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宽带干扰检测器.pdf

  • 上传人:62****3
  • 文档编号:6177043
  • 上传时间:2019-05-17
  • 格式:PDF
  • 页数:20
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  • 摘要
    申请专利号:

    CN201410003435.1

    申请日:

    2010.03.31

    公开号:

    CN103746659A

    公开日:

    2014.04.23

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情:

    授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H03F 1/08申请日:20100331|||公开

    IPC分类号:

    H03F1/08; H03F1/48

    主分类号:

    H03F1/08

    申请人:

    高通股份有限公司

    发明人:

    哈里什·S·穆萨利; 施雷亚斯·森

    地址:

    美国加利福尼亚州

    优先权:

    2009.03.31 US 61/165,090; 2009.10.20 US 12/582,090

    专利代理机构:

    北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

    代理人:

    宋献涛

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    内容摘要

    本发明涉及宽带干扰检测器,特别是描述用于检测所接收信号中的干扰信号的技术。在一个方面中,利用高速电流镜电阻性补偿电路和输出阻抗提升电路来增加改进的宽带放大器电路中的放大器带宽。在另一方面中,利用包括共源极拓扑、平均电容器和比较器电路的双晶体管配置来改进在峰值检测器块中对信号峰值的感测,所述峰值检测器块可与所述宽带放大器电路和数字干扰检测电路一起使用以检测干扰信号。所述数字干扰检测电路帮助确定干扰信号在所述所接收信号内的存在,由于如所描述的所述数字干扰检测电路的可编程性的缘故,所述确定可能是可变的。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种峰值检测器块,其包括晶体管、电容器电路和比较器电路,其中:
    所述晶体管的栅极端子耦合到输入信号,
    所述晶体管的源极端子耦合到电源,
    所述晶体管的漏极端子耦合到所述电容器电路的第一端子和所述比较器电路的输入端子,且
    所述电容器电路的第二端子耦合到接地信号源。

    2.  根据权利要求1所述的峰值检测器块,其中所述晶体管为PMOS晶体管。

    3.  根据权利要求1所述的峰值检测器块,其中所述晶体管为NMOS晶体管。

    4.  根据权利要求1所述的峰值检测器块,其中所述晶体管被施以偏压以在弱反转模式下操作。

    5.  根据权利要求1所述的峰值检测器块,其中所述比较器电路将所述晶体管输出信号与所选阈值信号进行比较。

    6.  根据权利要求5所述的峰值检测器块,其中所述所选阈值信号是可编程的。

    7.  一种峰值检测器块,其包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器、第二电容器和比较器电路,其中:
    所述第一晶体管的栅极端子耦合到输入信号,
    所述第一晶体管的源极端子耦合到第一电源,
    所述第一晶体管的漏极端子耦合到所述第一电容器的第一端子和所述比较器电路的第一输入端子,
    所述第一电容器的第二端子耦合到接地信号源,
    所述第二晶体管的栅极端子耦合到所述输入信号,
    所述第二晶体管的源极端子耦合到第二电源,
    所述第二晶体管的漏极端子耦合到所述第二电容器的第一端子和所述比较器电 路的第二输入端子,且
    所述第二电容器的第二端子耦合到所述接地信号源。

    8.  根据权利要求7所述的峰值检测器块,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一者被施以偏压以在弱反转模式下操作。

    9.  根据权利要求7所述的峰值检测器块,其中所述第一晶体管为PMOS晶体管且所述第二晶体管为NMOS晶体管。

    10.  根据权利要求7所述的峰值检测器块,其中所述第一和第二晶体管以共源极配置来耦合。

    11.  根据权利要求7所述的峰值检测器块,其中所述比较器电路将两个输入信号与独立阈值信号进行比较。

    12.  根据权利要求11所述的峰值检测器块,其中所述独立阈值信号中的每一者是可编程的。

    13.  一种在数字干扰检测电路中的方法,其包含:
    对在此期间来自比较器电路的信号处于逻辑高值的循环的数目进行计数;以及
    当所述计数的循环数目大于阈值时,产生中断信号。

    14.  根据权利要求13所述的方法,其中在所要循环数目之后使所述计数的循环数目复位。

    15.  根据权利要求13所述的方法,其中所述阈值是可编程的。

    16.  根据权利要求14所述的方法,其中所述所要循环数目是可编程的。

    17.  根据权利要求13所述的方法,其中在请求外部复位请求的情况下使所述循环数目复位。

    18.  一种在宽带干扰检测器中的方法,其包含:
    检测干扰信号,以及
    一旦感测到干扰信号,就产生中断信号。

    19.  根据权利要求18所述的方法,所述对干扰信号的检测进一步包含:
    放大所接收信号,
    测量所述所接收信号的峰值,
    将所述所接收信号的所述峰值与阈值信号进行比较,
    在所要持续时间期间对量值大于所述阈值信号的峰值的数目进行计数,以及
    在所计数的峰值数目大于阈值的情况下产生中断信号。

    20.  根据权利要求19所述的方法,其中所述阈值信号是可编程的。

    21.  根据权利要求19所述的方法,其中所述所要持续时间是可编程的。

    22.  根据权利要求19所述的方法,其中所述阈值是可编程的。

    23.  一种宽带干扰检测器,其包括:
    宽带放大器电路,
    峰值检测电路,
    比较器电路,以及
    数字干扰检测电路,
    其中所接收信号耦合到所述宽带放大器电路的输入端子,
    所述宽带放大器电路的输出端子耦合到所述峰值检测电路的输入端子,
    所述峰值检测电路的输出端子耦合到所述比较器电路的第一输入端子,
    阈值信号耦合到所述比较器电路的第二输入端子,且
    所述比较器电路的输出耦合到所述数字干扰检测电路的输入端子。

    24.  根据权利要求23所述的宽带干扰检测器,其中所述阈值信号是可编程的。

    25.  根据权利要求23所述的宽带干扰检测器,其中所述宽带放大器电路包括:第一有效 负载,其耦合到输入晶体管的漏极端子且配置为高速电流镜电阻性补偿电路;以及第二有效负载,其耦合到所述输入晶体管的所述漏极端子且配置为输出阻抗提升电路。

    26.  根据权利要求25所述的宽带干扰检测器,其中所述宽带放大器电路进一步包括:第三有效负载,其耦合到所述第一有效负载的输出且配置为第二高速电流镜电阻性补偿电路;以及第四有效负载,其耦合到所述第一有效负载的所述输出且配置为第二输出阻抗提升电路。

    27.  根据权利要求25所述的宽带干扰检测器,其中所述高速电流镜电阻性补偿电路包括:
    第一晶体管,
    第二晶体管,以及
    第一电阻器,
    其中所述第一晶体管的漏极端子耦合到所述输入晶体管的所述漏极端子,
    所述第一晶体管的源极端子耦合到所述第二晶体管的栅极端子,
    所述第一电阻器的第一端子耦合到所述第一晶体管的所述栅极端子,
    所述第一电阻器的第二端子耦合到所述第二晶体管的栅极端子,
    所述第一晶体管的源极端子耦合到电源,且
    所述第二晶体管的源极端子耦合到所述电源。

    28.  根据权利要求23所述的宽带干扰检测器,其中所述峰值检测器块包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器、第二电容器和比较器电路,其中:
    所述第一晶体管的栅极端子耦合到输入信号,
    所述第一晶体管的源极端子耦合到第一电源,
    所述第一晶体管的漏极端子耦合到所述第一电容器的第一端子和所述比较器电路的第一输入端子,
    所述第一电容器的第二端子耦合到接地信号源,
    所述第二晶体管的栅极端子耦合到所述输入信号,
    所述第二晶体管的源极端子耦合到第二电源,
    所述第二晶体管的漏极端子耦合到所述第二电容器的第一端子和所述比较器电 路的第二输入端子,且
    所述第二电容器的第二端子耦合到所述接地信号源。

    29.  根据权利要求23所述的宽带干扰检测器,其中所述数字干扰检测电路包含:
    用于放大所接收信号的装置;
    用于测量所述所接收信号的峰值的装置;
    用于将所述所接收信号的所述峰值与阈值信号进行比较的装置;
    用于在所要持续时间期间对量值大于所述阈值信号的峰值的数目进行计数的装置;以及
    用于在所计数的峰值数目大于阈值的情况下产生中断信号的装置。

    说明书

    说明书宽带干扰检测器
    分案申请
    本发明专利申请是申请日为2010年3月31日,申请号为201080014674.7,以及发明名称为“宽带干扰检测器”的发明专利申请案的分案申请。
    依据35U.S.C.§119主张优先权
    本专利申请案主张2009年3月31日申请的题目为“宽带干扰检测器(Wideband Jammer Detector)”的第61/165,090号临时申请案的优先权,所述临时申请案转让给本受让人且特此以引用的方式明确地并入本文中。
    技术领域
    本发明大体来说涉及电子设备,且更特定来说涉及一种宽带干扰检测器。
    背景技术
    在例如码分多址(Code Division Multiple Access,CDMA)、全球移动通信系统(Global System for Mobile communications,GSM)和无线局域网(Wireless Local Area Network,WLAN)通信装置等通信装置中,检测干扰信号的能力是改进通信装置的性能所必需的。通信装置包括接收器电路,其利用相关电路从所有其它所接收信号解密所要通信信号。当相关过程期间存在干扰信号时,使装置性能降级。
    干扰信号可由内部或外部源引入。内部干扰信号为接收器所引入的干扰信号。一实例为接收器内的电压控制振荡器(voltage controlled oscillator,VCO)所产生的时钟杂波(clock spur)。
    外部干扰信号为在接收器外部的源所引入的干扰信号。一实例为另一通信装置中的发射器所发射的信号,其在接收器的接收频带中产生带外发射。
    干扰信号以两种方式影响接收器的灵敏度。干扰信号可(例如)使接收器中的模/数转换器的灵敏度降低,借此使其灵敏度降级。在接收器中的本地振荡器信号的奇谐波(odd harmonic)处出现的干扰信号降频转换到接收频带中,从而使基带处的信号灵敏度降级。因此,当接收器未检测到干扰信号时,可能将误差引入到已解调的数据包中。
    所有干扰信号可因此使通信装置内的接收器的性能降级,且最终使装置处理信号的能力降级。因此,检测尽可能多的干扰信号(甚至极低功率的干扰信号)的能力有助于改进通信装置内的接收器的性能。
    举例来说,在典型的CDMA装置中,当存在CDMA干扰信号时,接收器进入受保护模式,在此模式下由干扰检测器作出决策。干扰检测器检测近处的干扰信号,例如靠近接收(RX)频带的干扰信号。宽带干扰检测器能够还检测距RX频带几百MHz远的干扰信号。干扰检测器允许接收器在不存在干扰信号时在无保护或低功率模式下操作,且在存在干扰信号的情况下在受保护或高功率模式下操作。
    需要一种能够检测在宽带宽范围内的低功率干扰信号且同时消耗最少量功率的宽带干扰检测器。
    发明内容
    本发明大体来说描述用于检测所接收信号中的干扰信号的技术。
    在本发明的一个方面中,利用高速电流镜电阻性补偿电路和输出阻抗提升电路来增加改进宽带放大器电路中的放大器带宽。
    在本发明的另一方面中,利用包括共源极拓扑、平均电容器和比较器电路的双晶体管配置来改进在峰值检测器块中对信号峰值的感测。
    在本发明的另一方面中,所述峰值检测器块与所述宽带放大器电路和数字干扰检测电路一起使用以检测干扰信号。
    在本发明的又一方面中,所述宽带放大器电路与峰值检测电路、比较器电路和数字干扰检测电路一起使用以形成宽带干扰检测器,来检测通信装置的所接收信号中的干扰信号。
    附图说明
    图1为具有宽带干扰检测器的接收器的框图。
    图2A和图2B分别为标准电流镜电阻性补偿电路和高速电流镜电阻性补偿电路的电路层级图。
    图3为根据示范性实施例的宽带放大器电路、峰值检测器块和数字干扰检测电路的示意图。
    图4展示根据另一示范性实施例的峰值检测器块的示意图,所述峰值检测器块可用于对来自图1的标准接收器中的宽带放大器电路以及并入有图3中所示的宽带放大器电 路的接收器的输出RF2进行峰值检测。
    图5展示根据一示范性实施例的数字干扰检测电路350的操作流程图。
    图6A和图6B展示根据一示范性实施例的用于实施数字干扰检测电路的两种不同数字逻辑配置。
    图7为接收器路径的框图。
    为促进理解,在可能的情况下已使用相同参考数字来表示各图所共有的相同元件,但适当时可添加后缀来区分此类元件。图式中的图像出于说明性目的已简化,且未必按比例描绘。
    附图说明本发明的示范性配置,且因此不应被认为会限制本发明的范围,本发明的范围可容许其它同样有效的配置。相应地,已预期一些配置的特征可有益地并入于其它配置中而无需进一步叙述。
    具体实施方式
    词语“示范性”在本文中用以表示“充当实例、例子或说明”。本文中描述为“示范性”的任何实施例未必被解释为比其它实施例优选或有利。
    下文中结合附图所阐述的具体实施方式希望作为对本发明的示范性实施例的描述且不希望表示其中可实践本发明的仅有实施例。贯穿此描述所使用的术语“示范性”意味着“充当实例、例子或说明”,且未必应解释为比其它示范性实施例优选或有利。具体实施方式包括特定细节以便实现提供对本发明的示范性实施例的透彻理解的目的。所属领域的技术人员将显而易见,可在无这些特定细节的情况下实践本发明的示范性实施例。在一些情况下,以框图形式展示众所周知的结构和装置以免使本文所呈现的示范性实施例的新颖性模糊不清。图1为具有宽带干扰检测器100的标准接收器的框图。第一低噪声放大器(LNA)101放大射频输入信号RF IN以产生经放大信号RF1。经放大信号RF1耦合在宽带干扰检测器100的输入处且还耦合到第二低噪声放大器107的输入。第二低噪声放大器107向同相和正交(in-phase and quadrature,I/Q)混频器108产生差分输出信号RF3。
    宽带干扰检测器100包含宽带放大器电路102、峰值检测电路103、平均电容器104、比较器电路105和数字干扰检测电路106。宽带放大器电路102为低功率宽带宽放大器。宽带放大器电路接收且放大来自LNA101的RF1以产生经放大信号RF2。RF2连接到峰值检测电路103的输入。峰值检测电路103产生与经放大信号RF2的峰值电压成比例的输出电压电平。
    电容器104的一端耦合到接地。电容器104的相对端耦合到峰值检测电路103的输出且耦合到比较器电路105的取样输入Vin。电容器104用以对峰值检测电路103的输出求平均值。比较器电路105还接收参考输入Vref。比较器电路105的输出随输入信号Vin和Vref而改变。当Vin大于或等于Vref时,比较器电路105的输出PEAK_DET切换到逻辑高状态。相反,当Vin小于Vref时,输出PEAK_DET切换到逻辑低状态。峰值检测电路103、电容器104和比较器电路105界定峰值检测器块107。
    PEAK_DET耦合到数字干扰检测电路106的输入。数字干扰检测电路106在经编程的持续时间内对PEAK_DET的值取样。在装置操作期间可控制并改变所述经编程的持续时间。当数字干扰检测电路106在所述经编程的持续时间内计数到经编程的阈值数目个逻辑电平高样本时,数字干扰检测电路106产生中断输出干扰检测器信号JDET。
    图2A和图2B分别为标准电流镜电路200A和高速电流镜电阻性补偿电路200B的电路层级图。
    如图2A中所示的标准电流镜电路200A包含电流源201以及两个晶体管202和203。晶体管202和203为NMOS装置。
    晶体管202经配置为参考晶体管,其中晶体管202的漏极耦合到两个晶体管202与203的栅极。此标准电流镜配置的3db截止频率(cutoff frequency)可表达为:
    Wo=gm2Cgs]]>         方程式(1)
    其中,gm为晶体管202的跨导,Cgs为晶体管202的栅极到源极电容,且ωo为3dB截止频率(以弧度为单位)。
    比较来说,如图2B中所示的高速电流镜电阻性补偿电路包含电流源204、电阻器205以及两个NMOS晶体管206和207。电阻器205的第一端子耦合到晶体管206的栅极。电阻器205的第二端子耦合到晶体管207的栅极和晶体管206的漏极。晶体管206经配置为参考晶体管,其中晶体管206的漏极耦合到晶体管207的栅极且耦合到电阻器205的第二端子。此高速电流镜电阻性补偿配置的3dB截止频率可表达为:
    H(s)=ωoZ[s+Zs2+2ζωos+ωo2]]]>            方程式(2)
    ωo=gm1RCgs1Cgs2]]>             方程式(3)
    Z=1RCgs1]]>              方程式(4)
    ζ=Cgs1+Cgs22gm1RCgs1Cgs2]]>               方程式(5)
    当:
    R=1gm1⇒ωogm1Cgs1⇒f1]]>(理论值)          方程式(6)
    其中,gm1为晶体管202的跨导,Cgs1为晶体管202的栅极到源极电容,R为电阻器205,且ωo为3dB截止频率(以弧度为单位)。可以看出,当电阻器205具有等于晶体管206的跨导的倒数的电阻值时,电阻器205的添加使理论3dB截止频率增加2的因数。此导致带宽显著增加。
    图3为根据一示范性实施例的宽带放大器电路300、峰值检测器块350和数字干扰检测电路360的示意图。宽带放大器电路300包含电容器C1、电阻器R1、PMOS输入晶体管302、第一高速电流镜电阻性补偿电路317和第二高速电流镜电阻性补偿电路318、运算放大器315、NMOS晶体管316,以及第一输出阻抗提升电路319和第二输出阻抗提升电路320。如同图1中所示的标准接收器中一样,峰值检测块350可包含峰值检测电路103、电容器104和比较器电路105。类似地,数字干扰检测电路可包含如同图1中所示的标准接收器中的数字干扰检测电路106中一样的电路。
    或者,峰值检测块350和数字干扰检测电路360可对应于下文分别结合图4和图6所描述的新的数字逻辑电路。
    返回参看图3,高速电流镜电阻性补偿电路317包括电阻器305以及PMOS晶体管303和304。高速电流镜电阻性补偿电路318包括电阻器314以及NMOS晶体管312和313。
    电容器C1的第一端子耦合到信号输入RF1。电容器C1的第二端子耦合到晶体管302的栅极。经由电容器C1对输入信号RF1的串联耦合提供对输入信号RF1的AC耦 合。AC耦合电容器C1隔离前一级的DC电平且允许NMOS晶体管302被施以所要值Vbias的偏压。电阻器R1的第一端子耦合到电压源Vbias。电阻器301的第二端子耦合到晶体管302的栅极。改变Vbias会控制施加到晶体管302的栅极的偏置电压。当需要额外增益时,增加Vbias以在晶体管302的栅极与源极之间产生增加的电压VGS。
    VGS与晶体管漏极电流之间的关系可表达为:
    ID=μnCox2WL(Vgs-Vth)2(1+λVDS)]]>           方程式(7)
    其中,μn为电荷载流子有效迁移率,W为栅极宽度,L为栅极长度且Cox为晶体管302每单位面积的栅极氧化物电容。漏极电流与跨导之间的关系可表达为:
    gm=2IDVGS-Vth=2IDVov]]>          方程式(8)。
    晶体管302的源极耦合到接地。晶体管302的漏极耦合到包括高速电流镜电阻性补偿电路317和输出阻抗提升电路319的有效负载。如上所述,高速电流镜电阻性补偿电路317通过引入零而提供额外带宽。输出阻抗提升电路319增加晶体管302的输出电阻。输出电阻的增加使晶体管302所提供的增益增加。
    输出阻抗提升电路319有两个目的。首先,输出阻抗提升电路从晶体管303分流出DC电流,借此允许晶体管303成为具有高带宽的小型低电流装置。晶体管304与303具有为4∶1的装置尺寸比。DC电流以及RF电流在从晶体管303到晶体管304的过程中得以放大。其次,输出阻抗提升电路319从主路径分流出DC电流。然而,输出阻抗提升电路319不应从主路径分流出RF信号。此通过提升输出阻抗来实现。输出阻抗可表达为:
    ROUT=(1+gmR)rOUT           方程式(9)
    其中,R为电阻器307且rOUT为电阻器306。
    高速电流镜电阻性补偿电路317的输出耦合到高速电流镜电阻性补偿电路318和输出阻抗提升电路320。与输出阻抗提升电路319类似,输出阻抗提升电路320具有相同的两个目的。输出阻抗可表达为:
    ROUT=A(1+gmrOUT)rOUT        方程式(10)
    其中,A为放大器310且rOUT为电阻器311。
    输出阻抗的提升用一种不同的技术来实现。高速电流镜电阻性补偿电路318的输出耦合到晶体管316的漏极和运算放大器315的负输入。运算放大器315的正输入耦合到设定为VDD/2的电压源。运算放大器315的配置借助于运算放大器(OP AMP)315的所述输入之间的虚拟短路效应将宽带放大器的DC输出驱动到VDD/2。OP AMP315控制晶体管316的栅极电压以产生用以对晶体管313进行馈给的电流源。OP AMP315确保节点RF2被施以VDD/2的偏压。此可通过将晶体管M6的栅极驱动到使RF2设定为VDD/2所需的任何电压来实现。RF2对峰值检测器块350进行馈给。
    从晶体管302处的RF输入到输出节点RF2的增益可表达为:
             方程式(11)。
    一股来说,且如本文所使用,增益可(i)等于1(线性单位),其为0dB(对数单位);(ii)大于1(线性单位);或(iii)小于1(线性单位)。大于1(线性单位)的增益对应于信号放大和正增益(以dB计)。小于1(线性单位)的增益对应于信号衰减和负增益(以dB计)。衰减为负增益,使得xdB的衰减相当于-x dB的增益。
    图4展示根据另一示范性实施例的峰值检测器块350的示意图,所述峰值检测器块350可用于对来自图1的标准接收器中的宽带放大器电路102以及并入有图3中所示的宽带放大器电路300的接收器的输出RF2进行峰值检测。
    峰值检测器块350包括峰值检测电路103′、电容器耦合电路104′和比较器电路105′。峰值检测电路103′包括上部负峰值检测器部分和下部正峰值检测器部分。来自前一级的RF2放大输出在上部负峰值检测器部分和下部正峰值检测器部分中的每一者中耦合到相应的峰值检测器输入晶体管400和401。晶体管400为PMOS晶体管。晶体管400的源极耦合到VDD。对PMOS晶体管400施以偏压以使其处于弱反转区域中,以允许其跟随经放大干扰信号的负峰值。晶体管400的漏极耦合到电流源406。PMOS晶体管400以共源极配置来配置以允许检测负峰值信号。电容器402的第一端子耦合到晶体管400的漏极和比较器405的负取样输入Vneg。电容器402的第二端子耦合到接地。电容器402对晶体管400的输出求平均值以产生信号Vneg。将负阈值输入Vneg_ref设定为所选阈值电 压电平。在一些设计中,所选阈值电压电平Vpos_ref可为可编程的。
    晶体管401是被施以偏压以在弱反转区域中操作的NMOS晶体管,因此所述晶体管将跟随经放大干扰信号的正峰值。晶体管401的源极耦合到接地。晶体管401的漏极耦合到电流源407。因此,NMOS晶体管401以共源极配置来配置以允许检测正峰值信号。电容器403的第一端子耦合到晶体管401的漏极和比较器405的正取样输入。电容器403的第二端子耦合到接地。电容器403对晶体管401的输出求平均值以产生信号Vpos。将正阈值输入值Vpos_ref设定为所选阈值电压电平。在一些设计中,所选阈值电压电平Vpos_ref可为可编程的。
    晶体管400和401被施以偏压以在弱反转模式(另外称作“截止”或“亚阈值”模式)下操作。当栅极到源极电压小于晶体管的阈值电压时,发生弱反转。理想地,电流不应流过处于弱反转模式的晶体管。然而,由于电子能量的波兹曼分布(Boltzman distribution)的缘故,源极处的一些能量较大的电子可进入通道且流向晶体管的漏极。此导致亚阈值电流,此电流与施加到晶体管的栅极到源极电压呈指数相关。在弱反转模式下操作允许晶体管400和401产生足够大以适当驱动比较器405的输出电流。栅极到源极电压与亚阈值电流之间的关系可表达为:
    ID=IDOeVGS-VthnVT]]>                方程式(12)
    其中,IDO=当VGS=Vth时的电流,且斜率因子n由下式给出
    n=1+CD/COX           方程式(13)
    其中,CD=耗尽层的电容,且COX=氧化物层的电容。
    比较器405将输入信号Vneg的振幅与阈值信号Vneg_ref的振幅进行比较。比较器405还将输入信号Vpos的振幅与阈值信号Vpos_ref的振幅进行比较。当任一输入信号的振幅大于对应的阈值信号的振幅时,将比较器405的输出信号PEAK_DET设定为逻辑高状态。当两个输入信号的振幅均低于对应的阈值信号的振幅时,将比较器405的输出信号PEAK_DET设定为逻辑低状态。
    如图1中所描述,常规数字干扰检测电路106在经编程的持续时间内对比较器105的输出取样。在装置操作期间可控制并改变所述经编程的持续时间。当数字干扰检测电路106在所述经编程的持续时间内计数到超过经编程的阈值数目个逻辑电平高样本时, 数字检测电路106产生中断输出信号JDET。
    图5展示根据一示范性实施例的数字干扰检测电路350的操作流程图。
    在步骤500中,初始化比较器电路150和所有计数器。不同事件可起始步骤500,所述事件例如:装置通电、干扰检测电路逾时、单线总线接口(SBI)越权控制(override)、全域复位,或增益模式转变。在步骤500中,使数字干扰检测电路时钟复位。一旦在步骤500中使数字干扰检测电路时钟复位,两个独立过程就开始并行操作。第一独立过程包括步骤503、504和505。第二独立过程包括步骤506、507、508和509。
    第一独立过程包括步骤503、504和505。在步骤503中,提供数字干扰检测电路逾时周期。在步骤504中,数字干扰检测电路确定是否已经过步骤503中所提供的干扰检测电路逾时周期。如果尚未经过数字干扰检测电路逾时周期,那么重复步骤504。在步骤505中,如果已经过干扰逾时周期,那么发送复位请求。
    第二独立过程包括步骤506、507、508和509。在步骤506中,数字干扰检测电路对比较器105的输出取样且确定经取样输出是否为逻辑高信号。如果经取样输出并非逻辑高信号,那么停止计数且维持当前计数值。在步骤507中,从属计数器确定干扰存在的平均时间。在步骤508中,数字干扰检测电路确定峰值计数器值是否大于经编程的峰值阈值。在步骤509中,发送干扰中断信号且产生使过程返回到步骤501的复位请求。
    数字干扰检测电路确定是否已作出外部复位请求。不同事件可起始外部中断,所述事件例如:单线总线接口(SBI)覆写、全域装置复位或增益模式转变。
    图6A和图6B展示根据一示范性实施例的用于实施数字干扰检测电路360的两种不同数字逻辑配置。块600为初始化逻辑,其在以下输入中的任一者受到触发时产生数字干扰检测电路复位信号:全域复位、增益模式转变、SBI越权控制或数字干扰检测电路逾时。
    在图6A中,块601为SR锁存电路。SR锁存电路为在输入已切断后维持稳定输出的逻辑门布置。SR锁存电路具有设定输入(S)和复位输入(R)。当所述设定输入为逻辑高状态时,将输出设定为逻辑高状态。当所述复位输入为逻辑高状态时,将输出设定为逻辑低状态。块601的输出耦合到块602的输入。
    块602为松弛振荡电路(relaxation oscillation circuit)。松弛振荡电路为利用逐步充电然后快速放电的电容器的振荡器电路。可用电阻器或电流源、电容器和阈值装置(例如单结晶体管(iniunction transistor)或耿氏二极管(Gunn diode))来实施相关电路。当块601的输出为ON时,松弛振荡器602产生以预定频率振荡的输出信号。
    所述振荡输出信号为数字干扰检测电路时钟。松弛振荡器的输出耦合到8位计数器 603的输入。8位计数器603对所取样的振荡进行计数。8位计数器603输出已观测到的振荡的数目。互斥或(XOR)电路604的第一输入耦合到8位计数器603的输出。XOR电路604的第二输入耦合到SBI比较信号。XOR电路604从所述SBI比较信号确定阈值比较值。XOR电路604将8位计数器603所提供的数目与SBI比较值进行比较。如果8位计数器603所提供的数目大于SBI比较值,那么XOR电路604产生检测到干扰的中断信号。
    在图6B中,块605为转变检测逻辑。转变检测逻辑605检测输入信号的逻辑电平的任何改变或转变,且在其对应的输出上产生始终为高的逻辑电平。转变检测逻辑605的Q输出耦合到SR锁存器606的S输入。转变检测逻辑605的Q输出(Q输出的反转形式)耦合到SR锁存器606的R输入。转变检测器目的在于在电路初始化后第一次存在干扰信号时检测升高的比较器输出。此操作开始“扫描”模式,此时电路开始扫描干扰信号。转变检测器触发逾时计数器,逾时计数器确定电路扫描干扰信号所需的时间。如果干扰计数在逾时计数器触发之前达到(由从属计数器确定的)所要阈值,那么JDET信号升高,从而指示干扰信号检测。
    块606为SR锁存电路。SR锁存电路为在输入已切断后维持稳定输出的逻辑门布置。SR锁存电路具有设定输入(S)和复位输入(R)。当所述设定输入为逻辑高状态时,将输出设定为逻辑高状态。当所述复位输入为逻辑高状态时,将输出设定为逻辑低状态。块606的输出耦合到块607的输入。
    块607为松弛振荡器。松弛振荡器为利用逐步充电然后快速放电的电容器的振荡器电路。可用电阻器或电流源、电容器和阈值装置(例如单结晶体管或耿氏二极管)来实施松弛振荡器。当块606的输出为逻辑高信号时,松弛振荡器607产生以预定频率振荡的输出信号。所述振荡输出信号为数字干扰检测电路时钟。松弛振荡器输出耦合到8位计数器608的输入。8位计数器608对所取样的振荡进行计数。8位计数器608输出已观测到的振荡的数目。
    XOR电路609的第一输入耦合到8位计数器电路608的输出。XOR电路609的第二输入耦合到SBI比较信号。XOR电路609从所述SBI比较信号确定阈值比较值。XOR电路609将8位计数器608所提供的数目与SBI比较值进行比较。如果8位计数器608所提供的数目大于SBI比较值,那么XOR电路609产生检测到干扰的中断信号。XOR电路609的输出耦合到脉冲展宽器电路(pulse stretcher circuit)610的输入。脉冲展宽器610产生扩展的复位信号,其意图在干扰逾时发生时使内部状态/计数器复位。
    图7展示接收器路径的框图。LNA701的差分输出端子耦合到I/Q混频器702。耦 合到LNA701的输入的输入信号包含所要的RF信号、本地振荡器(LO)信号、近处的干扰信号和远处的干扰信号。根据本文中所描述的示范性实施例,宽带干扰检测器100检测LO信号、近处的干扰信号和远处的干扰信号的存在。
    所属领域的技术人员将理解,可使用多种不同技术和技艺中的任一者来表示信息和信号。举例来说,可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示贯穿以上描述可能提及的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。
    技术人员将进一步了解,结合本文中所揭示的实施例而描述的各种说明性逻辑块、模块、电路和算法步骤可实施为电子硬件、计算机软件或两者的组合。为清楚地说明硬件与软件的此可互换性,上文已大体上在功能性方面描述各种说明性组件、块、模块、电路和步骤。将此功能性实施为硬件还是软件取决于特定应用和强加于整个系统的设计约束。熟练的技术人员可针对每一特定应用以不同方式来实施所描述的功能性,但此类实施决策不应被解释为导致脱离本发明的示范性实施例的范围。
    可通过通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件,或经设计以执行本文中所描述的功能的其任何组合来实施或执行结合本文中所揭示的实施例而描述的各种说明性逻辑块、模块和电路。通用处理器可为微处理器,但在替代方案中,处理器可为任何常规的处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置的组合,例如,DSP与微处理器的组合、多个微处理器、结合DSP核心的一个或一个以上微处理器,或任一其它此类配置。
    结合本文中所揭示的实施例而描述的方法或算法的步骤可直接体现于硬件中、由处理器执行的软件模块中,或所述两者的组合中。软件模块可驻留于随机存取存储器(RAM)、快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。示范性存储媒体耦合到处理器,以使得所述处理器可从所述存储媒体读取信息且将信息写入到所述存储媒体。在替代方案中,存储媒体可与处理器成一体式。处理器和存储媒体可驻留于ASIC中。ASIC可驻留于用户终端中。在替代方案中,处理器和存储媒体可作为离散组件驻留于用户终端中。
    在一个或一个以上示范性实施例中,所描述的功能可实施于硬件、软件、固件或其任何组合中。如果实施于软件中,那么所述功能可作为一个或一个以上指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体发射。计算机可读媒体包括计算机存储媒体和通信媒体两者,通信媒体包括促进计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。存储 媒体可为可由计算机存取的任何可用媒体。借助实例且非限制,此计算机可读媒体可包含RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置,或可用来载运或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码且可由计算机存取的任何其它媒体。并且,将任何连接恰当地称为计算机可读媒体。举例来说,如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波等无线技术从网站、服务器或其它远程源发射软件,那么同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL或例如红外线、无线电和微波等无线技术包括于媒体的定义中。如本文所使用,磁盘(Disk)和光盘(disc)包括紧密光盘(CD)、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软性磁盘和蓝光光盘(blu-ray disc),其中磁盘通常以磁性方式再现数据,而光盘通过激光以光学方式再现数据。上述内容的组合也应包括在计算机可读媒体的范围内。
    提供对所揭示的示范性实施例的先前描述以使所属领域的任何技术人员能够制造或使用本发明。所属领域的技术人员将容易了解对这些示范性实施例的各种修改,且在不脱离本发明的精神或范围的情况下,本文所定义的一股原理可应用于其它实施例。因此,本发明不希望限于本文中所展示的实施例,而是应被赋予与本文中所揭示的原理和新颖特征一致的最广范围。

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