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1、(10)申请公布号 CN 103577582 A (43)申请公布日 2014.02.12 CN 103577582 A (21)申请号 201310552766.6 (22)申请日 2013.11.08 G06F 17/30(2006.01) G06Q 10/04(2012.01) G06Q 50/04(2012.01) (71)申请人 无锡英普林纳米科技有限公司 地址 214192 江苏省无锡市芙蓉中三路 99 号 (72)发明人 王晶 (74)专利代理机构 南京苏高专利商标事务所 ( 普通合伙 ) 32204 代理人 成立珍 (54) 发明名称 一种纳米压印工艺的优化方法 (57) 摘要。
2、 本发明公开了一种纳米压印工艺的优化方 法， 包括如下步骤 ：（1）选取影响纳米压印工艺 的因素， 每个因素设置相应水平 ；（2） 在设定的因 素条件下进行纳米压印实验， 记录实验结果 ；（3） 利用多因素方差分析方法对实验结果进行分析 ； （4） 根据分析结果选择最佳水平组合， 确定最佳的 纳米压印条件。本发明提供的纳米压印工艺的优 化方法利用数理统计方法， 简单易行， 科学精确， 能快速确定最佳的纳米压印条件， 提高纳米压印 的效率。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书2页 (10)。
3、申请公布号 CN 103577582 A CN 103577582 A 1/1 页 2 1. 一种纳米压印工艺的优化方法， 其特征在于， 包括如下步骤 ： （1） 选取影响纳米压印工艺的因素， 每个因素设置相应水平 ； （2） 在设定的因素条件下进行纳米压印实验， 记录实验结果 ； （3） 利用多因素方差分析方法对实验结果进行分析 ； （4） 根据分析结果选择最佳水平组合， 确定最佳的纳米压印条件。 2.根据权利要求1所述的纳米压印工艺的优化方法， 其特征在于 ： 所述步骤 （2） 的纳米 压印实验包括采用热压印或者紫外压印进行纳米压印。 权 利 要 求 书 CN 103577582 A 2 。
4、1/2 页 3 一种纳米压印工艺的优化方法 技术领域 0001 本发明涉及微加工领域， 具体涉及一种纳米压印工艺的优化方法。 背景技术 0002 目前， 影响纳米压印的因素有许多， 如压印力、 压印时间等， 但是每个因素对最终 的压印结果有什么影响， 影响力度多大不能确切的判断 ； 传统的压印工艺中都是通过经验 来确定相关参数， 但是在不同的实验条件下这些参数不能保持实验结果的一致性， 对纳米 压印的效率产生影响。 发明内容 0003 发明目的 ： 为了克服现有技术中存在的不足， 本发明提供的一种纳米压印工艺的 优化方法， 采用数理统计的方法， 简单易行， 能快速确定最佳的纳米压印条件。 00。
5、04 技术方案 ： 为解决上述技术问题， 本发明的采用的技术方案为， 一种纳米压印工艺 的优化方法， 包括如下步骤 ： 0005 （1） 选取影响纳米压印工艺的因素， 每个因素设置相应水平 ； 0006 （2） 在设定的因素条件下进行纳米压印实验， 记录实验结果 ； 0007 （3） 利用多因素方差分析方法对实验结果进行分析 ； 0008 （4） 根据分析结果选择最佳水平组合， 确定最佳的纳米压印条件。 0009 所述步骤 （2） 的纳米压印实验包括采用热压印或者紫外压印进行纳米压印。 0010 有益效果 ： 本发明提供的纳米压印工艺的优化方法利用数理统计方法， 简单易行， 科学精确， 能快速。
6、确定最佳的纳米压印条件， 提高纳米压印的效率。 具体实施方式 0011 实施例 1 ： 0012 一种纳米压印工艺的优化方法， 包括如下步骤 ： 0013 （1） 选取压印温度、 压印力、 压印时间作为要研究的影响纳米压印工艺的因素， 每 个因素设置 3 个水平， 在设定条件下纳米压印复制后图案结构的平均高度做为测量指标 ； 具体设置如下所示 ： 0014 说 明 书 CN 103577582 A 3 2/2 页 4 0015 进行热压印实验， 整理实验数据如下 ： 0016 0017 利用 SPSS 对实验数据进行多因素方差分析， 得到结果如下 ： 0018 自由度平方和均方F 值 压印温度。
7、2160.377980.188935.001667 压印力212.397526.1987580.386638 压印时间283.7437241.871862.611695 误差232.06489 0019 通过对数据进行分析， 得出压印温度相对于压印力和压印时间来说对压印结果影 响非更大。 在温度较低时， 压印效果不太理想 ； 压印力和压印时间的改变对于压印结果的影 响不是特别大， 而且升温和加压会对工艺周期产生影响， 因此是没有必要的。 0020 以上所述仅是本发明的优选实施方式， 应当指出 ： 对于本技术领域的普通技术人 员来说， 在不脱离本发明原理的前提下， 还可以做出若干改进和润饰， 这些改进和润饰也应 视为本发明的保护范围。 说 明 书 CN 103577582 A 4 。