阵列基板及显示装置.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 103676382 A (43)申请公布日 2014.03.26 CN 103676382 A (21)申请号 201310731356.8 (22)申请日 2013.12.26 G02F 1/1362(2006.01) G02F 1/1368(2006.01) (71)申请人 京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路 10 号 (72)发明人 姚星 (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限 公司 11002 代理人 李迪 (54) 发明名称 阵列基板及显示装置 (57) 摘要 本发明提供一种阵列基板及具有该阵列基板 的显示装置， 包。

2、括在基板上的 GOA 区域形成的第 一金属层、 第一绝缘层、 第二金属层和第二绝缘 层， 在所述第二绝缘层背离所述基板的一侧形成 有第三金属层， 所述第三金属层通过过孔分别连 接所述第一金属层和所述第二金属层。本发明 通过提供一种阵列基板及具有该阵列基板的显示 装置， 从而有效减少了 GOA 走线所占空间， 减小了 GOA 区域宽度。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (10)申请公布号 CN 103676382 A CN 103676382 A 1/1 页。

3、 2 1. 一种阵列基板， 包括在基板上的 GOA 区域形成的第一金属层、 第一绝缘层、 第二金属 层和第二绝缘层， 其特征在于， 在所述第二绝缘层背离所述基板的一侧形成有第三金属层， 所述第三金属层通过过孔分别连接所述第一金属层和所述第二金属层。 2. 如权利要求 1 所述的阵列基板， 其特征在于， 透明导电层在所述第二绝缘层和所述 第三金属层之间还形成有透明导电层。 3.如权利要求1或2所述的阵列基板， 其特征在于， 在所述第二绝缘层和所述透明导电 层之间还形成有第三绝缘层 ； 或所述第二绝缘层与第三金属层之间的非过孔区域还形成有 第三绝缘层。 4. 如权利要求 3 所述的阵列基板， 其特。

4、征在于， 所述第三绝缘层的厚度为 1 2m。 5. 如权利要求 3 所述的阵列基板， 其特征在于， 所述阵列基板以第三金属层作为至少 部分信号线。 6. 如权利要求 3 所述的阵列基板， 其特征在于， 所述阵列基板将除第三金属层以外的 信号线通过过孔连接至所述第一金属层和第二金属层。 7. 如权利要求 1 所述的阵列基板， 其特征在于 ： 所述的第一金属层为栅极， 第一绝缘层 为栅绝缘层， 第二金属层为源 / 漏极， 第二绝缘层为钝化层， 第三金属层为金属图案层。 8. 一种显示装置， 其特征在于， 具有如权利要求 1 7 中任一项所述的阵列基板。 权 利 要 求 书 CN 103676382。

5、 A 2 1/3 页 3 阵列基板及显示装置 技术领域 0001 本发明涉及显示技术领域， 特别涉及一种阵列基板及具有该阵列基板的显示装 置。 背景技术 0002 薄膜晶体管液晶显示器 （Thin Film Transistor Liquid Crystal Display， TFT-LCD） 是目前常见的液晶显示器产品， 在 TFT-LCD 中， 每一个像素都具有一个薄膜晶体 管， 而每一个像素的薄膜晶体管都需要与相应的栅极驱动电路相连接， 以控制像素内液晶 透光度的变化进而达到控制像素色彩变化的目的。阵列基板栅极驱动 （Gate Driver on Array， GOA） 电路技术是目前 。

6、TFT-LCD 技术领域常用的一种栅极驱动电路技术， GOA 电路通 过多个级联的栅极驱动电路实现， 该技术是将栅极驱动电路直接制作在阵列基板上， 代替 外接的驱动芯片。 0003 对传统的阵列基板的布线是由两层金属线完成， 通过用与 TFT-LCD 中相同的栅极 和源 / 漏金属进行周边连接线的布线。 0004 然后， 对于 TFT-LCD 中的布线有很多， 对于传统的栅极驱动装置中同层金属线容 易交叉， 或者同层金属线的间距过小， 均容易引起电路短路。 发明内容 0005 （一） 解决的技术问题 0006 本发明解决的技术问题是 ： 如何提供一种阵列基板及具有该阵列基板的显示装 置， 以解。

7、决栅极驱动装置中容易引起电路短路问题。 0007 （二） 技术方案 0008 为解决上述技术问题， 本发明实施例提供了一种阵列基板， 包括在基板上的 GOA 区域形成的第一金属层、 第一绝缘层、 第二金属层和第二绝缘层， 在所述第二绝缘层背离所 述基板的一侧形成有第三金属层， 所述第三金属层通过过孔分别连接所述第一金属层和所 述第二金属层。 0009 具体而言， 即所述第三金属层包括第一金属层引线和第二金属层引线， 所述第一 金属层引线和所述第二金属层引线相互绝缘， 并且通过过孔分别连接所述第一金属层和所 述第二金属层。 0010 优选地， 在所述第二绝缘层和所述第三金属层之间还形成有透明导电。

8、层。 0011 优选地， 在所述第二绝缘层和所述透明导电层之间， 且非过孔的区域还形成有第 三绝缘层 ； 或所述第二绝缘层与第三金属层之间的非过孔区域还形成有第三绝缘层。 0012 优选地， 所述第三绝缘层的厚度为 1 2m。 0013 除此之外， 所述阵列基板以第三金属层作为至少部分信号线。当阵列基板除第三 金属层外， 还有其他信号线时， 阵列基板将除第三金属层以外的信号线通过过孔连接至所 述第一金属层和第二金属层。 说 明 书 CN 103676382 A 3 2/3 页 4 0014 具体而言， 由于本发明在现有阵列基板的基础上加设了第三层金属层， GOA 的信号 线可以同时采用第三金属。

9、层来布线， 这样的话可将信号线的位置从原来的 TFT 旁边移动到 TFT 上方， 并通过过孔与 TFT 的第一金属层或第二金属层相连接， 可大大减小 GOA 区域的面 积。 采用这种方案时， 由于信号线较宽， 会与第一金属层和第二金属层金属产生较大的耦合 电容， 所以最好在第三层金属 （即第三金属层） 与第一金属层和第二金属层金属之间加入较 厚的树脂 （即第三绝缘层） ， 以降低耦合电容。 0015 本发明技术方案中， 信号线的材质采用本领域常规使用的即可， 如栅极金属和源 / 漏极金属等， 具体的选择为本领域技术人员所掌握， 本发明对此不作特别限定。 0016 本发明所述的阵列基板， 其中所。

10、述的第一金属层为栅极， 第一绝缘层为栅绝缘层， 第二金属层为源 / 漏极， 第二绝缘层为钝化层， 第三金属层为金属图案层。此外， 在合理的 范围内， 各层并不局限于上述特别限定。 0017 本发明实施例还提供了一种显示装置， 具有如上所述的阵列基板。 0018 （三） 有益效果 0019 本发明实施例通过提供一种阵列基板及具有该阵列基板的显示装置， 通过在第二 绝缘层背离所述基板的一侧形成有第三金属层， 所述第三金属层通过过孔分别连接所述第 一金属层和所述第二金属层， 从而有效减少了 GOA 走线所占空间， 减小了 GOA 区域宽度。此 外， 由于本发明引入了第三金属层， 因此， 可将信号线的。

11、位置从原来的 TFT 旁边移动到 TFT 上方， 并通过过孔与 TFT 的第一金属层或第二金属层相连接， 可大大减小 GOA 区域的面积。 附图说明 0020 图 1 是本发明实施例 1 提供的阵列基板结构示意图 ； 0021 图 2 是本发明实施例 2 提供的阵列基板结构示意图 ； 0022 图 3 是本发明实施例 3 提供的阵列基板结构示意图 ； 0023 其中， 1 为第一金属层 ； 2 为第一绝缘层 ； 3 为第二金属层 ； 4 为第二绝缘层 ； 5 为第 三金属层 ； 6 为第三绝缘层 ； 7 为透明导电层。 具体实施方式 0024 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案。

12、， 下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图是本发 明的一些实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根 据这些附图获得其他的附图。 0025 实施例 1 ： 0026 本发明实施例提供了一种阵列基板， 如图1所示， 包括在基板上的GOA区域依次形 成的第一金属层 1、 第一绝缘层 2、 第二金属层 3 和第二绝缘层 4， 在所述第二绝缘层 4 背离 所述基板的一侧形成有第三金属层 5， 所述第三金属层 5 包括第一金属层引线和第二金属 层引线， 所述第一金属层引线和所述第二金属层引线相互绝缘， 并且通过。

13、过孔分别连接所 述第一金属层 1 和所述第二金属层 2。从而有效减少了 GOA 走线所占空间， 减小了 GOA 区域 宽度。 0027 本实施例中， 第一金属层 1 为栅极， 第一绝缘层 2 为栅绝缘层， 第二金属层 3 为源 说 明 书 CN 103676382 A 4 3/3 页 5 / 漏极， 第二绝缘层 4 为钝化层， 第三金属层 5 为金属图案层。 0028 实施例 2 ： 0029 由于第三金属层 5 通过过孔连接至第一金属层 1 和第二金属层 3， 因此， 为了避免 第三金属层 5 在过孔处折断， 本实施例在实施例 2 结构的基础上， 在所述第二绝缘层 4 和所 述第三金属层 5。

14、 之间还形成有透明导电层 7。 0030 如图 2 所示， 阵列基板包括在基板上的 GOA 区域形成的第一金属层 1、 第一绝缘层 2、 第二金属层 3、 第二绝缘层 4、 透明导电层 7 和第三金属层 5， 第三金属层 5 包括第一金属 层引线和第二金属层引线， 所述第一金属层引线和所述第二金属层引线相互绝缘， 并且通 过过孔分别连接所述第一金属层 1 和所述第二金属层 3。通过增加的透明导电层 7 作为第 三金属层 5 的过渡层， 避免了第三金属层 5 在过孔处的折断。 0031 实施例 3 ： 0032 为了降低第三金属层 5 和第二金属层 3 以及第一金属层 1 之间的电容， 本实施例。

15、 在实施例 3 的结构基础上， 在第二绝缘层 4 和透明导电层 7 之间， 且非过孔的区域还形成有 第三绝缘层 6， 其中， 该第三绝缘层 6 的厚度为 1 2m。在该厚度范围内， 能够有效降低 第三金属层与 TFT 器件之间的电容， 又能确保其加工的可行性 （第三绝缘层的厚度太大导 致加工难度大） 及阵列基板的使用效果。 0033 如图 3 所示， 阵列基板包括在基板上的 GOA 区域形成的第一金属层 1、 第一绝缘层 2、 第二金属层 3、 第二绝缘层 4、 第三绝缘层 6、 透明导电层 7 和第三金属层 5， 第三金属层 5 包括第一金属层引线和第二金属层引线， 所述第一金属层引线和所述。

16、第二金属层引线相互 绝缘， 并且通过过孔分别连接所述第一金属层1和所述第二金属层3。 通过增加的第三绝缘 层 6， 降低了第三金属层 5 和第一金属层 1 以及第二金属层 3 之间的寄生电容， 减少信号受 到的干扰， 增强显示质量。 0034 实施例 4 ： 0035 本实施例与实施例 5 相比， 区别点仅在于所述阵列基板不包括透明导电层 7， 在第 二绝缘层 4 和第三金属层 5 之间非过孔的区域直接形成第三绝缘层 6。 0036 实施例 5 0037 本发明实施例提供了一种显示装置， 包括上述实施例 1-4 中任一实施例得到的所 述阵列基板。所述显示可以是液晶电视、 智能手机、 平板电脑等等。 0038 以上实施方式仅用于说明本发明， 而并非对本发明的限制， 有关技术领域的普通 技术人员， 在不脱离本发明的精神和范围的情况下， 还可以做出各种变化和变型， 因此所有 等同的技术方案也属于本发明的范畴， 本发明的专利保护范围应由权利要求限定。 说 明 书 CN 103676382 A 5 1/1 页 6 图 1 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 103676382 A 6 。