和隔离件为玻璃制。13根据权利要求11所述的电子零件，其中，上述透明基板和隔离件为树脂制。14根据权利要求1所述的电子零件，其中，上述有机部件为有机发光二极管。
7、、有机色素、光电转换元件的任一者。15一种密封材料糊剂，其为含有低熔点玻璃、树脂粘结剂及溶剂的密封材料糊剂，其中，上述低熔点玻璃含有氧化钒V2O5、氧化碲TEO2、氧化磷P2O5及氧化铁FE2O3，以如下的氧化物换算，为V2O5TEO2P2O5FE2O375质量，V2O5TEO2P2O5FE2O3质量。16根据权利要求15所述的密封材料糊剂，其中，上述低熔点玻璃以如下的氧化物换算，V2O5为3555质量，TEO2为1930质量，P2O5为717质量，FE2O3为515权利要求书CN104081877A2/3页3质量。17根据权利要求15所述的密封材料糊剂，其中，上述低熔点玻璃还含有氧化钨WO3。
8、、氧化钼MOO3、氧化铌NB2O5、氧化钽TA2O5、氧化锰MNO2、氧化锑SB2O3、氧化铋BI2O3、氧化锌ZNO、氧化钡BAO、氧化锶SRO、氧化银AG2O及氧化钾K2O中的任一种以上，且以如下的氧化物换算，WO3、MOO3、NB2O5、TA2O5、MNO2、SB2O3、BI2O3、ZNO、SRO、BAO、AG2O、K2O中的一种以上的合计为25质量以下。18根据权利要求15所述的密封材料糊剂，其中，上述低溶点玻璃的转化点为320以下及软化点为380以下。19根据权利要求15所述的密封材料糊剂，其中，上述低熔点玻璃的30250的热膨胀系数为100L07/以下。20根据权利要求15所述的密。
9、封材料糊剂，其中，进一步含有填料，上述填料为磷酸钨酸锆ZR2WO4PO42、氧化铌NB2O5、硅SI中的一种以上。21根据权利要求20所述的密封材料糊剂，其中，上述填料的含量相对于上述低熔点玻璃的粉末100体积份为35体积份以下。22一种电子零件的制法，其为在2片透明基板之间具有有机部件、用含低熔点玻璃的密封材料接合了上述2片透明基板的外周部的电子零件的制法，其中，具有将权利要求15所述的密封材料糊剂涂布于玻璃制的上述透明基板的外周部的工序；将上述密封材料糊剂在干燥后用烧成炉或处于4001100NM的波长范围的激光的照射进行烧成、形成密封材料的工序；使上述玻璃制的透明基板的形成了上述密封材料的。
10、面和其它玻璃制或树脂制的上述透明基板对向而固定2片上述透明基板的工序；使处于4001100NM的波长范围的激光隔着上述透明基板而照射至上述密封材料来使上述低熔点玻璃软化流动的工序。23一种电子零件的制法，其为在2片透明基板之间具有有机部件、用含低熔点玻璃的密封材料接合了上述2片透明基板的外周部的电子零件的制法，其中具有将权利要求15所述的密封材料糊剂涂布于树脂制的透明基板的外周部的工序；使上述密封材料糊剂在干燥后通过处于4001100NM的波长范围的激光的照射而进行烧成、形成密封材料的工序；使上述树脂制的透明基板的形成了上述密封材料的面和其它玻璃制或树脂制的上述透明基板对向而固定2片上述透明基。
11、板的工序；使处于4001100NM的波长范围的激光隔着上述透明基板而照射至上述密封材料来使上述低熔点玻璃软化流动的工序。24一种电子零件的制法，其为在2片透明基板之间具有有机部件、用含低熔点玻璃的密封材料接合了上述2片透明基板的外周部的电子零件的制法，其中，具有将权利要求15所述的密封材料糊剂涂布于棒状的玻璃隔离件的至少接合面的工序；使上述密封材料糊剂在干燥后用烧成炉或处于4001100NM的波长范围的激光的照射进行烧成、形成密封材料的工序；将上述玻璃隔离件固定在玻璃制的上述透明基板和其它玻璃制或树脂制的上述透明基板的外周部之间的工序；使处于4001100NM的波长范围的激光隔着上述透明基板而。
12、照射至上述密封材料来使上述低熔点玻璃软化流动的工序。25一种电子零件的制法，其为在2片透明基板之间具有有机部件、用含低熔点玻璃的密封材料接合了上述2片透明基板的外周部的电子零件的制法，其中，具有权利要求书CN104081877A3/3页4将权利要求15所述的密封材料糊剂涂布于棒状的树脂隔离件的至少接合面的工序；使上述密封材料糊剂在干燥后通过照射处于4001100NM的波长范围的激光进行烧成、形成密封材料的工序；将上述树脂隔离件固定在树脂制的上述透明基板和其它玻璃制或树脂制的上述透明基板的外周部之间的工序；使处于4001100NM的波长范围的激光隔着上述透明基板而照射至上述密封材料来使上述低熔点。
13、玻璃软化流动的工序。权利要求书CN104081877A1/18页5电子零件及其制法、以及用于其的密封材料糊剂技术领域0001本发明涉及在2片透明基板之间内装有机元件或有机材料、使用密封材料而接合其外周部的电子零件。背景技术0002存在在2片透明基板间内装有机元件、有机材料的电子零件。该电子零件中，为了保护这些有机元件、有机材料免于受湿气、水分等影响，用树脂的密封材料接合2片透明基板的外周部，或进而将干燥剂设置于电子零件内部等。然而，对于利用树脂的接合而言，由于气体阻隔性气密性不充分，所以水分子会缓慢渗透，不能获得充分的可靠性。另一方面，使用了低熔点玻璃的密封材料虽然可以进行具有高的气体阻隔性气。
14、密性的接合，但需要比树脂的密封材料显著高的接合温度。该接合温度超过内装在电子零件中的有机元件、有机材料的耐热性。0003因此，考虑可局部加热的激光密封。密封材料使用可气密接合的低熔点玻璃。对于该低熔点玻璃而言，吸收所使用的激光光而被加热、且进行软化流动是重要的。这样的方法由于可仅加热2片透明基板的外周部，所以不会对内装在电子零件中的有机元件、有机材料造成热损伤，可进行具有高的气体阻隔性气密性的玻璃接合。0004在内装有机发光二极管OLED的显示器等中，使将密封材料在外周部进行临时烧成的玻璃基板和另一个形成了OLED的玻璃基板合在一起，隔着玻璃基板而照射激光，由此使密封材料中的低熔点玻璃软化、流。
15、动，接合2片玻璃基板。专利文献1中提案可在OLED显示器中用激光接合外周部的密封材料。该密封材料含有可通过激光加热的V2O5P2O5SB2O3系低熔点玻璃、和用于降低热膨胀系数的锂铝硅酸盐锂霞石的填料粒子。而且，该低熔点玻璃含有K2O、FE2O3、ZNO、TIO2、A12O3、B2O3、WO3的任一种，具有不足350的转化点TG。专利文献2中也提案应用了与专利文献1相同的密封材料的玻璃封装。密封材料中所含的低熔点玻璃也与专利文献1相同。通过在具有比空气少的氧量的低氧化气氛中对玻璃基板外周部进行临时烧成来阻止3价或4价的钒离子变化成5价。由此，防止由激光照射引起的软化流动性劣化、激光密封后的接合。
16、部的耐湿性、耐水性下降。0005现有技术文献0006专利文献0007专利文献1日本专利第4540669号公报0008专利文献2日本特表2008527656号公报发明内容0009发明要解决的课题0010上述密封材料中所含的V2O5P2O5SB2O3系低熔点玻璃容易引起失透结晶化。该低熔点玻璃失透时，由于由激光照射引起的软化流动性、粘接性下降，因此需要在更低温下耗费时间来进行临时烧成。虽然软化流动性、粘接性可通过提高激光输出而改善，但由此有说明书CN104081877A2/18页6相当的可能性会对内装于电子零件中的有机元件、有机材料造成热损伤。另外，为确保以激光接合后的耐湿性、耐水性，需要在低氧环。
17、境中进行激光密封前的临时烧成。0011因此，本发明的目的在于降低对内装于电子零件中的有机元件、有机材料的热损伤、有效地制造电子零件、降低玻璃接合层的失透。0012用于解决课题的手段0013为了解决上述课题，本发明提供一种电子零件，其为在2片透明基板之间具有有机部件、用含低熔点玻璃的密封材料接合了上述2片透明基板的外周部的电子零件，其中，上述低熔点玻璃含有氧化钒V2O5、氧化碲TEO2、氧化磷P2O5及氧化铁FE2O3，以如下的氧化物换算，为V2O5TEO2P2O5FE2O375质量，V2O5TEO2P2O5FE2O3质量。0014另外，本发明提供一种密封材料糊剂，其为含有低熔点玻璃、树脂粘结剂。
18、及溶剂，其中，上述低熔点玻璃含有氧化钒V2O5、氧化碲TEO2、氧化磷P2O5及氧化铁FE2O3，以如下的氧化物换算，为V2O5TEO2P2O5FE2O375质量，V2O5TEO2P2O5FE2O3质量。0015发明的效果0016根据本发明，可降低对内装于电子零件的有机元件有机材料的热损伤、有效地制造电子零件、降低玻璃接合层的失透。附图说明0017图1A为作为一例的电子零件的概略俯视图。0018图1B为沿着图1A中所示的IBIB的密封部分的概略剖面图。0019图2A为作为一例的电子零件的概略俯视图。0020图2B为沿着图2A中所示的IIBIIB的密封部分的概略剖面图。0021图3A为表示图1A。
19、、图1B中所示的电子零件的制法的一例的概略俯视图。0022图3B为沿着图3A中所示的IIIBIIIB的概略剖面图。0023图4A为表示图1A、图1B中所示的电子零件的制法的一例的概略俯视图。0024图4B为沿着图4A中所示的IVBIVB的概略剖面图。0025图5为表示图1A中所示的电子零件的制法的一例的概略剖面图。0026图6为表示图2A、图2B中所示的电子零件的制法的一例的概略立体图。0027图7为表示图2A、图2B中所示的电子零件的制法的一例的概略剖面图。0028图8为表示代表性的低熔点玻璃的以示差热分析DTA获得的DTA曲线的一例的图表。0029图9为表示代表性的低熔点玻璃的热膨胀曲线的。
20、一例的图表。0030图10为表示对玻璃压粉成形体的激光照射实验的概略图。0031图11为表示涂布激光密封用玻璃糊剂的状态的概略图。0032图12为表示激光照射状态的概略剖面图。0033图13为表示代表性的低熔点玻璃的透射率曲线的一例的图表。具体实施方式0034以下，说明本发明。本发明的实施方式的2种电子零件的上面概略图和其密封部说明书CN104081877A3/18页7分的剖面概略图示于图1A、1B及图2A、2B。图1A、1B中所示的电子零件具有2片透明基板1和2、在透明基板1和2之间的1个以上的有机部件3有机元件或有机材料，用含低熔点玻璃的密封材料5接合了该2片透明基板1与2的外周部。图2A。
21、、2B中所示的电子零件具有2片具有较大间隔的透明基板1和2、透明基板1和2经由隔离材6而用密封材料5和5A进行了接合。0035本发明的特征在于，密封材料5、5A中所含的低熔点玻璃，含有氧化钒、氧化碲、氧化磷及氧化铁，以如下的氧化物换算，V2O5、TEO2、P2O5及FE2O3的合计为75质量以上，而且，V2O5TEO2P2O5FE2O3质量。满足该条件的低熔点玻璃，特别是通过激光照射，有效地吸收其波长的光，且被加热而容易软化流动。即，通过使用该低熔点玻璃和激光，可将加热仅局限于所期望部位，而不会对有机部件3造成热损伤，可接合2片透明基板1与2的外周部。0036作为使用的激光的波长，在该低熔点玻。
22、璃有效吸收光、而且透过透明基板的4001100NM的范围是有效的。波长不足400NM时，可能透明基板或其内部的有机元件或有机材料被加热、劣化。另一方面，波长超过1100NM时，该低熔点玻璃的光吸收减少，不能显示良好的软化流动性，或者在有包含水分的位置时，有时该水分被加热而带来不良影响。0037作为低熔点玻璃，重要的是以氧化物换算含有最多的V2O5。由此，低熔点玻璃高效地吸收4001100NM的波长范围的光、被加热。同时，可使低熔点玻璃的软化点TS低温化，通过对低熔点玻璃照射处于4001100NM的波长范围的激光，可容易地使低熔点玻璃软化流动。0038TEO2和P2O5为用于进行玻璃化的重要成分。
23、。若密封材料非玻璃，则在低温下不能软化流动。另外，即使通过激光照射也不能使密封材料容易地软化流动。P2O5与TEO2相比进行玻璃化的效果大，而且在低热膨胀化方面是有效的，但P2O5成为TEO2以上的含量时，会使耐湿性、耐水性降低，或使软化点TS上升。然而，另一方面，若TEO2的含量变多，则有热膨胀系数变大的倾向。热膨胀系数过大时，会有因激光照射造成的热冲击在使低熔点玻璃进行软化流动前破损的情况。0039FE2O3特别为作用于P2O5而使低熔点玻璃的耐湿性、耐水性提高的成分。另外，FE2O3为与V2O5同样可有效吸收4001100NM的波长范围的光的成分。然而，FE2O3含量超过P2O5时，低溶。
24、点玻璃会因加热而结晶化。该结晶化成为妨碍低熔点玻璃的软化流动性的现象，不予优选。0040以上所述的V2O5、TEO2、P2O5及FE2O3各自的作用及其效果可通过使它们的含量合计为75质量以上而得到，可得到由激光照射引起的可靠性粘接性、密合性、耐湿性、耐水性等高的接合部。0041低熔点玻璃的特别有效的组成范围，以如下的氧化物换算，为3555质量的V2O5，1930质量的TEO2，720质量的P2O5，515质量的FE2O3。0042在结晶化的防止、抑制中，WO3、MOO3、TA2O5、ZNO、BAO、SRO的含有是有效的。在耐湿性、耐水性的提升中，MNO2、SB2O3、BI2O3、BAO、SR。
25、O、AG2O、K2O的含有是有效的。热膨胀系数的降低中，NB2O5、TA2O5、ZNO的含有是有效的。软化点TS的低温化中，MOO3、AG2O、K2O的含有是有效的。另一方面，促进结晶化的成分为NB2O5、MNO2、SB2O3、BI2O3、AG2O、K2O。使软化点TS上升的成分为SB2O3、BI2O3、BAO、SRO。增加热膨胀系数的成分为MOO3、BAO、SRO、AG2O、K2O。降说明书CN104081877A4/18页8低耐湿性、耐水性的成分为MOO3、NB2O5、TA2O5、ZNO。因此，含有WO3、MOO3、NB2O5、TA2O5、MNO2、SB2O3、BI2O3、ZNO、BAO、。
26、SRO、AG2O、K2O有利有弊。需要充分考虑由V2O5、TEO2、P2O5及FE2O3组成的糊剂基本组成的特性后来决定含有的成分与其含量。0043以如下的氧化物换算，WO3、MOO3、NB2O5、TA2O5、MNO2、SB2O3、BI2O3、ZNO、SRO、BAO、AG2O、K2O中的一种以上的合计优选为25质量以下。这些含量的合计超过25质量时，有时软化点TS上升、或热膨胀系数变大、或结晶化倾向变大。另外，WO3、MOO3、NB2O5、TA2O5、MNO2、SB2O3、BI2O3、ZNO、SRO、BAO、AG2O、K2O中的一种以上的合计更优选为020质量。0044V2O5不足35质量时，。
27、即使对低熔点玻璃照射处于4001100NM的范围的波长的激光，有时低熔点玻璃变得难以容易地进行软化流动。另一方面，V2O5超过55质量时，有时耐湿性、耐水性等的可靠性下降。TEO2不足19质量时，有时低熔点玻璃的结晶化倾向变大、或软化点TS上升、或耐湿性、耐水性等的可靠性下降。另一方面，TEO2超过30质量时，有时低熔点玻璃的软化点TS容易低温化，但热膨胀系数变大，因激光照射产生的热冲击而使低熔点玻璃在进行软化流动前破损。0045P2O5不足7质量时，有时低熔点玻璃的结晶化倾向增加、且低熔点玻璃难以通过激光照射而进行软化流动。另一方面，P2O5超过20质量时，有时低熔点玻璃的软化点TS上升、即。
28、使照射激光低熔点玻璃也难以容易地进行软化流动。进而，有时该P2O5使低熔点玻璃的耐湿性、耐水性等的可靠性降低。FE2O3不足5质量时，有时低熔点玻璃的耐湿性、耐水性等的可靠性下降，另一方面，FE2O3超过15质量时，有时低熔点玻璃结晶化得到促进。0046WO3、MOO3、NB2O5、TA2O5、MNO2、SB2O3、BI2O3、ZNO、SRO、BAO、AG2O、K2O中的一种以上的合计超过20质量时，根据含有成分，有时低熔点玻璃的软化点TS上升、或热膨胀系数变大、或结晶化倾向变大。0047进而，上述低熔点玻璃的转化点TG为320以下及软化点TS为380以下是有效的。在后面进行详细说明，但此处所。
29、称的转化点TG及软化点TS为利用示差热分析DTA的特性温度，转化点TG为第一吸热峰的开始温度，软化点TS为第二吸热峰温度。转化点TG超过320时，有时因随着急热急冷的激光密封而在低熔点玻璃产生大的残留变形。另外，软化点TS超过380时，低熔点玻璃难以在照射激光时容易地进行软化流动。另外，上述低熔点玻璃在30250的热膨胀系数为100107/以下是有效的。热膨胀系数超过100107/时，有时因激光照射时的热冲击而发生开裂。0048另外，对于本发明而言，在图1A、1B及图2A、2B所示的电子零件中，密封材料5中除了上述低熔点玻璃以外，还可含有例如用于减小热膨胀系数的填料。另外，该填料优选为磷酸钨酸。
30、锆ZR2WO4PO42、氧化铌NB2O5、硅SI中的一种以上。对于这些填料而言，除了具有比本低熔点玻璃小的热膨胀系数外，与本低熔点玻璃的亲和性、密合性良好，因此可减小作为密封材料5的热膨胀系数。0049降低密封材料5的热膨胀系数的效果，顺序为以ZR2WO4PO42为最大，接着为SI，再接着为NB2O5。但是，由于SI可吸收波长处于4001100NM的范围的激光而放热、热传导比其它两种填料、低熔点玻璃更良好，因此对激光密封是特别有效的。密封材料中的上述填料的含量，相对于本低熔点玻璃100体积份，优选为35体积份以下。0050但是，上述填料的含量超过35体积份时，有时密封材料中的低熔点玻璃的软化流。
31、动性下降、激光照射时粘接性变弱。说明书CN104081877A5/18页90051另外，在图1A、1B中所示的本发明电子零件中，密封材料5产生的接合层厚度优选为20M以下。接合层厚度超过20M时，距离被激光照射的透明基板侧远的密封材料5中所含的低熔点玻璃难以软化流动，因此不能对密封材料5的厚度方向整体显示良好的软化流动性。另外，在图2A、2B中所示的电子零件中，2片透明基板1和2的间隔大，尤其是其间隔在100M以上的情况下，优选经由隔离件6来进行接合。此时的接合层厚度，与密封材料5、5A均优选与上述相同为20M以下。0052进而，在图1A、1B和图2A、2B中所示的本发明的电子零件中，透明基板。
32、1和2、或隔离件6为玻璃制或树脂制。它们由于透明，所以4001100NM的波长的光的吸收率少，且透过率高。因此，即使照射处于4001100NM的范围的波长的激光，也几乎不被加热，激光可透过、仅对所希望的部分的密封材料5或5A进行照射。激光所照射了的密封材料5或5A，由于其中所含的低熔点玻璃软化流动，所以可接合透明基板1和2的外周部。0053以上，本发明为有效适用于内装了有机发光二极管的显示器、内装了有机色素的色素增感型太阳能电池、内装有光电转换元件且用树脂贴合了的太阳能电池等。另外，本发明也可以应用于在电子零件的内部应用低耐热性的原件、材料的情况，但并不仅限于上述电子零件。0054另外，本发明。
33、为含有上述低熔点玻璃的粉末、树脂粘结剂和溶剂的密封材料糊剂。通过含树脂粘结剂和溶剂，容易如丝网印刷等那样涂布于基板。将密封材料糊剂涂布于基板后使其干燥而使树脂粘结剂和溶剂挥发，因此烧成时不发生气泡，可提高形成了的密封材料的气密性。作为该低熔点玻璃的粒径，优选平均粒径为3M以下。另外，作为树脂粘结剂，优选为乙基纤维素或硝基纤维素，作为溶剂，优选为丁基卡必醇乙酸酯。而且，该密封材料糊剂也可以含有填料粒子。作为该填料粒子的粒径，优选为平均粒径比上述低熔点玻璃的平均粒径大。另外，该填料粒子的含量，相对于本低熔点玻璃粉末100体积份，优选为35体积份以下。填料粒子的含量为35体积份以上时，如上述有时粘接。
34、性变弱。0055接着，对于本发明的电子零件的制法进行说明。图1A、1B中所示的电子零件的制法简单示于图3A、3B图5中。如图3A、3B中所示，在透明基板1的外周部形成含低熔点玻璃的密封材料5。对于其形成方法而言，首先将成为密封材料5的上述密封材料糊剂涂布于透明基板1的外周部，进行干燥。在透明基板1使用透明基板的情况下，通过烧成炉或照射处于4001100NM的波长范围的激光7，使密封材料5中所含的低熔点玻璃软化流动，向透明基板1烧成、形成。在透明基板1使用树脂基板的情况下，树脂的耐热性低而不能使用烧成炉，因此通过上述激光7的照射使密封材料5烧成、形成于透明基板1的外周部。0056接着，如图4A、。
35、4B中所示，制作形成了1个以上的有机部件3的另一透明基板2。透明基板2可为玻璃基板、树脂基板的任一者，但优选与透明基板1的材质一致。使透明基板1的形成了密封材料5的面与透明基板2的形成了有机部件3的面如图5中所示那样对向而将2片透明基板1、2对位，将有机部件3配置于由透明基板1、2和密封材料5形成的内部空间。予以说明，在通过激光照射来烧成涂布了密封材料5的透明基板1的情况下，由于透明基板1的外周部以外难以被加热，所以可在透明基板1上形成有机部件3。隔着透明基板向密封材料5照射处于4001100NM的波长范围的激光7。激光7可自任何透明基板的外侧向密封材料5照射，但由于密封材料5预先形成于透明基。
36、板1上，所以自透明基板2的外侧向密封材料5照射激光7时，可更高效地密封。此时，必须注意不要使激光7照射到说明书CN104081877A6/18页10内装于电子零件中的有机部件3。是因为有机部件3因激光7的照射而损伤或劣化的可能性相当大。密封材料5通过上述激光7的照射，使密封材料5中所含的低熔点玻璃软化流动，使2片透明基板1和2的外周部接合。0057另外，图2A、2B所示的电子零件的制法简单示于图6和图7。如图6中所示，在间隔件6的至少接合面上形成密封材料5和5A。将成为密封材料5及5A的上述密封材料糊剂涂布于隔离件6至少与透明基材接合的接合面上，进行干燥。在使用玻璃制的隔离件6的情况下，通过烧。
37、成炉或自透明基板1、2的两外侧照射处于4001100NM的波长范围的激光7或7A，使密封材料5及5A所含的低熔点玻璃软化流动，向间隔件6烧成、形成。在使用树脂制的间隔件6的情况下，树脂的耐热性低而不能使用烧成炉，因此通过上述激光7和7A的照射而将密封材料5烧成、形成于间隔件6。0058形成了密封材料5及5A的间隔件6，如图7中所示，设置于使透明基板1和形成了1个以上的有机部件3的另一透明基板2对向的外周部上，进行固定，使处于4001100NM的波长范围的激光7和7A隔着透明基板而向封装材料5与5A照射。此时，与上述同样地必须注意不使激光7和7A照射到内装于电子零件中的有机部件3。密封材料5及5。
38、A，通过上述激光7及7A的照射，使密封材料5及5A中所含的低熔点玻璃软化流动，将2片透明基板1和2的外周部接合。透明基板1和2，只要对4001100NM的波长范围的光的反射率低、透射率高，则就可为玻璃基板或树脂基板的任一者。0059由以上，本发明的电子零件及其制法、以及它们中使用的密封材料糊剂，不会对内装于其电子零件的有机元件、有机材料造成热损伤，可有效地制造电子零件，而且可得到粘接性、气体阻隔性气密性及耐湿性、耐水性良好的玻璃接合层。0060以下，使用实施例更详细地进行说明。但是，本发明并不限于此处采用的实施例的记载，可适当组合。0061实施例10062本实施例中，对于密封材料中所含的低熔点。
39、玻璃的组成与特性进行了研究。实施例示于表1表4，比较例示于表5。表1表5中所示的低熔点玻璃的制作中，使用高纯度化学研究所制的试药V2O5、TEO2、P2O5、FE2O3、WO3、MOO3、NB2O5、TA2O5、MNO2、SB2O3、BI2O3、ZNO、SRCO3、BACO3、AG2O及K2CO3作为原料。使用这些原料以合计成为200G地配合特定量、混合，放入铂坩埚中，用电炉以510/分钟的升温速度加热至9001000，进行熔融。为了在该温度下成为均匀的玻璃，一边搅拌一边将原料保持2小时。随后，取出坩埚，将原料流到预先加热至150200的不锈钢板上，制作低熔点玻璃。0063用喷射磨将制作了的低。
40、熔点玻璃粉碎至平均粒径为3M以下。使用该粉末以5/分钟的升温速度升温至500进行示差热分析DTA，由此测定转化点TG、屈服点MG、软化点TS及结晶化温度TCRY。予以说明，使用氧化铝AL2O3粉末作为标准样品。图8中示出代表性的低熔点玻璃的DTA曲线。如图8中所示，TG为第一吸热峰的开始温度，MG为其峰温度，TS为第二吸热峰温度，TCRY为因结晶化而开始放热的放热峰的开始温度。玻璃的温度特性由粘度定义，TG、MG及TS可说是相当于粘度分别为10133泊、10110泊及10765泊的温度。为使玻璃在低温下进行软化流动，需要极力使TS低温化。另外，为使热残留变形缓和，优选极力使TG低温化。TCRY。
41、为玻璃开始结晶化的温度。结晶化由于妨碍玻璃的软化流动性，所以优选极力使TCRY与TS相比在高温侧。说明书CN104081877A107/18页110064将制作了的低熔点玻璃在TGMG的温度范围去除热变形，加工成4420MM的棱柱。使用此用热膨胀计测定30250的热膨胀系数、转移温度TG及变形温度AT。予以说明，升温速度设为5/分钟。另外，作为标准样品，使用520MM的圆柱的石英玻璃。图9中表示代表性的低熔点玻璃的热膨胀曲线。图9中减去作为标准样品的石英玻璃的伸长量。根据30250的温度范围的伸长量的梯度来算出热膨胀系数。TG为显著开始伸长的温度，AT为因荷重而变形的温度。TG测定为在与上述D。
42、TA的TG相比若干高处进行测定。AT在上述DAT的MGTS之间。0065在制作的低熔点玻璃的耐湿性试验中，使用将上述热膨胀评价用样品的表面进行了镜面加工的材料。就耐湿性的评价而言，在温度85、湿度85的条件下实施10天时间，进行了镜面加工的玻璃表面的光泽得以维持的情况评价为“”，其光泽减少了的情况评价为“”，玻璃损坏了的情况评价为“”。0066制作了的低熔点玻璃的软化流动性，用手压1吨/CM2将上述用喷射粉碎机粉碎的玻璃粉末进行压粉成形、对该玻璃压粉成形体隔着透明基板照射各种激光，由此来进行评价。向该玻璃压粉成形体的激光照射实验的概略示于图10。玻璃压粉成形体8的尺寸设为102MM。将该压粉成。
43、形体8载置于透明基板1，自背侧朝向玻璃压粉成形体8的中央部照射激光7。透明基板1使用玻璃片。另外，激光7使用405NM波长的半导体激光、532NM波长的YAG激光的二倍波、630NM波长的半导体激光、805NM波长的半导体激光及1064NM波长的YAG激光。软化流动性的评价在玻璃压粉成形体8的激光照射部流动的情况下作为“”，虽流动但发生许多开裂的情况作为“”，软化的情况作为“”，虽软化但发生许多开裂的情况作为“”，不流动也不软化的情况作为“”。予以说明，玻璃压粉成形体8的激光照射部的软化流动、开裂发生状态，通过隔着透明基板1用光学显微镜进行观察来判定。0067如由表1表4中所示的实施例G164。
44、及表5所示的比较例G6580所得知的那样，实施例G164的低熔点玻璃的软化点TS比比较例G67、69、7376及7880的低熔点玻璃低，而且热膨胀系数比比较例G68、7073、77及78的低熔点玻璃小，进而耐湿性比比较例G6568、7074、76、78及80的低溶点玻璃更良好。另外，对于实施例G164的低熔点玻璃而言，由激光照射引起的软化流动性比比较例G67、69、7376及7880的低熔点玻璃更良好，而且，不会如比较例68、7072及77的低熔点玻璃那样即使软化流动性良好也发生许多开裂。0068实施例G164的低熔点玻璃含有氧化钒、氧化碲、氧化磷及氧化铁，以如下的氧化物换算，V2O5、TEO。
45、2、P2O5及FE2O3的合计为75质量，而且，V2O5TEO2P2O5FE2O3质量。进而，作为玻璃成分，还可以含有氧化钨、氧化钼、氧化铌、氧化钽、氧化锰、氧化锑、氧化铋、氧化锌、氧化钡、氧化锶、氧化银及氧化钾中的任一种以上，以如下的氧化物换算，为WO3MOO3NB2O5TA2O5MNO2SB2O3BI2O3ZNOBAOSROAG2OK2O25质量。对于特别有效的组成范围而言，满足了上述条件后，以如下的氧化物换算，V2O5为3555质量，TEO2为1930质量，P2O5为720质量，FE2O3为515质量，及WO3、MOO3、NB2O5、TA2O5、MNO2、SB2O3、BI2O3、ZNO、。
46、SRO、BAO、AG2O、K2O中的1种的合计为020质量。0069另外，实施例G164的低熔点玻璃，由于高效地吸收4001100NM的范围波长的激光而被加热，而且软化点TS为380以下这样低，因此显示良好的软化流动性。另外，玻璃转化点TG为320以下这样，热膨胀系数为100L07/以下这样小，因此由激光照射说明书CN104081877A118/18页12引起的热冲击的开裂少。0070实施例20071本实施例中，使用表2中所示的实施例G19的低熔点玻璃和作为透明基板的玻璃片，进行激光密封实验。使用用喷射磨粉碎成平均粒径为3M以下的G19的低熔点玻璃粉末、树脂粘结剂和溶剂而制作密封材料糊剂。树脂。
47、粘结剂使用硝基纤维素，溶剂使用丁基卡必醇乙酸酯。使用该密封材料糊剂，用丝网印刷法如图11中所示将密封材料糊剂涂布于透明基板的外周部，干燥后，于大气中以380烧成密封材料糊剂30分钟。使形成于透明基板1上的密封材料5的线宽为15MM、其烧成膜厚分别为约5、10、20、30M地通过改变涂布量进行调整。如图12中所示，对向设置透明基板2，自透明基板1的方向以8MM/秒的速度一边移动激光7一边向密封材料5进行照射，将透明基板1和2的外周部接合。激光7使用实施例1所用的4种激光。任何样品均可接合，评价气密性气体阻隔性和粘接性。评价结果示于表6。0072就气密性气体阻隔性而言，实施氦渗漏试验，以无泄漏的情。
48、况评价为“”，有泄漏的情况评价为“”。另外，就粘接性而言，实施剥离试验，在透明基板或密封材料受损的情况评价为“”，自透明基板和密封材料的界面容易剥离的情况评价为“”。在20M以下的烧成膜厚的情况下，使用任何激光，气密性和粘接性均良好。然而，在30M的烧成膜厚时，根据使用的激光，有时不能获得良好的气密性和粘接性。532NM和1064NM的波长使用YAG激光，YAG激光由于与其它半导体激光相比为高功率，因此认为获得良好气密性和粘接性。半导体激光由于与YAG激光相比非常廉价，因此在激光密封中最好是使用半导体激光，接合层的厚度优选20M以下。0073然而，自透明基板1和2的两面照射激光时，即使为30M。
49、的烧成膜厚也可获得良好的气密性和粘接性。即，在粘接层的厚度大的情况下，用这样的方法可充分地应对。0074图13中示出对实施例G19的低熔点玻璃进行烧成了的涂膜透过率曲线。在3002000NM的波长区域中，波长越小则透过率越低，另外烧成膜厚越大透过率越降低。由于表1表4中所示的其它实施例的低熔点玻璃也具有同样的透过率曲线，因此不用说可获得同样的效果。0075接着使用聚碳酸酯为透明基板与上述同样地进行激光密封实验。聚碳酸酯由于耐热性方面比G19的低熔点玻璃低，因此在事先烧成透明基板的情况下，使用805NM波长的半导体激光。使用该激光时，聚碳酸酯几乎不被加热而获得G19的烧成涂膜。接着，如图12，照射各种激光以接合作为透明基板1和2的聚碳酸酯的外周部而与上述同样地评价粘接性。得到与透明基板1和2使用玻璃片时同样的结果。0076实施例30077本实施例中，透明基板使用50L07/的热膨胀系数。