一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法.pdf

《一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法.pdf（10页完整版）》请在专利查询网上搜索。

1、(10)申请公布号 CN 103630577 A (43)申请公布日 2014.03.12 CN 103630577 A (21)申请号 201310657575.6 (22)申请日 2013.12.09 G01N 27/00(2006.01) (71)申请人 电子科技大学 地址 611731 四川省成都市高新区 （西区） 西 源大道 2006 号 (72)发明人 于军胜 黄伟 韩世蛟 王晓 张磊 (74)专利代理机构 成都华典专利事务所 ( 普通 合伙 ) 51223 代理人 徐丰 杨保刚 (54) 发明名称 一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感 器的制备方法 (57) 摘要 本发明公开了。

2、一种基于有机薄膜晶体管二氧 化硫气体传感器的制备方法， 包括以下步骤 ： 先 对衬底进行彻底的清洗， 清洗后干燥 ； 在衬底的 表面制备栅电极， 形成栅电极的图形 ； 在镀有栅 电极的基板的上制备介电层 ； 对形成的介电层进 行极性溶剂处理 ； 在已形成栅电极， 以及己覆盖 经极性溶剂处理的介电层的基板上制备有机半导 体层 ； 然后制备源电极和漏电极， 形成源电极， 漏 电极图案 ； 气体的响应率显著提升， 探测浓度下 限更低 ； 相对单晶的晶体管， 有机薄膜晶体管更 加容易制备， 成本更低 ； 基于界面修饰的有机薄 膜晶体管将具有更快的响应速度， 能实现气体的 快速检测 ； 降低了生产成本，。

3、 更适宜大规模产业 化生产。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 6 页 附图 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书6页 附图2页 (10)申请公布号 CN 103630577 A CN 103630577 A 1/1 页 2 1. 一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法， 其特征在于， 包括以下 步骤 ： 先对衬底进行彻底的清洗， 清洗后干燥 ； 在衬底的表面制备栅电极， 形成栅电极的图形 ； 在镀有栅电极的基板的上制备介电层 ； 对形成的介电层进行极性溶剂处理 ； 在已形成栅电极， 以及己覆盖经极性溶剂处理的。

4、介电层的基板上制备有机半导体 层 ； 然后制备源电极和漏电极， 形成源电极， 漏电极图案。 2. 根据权利要求 1 一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法， 其特征 在于 ： 所述步骤中， 极性溶剂包括水、 甲酰胺、 三氟乙酸、 二甲基亚砜、 乙腈二甲基甲酰胺、 六甲基磷酰胺、 甲醇、 乙醇、 乙酸、 异丙醇、 吡啶、 四甲基乙二胺、 丙酮、 三乙胺、 正丁醇、 二氧 六环、 四氢呋喃、 甲酸甲酯、 三丁氨、 甲乙酮、 乙酸乙酯、 三辛胺、 碳酸二甲酯、 乙醚、 异丙醚、 苯甲醚、 正丁醚、 三氯乙烯、 二苯醚、 二氯甲烷或三氯甲烷。 3. 根据权利要求 1 一种基于有机薄膜晶体管。

5、二氧化硫气体传感器的制备方法， 其特征 在于 ： 所述步骤中， 极性溶剂处理方式包括溶剂浸泡或溶剂蒸熏。 4. 根据权利要求 1 一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法， 其特征 在于 ： 所述步骤中， 介电层包括二氧化硅、 三氧化二铝、 五氧化二钽、 氮化硅、 二氧化钛、 二 氧化铪、 聚乙烯醇、 聚酰亚胺、 聚乙烯吡咯烷酮、 聚苯乙烯、 聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯， 介 电层厚度为 52000 nm。 5. 根据权利要求 1 一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法， 其特征 在于 ： 所述步骤中， 衬底由硅片、 玻璃、 聚合物薄膜或金属箔制成。 6. 根据权利要求 1。

6、 一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法， 其特征 在于 ： 所述步骤中， 有机半导体层包括并四苯、 并五苯、 6， 13- 二三异丙酯硅基乙炔并五 苯、 酞菁铜、 酞菁锌、 酞菁钴、 红荧烯、 六噻吩、 聚噻吩或富勒烯， 有机半导体层厚度为 2100 nm。 7. 根据权利要求 1 一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法， 其特征 在于 ： 所述步骤中， 所述栅电极、 源电极和漏电极由金属及其合金材料、 金属氧化物或导 电复合材料制成， 源电极和漏电极的厚度为 10100 nm。 8. 根据权利要求 1 一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法， 其特征 在。

7、于 ： 所述步骤中， 栅电极、 源电极、 漏电极是通过真空热蒸镀、 磁控溅射、 等离子体增强 的化学气相沉积、 丝网印刷、 打印或旋涂中的一种方法制备。 9. 根据权利要求 1 一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法， 其特征 在于 ： 所述步骤中， 所述介电层是通过等离子体增强的化学气相沉积、 热氧化、 旋涂或者 真空蒸镀中的一种方法制备。 10. 根据权利要求 1 一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法， 其特 征在于 ： 所述步骤中， 所述有机半导体层是通过等离子体增强的化学气相沉积、 热氧化、 旋涂、 真空蒸镀、 辊涂、 滴膜、 压印、 印刷或气喷中的一种方法制。

8、备。 权 利 要 求 书 CN 103630577 A 2 1/6 页 3 一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法 技术领域 0001 本发明涉及气体传感器领域， 具体涉及一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传 感器的制备方法。 背景技术 0002 二氧化硫是一种无色气体， 具有强烈的刺激性气味。 当今社会， 随着煤炭和石油的 广泛应用， 二氧化硫成为一种主要的大气污染物， 并对环境和人体健康构成巨大的威胁。 由 于二氧化硫极易溶于水， 从而形成具有腐蚀性的亚硫酸。因此其对眼睛以及呼吸道具有强 烈的刺激作用， 大量吸入可引起肺气肿、 喉水肿等， 严重时会引起窒息， 危机生命。 而长时。

9、间 暴露在二氧化硫的氛围中会导致肺纤维性变， 进一步可导致肺纤维断裂形成肺气肿。 另外， 二氧化硫也是酸雨形成的主要原因之一。 0003 二氧化硫气体传感器的种类繁多， 主要包括半导体气体传感器、 电化学气体传感 器、 接触燃烧式气体传感器和固体电解质气体传感器等。 当前， 国内外的研究热点主要是半 导体气体传感器， 一般通过二氧化硫与无机氧化物薄膜的相互作用来改变器件的特性， 从 而实现对气体的有效探测和对环境的监控。 而基于有机半导体的有机薄膜晶体管 （Organic Thin-Film Transistor， OTFT） 二氧化硫气体传感器， 作为一种新型的气体传感器， 与无机 氧化物电。

10、阻式气体传感器相比， 除了具有材料来源广泛、 工艺简单、 使用寿命长和柔性衬底 的可实现性等特点外， 更具有选择性高、 响应快及可室温工作等优点。同时， OTFT 气体传感 器与市场化传感器的较强选择性、 高灵敏度的要求相契合， 成为近年来新型传感器研究领 域的一个热点。 0004 目前， 与 OTFT 气体传感器的相关研究， 集中在有机半导体薄膜的材料合成、 新的 器件结构设计以及电路减噪等方面， 但是， 针对介电层改性的研究依然缺乏。 大量的科学研 究发现， 由于介电层的表面直接与导电沟道接触， 因此， 其性质将直接影响基于有机薄膜晶 体管的气体传感器的性能。 发明内容 0005 本发明为。

11、解决现有技术中存在的问题提供了一种基于有机薄膜晶体管的二氧化 硫气体传感器的制备方法， 目的是克服现有有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器存在的敏 感性低、 响应速度慢、 稳定性差等问题， 通过对介电层表面的界面修饰， 获取具有高敏感性 能、 快速响应速度和高稳定性的气体传感器件。 0006 为了实现上述目的， 本发明采用的技术方案是 ： 一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法， 其特征在于， 包括以下步 骤 ： 先对衬底进行彻底的清洗， 清洗后干燥 ； 在衬底的表面制备栅电极， 形成栅电极的图形 ； 在镀有栅电极的基板的上制备介电层 ； 说 明 书 CN 103630577 A 3 。

12、2/6 页 4 对形成的介电层进行极性溶剂处理 ； 在已形成栅电极， 以及己覆盖经极性溶剂处理的介电层的基板上制备有机半导体 层 ； 然后制备源电极和漏电极， 形成源电极， 漏电极图案 ； 作为优选， 所述步骤中， 极性溶剂包括水、 甲酰胺、 三氟乙酸、 二甲基亚砜、 乙腈二甲 基甲酰胺、 六甲基磷酰胺、 甲醇、 乙醇、 乙酸、 异丙醇、 吡啶、 四甲基乙二胺、 丙酮、 三乙胺、 正 丁醇、 二氧六环、 四氢呋喃、 甲酸甲酯、 三丁氨、 甲乙酮、 乙酸乙酯、 三辛胺、 碳酸二甲酯、 乙 醚、 异丙醚、 苯甲醚、 正丁醚、 三氯乙烯、 二苯醚、 二氯甲烷或三氯甲烷。 0007 作为优选， 所述步。

13、骤中， 极性溶剂处理方式包括溶剂浸泡或溶剂蒸熏。 0008 作为优选， 所述步骤中， 介电层包括二氧化硅、 三氧化二铝、 五氧化二钽、 氮化 硅、 二氧化钛、 二氧化铪、 聚乙烯醇、 聚酰亚胺、 聚乙烯吡咯烷酮、 聚苯乙烯、 聚甲基丙烯酸甲 酯或聚乙烯， 介电层厚度为 52000 nm。 0009 作为优选， 所述步骤中， 衬底由硅片、 玻璃、 聚合物薄膜或金属箔制成。 0010 作为优选， 所述步骤中， 有机半导体层包括并四苯、 并五苯、 6， 13- 二三异丙酯硅 基乙炔并五苯、 酞菁铜、 酞菁锌、 酞菁钴、 红荧烯、 六噻吩、 聚噻吩或富勒烯， 有机半导体层厚 度为 2100 nm。 0。

14、011 作为优选， 所述步骤中， 所述栅电极、 源电极和漏电极由金属及其合金材料、 金 属氧化物或导电复合材料制成， 源电极和漏电极的厚度为 10100 nm。 0012 作为优选， 所述步骤中， 栅电极、 源电极、 漏电极是通过真空热蒸镀、 磁控溅射、 等离子体增强的化学气相沉积、 丝网印刷、 打印或旋涂中的一种方法制备。 0013 作为优选， 所述步骤中， 所述介电层是通过等离子体增强的化学气相沉积、 热氧 化、 旋涂或者真空蒸镀中的一种方法制备 ； 作为优选， 所述步骤中， 所述有机半导体层是通过等离子体增强的化学气相沉积、 热 氧化、 旋涂、 真空蒸镀、 辊涂、 滴膜、 压印、 印刷或。

15、气喷中的一种方法制备。 0014 本发明提供了一种基于有机薄膜晶体管的二氧化硫气体传感器的制备方法， 经过 修饰的介电层表面将有更大的官能团密度、 更具化学活性的载流子陷阱或更优化的介电层 表面形貌， 而介电层表面正好与载流子沟道相邻， 因此当气体扩散到载流子沟道时， 介电层 的表面的性质改变将极大地提升气体与介电层的相互作用， 进而能够实现更多的气体吸 附， 从而实现载流子在沟道中传输条件的改变， 以实现气体的高灵敏度和快速响应功能。 0015 另外， 由于介电层的表面性质直接决定了在其上生长的有机半导体的形貌， 而经 过极性溶剂处理的介电层表面由于其表面能在处理过后起伏变得更加明显和剧烈，。

16、 因此在 其上生长的有机半导体层将会趋向于形成具有更小晶粒的形貌， 当晶粒更小时， 意味着在 有机半导体中存在着更多的晶粒间隙， 这将有利于气体更加快速地扩散到载流子沟道当 中， 从而达到更好更快地检测气体的作用。 0016 与现有技术相比， 本发明具有以下有益效果 : 1、 介电层表面在形成其上的有机半导体层之前经过了极性溶剂处理， 气体的响应率显 著提升， 探测浓度下限更低 ； 2、 介电层表面在形成其上的有机半导体层之前经过了极性溶剂处理， 相对单晶的晶体 管， 有机薄膜晶体管更加容易制备， 成本更低 ； 说 明 书 CN 103630577 A 4 3/6 页 5 3、 介电层表面在形。

17、成其上的有机半导体层之前经过了极性溶剂处理， 基于界面修饰的 有机薄膜晶体管将具有更快的响应速度， 能实现气体的快速检测 ； 4、 介电层表面在形成其上的有机半导体层之前经过了极性溶剂处理， 降低了生产成 本， 更适宜大规模产业化生产。 附图说明 0017 图 1 为本发明底栅顶接触式气体传感器结构示意图 ； 图 2 为本发明底栅底接触式气体传感器结构示意图 ； 图 3 为本发明两种不同器件在不同二氧化氮氛围下的时间 - 源漏电流图， 器件 A 未经 极性溶剂处理， 器件 B 为经极性溶剂处理 ； 图中 ： 1- 衬底， 2- 栅电极， 3- 介电层， 4- 有机半导体层， 5- 源电极， 6。

18、- 漏电极。 具体实施方式 0018 基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器， 包括衬底、 栅电极、 介电层、 有机半导 体、 源电极和漏电极， 所述介电层表面在形成其上的有机半导体层之前经过了极性溶剂处 理。 0019 衬底可采用刚性衬底或者柔性衬底， 如硅片、 玻璃、 聚合物薄膜和金属箔中的一 种， 有一定的防水汽和氧气渗透的能力， 有较好的表面平整度。 0020 栅电极、 源电极和漏电极采用具有低电阻的材料构成， 如金 (Au)、 银 (Ag)、 镁 (Mg)、 铝 (Al)、 铜 (Cu)、 钙 (Ca)、 钡 (Ba)、 镍 (Ni) 等金属及其合金材料， 金属氧化物， 如氧化 铟锡 。

19、(ITO)， 氧化锌锡 (IZO) 导电薄膜和导电复合材料， 如金胶、 银胶、 碳胶等， 制备方法可 以是真空热蒸镀、 磁控溅射、 等离子体增强的化学气相沉积、 丝网印刷、 打印、 旋涂等各种沉 积方法。所述源电极和漏电极的厚度为 10100 nm。 0021 栅极介电层采用具有良好的介电性能的材料， 无机绝缘材料如二氧化硅 (SiO2)、 氮化硅 (Si3N4)、 氧化铝 (A12O3) 、 氟化锂 (LiF)、 二氧化钛 (TiO2)、 二氧化铪 (HfO2)、 五氧 化二坦(Ta2O5);有机绝缘材料如聚乙烯醇(PVA)、 聚氯乙烯(PVC)、 聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、 聚苯乙烯 (P。

20、S)、 聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)、 聚乙基丙烯酸酯 (PCA)、 聚四氟乙烯 (PTFE)、 聚 酰亚胺 (PI) 或聚乙烯 (PE) 等， 制备方法可以是等离子体增强的化学气相沉积、 热氧化、 旋 涂或者真空蒸镀等。所述栅极介电层的厚度为 52000 nm。 0022 有机半导体探测层采用并四苯、 并五苯， 及其具有取代基的衍生物、 6， 13- 二三 异丙酯硅基乙炔并五苯、 低聚噻吩， 其包含连接在噻吩环的第 2 及 5 位置的四至八个噻 吩、 茈四甲酸二酐 (PTCDA)、 萘四甲酸二酐 (NTCDA)、 酞菁铜、 酞菁锌、 酞菁钴、 金属化酞菁 及其卤代衍生物 fluorinat。

21、ed copper phthalocyanine (F16CuPc)、 酞菁铜 (CuPc)、 亚 噻吩基和 1， 2- 亚乙烯基的低共聚物和共聚物、 富勒烯 C60 及其衍生物、 苝 Perylene 及 其衍生物、 Alpha- 六噻吩、 红荧烯 (Rubrene)、 聚噻吩 Polythiophene 或聚 3- 己基拿吩 poly(3-hexyithiophene) 等， 制备方法可以是等离子体增强的化学气相沉积、 热氧化、 旋 涂、 真空蒸镀、 滴膜、 压印、 印刷或气喷等。所述有机半导体探测层的厚度均为 2100 nm。 0023 极性溶剂处理的方式中， 极性溶剂包括水、 甲酰胺、。

22、 三氟乙酸、 二甲基亚砜、 乙腈二 甲基甲酰胺、 六甲基磷酰胺、 甲醇、 乙醇、 乙酸、 异丙醇、 吡啶、 四甲基乙二胺、 丙酮、 三乙胺、 说 明 书 CN 103630577 A 5 4/6 页 6 正丁醇、 二氧六环、 四氢呋喃、 甲酸甲酯、 三丁氨、 甲乙酮、 乙酸乙酯、 三辛胺、 碳酸二甲酯、 乙 醚、 异丙醚、 苯甲醚、 正丁醚、 三氯乙烯、 二苯醚、 二氯甲烷或三氯甲烷。 处理方式包括溶剂浸 泡或溶剂蒸熏。溶剂浸泡时间为 1010000 秒， 溶剂熏蒸的时间为 1300 分钟。 0024 极性溶剂处理作为一种简单实用的表面处理方法， 在诸多方面都有广泛的应用， 如 ： 经溶剂处理。

23、的有机薄膜太阳能电池界面， 能使有机薄膜太阳能电池的效率达到有效的 提升 ； 在聚合物的制备等方面起到辅助作用， 已实现快速高效的聚合物合成。 极性溶剂处理 已经被证实对有机薄膜晶体管的介电层能达到很好的改性作用。 经过极性溶剂处理的介电 层表面能够实现表面能改变、 表面材料组分的重组或表面形貌优化的作用， 因此， 基于介电 层经极性溶剂处理的有机薄膜晶体管传感器相对于传统的未经极性溶剂处理晶体管传感 器将在灵敏度、 选择性、 稳定性以及响应时间等方面有着巨大的提升空间。 0025 以下结合附图对本发明作进一步的说明。 0026 实施例 1 如图 1 所示为底栅顶接触式结构。器件各层的材料和厚。

24、度为 ： 衬底 1 为玻璃， 栅电极 2 为 ITO， 厚度为 120 nm， 栅极介电层 3 为 PS， 厚度为 500 nm， 其中介电层 3 在乙醚溶剂中浸 泡 10 秒， 有机半导体为并五苯， 厚度为 2 nm， 源电极 5 和漏电极 6 均为 Au， 厚度为 10 nm。 0027 制备方法如下 ： 对溅射好栅电极 ITO 的玻璃衬底 1 进行彻底的清洗， 清洗后用干燥氮气吹干 ； 采用旋涂法在 ITO 上制备 PS 薄膜形成栅极介电层 3 ； 对旋涂好的 PS 薄膜经行加热烘烤 ； 对介电层 3 在乙醚溶剂中浸泡 10 秒 ； 采用真空蒸镀制备并五苯有机半导体层 4 ； 采用真空蒸。

25、镀制备源电极 5 和漏电极 6。 0028 实施例 2 如图 1 所示 , 传感器各层的材料和厚度为 ： 衬底 1 为玻璃， 栅电极 2 为 ITO， 厚度为 120 nm， 栅极介电层 3 为 PMMA， 厚度为 200 nm， 其中介电层 3 在异丙醇蒸汽下蒸熏 1 分钟， 有机 半导体探测层 4 为酞菁铜， 厚度为 10 nm， 源电极 5 和漏电极 6 均为 Au， 厚度为 50 nm。 0029 制备方法如下 ： 对溅射好栅电极 ITO 的玻璃衬底 1 进行彻底的清洗， 清洗后用干燥氮气吹干 ； 采用旋涂法在 ITO 上制备 PMMA 薄膜形成栅极介电层 3 ； 对旋涂好的 PMMA。

26、 薄膜经行加热烘烤 ； 对介电层 3 在异丙醇蒸汽下蒸熏 1 分钟 ； 采用真空蒸镀制备酞菁铜有机半导体层 4 ； 采用真空蒸镀制备源电极 5 和漏电极 6。 0030 实施例 3 如图 1 所示 , 传感器各层的材料和厚度为 ： 衬底 1 为玻璃， 栅电极 2 为 ITO， 厚度为 120 nm， 栅极介电层 3 为 PVA， 厚度为 2000 nm， 其中介电层 3 在三氯甲烷溶剂中浸泡 60 秒， 有机 半导体探测层 4 为六噻吩， 厚度为 25 nm， 源电极 5 和漏电极 6 均为 Au， 厚度为 50 nm。 0031 制备方法如下 ： 对溅射好栅电极 ITO 的玻璃衬底 1 进行。

27、彻底的清洗， 清洗后用干燥氮气吹干 ； 说 明 书 CN 103630577 A 6 5/6 页 7 采用旋涂法在 ITO 上制备 PVA 薄膜形成栅极介电层 3 ； 对旋涂好的 PVA 薄膜经行加热烘烤 ； 将介电层 3 放置在三氯甲烷溶剂中浸泡 60 秒 ； 采用真空蒸镀制备六噻吩有机半导体层 4 ； 采用真空蒸镀制备源电极 5 和漏电极 6。 0032 实施例 4 如图 2 所示 , 传感器各层的材料和厚度为 ： 衬底 1 为硅片， 栅电极 2 为硅， 栅极介电层 3 为二氧化硅， 厚度为 5 nm， 其中介电层 3 在丙酮溶剂中浸泡 10000 秒， 源电极 5 和漏电极 6 均为 A。

28、u， 厚度为 50 nm， 有机半导体探测层 4 为红荧烯， 厚度为 25 nm。 0033 其制备方法如下 ： 对硅为栅电极的衬底 1 进行彻底的清洗， 清洗后用干燥氮气吹干 ； 采用热氧化或者气相沉积的方法生成一层 SiO2作为栅极介电层 3 ； 对介电层 3 在丙酮溶剂中浸泡 10000 秒 ； 在 SiO2表面通过真空蒸镀或者溅射的方法制备源电极 5 和漏电极 6 ； 采用真空蒸镀制备红荧烯有机半导体层 4。 0034 实施例 5 如图 2 所示 , 传感器各层的材料和厚度为 ： 衬底 1 为硅片， 栅电极 2 为硅， 栅极介电层 3 为聚乙烯吡咯烷酮， 厚度为 100 nm， 其中介。

29、电层 3 在四氢呋喃蒸汽中蒸熏 2 分钟， 源电极 5 和漏电极 6 均为 Ag， 厚度为 50 nm， 有机半导体探测层 4 为 F16CuPc， 厚度为 25 nm。 0035 其制备方法如下 ： 对硅为栅电极的衬底 1 进行彻底的清洗， 清洗后用干燥氮气吹干 ； 采用旋涂法在 ITO 上制备聚乙烯吡咯烷酮薄膜形成栅极介电层 3 ； 对旋涂好的聚乙烯吡咯烷酮薄膜经行加热烘烤 ； 对介电层 3 在四氢呋喃蒸汽中蒸熏 2 分钟 ； 在聚乙烯吡咯烷酮表面通过真空蒸镀或者溅射的方法制备源电极 5 和漏电极 6 ； 采用真空蒸镀制备 F16CuPc 有机半导体层 4。 0036 实施例 6 如图 1。

30、 所示 , 传感器各层的材料和厚度为 ： 衬底 1 为玻璃， 栅电极 2 为 ITO， 厚度为 120 nm， 栅极介电层3为三氧化二铝， 厚度为50 nm， 其中介电层3在乙酸乙酯蒸汽中蒸熏300分 钟， 有机半导体探测层 4 为富勒烯， 厚度为 25 nm， 源电极 5 和漏电极 6 均为 Ag， 厚度为 30 nm。 0037 制备方法如下 ： 对溅射好栅电极 ITO 的玻璃衬底 1 进行彻底的清洗， 清洗后用干燥氮气吹干 ； 采用反应磁控溅射在 ITO 上制备三氧化二铝薄膜形成栅极介电层 3 ； 将介电层 3 在乙酸乙酯蒸汽中蒸熏 300 分钟 ； 采用真空蒸镀制备富勒烯有机半导体层 。

31、4 ； 采用真空蒸镀制备源电极 5 和漏电极 6。 0038 实施例 7 如图 2 所示 , 传感器各层的材料和厚度为 ： 衬底 1 为玻璃， 栅电极 2 为 ITO， 厚度为 120 说 明 书 CN 103630577 A 7 6/6 页 8 nm， 栅极介电层 3 为氮化硅， 厚度为 20 nm， 其中介电层 3 在三丁氨溶液中浸泡 500 秒， 源电 极 5 和漏电极 6 均为 Cu， 厚度为 100 nm， 有机半导体探测层 4 为并五苯， 厚度为 100 nm。 0039 制备方法如下 ： 对溅射好栅电极 ITO 的玻璃衬底 1 进行彻底的清洗， 清洗后用干燥氮气吹干 ； 采用反应。

32、磁控溅射在 ITO 上制备氮化硅薄膜形成栅极介电层 3 ； 将介电层 3 在三丁氨溶液中浸泡 500 秒 ； 在氮化硅表面通过真空蒸镀或者溅射的方法制备源电极 5 和漏电极 6 ； 采用真空蒸镀制备并五苯有机半导体层 4。 0040 本发明已经通过上述实施例进行了说明， 但应当理解的是， 上述实施例只是用于 举例和说明的目的， 而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人 员可以理解的是， 本发明并不局限于上述实施例， 根据本发明的教导还可以做出更多种的 变型和修改， 这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由 附属的权利要求书及其等效范围所界定。 说 明 书 CN 103630577 A 8 1/2 页 9 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 103630577 A 9 2/2 页 10 图 3 说 明 书 附 图 CN 103630577 A 10 。