一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 103811558 A (43)申请公布日 2014.05.21 CN 103811558 A (21)申请号 201210440147.3 (22)申请日 2012.11.06 H01L 29/786(2006.01) H01L 29/08(2006.01) H01L 21/336(2006.01) H01L 27/12(2006.01) H01L 21/28(2006.01) G09F 9/33(2006.01) G09F 9/35(2006.01) (71)申请人 北京京东方光电科技有限公司 地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区 西环中路 8 号 (7。

2、2)发明人 田宗民 阎长江 谢振宇 (74)专利代理机构 北京派特恩知识产权代理有 限公司 11270 代理人 王黎延 张振伟 (54) 发明名称 一种薄膜晶体管及其制作方法、 阵列基板和 显示装置 (57) 摘要 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方 法、 阵列基板和显示装置， 该薄膜晶体管包括 ： 栅 极、 有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝 缘层， 其特征在于， 所述栅极绝缘层和有源层之间 还设置有晶体材料薄膜层。本发明可克服栅极绝 缘层中 -OH 基团与有源层发生界面反应、 以及栅 极绝缘层表面被轰击产生的缺陷， 从而优化薄膜 晶体管的特性。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1。

3、 页 说明书 6 页 附图 3 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (10)申请公布号 CN 103811558 A CN 103811558 A 1/1 页 2 1. 一种薄膜晶体管， 包括栅极、 有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层， 其特 征在于， 所述栅极绝缘层和有源层之间还设置有晶体材料薄膜层。 2. 根据权利要求 1 所述的薄膜场效应晶体管， 其特征在于， 所述晶体材料薄膜层为透 明导电材料。 3. 根据权利要求 2 所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 所述透明导电材料包括有铟锡氧 化物、 铟锌氧化物、 石墨烯、。

4、 和单壁碳纳米管中的一种或多种。 4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 所述晶体材料薄膜层的图形大 于等于有源层的图形。 5. 根据权利要求 1 所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 还包括 ： 设置于基板上的栅极、 设 置于栅极上的栅极绝缘层、 设置于有源层上的阻挡层、 设置于有源层和阻挡层上的源漏极、 设置于阻挡层和源漏极上的钝化层 ； 所述晶体材料薄膜层位于所述栅极绝缘层之上， 所述有源层位于所述晶体材料薄膜层 之上。 6. 根据权利要求 1 所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 还包括 ： 基板、 设置于基板上的源 漏极、 设置于基板和源漏极上的有源层、 设置于有源层上的栅极。

5、绝缘层， 以及设置于栅极绝 缘层之上的栅极 ； 所述晶体材料薄膜层位于所述栅极绝缘层之下， 所述有源层位于所述晶体材料薄膜层 之下。 7.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 所述晶体材料薄膜层的厚度为 400 500 埃米。 8. 一种阵列基板， 其特征在于， 包括权利要求 1-7 任一项所述的薄膜晶体管。 9. 一种显示装置， 其特征在于， 包括权利要求 8 所述的阵列基板。 10. 一种薄膜晶体管的制作方法， 其特征在于， 该方法包括 ： 形成包括栅极的图形、 包括有源层的图形， 以及位于栅极层和有源层之间的栅极绝缘 层， 所述栅极绝缘层和有源层之间形成有晶体材料薄膜层。 。

6、11. 如权利要求 10 所述的薄膜晶体管的制作方法， 其特征在于， 在栅极绝缘层和有源 层之间形成有晶体材料薄膜层， 其制作方法具体包括 ： 在栅极绝缘层之上采用透明导电材料形成晶体材料薄膜层。 12. 如权利要求 10 所述的薄膜晶体管的制作方法， 其特征在于， 在栅极绝缘层和有源 层之间形成有晶体材料薄膜层， 其制作方法具体包括 ： 在有源层之上采用透明导电材料形成晶体材料薄膜层。 权 利 要 求 书 CN 103811558 A 2 1/6 页 3 一种薄膜晶体管及其制作方法、 阵列基板和显示装置 技术领域 0001 本发明涉及显示器技术领域， 尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、 阵。

7、列基板 和显示装置。 背景技术 0002 目前， 影响氧化物薄膜晶体管特性稳定的因素很多， 比如 ： 栅极绝缘层与有源层的 接触是否良好、 因阻挡层材料的特性不同而对外界环境中水分、 氧气的阻挡存在差异， 以及 有源层的退火温度和退火时的气体氛围等等， 本文主要涉及栅极绝缘层与有源层的接触情 况， 现有薄膜晶体管的结构如图 1 所示。 0003 现有制备薄膜晶体管时， 通常是在氩气(Ar)、 氧气(O2)、 或ArO2的气体氛围下， 在 栅极绝缘层 1 上磁控溅射 a- 铟镓锌氧化物 (IGZO) 有源层 2。因聚乙烯吡咯烷酮 (PVP) 等 树脂材料具备成本低、 介电常数较大等优点， 通常被。

8、用作薄膜晶体管的栅极绝缘层材料。 树 脂材料中包含大量的 -OH 基团， 交联固化后会减少很多， 但内部依然会有一些 -OH 基团， 而 这些 -OH 基团并不稳定， 会逸出到栅极绝缘层 1 与有源层 2 的界面处， 与有源层 2 发生界面 反应， 从而影响 IGZO 薄膜的半导体特性， 最终影响薄膜晶体管的性能。 0004 此外， 磁控溅射 IGZO 时， 气体中的 Ar 原子或 Ar 离子会轰击树脂材料的表面， 使得 栅极绝缘层的表面变粗糙而出现缺陷， 这样， 当薄膜晶体管开关工作时， 栅极绝缘层的表面 处就会产生电荷捕获的现象， 且界面处的 -OH 基团进一步增多， 这将形成一定的栅极漏。

9、电 流， 同样影响薄膜晶体管的性能。 发明内容 0005 有鉴于此， 本发明的主要目的在于提供一种薄膜晶体管及其制作方法、 阵列基板 和显示装置， 可克服薄膜晶体管制备过程中栅极绝缘层中 -OH 基团与有源层发生界面反 应、 以及栅极绝缘层表面被轰击产生的缺陷， 从而优化薄膜晶体管的特性。 0006 为达到上述目的， 本发明的技术方案是这样实现的 ： 0007 一种薄膜晶体管， 包括栅极、 有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层， 所 述栅极绝缘层和有源层之间还设置有晶体材料薄膜层。 0008 所述晶体材料薄膜层为透明导电材料。 0009 所述透明导电材料包括有铟锡氧化物、 铟锌氧化物、 。

10、石墨烯、 和单壁碳纳米管中的 一种或多种。 0010 所述晶体材料薄膜层的图形大于等于有源层的图形。 0011 所述薄膜晶体管还包括 ： 设置于基板上的栅极、 设置于栅极上的栅极绝缘层、 设置 于有源层上的阻挡层、 设置于有源层和阻挡层上的源漏极、 设置于阻挡层和源漏极上的钝 化层 ； 所述晶体材料薄膜层位于所述栅极绝缘层之上， 所述有源层位于所述晶体材料薄膜 层之上。 0012 所述薄膜晶体管还包括 ： 基板、 设置于基板上的源漏极、 设置于基板和源漏极上的 说 明 书 CN 103811558 A 3 2/6 页 4 有源层、 设置于有源层上的栅极绝缘层， 以及设置于栅极绝缘层之上的栅极 。

11、； 所述晶体材料 薄膜层位于所述栅极绝缘层之下， 所述有源层位于所述晶体材料薄膜层之下。 0013 所述晶体材料薄膜层的厚度为 400 500 埃米。 0014 一种阵列基板， 包括上述的薄膜晶体管。 0015 一种显示装置， 包括上述的阵列基板。 0016 一种薄膜晶体管的制作方法， 该方法包括 ： 形成包括栅极的图形、 包括有源层的图 形， 以及位于栅极层和有源层之间的栅极绝缘层， 所述栅极绝缘层和有源层之间形成有晶 体材料薄膜层。 0017 在栅极绝缘层和有源层之间形成有晶体材料薄膜层， 其制作方法具体包括 ： 在栅 极绝缘层之上采用透明导电材料形成晶体材料薄膜层。 0018 在栅极绝缘。

12、层和有源层之间形成有晶体材料薄膜层， 其制作方法具体包括 ： 在有 源层之上采用透明导电材料形成晶体材料薄膜层。 0019 本发明提供的薄膜晶体管， 在栅极绝缘层和有源层之间设置晶体材料薄膜层， 所 述晶体材料薄膜层的设置隔断了沉积有源层时， 树脂材料中的氧离子与有源层发生界面反 应， 且栅极绝缘层的表面也不会被 Ar 原子或 Ar 离子轰击， 栅极绝缘层的表面得到了保护， 因此， 薄膜晶体管工作时也就不会产生栅极漏电流， 从而优化了薄膜晶体管的特性。 附图说明 0020 图 1 为现有薄膜晶体管的结构示意图 ； 0021 图 2 为本发明实施例形成栅极后的结构示意图 ； 0022 图 3 为。

13、本发明实施例形成晶体材料薄膜后的结构示意图 ； 0023 图 4 为本发明实施例形成阻挡层后的结构示意图 ； 0024 图 5 为本发明实施例形成钝化层后的结构示意图 ； 0025 图 6 为本发明实施例薄膜晶体管的一种结构示意图。 0026 图 7 为本发明实施例薄膜晶体管的又一种结构示意图。 0027 附图标记说明 ： 0028 1、 栅极绝缘层 ； 2、 有源层 ； 3、 栅极 ； 4、 晶体材料薄膜层 ； 5、 阻挡层 ； 6、 源漏极 ； 6a、 源极 ； 6b、 漏极 ； 7、 钝化层 ； 8、 像素电极 ； 9、 过孔。 具体实施方式 0029 本发明的基本思想是 ： 在栅极绝缘。

14、层和有源层之间设置晶体材料薄膜层， 以克服 现有栅极绝缘层和有源层接触界面存在的问题。 0030 其中， 所述晶体材料薄膜层为透明导电材料， 例如 ： 铟锡氧化物(如ITO)或铟锌氧 化物 ( 如 IZO)、 石墨烯或单壁碳纳米管等材料。 0031 所述晶体材料薄膜层可以为一层或多层， 所述晶体材料薄膜层可以包括单一的透 明导电材料， 也可以为包括多种透明导电材料的复合层。 0032 下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步详细说明。 0033 本发明薄膜晶体管的制备流程， 包括 ： 形成包括栅极的图形、 包括有源层的图形， 以及位于栅极层和有源层之间的栅极绝缘层， 所述栅极绝缘层和有源层之间。

15、形成有晶体材 说 明 书 CN 103811558 A 4 3/6 页 5 料薄膜层。 0034 下面以底栅型薄膜晶体管的制作方法进行描述 ： 0035 其具体流程包括如下 ： 0036 步骤一 ： 在基板上形成包括栅极 3 的图形 ； 0037 在基板上形成栅极层薄膜并图形化， 形成栅极。这里， 可采用湿法刻蚀工艺形成 栅极 3， 该步骤可以采用现有构图工艺， 此处不再详述， 形成的结构如图 2 所示。在制作栅 极时， 还可以包括栅极引出线 ( 未示出 ) ； 或者， 还可以同时制作公共电极或公共电极线等 ( 未示出 )。 0038 步骤二 ： 形成栅极绝缘层 1， 并在栅极绝缘层 1 上形。

16、成包括晶体材料薄膜层 4 的图 形 ； 0039 在形成栅极的基板上形成栅极绝缘层薄膜， 形成栅极绝缘层 ； 具体包括 ： 在形成 栅极的基板上涂覆栅极绝缘材料， 如 PVP， 可以采用现有技术形成栅极绝缘层 1。这里， 所述 栅极绝缘层 1 还可以是氮化硅 (SiNx)、 氧化硅 (SiOx)、 氧化铪 (HfOx)、 氧化铝 (AlOx) 或由至 少其中的两种组成的多层叠层膜， 厚度一般控制在例如100nm500nm， 优选300nm-400nm， 透过率控制在 85以上。 0040 此外， 栅极绝缘层 1 还可以采用物理溅射法溅射沉积方法形成例如 300nm-500nm 的绝缘层薄膜， 。

17、材料可以选用氧化铝 (Al2O3) 等。 0041 在形成栅极绝缘层 1 之后， 在基板上形成一晶体材料薄膜并图形化， 形成晶体材 料薄膜层4。 例如， 具体包括 ： 在形成栅极绝缘层1的基板上沉积一层晶体材料， 如ITO、 IZO、 石墨烯或单壁碳纳米管等， 采用构图工艺， 如 ： 干法刻蚀工艺形成晶体材料薄膜层 4， 如图 3 所示。 0042 除了沉积的方式， 晶体材料的形成还可以采用涂敷或旋涂的方式。 0043 优选的， 栅极绝缘层和晶体材料薄膜层的形成可以在同一次构图工艺中完成。 0044 这里， 选用晶体材料是因为晶体材料抗击离子轰击能力较强， 相对有机树脂材料 不易造成缺陷， 且。

18、与栅极绝缘层的接触良好。 0045 步骤三 ： 顺序形成包括有源层 2 和阻挡层 5 的图形 ； 0046 在形成晶体材料薄膜层的基板上形成有源层薄膜并图形化， 形成有源层。具体包 括 ： 可采用测控溅射沉积及湿法刻蚀工艺形成有源层 2， 所述有源层 2 的材料为氧化物半导 体材料， 有源层2为至少包含In、 Ga、 Zn、 Sn元素之中任两种元素的氧化物薄膜， 例如 ： IGZO、 InSnO 或者 InGaSnO。有源层 2 的厚度可为 10nm 100nm。本实施例中的有源层 2 的材料 优先选择 a-IGZO， 由于 ITO 与 IGZO 材料结合性更好。 0047 优选的， 还可以在。

19、有源层 2 上设置阻挡层 5。具体过程包括 ： 在有源层 2 上沉积一 层 SiO2， 并采用干法刻蚀工艺形成阻挡层 5， 得到如图 4 所示的结构， 为了完全隔断树脂材 料中的氧离子与有源层 2 发生界面反应， 所述有源层 2 覆盖在晶体材料薄膜层 4 之上， 且晶 体材料薄膜层 4 的图形可大于等于有源层 2 的图形， 以完全将有源层 2 和栅极绝缘层 1 进 行隔离， 防止两个之间发生反应。该步骤可以采用现有技术， 此处不再详述， 图 4 中所示的 有源层 2 和阻挡层 5 的图形与现有技术略有不同， 但不影响本发明的技术方案。当然， 图 1 所示现有薄膜晶体管结构中的有源层和阻挡层的图。

20、形也适用于本发明。 0048 步骤四 ： 顺序形成包括源漏极 6 的图形和钝化层 7 ； 说 明 书 CN 103811558 A 5 4/6 页 6 0049 在形成有源层2和阻挡层5的基板上形成源漏极层薄膜并图形化， 形成源漏极层。 具体包括 ： 可通过在阻挡层 5 的基板上磁控溅射沉积钼 (Mo)， 并采用湿法刻蚀得到源漏极 6。所述源 / 漏极层包括彼此间隔的源极和漏极， 且所述有源层在对应于所述源极和所述漏 极之间间隔的部分形成沟道区域。例如， 在形成源漏极时， 还可以包括形成数据线 ( 未示 出 )， 其可以与源漏极之一的源极连接。 0050 优选的， 在形成源漏极 6 之后还形成。

21、钝化层。形成钝化层 7 具体包括 ： 通过在源漏 极层上旋涂丙烯酸树脂材料， 或者沉积PVX或SiO2形成钝化层7， 并采用干法刻蚀法在钝化 层 7 上形成过孔， 结构如图 5 所示。 0051 进一步地， 本发明本实施例制作的薄膜晶体管作为显示器件像素单元的开关部件 时， 还包括 ： 0052 步骤五 ： 形成包括像素电极 8 的图形。 0053 所述像素电极只需与源漏极层的漏极电连接， 确保像素单元通过像素电极被薄膜 晶体管正常驱动即可。 0054 例如， 在形成有钝化层的基板上形成像素电极薄膜并图形化， 形成像素电极。 具体 包括 ： 在形成有过孔的钝化层的基板上可磁控溅射沉积 ITO，。

22、 并采用湿法刻蚀形成像素电 极8， 所述像素电极通过钝化层7上的过孔与源漏极6之一的漏极相连， 如图6所示， 此为现 有技术， 不再详述。 0055 这里， 对于有机发光二极管 (OLED) 中的开关则可以不需要像素电极， 因此不需要 执行本步骤。 0056 如图 6 所示， 所述晶体材料薄膜设置于栅极绝缘层和有源层之间， 因晶体材料抗 击离子轰击能力较强， 相对有机树脂材料， 如 PVP， 不易造成缺陷， 且与栅极绝缘层的接触良 好， 与有源层材料， 如 IGZO 的结合也较好。所述晶体材料薄膜的厚度较薄， 大约为 400 500 埃米， 如果太厚会影响栅极绝缘层和有源层间的导电性。 005。

23、7 下面对本发明实施例的薄膜晶体管的结构进行简单描述。如图 1 6 所示， 所述 薄膜晶体管包括 ： 设置于基板上的栅极3、 设置于栅极3和基板上的栅极绝缘层1、 设置于栅 极绝缘层 1 上的晶体材料薄膜层 4、 设置于晶体材料薄膜层 4 上的有源层 2、 设置于有源层 2 和栅极绝缘层 1 上的阻挡层 5、 设置于有源层 2 和阻挡层 5 上的源漏极 6、 设置于阻挡层 5 和源漏极 6 上的钝化层 7 ； 还包括设置于源漏极 6 和钝化层 7 上的像素电极 8。其中， 所述 晶体材料薄膜层位于所述栅极绝缘层之上， 所述有源层位于所述晶体材料薄膜层之上。 0058 进一步地， 本发明还适用于。

24、顶栅型金属氧化物薄膜晶体管， 顶栅型金属氧化物薄 膜晶体管的结构如图 7 所示， 包括 ： 基板、 设置于基板上的源漏极层 ( 包括源极 6a 和漏极 6b)、 设置于基板和源漏极上的有源层 2、 设置于有源层 2 上的栅极绝缘层 1， 以及设置于栅 极绝缘层1之上的栅极3， 所述顶栅型薄膜晶体管的有源层2和栅极绝缘层1之间设置晶体 材料薄膜层 4， 用于隔离有源层 2 和栅极绝缘层 1。所述晶体材料薄膜层 4 位于所述栅极绝 缘层 1 之下， 所述有源层 2 位于所述晶体材料薄膜层 4 之下。 0059 优选的， 还可以包括在源漏极层上 ( 包括源极 6a 和漏极 6b) 和有源层 2 之间。

25、的阻 挡层 5， 以及栅极 3 上的具有过孔 9 的钝化层 7。 0060 下面以顶栅型薄膜晶体管的制作方法进行描述 ： 0061 其具体流程包括如下 ： 说 明 书 CN 103811558 A 6 5/6 页 7 0062 步骤一 ： 在基板上形成包括源漏极 6 的图形 ； 0063 在基板上形成源漏极层薄膜并图形化， 形成源漏极(源极6a和漏极6b)。 例如， 可 通过磁控溅射沉积钼 (Mo)， 并采用湿法刻蚀得到源漏极 ； 其工艺可以参考制作底栅型薄膜 晶体管的方式， 在此不再赘述。所述源 / 漏极层包括彼此间隔的源极和漏极， 且所述有源层 在对应于所述源极和所述漏极之间间隔的部分形成。

26、沟道区域。 0064 例如 ： 在形成源漏极时， 还可以包括形成数据线 ( 未示出 )， 其可以与源漏极之一 的源极连接。 0065 步骤二 ： 形成包括有源层 2 的图形， 并在有源层 2 上形成晶体材料薄膜层 4 ； 0066 可选的， 形成有源层 2 之前还可以在源漏极上形成阻挡层 5， 但需要在阻挡层进行 过孔， 实现有源层与源漏极的电连接。 即有源层可以与源漏极直接连接， 也可以通过对阻挡 层过孔后连接。 0067 其中有源层和阻挡层的制作可以参考制作底栅型薄膜晶体管的方式， 在此不再赘 述。 0068 在形成有源层之后， 形成晶体材料薄膜层 4。例如， 具体包括 ： 在形成有源层的。

27、基 板上沉积一层晶体材料， 如 ITO、 IZO、 石墨烯或单壁碳纳米管等， 采用构图工艺， 如 ： 干法刻 蚀工艺形成晶体材料薄膜层 ； 除了沉积的方式， 还可以采用涂敷或旋涂一层晶体材料。 0069 所述晶体材料薄膜层 4 覆盖在有源层 2 之上， 且晶体材料薄膜层 4 的图形可大于 等于有源层 2 的图形， 以完全将有源层和栅极绝缘层进行隔离， 防止两个之间发生反应。 0070 优选的， 晶体材料薄膜层和有源层可以在同一次构图工艺中形成。 0071 这里， 选用晶体材料是因为晶体材料抗击离子轰击能力较强， 相对有机树脂材料 不易造成缺陷， 且与栅极绝缘层的接触良好。 0072 步骤三 ：。

28、 形成栅极绝缘层 1 ； 0073 步骤四 ： 在栅极绝缘层 1 上形成包括栅极 3 的图形 ； 0074 进一步的， 还可以在形成栅极之后， 形成钝化层 7， 可以保持薄膜晶体管的平坦化。 此时， 只需将钝化层进行过孔 9， 将栅极引出实现与栅极驱动信号的电连接即可。 0075 制作绝缘层、 钝化层和形成栅极步骤和方法可以参考为制作底栅型薄膜晶体管的 方式， 在此不再赘述。 0076 优选的， 栅极绝缘层和栅极可以在同一次构图工艺中形成。 0077 进一步地， 本发明本实施例制作的顶栅型薄膜晶体管作为显示器件像素单元的开 关部件时， 还包括 ： 0078 步骤五 ： 形成包括像素电极 8 的。

29、图形。 0079 所述像素电极只需与源漏极层的漏极电连接， 确保像素单元通过像素电极被薄膜 晶体管正常驱动即可。例如， 像素电极可以通过钝化层等的过孔实现与源漏极层的漏极电 连接。 0080 可见， 本发明可克服栅极绝缘层中 -OH 基团与有源层发生界面反应、 以及栅极绝 缘层表面被轰击产生的缺陷， 从而优化薄膜晶体管的特性。 0081 本发明中， 所述构图工艺包括制作图形的掩膜、 曝光、 显影、 光刻， 刻蚀等图形化过 程。 0082 举例来说， 采用构图工艺在基板上形成栅极， 具体为 ： 首先在基板上沉积栅极薄 说 明 书 CN 103811558 A 7 6/6 页 8 膜， 然后涂布光。

30、刻胶， 利用掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理来形成光刻胶图案， 接着利 用该光刻胶图案作为蚀刻掩模， 通过刻蚀等工艺去除相应的电极层， 并且去除剩余的光刻 胶， 最终在基板上形成栅极图形。 0083 此外， 本发明还提供了一种阵列基板， 所述阵列基板中的薄膜晶体管采用如上所 述的薄膜晶体管。 0084 本发明还提供了一种显示装置， 所述显示装置包括如上所述的薄膜晶体管。 0085 需要说明的是， 本发明实施例所涉及的薄膜晶体管、 阵列基板、 显示装置以及薄膜 晶体管的制作方法， 不仅适用于液晶显示器件， 还适用于 OLED 等显示器件。 0086 其中， 所述显示装置可以为 ： 液晶面板、 电。

31、子纸、 OLED 面板、 手机、 平板电脑、 电视 机、 显示器、 笔记本电脑、 数码相框、 导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。 0087 本发明的实施例提供了一种显示装置， 其包括上述任一实施例的阵列基板。 0088 该显示装置的一个示例为液晶显示装置， 其中， 阵列基板与对置基板彼此对置以 形成液晶盒， 在液晶盒中填充有液晶材料。 该对置基板例如为彩膜基板。 阵列基板的每个像 素单元的像素电极用于施加电场对液晶材料的旋转程度进行控制， 从而执行显示操作。在 一些示例中， 该液晶显示器还包括 ： 为阵列基板提供背光的背光源。 0089 该显示装置的另一个示例为有机电致发光显示装置， 其中。

32、， 阵列基板的每个像素 单元的薄膜晶体管连接有机电致发光器件的阳极或阴极， 用于驱动有机发光材料发光以进 行显示操作。 0090 本发明中晶体材料薄膜的设置隔断了沉积有源层时， 树脂材料中的氧离子与有源 层发生界面反应， 且栅极绝缘层的表面也不会被轰击， 薄膜晶体管工作时也就不会产生栅 极漏电流， 优化了薄膜晶体管的特性。 0091 以上所述， 仅为本发明的较佳实施例而已， 并非用于限定本发明的保护范围。 说 明 书 CN 103811558 A 8 1/3 页 9 图 1 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 103811558 A 9 2/3 页 10 图 4 图 5 图 6 说 明 书 附 图 CN 103811558 A 10 3/3 页 11 图 7 说 明 书 附 图 CN 103811558 A 11 。