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1、(10)申请公布号 CN 103955123 A (43)申请公布日 2014.07.30 CN 103955123 A (21)申请号 201410146735.5 (22)申请日 2014.04.11 G03F 7/42(2006.01) H01L 21/311(2006.01) (71)申请人 武汉高芯科技有限公司 地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙 山南路 6 号 2 号楼 (72)发明人 黄立 姚柏文 戴俊碧 (74)专利代理机构 武汉开元知识产权代理有限 公司 42104 代理人 唐正玉 (54) 发明名称 一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶 去除方法 (57) 摘。
2、要 本发明涉及一种离子注入后晶片的湿法去胶 液及光刻胶去除方法， 去胶液为无机碱性液， PH 值为 7-14 ； 去胶液的组成成分为 ： 按质量百分比 计， 无机碱 30-40%， 双氧水 1-5%， 其余为去离子 水， 将上述各组分混合而成， 将离子注入后晶片装 入提篮内， 浸入步骤上述去胶液中进行去胶处理， 以1次/秒的速度上下抖动， 抖动行程为24cm， 去胶处理2040s后取出， 用去离子水冲洗， 用氮 气吹干晶片。 本发明的整个去胶过程无外力介入， 单纯的化学浸泡， 对晶片表面无损伤， 不会引起应 力沉淀 ； 配制简单、 成本低、 去胶效果显著， 可快 速去除变性后的光刻胶、 废液处。
3、理简单、 去胶液为 无机液对环境无污染。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书2页 (10)申请公布号 CN 103955123 A CN 103955123 A 1/1 页 2 1. 一种离子注入后晶片的湿法去胶液， 其特征在于 ： 去胶液为无机碱性液， PH 值为 7-14 ； 去胶液的组成成分为 ： 按质量百分比计， 无机碱 30-40%， 双氧水 1-5%， 其余为去离子 水， 将上述各组分混合而成。 2. 一种离子注入后晶片的光刻胶去除方法， 其特征在于按以下步骤进行 ：（1） 。
4、配制好 去胶液， 去胶液的组成成分为 ： 按质量百分比计， 无机碱 30-40%， 双氧水 1-5%， 其余为去离 子水， 各组分混合而成 ；（2） 将离子注入后晶片装入提篮内， 浸入步骤 (1) 的去胶液中进行 去胶处理， 以 1 次 / 秒的速度上下抖动， 抖动行程为 2 4cm， 去胶处理 20 40s 后取出， 用 去离子水冲洗， 用氮气吹干晶片。 权 利 要 求 书 CN 103955123 A 2 1/2 页 3 一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法 技术领域 0001 本发明属于一种离子注入后的湿法去胶液及光刻胶去除方法， 特别涉及 - 族 化合物半导体晶片离子注入后光。
5、刻胶去除的去胶工艺领域。 背景技术 0002 在红外探测器制造工艺中， 离子注入是平面型结构器件的有效隔离手段， 是制备 高性能光伏型碲镉汞红外焦平面探测器的重要工艺。但由于注入过程是用具有 KeVGeV 能量的离子轰击样品， 弹性碰撞的动能转化为热能， 宏观表现为样品的温度升高， 在注入过 程中功率的释放将引起样品温度升高。 0003 而作为离子注入的掩膜光刻胶， 在离子注入过程中十分重要， 掩膜光刻胶用以阻 挡不需要注入区域以形成器件间的相互隔离， 但掩膜光刻胶受离子轰击并接受晶片传递来 的热， 会导致在离子注入后光刻胶变性， 使得光刻胶十分难去除。而光刻胶残留去除不干 净， 会导致后续工。
6、艺的连锁反映， 最终导致器件电极连接失效， 暗电流变大， 探测器盲元率 增大， 响应率不均匀， 在探测器成像图像上出现闪元， 甚至大的黑点或成片的缺陷。 因此， 红 外探测器芯片离子注入后去胶工艺显得特别重要。 0004 IC 行业， 在离子注入后常使用高温大功率的等离子体设备去胶， 以及采用高温浓 硫酸和双氧水的去残留胶的方法保证去胶完全， 而化合物半导体晶片十分脆弱， 受不住高 功率的等离子体， 也同样受不住高温以及强酸的浸泡。传统的去胶工艺， 采用丙酮、 乙醚等 有机溶剂浸泡去胶， 或氨类弱碱去胶液等， 但效果十分一般， 去胶时间长且常有去胶不干净 或残留。 发明内容 0005 本发明的。
7、目的为了克服现有技术对化合物半导体晶片离子注入后去胶的缺陷， 提 供了离子注入后的湿法去胶液及光刻胶去除方法， 提高工艺生产效率。 0006 本发明还提供用该种离子注入后晶片的湿法去胶液去除方法后去除光刻胶的方 法。 0007 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是 ： 0008 一种离子注入后晶片的湿法去胶液， 其特征在于 ： 去胶液为无机碱性液， PH 值为 7-14 ； 去胶液的组成成分为 ： 按质量百分比计， 无机碱 30-40%， 双氧水 1-5%， 其余为去离子 水， 将上述各组分混合而成。 0009 本发明的去胶液， 易去除， 不易残留在晶片表面。利用去胶液的氧化性和碱性， 使 。
8、得光刻胶溶胀而脱离晶片表面， 达到去胶的目的。去胶液为无机去胶液， 在去离子水冲洗 下， 不易残留， 不会影响晶片后续制造工艺， 不影响晶片电学性能以及物理性能。 0010 一种离子注入后晶片的光刻胶去除方法， 其特征在于按以下步骤进行 ：（1） 配制 好去胶液， 去胶液的组成成分为 ： 按质量百分比计， 无机碱 30-40%， 双氧水 1-5%， 其余为去 离子水， 各组分混合而成 ；（2） 将离子注入后晶片装入提篮内， 浸入步骤 (1) 的去胶液中进 说 明 书 CN 103955123 A 3 2/2 页 4 行去胶处理， 以 1 次 / 秒的速度上下抖动， 抖动行程为 2 4cm， 去。
9、胶处理 20 40s 后取出， 用去离子水冲洗， 用氮气吹干晶片。处理完毕后在镜像显微镜下观察， 无光刻胶残留， 光刻 胶底膜去除干净。 0011 本发明的有益效果是 ： 整个去胶过程无外力介入， 单纯的化学浸泡， 对晶片表面无 损伤， 不会引起应力沉淀 ； 配制简单、 成本低、 去胶效果显著， 可快速去除变性后的光刻胶、 废液处理简单、 去胶液为无机液对环境无污染。 具体实施方式 0012 下面结合具体实施方式对本发明作详细说明。 0013 实施例 1 0014 配制本发明的去胶液 500g ： 称取 200g 固体氢氧化钠， 在搅拌力的作用下， 溶解于 295g 去离子水中， 加入 5g 。
10、H2O2， 放置于盛有冷水的容器里冷却至室温， 制好本发明的去胶 液。 用配制好的去胶液进行去胶实验， 采用提篮盛装离子注入后晶片， 浸入配制好的去胶液 中进行去胶处理， 以 1 次 / 秒的速度上下抖动， 抖动行程为 3cm， 去胶处理 30s 后取出， 用去 离子水冲洗， 用氮气吹干晶片。处理完毕后在镜像显微镜下观察， 无光刻胶残留 ； 对实验样 品进行晶片加工追踪， 没有对后续工艺加工产生影响 ； 对实验样品进行电学性能测试以及 探测器成像测试， 未出现不良影响。 0015 实施例 2 0016 配制本发明的去胶液 500g ： 称取 150g 固体氢氧化钠， 在搅拌力的作用下， 溶解于。
11、 325g 去离子水中， 加入 25g H2O2， 放置于盛有冷水的容器里冷却至室温， 制好本发明的去胶 液。 用配制好的去胶液进行去胶实验， 采用提篮盛装离子注入后晶片， 浸入配制好的去胶液 中进行去胶处理， 以 1 次 / 秒的速度上下抖动， 抖动行程为 2cm， 去胶处理 20s 后取出， 用去 离子水冲洗， 用氮气吹干晶片。处理完毕后在镜像显微镜下观察， 无光刻胶残留 ； 对实验样 品进行晶片加工追踪， 没有对后续工艺加工产生影响 ； 对实验样品进行电学性能测试以及 探测器成像测试， 未出现不良影响。 0017 实施例 3 0018 配制本发明的去胶液 500g ： 称取 175g 固。
12、体氢氧化钠， 在搅拌力的作用下， 溶解于 310g 去离子水中， 加入 15g H2O2， 放置于盛有冷水的容器里冷却至室温， 制好本发明的去胶 液。 用配制好的去胶液进行去胶实验， 采用提篮盛装离子注入后晶片， 浸入配制好的去胶液 中进行去胶处理， 以 1 次 / 秒的速度上下抖动， 抖动行程为 4cm， 去胶处理 40s 后取出， 用去 离子水冲洗， 用氮气吹干晶片。处理完毕后在镜像显微镜下观察， 无光刻胶残留 ； 对实验样 品进行晶片加工追踪， 没有对后续工艺加工产生影响 ； 对实验样品进行电学性能测试以及 探测器成像测试， 未出现不良影响。 0019 本发明的去胶方式不引入外力， 单纯的化学浸泡。用配制好的去胶液进行去胶实 验， 采用提篮盛装离子注入后晶片， 浸入此去胶液中进行去胶处理， 处理完毕后在镜像显微 镜下观察， 无光刻胶残留 ； 对实验样品进行晶片加工追踪， 对后续工艺加工无负面影响 ； 对 比传统丙酮等有机溶剂去胶， 对实验样品进行电学性能测试以及探测器成像测试， 本发明 去胶效率高、 干净无残留， 成像盲元数降低 50% 75%。 说 明 书 CN 103955123 A 4 。