具体实施方式
下文中，将参考附图来详细地描述本发明的优选实施方式。将以下面的顺序进行描述。
1.第一实施方式(开始Vth校正操作之后的栅极电位校正操作的实例)
2.第二实施方式(开始Vth校正操作之前的栅极电位校正操作的实例)
3.第三实施方式(第一实施方式和第二实施方式相结合的实例)
4.模块和应用例
5.修改例
第一实施方式
显示装置的构造
图1示出了用于示出根据本发明第一实施方式的显示装置(显示装置1)的示意性构造的框图。显示装置1具有显示面板10(显示部件)和驱动电路20。
显示面板10
显示面板10具有在其中以矩阵形式配置多个像素11的像素阵列部13，并由此基于从外部接收到的视频信号20A和同步信号20B，而通过有源矩阵驱动来执行图像显示。每个像素11均由红色像素11R、绿色像素11G和蓝色像素11B构成。下文中，术语“像素11”适当地用作像素11R、11G和11B的统称。
像素阵列部件13具有分别以行配置的多条扫描线WSL1(第一扫描线)和多条扫描线WSL2(第二扫描线)、以列配置的多条信号线DTL、以及沿扫描线WSL1和WSL2以行配置的电源线DSL。扫描线WSL1和WSL2、信号线DTL以及电源线DSL的各自的一端连接至后文所述的驱动电路20。像素11R、11G和11B对应于扫描线WSL1和WSL2和信号线DTL之间的交叉部而以矩阵形式配置(矩阵配置)。
图2示出了像素11R、11G或11B的内部构造的实例。在像素11R、11G或11B中设置有包括有机EL元件12R、12G或12B(发光元件)的像素电路14。下文中，术语“有机EL元件12”适当地用作有机EL元件12R、12G和12B的统称。
像素电路14包括有机EL元件12、写入(取样)晶体管Tr1(第一晶体管)、驱动晶体管Tr2(第二晶体管)、阈值校正辅助晶体管Tr3(第三晶体管)、保持电容元件C1(第一电容元件)以及阈值校正辅助电容元件C2(第二电容元件)。其中，阈值校正辅助晶体管Tr3和阈值校正辅助电容元件C2分别在后文所述的阈值校正(Vth校正)中执行预定的辅助操作(栅极电位校正辅助操作)。写入晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2和阈值校正辅助晶体管Tr3例如由n沟道MOS(金属氧化物半导体)TFT形成。TFT的类型没有特别限制，例如，其可以包括逆交错结构(所谓的底栅型)或交错结构(所谓的顶栅型)。
在像素电路14中，写入晶体管Tr1的栅极连接至扫描线WSL1，该晶体管的漏极连接至信号线DTL，并且其源极连接至驱动晶体管Tr2的栅极、保持电容元件C1的一端和阈值校正辅助电容元件C2的一端。驱动晶体管Tr2的漏极连接至电源线DSL，而其源极连接至保持电容元件C1的另一端和有机EL元件12的阳极。阈值校正辅助晶体管Tr3的栅极连接至扫描线WSL2，该晶体管的漏极连接至扫描线WSL1和写入晶体管Tr1的栅极，并且其源极连接至阈值校正辅助电容元件C2的另一端。换而言之，阈值校正辅助晶体管Tr3和阈值校正辅助电容元件C2串联连接在写入晶体管Tr1的栅极与驱动晶体管Tr2的栅极之间。有机EL元件12的阴极被设定为固定电位，其在这里连接至要被设置为接地(接地电位)的地线GND。有机EL元件12的阴极用作有机EL元件12的公共电极，并且例如，其在显示面板10的整个显示区域上连续地形成为板状电极。驱动电路20
驱动电路20驱动像素阵列部13(显示面板10)(执行显示驱动)。具体地，如下文详细描述的，当顺次选择像素阵列部13中的多个像素11(11R、11G和11B)时，驱动电路20将基于视频信号20A的视频信号电压写至所选择的像素11，并由此执行像素11的显示驱动。如图1所示，驱动电路20具有视频信号处理电路21、定时发生器电路22、扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24以及电源线驱动电路25。
视频信号处理电路21对从外部接收的数字视频信号20A执行预定校正，并将校正的视频信号21A输出至信号线驱动电路24。这种预定校正例如包括伽马校正和过驱动(overdrive)校正。
定时发生器电路22基于从外部接收到的同步信号20B而生成控制信号22A，并输出控制信号22A，以控制扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24和电源线驱动电路25彼此相关联地操作。
扫描线驱动电路23根据控制信号22A(与其同步)而将选择脉冲顺次地施加至多条扫描线WSL1，以依次选择多个像素11(11R、11G和11B)。具体地，扫描线驱动电路23选择性地输出在写入晶体管Tr1被设置为导通时所施加的电压Von1(导通电压)以及在写入晶体管Tr1被设置为截止时所施加的电压Voff1(截止电压)，并由此生成选择脉冲。电压Von1具有等于或大于写入晶体管Tr1的导通电压的值(特定值)，而电压Voff1具有小于写入晶体管Tr1的导通电压的值(特定值)。
此外，如下所述，扫描线驱动电路23根据控制信号22A(与其同步地)依次将预定的切换控制脉冲施加至多条扫描线WSL2，以对阈值校正辅助晶体管Tr3执行导通/截止控制。具体地，扫描线驱动电路23选择性地输出在阈值校正辅助晶体管Tr3被设置为导通时所施加的电压Von2以及在该晶体管Tr3被设置为截止时所施加的电压Voff2，并由此生成切换控制脉冲。这产生了在如下所述的Vth校正中的预定的栅极电位校正操作。电压Von2具有等于或大于阈值校正辅助晶体管Tr3的电压值的值(一定值)，而电压Voff2具有小于该晶体管Tr3的导通电压值的值(一定值)。
信号线驱动电路24根据控制信号22A(与其同步地)生成模拟视频信号(对应于从视频信号处理电路21所接收到的视频信号21A)，并将该模拟视频信号施加至每条信号线DTL。具体地，信号线驱动电路24将基于视频信号21A的模拟视频信号电压施加至每条信号线DTL，以执行视频信号到由扫描线驱动电路23所选择(作为选择对象)的像素11(11R、11G和11B)的写入。视频信号的写入指的是将预定的电压施加在驱动晶体管Tr2的栅极与源极之间。
信号线驱动电路24可以输出两种电压，即，基于视频信号20A的视频信号电压Vsig和基准电压Vofs，并在每个水平(1H)期间将两种电压交替地施加至每条信号线DTL。当有机EL元件12停止发光时，基准电压Vofs被施加至驱动晶体管Tr2的栅极。具体地，基准电压Vofs被设定为使得通过被表示为Vth的驱动晶体管Tr2的阈值电压，Vofs-Vth具有低于电压Vthel+Vcat的值(一定值)，其中，电压Vthel+Vcat作为有机EL元件12的阈值电压Vthel与阴极电压Vcat的和。
电源线驱动电路25根据控制信号22A(与其同步地)而将电源控制脉冲顺次地施加至多条电源线DSL，以对每个有机EL元件12执行发光/熄灭控制。具体地，电源线驱动电路25选择性地输出在电流Ids流过驱动晶体管Tr2时所施加的电压Vcc，以及在电流Ids不流过驱动晶体管Tr2时所施加的电压Vss，并由此生成电源控制脉冲。电压Vss被设定为具有低于电压Vthel+Vcat的值(一定值)，其中，电压Vthel+Vcat作为有机EL元件12的阈值电压Vthel与阴极电压Vcat的和。电压Vcc被设定为具有等于或高于电压值Vthel+Vcat的值(一定值)。
显示装置的操作和效果
接下来，将描述第一实施方式的显示装置1的操作和效果。
1.显示操作的概述
在显示装置1中，如图1和图2所示，驱动电路20基于视频信号20A和同步信号20B来执行在显示面板10(像素阵列部13)中的每个像素11(11R、11G和11B)的显示驱动。在该显示驱动中，驱动电流被注入每个像素11中的有机EL元件12，以引起用于发光的空穴和电子的复合。这样的光在有机EL元件12的阳极(未示出)和阴极(未示出)之间被多重反射，并通过阴极等而被提取至外部。结果，显示面板10基于视频信号20A来显示图像。
2.显示操作的详情
图3是示出了在显示装置1的实施方式的显示操作中(在由驱动电路20执行的显示驱动中)的各种波形的时序图。图3的(A)至(D)分别示出了扫描线WSL1、电源线DSL、扫描线WSL2和信号线DTL的电压波形。具体地，它们示出了扫描线WSL1的电压在电压Voff1和Von1之间周期性地改变的方面(图3的(A))、电源线DSL的电压在电压Vcc和Vss之间周期性地改变的方面(图3的(B))、扫描线WSL2的电压在电压Voff2和Von2之间周期地改变的方面(图3的(C))以及信号线DTL的电压在基准电压Vofs和视频信号电压Vsig之间周期性地改变的方面(图3的(D))。图3的(E)和(F)分别示出了驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg和源极电位Vs的波形。
发光期间T0：t1之前
首先，在有机EL元件12的发光期间T0中，扫描线WSL1、扫描线WSL2、电源线DSL以及信号线DTL的电压分别为电压Voff1、电压Voff2、电压Vcc以及视频信号电压Vsig(图3的(A)至(D))。因此，如图4所示，写入晶体管Tr1和阈值校正辅助晶体管Tr3分别被设置为截止。由于驱动晶体管Tr2被设置为在饱和区域中操作，因此流过驱动晶体管Tr2和有机EL元件12的电流Ids可以由下面的等式(1)来表达。在等式(1)中，μ、W、L、Cox、Vgs和Vth分别表示驱动晶体管Tr2的迁移率、沟道宽度、沟道长度、每单位面积的栅极氧化物膜的电容、栅极-源极电压(参见图4)和阈值电压。
Ids＝(1/2)×μ×(W/L)×Cox ×(Vgs Vth)2.......(1)
Vth校正准备期间T1：t1至t4
接下来，驱动电路20在定时t1结束发光期间T0，并准备每个像素11中的驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth的校正(Vth校正)。具体地，首先，电源线驱动电路25在定时t1将电源线DSL的电压从电压Vcc降低至电压Vss(图3中的(B))。因此，驱动晶体管Tr2的源极电位Vs逐渐降低，并最终达到与电源线DSL的电压对应的电压Vss(图3的(F))。驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg根据源极电位Vs的这种降低、通过经由保持电容元件C1的电容耦合也降低(参见图3的(E)和图5的电流Ia)。因此，有机EL元件12的阳极电压值变得小于作为有机EL元件12阈值电压Vthel与阴极电压Vcat的和的电压Vthel+Vcat值，从而电流Ids不在阳极和阴极之间流动。结果，有机EL元件12在定时t1之后不发光(转为下述的非发光期间T10)。从定时t1至定时t14(开始后文所述的发光操作的定时)的期间为有机EL元件12不发光的非发光期间T10。
然后，在预定的间隔之后(定时t1至定时t2的期间中)，信号线驱动电路24将信号线DTL的电压从视频信号电压Vsig降低至基准电压Vofs(图3的(D))。在定时t2至定时t3的期间中，在信号线DTL的电压为基准电压Vofs并且电源线DSL的电压为Vss的情况下，扫描线驱动电路23将扫描线WSL1的电压设定为从电压Voff1升高至电压Von1(图3的(A))。这使得写入晶体管Tr1导通，从而电流Ib如图6所示流动，因此，驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg最终达到对应于该阶段中的信号线DTL的电压的基准电压Vofs(图3的(E))。如图3所示，在该阶段，驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs(＝Vofs-Vss)变得高于晶体管Tr2的阈值电压(Vgs＞Vth)，从而完成了下述Vth校正的准备。
Vofs保持期间T2：t4至t6
接下来，在信号线DTL的电压为基准电压Vofs并且电源线DSL的电压为电压Vss的期间中的定时t4，扫描线驱动电路23重新设定扫描线WSL1的电压以从电压Voff1升高至电压Von1(图3的(A))。另外，扫描线驱动电路23在随后的定时t5也设定扫描线WSL2的电压以从电压Voff2升高至电压Von2(图3的(C))。
第一Vth校正期间T3：t6至t7
接下来，驱动电路20执行驱动晶体管Tr2的第一Vth校正。例如如图7所示，Vth校正被执行为，即使驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth由于I-V特性等的经时劣化而导致在像素11间发生变化，也能降低或避免有机EL元件12的亮度变化。
具体地，首先，在信号线DTL的电压为基准电压Vofs并且扫描线WSL1和WSL2的电压分别为电压Von1和Von2的期间中的定时t6，电源线驱动电路25将电源线DSL的电压从电压Vss升高至电压Vcc(图3的(B))。因此，如图8所示，电流Ic在驱动晶体管Tr2的漏极和源极之间流动，使得源极电位Vs增大(参见图3的(F)和图9)。如图8所示，有机EL元件12的等效电路可以由包括二极管元件Di和电容元件Ce1的并联电路来表示。
如图9所示，当驱动晶体管Tr2的源极电位Vs低于电压Vofs(＝Vg)-Vth的值时(Vs＜(Vg-Vth))，换而言之，当栅极-源极电压Vgs仍高于阈值电压Vth时(Vgs＞Vth：Vth校正尚未完成)，则保持电容元件C1如图8所示通过电流Ic而被充电，使得保持电容元件C1两端的电压等于阈值电压Vth。换而言之，电流Ic在驱动晶体管Tr2的漏极和源极之间流动，直到晶体管Tr2截止(直到建立Vgs＝Vth)，从而源极电位Vs上升(图3的(F))。然而，Vth校正在下文所述的建立Vgs＝Vth之前(在建立Vs＝(Vofs-Vth)之前)暂停。
在第一Vth校正期间T3中，由于扫描线WSL2的电压为Von2，所以阈值校正辅助晶体管Tr3如图8所示而导通。这导致了电流Id经由阈值校正辅助晶体管Tr3而流动至阈值校正辅助电容元件C2的另一端。结果，与该阶段中的扫描线WSL1的电压对应的电压Von1被施加至阈值校正辅助电容元件C2的另一端，以对电容元件C2进行充电(图3的(C)中所示的第一导通期间ΔT11)。如图8所示，在第一导通期间ΔT11中，与该阶段中的信号线DTL的电压对应的基准电压Vofs被施加至阈值校正辅助电容元件C2的一端以用于充电，并且其被施加至驱动晶体管Tr2的栅极。
此后，在信号线DTL、电源线DSL和扫描线WSL2的电压分别保持为基准电压Vofs、电压Vcc和电压Von2的期间中的定时t7，扫描线驱动电路23将扫描线WSL1的电压从电压Von1降至电压Voff1(图3的(A))。这使得写入晶体管Tr1如图10所示而截止，因此驱动晶体管Tr2的栅极变为浮置，并且Vth校正由此暂停(转为以下的第一Vth校正暂停期间T4)。
第一Vth校正暂停期间T4：t7至t8
在Vth校正暂停期间T4中，当写入晶体管Tr1如上所述而截止时，阈值校正辅助晶体管Tr3仍如图10所示而导通。此外，如上所述，扫描线WSL1的电压在定时t7从电压Von1减小地变为电压Voff1。如箭头P1所示，这使得扫描线WSL1从电压Von1至电压Voff1的变化被传输至驱动晶体管Tr2的栅极(图3的(C)中所示的第二导通期间ΔT12)。具体地，这样的变化通过经由阈值校正辅助晶体管Tr3和阈值校正辅助电容元件C2的电容耦合(负耦合)而被传输至驱动晶体管Tr2的栅极。因此，驱动晶体管Tr2的栅极电位从基准电压Vofs降至Vofs-ΔV1，即，降低了电位差ΔV1(栅极电位校正操作)。
因此，如图3所示，驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs减小，并优选建立Vgs＜Vth。然而，只要驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs减小到一定程度，驱动晶体管Tr2的栅极电位直到建立Vgs＜Vth才需要降低。以该方式，栅极-源极电压Vgs减小，结果，电流几乎不从电源线DSL流至驱动晶体管Tr2，因此，驱动晶体管Tr2的源极电位Vs和栅极电位Vg在Vth校正暂停期间T4中几乎不改变。
第二Vth校正期间T3：t8至t9
然后，驱动电路20再次执行驱动晶体管Tr2的Vth校正(第二Vth校正)。具体地，首先，在信号线DTL的电压为基准电压Vofs、电源线DSL的电压为电压Vcc的期间中的定时t8，扫描线驱动电路23将扫描线WSL1的电压从电压Voff1升高至电压Von1(图3的(A))。这使得写入晶体管Tr1如图11所示再次导通，因此，驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg重新变为等于与该阶段中的信号线DTL电压对应的基准电压Vofs(图3的(E))。从而在如图3所示的第二Vth校正期间T3中再次建立Vgs＞Vth，并再次执行正常的Vth校正操作。
即使在第二Vth校正期间T3中，由于扫描线WSL2的电压被保持为电压Von2，因此阈值校正辅助晶体管Tr3还保持为导通，从而电流Id如图11所示地流动。
在该期间中，由于与在第一Vth校正期间T3中一样，电流Ic在驱动晶体管Tr2的漏极和源极之间流动，所以源极电位Vs再次升高(图3的(F))。然而，在该期间中，Vth校正在以下面的方式建立Vgs＝Vth之前而再次暂停。即，此后，在信号线DTL、电源线DSL和扫描线WSL2的电压分别保持为基准电压Vofs、电压Vcc和电压Von2的期间中的定时t9，扫描线驱动电路23将扫描线WSL1的电压从电压Von1降低至Voff1(图3的(A))。这使得写入晶体管Tr1截止，因此驱动晶体管Tr2的栅极变为浮置，并从而再次暂停Vth校正(转至下面的第二Vth校正暂停期间T4)。
第二Vth校正暂停期间T4：t9至t10
接下来，如上所述，Vth校正在从后文所述的定时t9至定时t10的期间中再次暂停。具体地，在第二Vth校正暂停期间T4中，在写入晶体管Tr1如上所述而截止时，阈值校正辅助晶体管Tr3仍导通。这产生了与第一Vth校正暂停期间T4中相同的方式的栅极电位校正操作，使得驱动晶体管Tr2的栅极电位从基准电压Vofs开始降低(第二导通期间ΔT12)。因此，即使在第二Vth校正暂停期间T4中，驱动晶体管Tr2的源极电位Vs和栅极电位Vg也几乎不改变。在该期间中，如在第一Vth校正暂停期间T4中那样建立Vgs＜Vth。
第三Vth校正期间T3和第三Vth校正暂停期间T4：t10至t13
然后，驱动电路20再次执行驱动晶体管Tr2的Vth校正(第三Vth校正)。具体地，首先，在信号线DTL的电压为基电压Vofs、电源线DSL的电压为电压Vcc的期间中的定时t10，扫描线驱动电路23将扫描线WSL1的电压从电压Voff1升高至电压Von1(图3的(A))。这使得写入晶体管Tr1再次被导通，从而，驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg重新变得等于与该阶段中的信号线DTL电压对应的基准电压Vofs(图3的(E))。如在第二Vth校正期间T3中那样，这使Vgs＞Vth重新建立，并由此再次执行正常的Vth校正操作。
接着，电流Ic在驱动晶体管Tr2的漏极和源极之间流动，直到晶体管Tr2被截止(直到建立Vgs＝Vth)，使得源极电位Vs如在前的Vth校正期间T3中那样而升高(图3的(F))。假定建立了Vgs＝Vth，从而，如图3所示，在第三Vth期间T3的结束点(定时t12)完成了Vth校正。换而言之，保持电容元件C1被充电为使得电容元件C1两端的电压达到阈值电压Vth，结果，驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs等于阈值电压Vth。
扫描线驱动电路23在该期间的定时t11将扫描线WSL2的电压从电压Von2降至电压Voff2(图3的(C))。如图12所示，这使得阈值校正辅助晶体管Tr3截止。
然后，在电源线DSL、扫描线WSL2和信号线DTL的电压分别保持为电压Vcc、电压Voff2和基电压Vofs的期间中的定时t12，扫描线驱动电路23将扫描线WSL1的电压从电压Von1降至电压Voff1(图3的(A))。这使得写入晶体管Tr1被截止，从而使驱动晶体管Tr2的栅极变为浮置，结果，栅极-源极电压Vgs保持为阈值电压Vth，而与此后的信号线DTL电压大小无关。如上所述，由于阈值校正辅助晶体管Tr3先于写入晶体管Tr1而变截止，因此扫描线WSL1的变化没有被传输至驱动晶体管Tr2的栅极。
此后，在扫描线WSL1和WSL2的电压分别为电压Voff1和Voff2、电源线DSL的电压为电压Vcc的期间中(定时t12至定时t13的期间)，信号线驱动电路24将信号线DTL的电压从基电压Vofs升高至视频信号电压Vsig(图3的(D))。后文所述的定时t12至t13的期间为第三Vth校正暂停期间T4。
以该方式，分别重复地设置了多个(这里为三个)Vth校正期间T3和多个(这里为三个)Vth校正暂停期间T4，使得栅极-源极电压Vgs被设定为阈值电压Vth(执行Vth校正)，从而获得了以下优点。即，即使驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth在像素11(11R、11G和11B)间改变，也可以避免有机EL元件12的亮度变化。
迁移率校正/信号写入期间T5：t13至t14
下面，驱动电路20在以下面的方式执行视频信号电压Vsig的写入(视频信号的写入)的同时，而执行驱动晶体管Tr2的迁移率μ的校正(迁移率校正)。具体地，首先，在信号线DTL的电压为视频信号电压Vsig、而电源线DSL的电压为电压Vcc的期间中的定时t13，扫描线驱动电路23将扫描线WSL1的电压从电压Voff1升高至电压Von1(图3的(A))。这使得写入晶体管Tr1如图12所示地被导通，因此，驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg由于电流Ib而从基准电压Vofs上升至与该阶段中的信号线DTL的电压对应的视频信号电压Vsig(图3的(E))。
在该阶段中，有机EL元件12的阳极电压值仍小于作为有机EL元件12的阈值电压Vthel与阴极电压Vcat的和的电压Vthel+Vcat的值，因此有机EL元件12被截止。换而言之，在该阶段，电流还未在有机EL元件12的阳极和阴极之间流动(有机EL元件12不发光)。因此，由驱动晶体管Tr2提供的电流Ic流至电容元件Cel，该电容元件并联地存在于有机EL元件12的阳极和阴极之间，以使电容元件Cel被充电。结果，驱动晶体管Tr2的源极电位Vs升高了ΔV(图3的(F))，使得栅极-源极电压Vgs变得等于Vsig+Vth-ΔV。
例如，如图13所示，当驱动晶体管Tr2的迁移率μ较大时，源极电位Vs的增加(电位差ΔV)也较大。因此，在后文所述的发光之前，栅极-源极电压Vgs如上所述地减小(反馈)电位差ΔV，从而可以消除像素11间的迁移率μ的变化。
发光期间T6(T0)：t14之后
然后，在信号线DTL、电源线DSL和扫描线WSL2的电压分别保持为视频信号电压Vsig、电压Vcc和电压Voff2的期间中的定时t14，扫描线驱动电路23将扫描线WSL1的电压从电压Von1降至电压Voff1(图3的(A))。这使得写入晶体管Tr1如图14所示地被截止，因此驱动晶体管Tr2的栅极变为浮置。从而，电流Ids在驱动晶体管Tr2的漏极和源极之间流动，同时晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs保持为恒定。结果，驱动晶体管Tr2的源极电位Vs上升(图3的(F))，并且因此，晶体管Tr2的栅极电位Vg通过经由保持电容元件C1的电容耦合而上升(图3的(E))。
这使有机EL元件12的阳极电压大于作为有机EL元件12的阈值电压Vthel与阴极电压Vcat的和的电压Vthel+Vcat的值。换言之，驱动晶体管Tr2的源极电位Vs上升至预定的电压(图3的(F))。因此，电流Ids在有机EL元件12的阳极和阴极之间流动，使得有机EL元件发射具有预定亮度的光(发光期间T6(T0))。
重复
此后，驱动电路20执行显示驱动，使得期间T1至T6(T0)在每一帧期间而周期性地重复。另外，驱动电路20使施加至电源线DSL的电源控制脉冲、施加至扫描线WSL1的选择脉冲和施加至扫描线WSL2的切换控制脉冲均在行方向上进行扫描。如上所述，执行显示装置1的显示操作(由驱动电路20所进行的显示驱动)。
3.栅极电位校正操作(Vth校正的辅助操作)
接下来，作为该实施方式的显示装置1的显示操作的其中一个特征，将与比较例(比较例1和2)相比较，详细地描述由扫描线电路23利用扫描线WSL2所执行的驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg的校正操作。
比较例的像素电路构造
首先，通过参考图15来描述为以下比较例1和2(以及比较例3和4)所共有的像素电路构造。图15示出了根据比较例的现有的像素101的内部构造。在像素101中，设置了包括有机EL元件12的像素电路104。
根据比较例的像素电路104包括有机EL元件12、写入晶体管Tr1、驱动晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2和保持电容元件C1，即，其具有所谓的2Tr1C的电路构造。换言之，像素电路104对应于这样一种电路构造，其中，在图2中所示的实施方式的像素电路14中，没有设置(从中省略了)阈值校正辅助晶体管Tr3和阈值校正辅助电容元件C2。此外，与本实施方式不同，也没有设置两种扫描线WSL1和WSL2，而是仅设置一种扫描线WSL(对应于本实施方式的扫描线WSL1)。
比较例1
图16是示出了在比较例1的显示装置的显示操作(定时t101至定时t107)中的各种波形的实例的时序图。图16的(A)至(C)分别示出了扫描线WSL、电源线DSL和信号线DTL的电压波形。具体地，电压波形示出了扫描线WSL的电压在电压Voff与Von之间周期性地改变的方面(图16的(A)、电源线DSL的电压在电压Vcc与Vss之间周期性地改变的方面(图16的(B))以及信号线DTL的电压在基电压Vofs与视频信号电压Vsig之间周期性改变的方面(图16的(C))。图16的(D)和(E)分别示出了驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg和源极电位Vs。
在比较例1的显示操作中，与图3中所示的实施方式一样，以分割方式来执行多次(这里为三次)Vth校正操作(分割Vth校正操作)。换言之，连续设置这三个Vth校正期间T3和这三个Vth校正暂停期间T4。在该情况下，如上所述，当Vth校正操作没有完成(结束)时，驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs高于该晶体管的阈值电压Vth(Vgs＞Vth，参见图16)。
如在比较例1中，当Vth校正期间T3较短(例如，定时t102至定时t103的期间)、或Vth校正暂停期间T4较长(例如，定时t103至定时t104的期间)时，则可能产生以下困难。即，如图16中的符号P101所示，驱动晶体管Tr2的源极电位Vs的增加可能在Vth校正暂停期间T4中变得过大。
此后，当再次执行Vth校正操作时，驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs低于阈值电压Vth(Vgs＜Vth)，因此，其后(例如，定时t104至定时t106的期间)不能正常地执行Vth校正操作。结果，Vth校正操作在完成之前就结束，即，没有充分地被执行，从而在像素11间保持了亮度变化。特别地，在执行高速显示驱动时，1H期间的长度减小，并且Vth校正的时间也由此而减少，因此特别容易产生这种困难。
比较例2
在如图17的(A)至(E)中所示的比较例2的显示操作中(定时t201至定时t209)，可以通过以下方式来克服比较例1的困难。具体地，在比较例2中，首先，在每个Vth校正操作T3的结束点(每个Vth校正暂停操作T4开始之前)将施加至信号线DTL的电压设定为低于预定的基准电压Vofs的电压Vofs2(期间ΔT202)。这导致驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg从基准电压Vofs降低至低电压Vofs2(参见图17中的箭头P201)。因此，驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs在随后的Vth校正暂停期间T4中低于该晶体管的阈值电压Vth(Vgs＜Vth)。在随后的Vth校正期间T3中，驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg被重新设定为基准电压Vofs。因此，比较例2可以避免比较例1的困难，或者避免驱动晶体管Tr2的源极电位Vs在Vth校正暂停期间T4中过度增加，以允许再次执行正常的Vth校正操作。
然而，在比较例2中，三值电压需要被施加至信号线DTL(需要使用包括视频信号电压Vsig、基准电压Vofs和低电压Vofs2的三值电压)，使得驱动电路(特别地，信号线驱动电路)的耐受电压增大。通常，当驱动电路(驱动器)的耐受电压增大时，制造成本也由此增加，因此比较例2的方法几乎不能使成本减小。
本实施方式
在本实施方式的显示装置1中，如图3等所示，扫描线驱动电路23执行下面的栅极电位校正操作(Vth校正的辅助操作)，从而可以克服比较例1或2的困难。
具体地，在将切换控制脉冲施加至扫描线WSL2、使得阈值校正辅助晶体管Tr3被设定为导通的导通期间中(图3中的第一导通期间ΔT11和第二导通期间ΔT12)，扫描线驱动电路23执行下面的操作。即，经由阈值校正辅助晶体管Tr3和阈值校正辅助电容元件C2将扫描线WSL1从电压Von1至电压Voff1的变化传输至驱动晶体管Tr2的栅极，从而执行降低驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg的栅极电位校正操作。
更具体地，首先，扫描线驱动电路23设置第一导通期间ΔT11，用于将基准电压Vofs施加至阈值校正辅助电容元件C2的一端和驱动晶体管Tr2的栅极，并将电压Von1施加至电容元件C2的另一端。而且，电路23还在第一导通期间ΔT11之后设置用于将电压Voff1施加至阈值校正辅助电容元件C2的另一端的第二导通期间ΔT12，以将从电压Von1至电压Voff1的变化传输至驱动晶体管Tr2的栅极。第一导通期间ΔT11和第二导通期间ΔT12由用于栅极电位校正操作的相应的至少一个(这里，为三个)期间来设置。
这样的第一导通期间ΔT11对应于多个Vth校正期间T3中的至少第一个期间而设置(这里，对应于三个Vth校正期间T3中的每一个而设置)。第二导通期间ΔT12被设置在第一导通期间ΔT11和下一Vth校正期间T3之间。这些第一导通期间ΔT11和这些第二导通期间ΔT12连续地设置。
以该方式，在导通期间ΔT11或ΔT12中，扫描线WSL1从电压Von1至电压Voff1的变化经由阈值校正辅助晶体管Tr3和阈值校正辅助电容元件C2而被传输至驱动晶体管Tr2的栅极。这导致了降低驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg的栅极电位校正操作。因此，驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs减小，从而在Vth校正操作中避免了比较例1的困难。换而言之，可以避免由源极电位Vs的过度增加而引起的驱动晶体管Tr2的Vth校正操作不充分。此外，由于这种栅极电位校正操作通过利用扫描线WSL1的从电压Von1至电压Voff1的变化(两个电压之间的变化)来实现，因此不需要像比较例2那样使用三值电压。
如上所述，在本实施方式中，由于执行了降低驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg的栅极电位校正操作，因此，与比较例2不同，可以在不使用三值电压的情况下，避免由源极电位Vs的过度增加(可能在比较例1中发生)所引起的驱动晶体管Tr2的Vth校正操作不充分。因此，可以在不增加驱动电路20(特别地，信号线驱动电路24)的耐受电压的情况下，抑制像素11间的亮度变化，从而可以同时实现成本的降低和图像质量的改善。
此外，即使在Vth校正期间T3被设定为较短，也可以不同于比较例1那样，来抑制像素11之间的亮度变化，从而可以实现高速显示驱动操作。因此，本实施方式可以满足增加显示面板10中的水平线的数目(像素11的数目)的情形，从而可以实现显示面板10的屏幕尺寸的增加或像素11的清晰度的增加。
尽管已通过如图3所示的连续设置各第一导通期间ΔT11和各第二导通期间ΔT12的情况而描述了该实施方式，但也可以不连续地设置第一导通期间和第二导通期间。
接下来，描述了本发明的其他实施方式(第二实施方式和第三实施方式)。与第一实施方式相同的元件由相同的参考标号或符号来标记，并适当地省略对它们的描述。
第二实施方式
图18是示出了在根据第二实施方式的显示操作(定时t21至定时t32)中的各种波形的实例的时序图。图18的(A)至(F)所示的这几种电压波形与第一实施方式的图3的(A)和(F)中所示的相同。下文中，将参考图18和图19至图23来详细地描述该实施方式的显示操作。
显示装置1的块构造和像素电路14的构造与第一实施方式中的构造相同，因此省略了对它们的描述。此外，由于显示操作中的基本部分与第一实施方式的图3等中所示的相同，因此适当地省略了对这些部分的描述。
1.显示操作的详情
Vofs保持期间T2：t21至t23
首先，在信号线DTL的电压为基电压Vofs、而电源线DSL的电压为电压Vcc的期间中的定时t21，扫描线驱动电路23设定扫描线WSL1的电压以从电压Voff1升高至电压Von1(图18的(A))。另外，在定时t21，扫描线驱动电路23设定扫描线WSL2的电压以从电压Voff2升高至电压Von2(图18的(C))。
如图18所示，这使得驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs低于阈值电压Vth(Vgs＜Vth)。结果，如图19所示，电流Ids没有流过有机EL元件12，从而元件12停止发光(在定时t21之后给出了非发光期间T10)。
在定时t21至定时t22的期间中，写入晶体管Tr1和阈值校正辅助晶体管Tr3的每一个均是导通的。这使得与在该阶段中的扫描线WSL1的电压对应的电压Von1被施加至阈值校正辅助电容元件C2的另一端，以对电容元件C2进行充电(图18的(C)中所示的第一导通期间ΔT21)。在第一导通期间ΔT21中，如图19所示，与该阶段中的信号线DTL的电压对应的基准电压Vofs被施加至阈值校正辅助电容元件C2的一端以用于充电，并且其被施加至驱动晶体管Tr2的栅极。
此后，扫描线驱动电路23在定时t22将扫描线WSL2的电压从电压Von2降至电压Voff2(图18的(C))，并在定时t23将扫描线WSL1的电压从电压Von1降低至电压Voff1(图18的(A))。这使得写入晶体管Tr1和阈值校正辅助晶体管Tr3均被截止。
在随后的定时t23至定时t24的期间中，施加在有机EL元件12的阳极和阴极之间的电压等于元件12的阈值电压Vthel。因此，有机EL元件12的阳极电压等于元件12的阈值电压Vthel与阴极电压Vcat的和(或Vthel+Vcat)。
Vth校正准备期间T1：t24至t28
接下来，驱动电路20准备每个像素11中的驱动晶体管Tr2的Vth校正。具体地，首先，电源线驱动电路25在定时t24将电源线DSL的电压从电压Vcc降低至电压Vss(图18的(B))。因此，驱动晶体管Tr2的源极电位Vs随时间而降低(图18的(F))。根据源极电位Vs的这种降低，驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg通过经由保持电容元件C1的电容耦合也降低(参见图18的(E)和图20中的电流Ia)。换言之，栅极-源极电压Vgs如图18所示地随时间而降低。
在驱动晶体管Tr2在饱和区域中操作的情况下，即，在(Vgs-Vthd)≤Vds的情况下，如图21所示，当通过一定时间时，驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg在定时t25达到Vss+Vthd。Vthd表示驱动晶体管Tr2的栅极和电源之间的阈值电压，而Vds表示驱动晶体管Tr2的源极和漏极之间的电压。
然后，在扫描线WSL1的电压为电压Voff1、而电源线DSL的电压为电压Vss的期间中的定时t25，扫描线驱动电路23将扫描线WSL2的电压从电压Voff2升高至电压Von2(图18的(C))。如图22所示，这使阈值校正辅助晶体管Tr3导通，同时写入晶体管Tr1截止。因此，如图22中的箭头P2所示，扫描线WSL1(阈值校正辅助电容元件C2的另一端)从电压Von1至电压Von2的变化被传输至驱动晶体管Tr2的栅极(图18的C)所示的第二导通期间ΔT22)。具体地，这种变化通过经由阈值校正辅助晶体管Tr3和阈值校正辅助电容元件C2的电容耦合而被传输至驱动晶体管Tr2的栅极。因此，驱动晶体管Tr2的栅极电位从Vss+Vthd降低至Vss+Vthd-ΔV2，即，降低了电位差ΔV2(栅极电位校正操作)。
因此，如图18所示，驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs减小，优选地直到建立Vgs＜＜Vth。以这种方式，降低了栅极-源极电压Vgs，结果，电流几乎不从电源线DSL流至驱动晶体管Tr2，从而驱动晶体管Tr2的源极电位Vs和栅极电位Vg在随后的至定时t26的期间中几乎不改变。
然后，扫描线驱动电路23将扫描线WSL2的电压从电压Von2降低至电压Voff2，以使阈值校正辅助晶体管Tr3在定时t26被设定为截止。另外，电源线驱动电路25在随后的定时t27将电源线DSL的电压从电压Vss升高至电压Vcc。
如图23中的箭头P3所示，这使得电源线DSL从电压Vss至电压Vcc的变化被传输至驱动晶体管Tr2。具体地，该变化通过经由所示的耦合电容元件C0的电容耦合(正耦合)而被传输至驱动晶体管Tr2的栅极。因此，驱动晶体管Tr2的栅极电位从Vss+Vthd-ΔV2开始升高。电位的这种增加预先被设定为小于电位差ΔV2，因此，如图18所示，栅极电位Vg通过作为负和正电容的总和的电容耦合，而从Vss+Vthd降低ΔV3至Vss+Vthd-ΔV3。
有机EL元件12在该阶段中的阳极电位被表示为如图18所示的Vx。电源线DSL的电压改变至电压Vcc，从而驱动晶体管Tr2的源极变得等于有机EL元件12的阳极，因此驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs通过经由阈值校正辅助电容元件C2的电容耦合而减小。具体地，这里建立了Vgs＜＜Vth。这仅使得截止电流流过驱动晶体管Tr2，因此驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg和源极电位Vs几乎不增加，而直到随后的定时t28(直到第一Vth校正期间T3开始)。
以这种方式，在随后的第一Vth校正期间T3中，如在第一实施方式中那样，如图18所示，再次建立Vgs＞Vth，从而执行正常的Vth校正操作。
随后的期间：t29至t32
此后，如在第一实施方式中，在多个Vth校正期间T3和多个Vth校正暂停期间T4之后，设置迁移率校正/信号写入期间T5和发光期间T6(T0)。因此，执行了发光操作。
2.栅极电位校正操作
然后，与比较例(比较例3和4)比较来详细地描述该实施方式的栅极电位操作(Vth校正辅助操作)。由于比较例3和4的每一个中的像素电路的构造与比较例1和2中的像素电路104(2Tr1C的电路，参见图15)相同，所以省略了像素电路的描述。
比较例3
图24是示出了比较例3的显示装置的显示操作(定时t301至定时t305)中的各种波形的实例的时序图。图24的(A)至(E)所示的这几种电压波形与比较例1中的图16的(A)至(E)所示的相同。
在比较例3的显示操作中，与前述实施方式中的定时t25至定时t28的期间相比，驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs在Vth校正准备期间T1的定时t303至定时t304的期间中较高。因此，来自施加有电压Vcc的电源线DSL的漏电流相当大，使得驱动晶体管Tr2的源极电位Vs可能如图24中的箭头P301所示地过度增大。
此后，当执行Vth校正操作时，驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs可能低于阈值电压Vth(Vgs＜Vth)，因而此后(例如，定时t304至定时t305的期间)可能不能正常执行Vth校正操作。结果，Vth校正操作在完成之前就结束，即，如比较例1中那样而没有被充分地执行，因此在像素11间保持了亮度变化。
而且，在比较例3中，由于驱动晶体管Tr2的源极电位Vs在前述的Vth校正操作之前的期间中(例如，当电源线DSL在多条水平线之间共用以实现成本减少时)过度增加，则可能产生下面的困难。即，当电源线DSL以这种方式共用时，由于Vth校正操作之前的期间的长度对于每条水平线均不同，所以源极电位Vs的增加对于每条水平线也不同。因此，Vth校正量对于每条水平线也不同，从而导致电源线共用的水平线区域100A(例如，为如图25所示的显示面板100)内的每条水平线的亮度变化。换言之，在电源线共用的水平线区域100A内产生亮度沿垂直线方向逐渐改变的条纹图案。
比较例4
在如图26所示的比较例4中的显示操作中(定时t401至定时t406)，可以以与比较例2相同的方式来克服比较例3的困难。具体地，在比较例4中，在Vth校正准备期间T1内的定时t402至定时t403的期间中，扫描线WSL1的电压从电压Voff1升高至电压Von1。这导致驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg从预定的基准电压Vofs降低至低于基准电压Vofs的电压Vofs2。因此，驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs在定时t403至定时t404的期间中变得低于晶体管Tr2的阈值电压Vth(Vgs＜＜Vth)。在随后的Vth校正期间T3中，驱动晶体管Tr2的栅极电位重新被设定为基准电压Vofs。因此，在Vth校正准备期间T1中，比较例4可以避免比较例3的困难，或者可以避免由来自施加有电压Vcc的电源线DSL的漏电流所引起的驱动晶体管Tr2的源极电位Vs的过度增加，从而允许执行正常的Vth校正操作。
然而，与比较例2一样，即使在比较例4中，三值电压也需要施加至信号线DTL(需要使用包括视频信号电压Vsig、基准电压Vofs和低电压Vofs2的三值电压)。因此，制造成本根据驱动电路(特别地，信号线驱动电路)的耐受电压的增加而增加，因此仍难以实现成本的降低。
本实施方式
在该实施方式中，如图18等所示，扫描线驱动电路23如在第一实施方式那样执行如下的栅极电位校正操作，从而可以克服比较例3或4的困难。
具体地，在将切换控制脉冲施加至扫描线WSL2、以使阈值校正辅助晶体管Tr3被设定为导通的导通期间中(图18中的第一导通期间ΔT21和第二导通期间ΔT22)，扫描线驱动电路23执行下面的操作。即，扫描线WSL1(阈值校正辅助电容元件C2的另一端)从Von1至Voff1的变化经由阈值校正辅助晶体管Tr3和阈值校正辅助电容C2而被传输至驱动晶体管Tr2的栅极。这引起了降低驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg的栅极电位校正操作。
更具体地，首先，扫描线驱动电路23设置用于将基准电压Vofs施加至阈值校正辅助电容元件C2的一端和驱动晶体管Tr2的栅极、并将电压Von1施加至电容元件C2的另一端的第一导通期间ΔT21。另外，在第一导通期间ΔT21之后，电路23设置用于将电压Voff1施加至阈值校正辅助电容元件C2的另一端、使得从电压Von1至电压Voff1的变化被传输至驱动晶体管Tr2的栅极的第二导通期间ΔT22。第一导通期间ΔT21和第二导通周期ΔT22中的每一个均为栅极电位校正操作而单独设置。
第一导通期间ΔT21和第二导通期间ΔT22中的每一个均被设置在至少一个(这里为三个)Vth校正期间T3中的每一个开始之前的期间中。第一导通期间ΔT21和第二导通期间ΔT22之间设置有预定的间隔(以非连续的方式)。
以这种方式，在导通期间ΔT21或ΔT22中，扫描线WSL1从电压Von1至电压Voff1的变化经由阈值校正辅助晶体管Tr3和阈值校正辅助电容元件C2而被传输至驱动晶体管Tr2的栅极。这导致了降低驱动晶体管Tr2栅极电位Vg的栅极电位校正操作。因此，驱动晶体管Tr2的栅极-源极电压Vgs减小，从而在Vth校正操作中避免了比较例3中的困难。换言之，避免了由于漏电流而导致的源极电位Vs过度增大所引起的驱动晶体管Tr2的Vth校正操作不充分，即，执行了充分(正常)的Vth校正操作。此外，由于这种栅极电位校正操作通过使用扫描线WSL1从电压Von1至电压Voff1的变化(两个电压之间的变化)来实现，因此不需要像比较例4那样使用三值电压。
如上所述，即使在该实施方式中，也可以通过与第一实施方式相同的操作来获得相同的优点。换言之，可以在不增加驱动电路20(特别地，信号线驱动电路24)的耐受电压的情况下抑制像素11之间的亮度变化，从而可以同时实现成本的减少和图像质量的改善。
特别地，在该实施方式中，与比较例3不同，即使电源线DSL在多条水平线上的像素11之间共用，也可以基本上消除如图25所示的水平线之间亮度变化。具体地，当假定电源线DSL在多条(这里为三条)水平线(例如，如图27中的(A)至(O)所示)之间共用时，以下内容可以成立。这里，电源线DSL(1至3)和电源线DSL(4至6)分别示出了在第一水平线至第三水平线之间所共用的电源线以及在第四水平线至第六水平线之间所共用的电源线。另外，扫描线WSL1(1)至WSL1(6)和扫描线WSL2(1)至WSL2(6)分别示出了沿第一水平线至第六水平线的扫描线WSL1和沿第一水平线至第六水平线的扫描线WSL2。在这种情况下，尽管Vth校正操作之前的期间的长度对于每条水平线均不同，但由于在每条水平线中源极电位Vs的增加原本小到可忽略不计，所以水平线之间的Vth校正操作量的差也可忽略不计。因此，即使电源线DSL在多条水平线上的像素11之间共用，也可以基本上消除水平线之间的亮度的变化。因此，除了上述优点以外，该实施方式还具有减少电源线DSL的数目的优点，使得能够进一步减少成本并进一步提高产量。
第三实施方式
图28是示出了根据第三实施方式的显示操作中的各种波形的实例的时序图。图28的(A)至(F)示出的这几种电压波形与第一实施方式中的图3的(A)至(F)所示的相同。显示装置1的块构造和像素11中的像素电路14的构造与第一实施方式相同，并因此省略对它们的描述。此外，适当地省略显示操作中与第一实施方式或第二实施方式相同的部分的描述。
该实施方式对应于将第一实施方式中的栅极电位校正操作和第二实施方式中的栅极电位校正操作相结合的实施方式。换而言之，在该实施方式中，设置了第一导通期间ΔT11和ΔT21以及第二导通期间ΔT12和ΔT22。
因此，即使在本实施方式中，也可以通过与第一实施方式和第二实施方式相同的操作来获得相同的优点。换而言之，在不增加驱动电路20(特别地，信号线驱动电路24)的耐受电压的情况下，可以抑制像素11间的亮度的变化，因此可以同时实现成本的减少和图像质量的改善。
此外，在该实施方式中，由于第一实施方式中的栅极电位校正操作与第二实施方式中的栅极电位校正操作相结合，所以与以上各个实施方式相比较，可以有效地抑制由于源极电位Vs的过度增加所导致的Vth校正操作不充分，并因此可以实现图像质量的进一步改善。
模块和应用例
下文中，将参考图29至图34来描述在第一实施方式至第三实施方式中所描述的显示装置的应用例。每个实施方式的显示装置均可用作任何领域中的电子单元，包括电视装置、数码相机、笔记本个人计算机、诸如移动电话的移动终端以及摄像机。换而言之，显示装置可以用作任何领域中的电子单元，用于基于外部输入或内部生成的视频信号，来显示静止图像或视频图像。
模块
每个实施方式的显示装置例如可以以图29所示的模块形式而置于诸如下文所描述的应用例1至5的各个电子单元中。在该模块中，例如，从密封基板32露出的区域210设置在基板31的一侧，并且外部连接端子(未示出)通过延伸驱动电路20的配线而形成在露出区域210中。外部连接端子可以附接有用于输入或输出信号的柔性印刷电路(FPC)220。
应用例1
图30示出了使用各个实施方式的显示装置的电视装置的外观。该电视装置例如具有包括面板310和滤光玻璃320的图像显示屏300，并且图像显示屏300由各个实施方式的显示装置构成。
应用例2
图31A和图31B示出了使用各个实施方式的显示装置的数码相机的外观。该数码相机例如具有用于闪光灯的发光部410、显示器420、菜单开关430以及快门按钮440，并且显示器420由各个实施方式的显示装置构成。
应用例3
图32示出了使用各个实施方式的显示装置的笔记本个人计算机的外观。该笔记本个人计算机例如具有主体510、用于输入字母等的键盘520和用于显示图像的显示器530，并且显示器530由各个实施方式的显示装置构成。
应用例4
图33示出了使用各个实施方式的显示装置的摄像机的外观。该摄像机例如具有主体610、设置在主体610的前侧面上的对象拍摄镜头620、用于拍摄的开始/停止开关630以及显示器640。显示器640由各个实施方式的显示装置构成。
应用例5
图34A至图34G示出了使用各个实施方式的显示装置的移动电话的外观。例如，移动电话是通过由铰链730将上部壳体710连接至下部壳体720来组装的，并且其具有显示器740、副显示器750、画面灯760以及照相机770。显示器740或副显示器750由各个实施方式的显示装置构成。
修改例
尽管已通过上文的实施方式和应用例描述了本发明，但本发明不限于这些实施方式等，并且可以进行各种修改和变形。
例如，尽管已经通过显示装置1为有源矩阵显示装置的情况描述了实施方式，但用于有源矩阵驱动的像素电路14的构造不限于在实施方式等中所描述的构造。例如，阈值校正辅助晶体管Tr3和阈值校正辅助电容元件C2可以在配置顺序上颠倒，只要它们串联连接在写入晶体管Tr1的栅极与驱动晶体管Tr2的栅极之间即可。甚至在这种构造中，也可以获得与这些实施方式相同的优点。此外，根据需要，还可以将电容元件或晶体管添加至像素电路14。在这种情况下，对应于像素电路14的变化，除了扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24和电源线驱动电路25之外，还可以添加所需要的驱动电路。
此外，尽管在实施方式等中，定时发生器电路22控制扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24和电源线驱动电路25中的每一个的驱动操作，但也可用另外的电路来控制这些电路的驱动操作。此外，扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24和电源线驱动电路25可以由硬件(电路)或软件(程序)来控制。
此外，尽管已经通过写入晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2和阈值校正辅助晶体管Tr3由n沟道晶体管(例如，n沟道MOS TFT)形成的情况而描述了实施方式等，但该情况不是限制性的。换而言之，晶体管可以由p沟道晶体管形成(例如，p沟道MOS TFT)。
本发明包含于2010年2月24日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2010-039270所涉及的主题，其全部内容结合于此作为参考。
本领域的技术人员应当理解，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和变形，只要它们在所附权利要求或其等同物的范围之内。