液晶显示面板.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 102162945 A (43)申请公布日 2011.08.24 CN 102162945 A *CN102162945A* (21)申请号 201110038444.0 (22)申请日 2011.02.15 035758/10 2010.02.22 JP G02F 1/1333(2006.01) G02F 1/1341(2006.01) (71)申请人 索尼公司 地址 日本东京都 (72)发明人 赤井喜洋 龟谷雅之 加藤隆幸 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 彭久云 (54) 发明名称 液晶显示面板 (57) 摘要 本发明公开一种液晶显。

2、示面板， 其中设置为 彼此面对的成对的基板的周边通过密封材料以给 定的距离彼此贴合， 液晶注入口形成在密封材料 的一部分中， 并且液晶密封在彼此成对的基板之 间限定的内部空间中， 液晶显示面板包括形成在 成对的基板之一的内部空间侧的树脂膜以及形成 在树脂膜的表面侧的无机绝缘膜。液晶面板中形 成有不存在无机绝缘膜的区域。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 9 页 附图 10 页 CN 102162946 A1/1 页 2 1. 一种液晶显示面板， 在所述液晶显示面板中彼此面对设置的成对的基板的周边通。

3、过 密封材料以给定的距离彼此贴合， 液晶注入口形成在所述密封材料的一部分中， 并且液晶 密封在彼此成对的所述基板之间限定的内部空间中， 所述液晶显示面板包括 ： 形成在成对的所述基板之一的内部空间侧的树脂膜以及形成在所述树脂膜的表面侧 的无机绝缘膜 ； 其中在所述液晶面板中形成不存在所述无机绝缘膜的区域。 2. 根据权利要求 1 所述的液晶显示面板， 其中不存在所述无机绝缘膜的所述区域是对 应于所述液晶注入口的端部。 3. 根据权利要求 1 所述的液晶显示面板， 其中不存在所述无机绝缘膜的所述区域形成 在涵盖从所述液晶注入口的所述端部起预定的给定宽度的宽度上。 4. 根据权利要求 1 所述的液。

4、晶显示面板， 其中所述树脂膜没有形成在所述液晶显示面 板的液晶注入口侧的边中。 5. 根据权利要求 4 所述的液晶显示面板， 其中从所述液晶注入口侧的所述边起， 没有 形成所述树脂膜的部分的宽度宽于所述不存在所述无机绝缘膜的区域的宽度。 6. 根据权利要求 1 所述的液晶显示面板， 其中下电极、 所述无机绝缘膜和上电极依次 形成在所述树脂膜上。 权 利 要 求 书 CN 102162945 A CN 102162946 A1/9 页 3 液晶显示面板 技术领域 0001 本发明涉及具有液晶注入口的液晶显示面板， 更具体地， 涉及在完成树脂膜的形 成后形成低温绝缘膜的液晶显示面板。 背景技术 0。

5、002 液晶显示面板与阴极射线管 (CRT) 相比具有诸如重量轻、 厚度薄和功耗低的特 点， 因此液晶显示面板用作很多电子设备中的显示面板。 液晶显示面板是这样的， 在预定方 向上排列的液晶分子的取向通过施加电场而改变， 从而改变透射通过液晶层的光量， 由此 在液晶显示面板上显示图像。 关于这样的液晶显示面板， 存在反射型、 透射型以及包括反射 型和透射型的半透射型的液晶显示面板。 在此情况下， 在反射型液晶显示面板中， 外部光入 射到液晶层并由反射板反射以再次透射通过液晶层而被发射。另外， 在透射型液晶显示面 板中， 从背光单元照射的入射光透射通过液晶层。 0003 已知的用于给液晶显示面板。

6、的液晶层施加电场的方法中有纵向电场系统和横向 电场系统。关于采用纵向电场系统的液晶显示面板， 大约指向纵向方向的电场通过成对的 电极施加给液晶分子， 该成对的电极设置为在该成对的电极之间夹持液晶层。已知具有扭 曲向列(TN)模式的液晶显示面板、 具有垂直取向(VA)模式的液晶显示面板、 具有多域垂直 取向 (MVA) 模式的液晶显示面板等为采用纵向电场系统的液晶显示面板。关于采用横向电 场系统的液晶显示面板， 成对的电极提供在成对的基板之一的内表面侧， 该成对的基板设 置为在该成对的基板之间夹持液晶层， 且该成对的电极彼此绝缘。 另外， 大约指向横向方向 的电场施加给液晶分子。已知具有在平面图。

7、中成对的电极不重叠的平面内转换 (ISP) 模式 的液晶显示面板以及具有在平面图中成对的电极重叠的边缘场转换 (FFS) 模式的液晶显 示面板为采用横向电场系统的液晶显示面板。 0004 对于上述液晶面板， 在具有 IPS 模式的液晶显示面板中， 由像素电极和公共电极 组成的成对的电极形成梳齿形状， 从而该成对的电极彼此啮合， 并且该成对的电极彼此电 绝缘。另外， 横向电场通过像素电极和公共电极来施加。具有 IPS 模式的液晶显示面板的 优点是， 其视角宽于具有纵向电场的液晶显示面板的视角。 0005 在具有 FFS 模式的液晶显示面板中， 成对的电极由公共电极和像素电极组成。另 外， 成对的。

8、公共电极和像素电极隔着绝缘膜分别设置在不同的层中。狭缝状开口形成在液 晶层侧的公共电极或者像素电极中， 并且大约指向横向方向并且穿过该狭缝状开口的电场 被施加给液晶层。具有 FFS 模式的液晶显示面板近来已经用在很多情况下， 这是因为具有 FFS 模式的液晶显示面板具有可获得宽视角以及可以改善图像对比度的效果。 0006 关于具有 FFS 模式的液晶显示面板， 已知日本特开 2009-036800 号公报 ( 专利文 件1)中所公开的液晶显示面板， 其中如图2所示像素电极大约形成在与用作开关元件的薄 膜晶体管 (TFT) 相同的层面上。另外， 已知日本特开 2009-047839( 专利文件 。

9、2) 中公开的 液晶面板， 其中如图 2 所示公共电极和像素电极均设置在 TFT 的上面。 0007 在它们当中， 在公共电极和像素电极均设置在 TFT 上面的具有 FFS 模式的液晶面 说 明 书 CN 102162945 A CN 102162946 A2/9 页 4 板中， TFT 等的表面覆盖有由丙烯酸树脂等制作的层间膜。由透明导电材料制作的下电极 形成在层间膜的表面上。另外， 上电极隔着无机绝缘膜形成在下电极上。下电极可以用作 像素电极和公共电极中任一者。层间膜平坦了由 TFT 等引起的不规则形状， 并且上电极和 下电极可以形成在 TFT 的上面， 这使得开口率增加。 发明内容 00。

10、08 然而， 在公共电极和像素电极均设置在TFT上面的具有FFS模式的液晶面板中， 某 些情况下在显示区域内产生微小的亮点缺陷。对产生微小亮点缺陷的原因的研究结果发 现 ： 微小亮点缺陷的产生是由于位于显示区域内的外来物质的存在。如图 10 所示， 显示区 域 12 分成九个区域 (a) 至 (i)， 长度方向上三个 宽度方向上三个， 并且对外来物质的分 布进行了研究。结果发现最靠近液晶注入口 14 的区域 (b) 具有最大数量的外来物质， 并且 区域 (a) 至 (c) 以及 (e) 的每一个都具有第二大数量的外来物质。因此， 区域 (a) 至 (c) 以及 (e) 具有外来物质的数量的比率。

11、等于或大于 80。由该研究结果可见， 认为几乎所有 的外来物质都从液晶注入口 14 侵入。另外， 对外来物质的样本进行能量色散 X 射线光谱分 析 (EDS)， 结果证明很多外来物质是作为用于无机绝缘膜的材料的氮化硅。 0009 如日本特开 2008-068623( 专利文件 3) 所公开的， 液晶注入口部采用划线系统 (scribe system) 在切割工艺中形成。另外， 由丙烯酸树脂等制作的层间膜耐热性弱。因 此， 层间膜上由氮化硅或氧化硅制作的无机绝缘膜形成在低于通常的形成温度的温度下。 因此， 该无机绝缘膜也称为 “低温绝缘膜” 。 关于上述微小亮点缺陷的原因， 可以想到因为无 机绝。

12、缘膜形成在低温下， 所以层间膜和无机绝缘膜之间的粘合强度下降， 无机绝缘膜在采 用划线系统执行切割液晶注入口部的阶段中被剥离， 并且无机绝缘膜的碎片与液晶一起从 液晶注入口侵入显示区域中。 0010 为了解决上述问题而进行本发明， 因此所希望的是提供这样的液晶面板， 其中几 乎不产生形成在层间膜上的无机绝缘膜的碎片， 从而减少了微小亮点缺陷的产生。 0011 为了达到上述目标， 根据本发明的实施例， 提供一种液晶显示面板， 其中彼此面对 设置的成对的基板的周边以彼此间给定的距离由密封材料贴合， 液晶注入口形成在密封材 料的一部分中， 并且液晶密封在彼此成对的基板之间限定的内部空间中。 在此情况。

13、下， 树脂 膜形成在该成对的基板之一的内部空间侧， 并且无机绝缘膜形成在树脂膜的表面侧 ； 而且， 在液晶面板中形成不存在无机绝缘膜的区域。 0012 为了防止引起树脂膜的热退化和特性改变的目的， 当无机绝缘膜形成在树脂膜的 表面侧时， 无机绝缘膜在低于无机绝缘膜的通常的形成条件的温度形成。 因此， 在树脂膜的 表面侧形成的无机绝缘膜具有在树脂膜或其他绝缘膜与该无机绝缘膜之间差的粘合性。 因 此， 如果与树脂膜的表面侧形成的无机绝缘膜相同的无机绝缘膜存在于液晶注入口侧， 则 在在切割工艺中每个液晶显示面板与母基板分开后， 在注入液晶时无机绝缘膜的碎片与液 晶一起进入显示区域。结果， 增加了产生。

14、微小亮点缺陷的可能性。 0013 然而， 根据本发明实施例的液晶显示面板， 形成了不存在与树脂膜的表面侧形成 的无机绝缘膜相同的无机绝缘膜的区域。 结果， 几乎不产生微小亮点缺陷， 这是因为在注入 液晶的阶段中与树脂膜的表面侧形成的无机绝缘膜相同的无机绝缘膜的碎片几乎不侵入 显示区域侧。 说 明 书 CN 102162945 A CN 102162946 A3/9 页 5 0014 优选地， 不存在无机绝缘膜的区域是对应于液晶注入口的端部。 0015 在本发明实施例的液晶显示面板中， 不存在无机绝缘膜的区域形成在液晶显示面 板的对应于液晶注入口的端部。因此， 无机绝缘膜的碎片几乎不侵入作为无机。

15、绝缘膜的碎 片侵入最多的区域的最靠近液晶注入口的区域。 结果， 该区域中几乎不产生微小亮点缺陷。 0016 优选地， 不存在无机绝缘膜的区域形成在涵盖从液晶注入口的端部起预定的给定 宽度的宽度上。 0017 研磨用于从母基板切割液晶显示面板区域的凹槽的轮式切割机的位置偏移例如 控制为最大至 120m。在本发明实施例的液晶显示面板中， 没有形成与树脂膜的表面侧形 成的无机绝缘膜相同的无机绝缘膜的区域的宽度设定为大于距液晶注入口侧的边的预定 的给定宽度。 例如， 设定为大于作为轮式切割机的位置偏移公差的最大值的120m。 结果， 在每个液晶显示面板从母基板切割时， 即使轮式切割机的位置偏移变为 1。

16、20m， 也能防止 产生无机绝缘膜的碎片， 这是因为轮式切割机不会接触无机绝缘膜。 0018 优选地， 树脂膜没有形成在液晶显示面板的液晶注入口侧的边中。 0019 在树脂膜没有形成在液晶显示面板的对应于液晶注入口侧的边中的情况下， 即使 在与树脂膜的表面侧形成的无机绝缘膜相同的无机绝缘膜形成在该部分中时， 对于该部分 的无机绝缘膜的粘合性也更好于有树脂膜的情况。因此， 根据本发明实施例的液晶显示面 板， 满意地提供了上述效果。 0020 另外， 优选地， 从液晶注入口侧的边起， 没有形成树脂膜的部分的宽度宽于不存在 无机绝缘膜的区域的宽度。 0021 在从液晶注入口侧的边起没有形成树脂膜的部。

17、分的宽度制作为宽于不存在无机 绝缘膜区域的宽度的情况下， 当与树脂膜的表面侧形成的无机绝缘膜相同的无机绝缘膜形 成在该部分中时， 无机绝缘膜与树脂膜之外的部分接触。 对于树脂膜之外的部分， 无机绝缘 膜具有更好的粘合性。因此， 当使没有形成树脂膜的部分的宽度例如比不存在无机膜的区 域的宽度宽 80m 时， 即使轮式切割机的位置偏移达到 120m， 也几乎不产生无机绝缘膜 的碎片， 这是因为轮式切割机几乎不接触树脂膜上的无机绝缘膜。 应当注意的是， 在本发明 实施例的液晶显示面板中， 当没有形成树脂膜的部分的宽度制作为较大时， 几乎不产生无 机绝缘膜的碎片。 然而， 当没有形成树脂膜的部分的宽度。

18、制作为过大时， 树脂膜的形成区域 变窄。因此， 没有形成树脂膜的部分的宽度应根据试验设定为适当值。 0022 另外， 优选地， 下电极、 无机绝缘膜和上电极依次形成在液晶显示面板中的所述树 脂膜上， 并且液晶显示面板以 FFS 模式运行。 0023 结果， 本发明可以应用于具有 FFS 模式的液晶显示面板， 其中液晶显示面板具有 树脂膜且开口率大。 附图说明 0024 图 1 是示出通过切割获得根据本发明实施例的液晶显示面板前母基板的阵列基 板概要的俯视平面图 ； 0025 图 2 是示出根据本发明第一实施例的液晶显示面板的一个子像素的俯视平面图 ； 0026 图 3 是沿着图 2 的 III。

19、-III 线剖取的截面图 ； 0027 图 4 是沿着图 1 的 IV-IV 线剖取的截面图 ； 说 明 书 CN 102162945 A CN 102162946 A4/9 页 6 0028 图 5A、 5B 和 5C 分别是示出第一实施例的液晶显示面板中阵列基板的第一变型的 截面图、 第一实施例的液晶显示面板中阵列基板的第二变型的截面图以及第一实施例的液 晶显示面板中阵列基板的第三变型的截面图 ； 0029 图 6 是示出根据本发明第二实施例的液晶显示面板的一个子像素的俯视平面图 ； 0030 图 7 是沿着图 6 的 VII-VII 线剖取的截面图 ； 0031 图 8 是沿着图 1 的。

20、 IV-IV 线剖取的第二实施例的液晶显示面板中的一部分的截面 图 ； 0032 图9A和9B分别是示出第二实施例的液晶显示面板中阵列基板的第一变型的截面 图以及第二实施例的液晶显示面板中阵列基板的第二变型的截面图 ； 以及 0033 图 10 是示出现有技术的液晶显示面板中外来物质分布的俯视平面图。 具体实施方式 0034 在下文， 将参考附图详细描述本发明的优选实施例。 然而， 下面描述的实施例不意 味着本发明限于这里所描述的内容， 因此本发明同样可应用于在不脱离权利要求所揭示的 技术构思的情况下所进行的各种变化。应当注意的是， 这里所述的阵列基板和滤色器基板 的每一个中的 “表面” 是指。

21、形成有各种配线的表面或者面对液晶侧的表面。另外， 在本说明 书所用的说明书附图中， 为了使绘制的层和构件具有在图上可识别的尺寸的目的， 层和构 件分别以不同的比例绘制， 因此没有必要与它们的实际尺寸成比例地绘制。 0035 第一实施例 0036 现在， 将参考图 1 至 4 描述根据本发明第一实施例的液晶显示面板的主要部分的 结构。第一实施例的液晶显示面板采用低温多晶硅 (LTPS)TFT 以 FFS 模式运行。如图 1 所 示， 长度方向上两个 宽度方向上两个的四个液晶显示面板形成区域 11 形成在母基板 10 中。尽管实际上同时形成大量的液晶显示面板形成区域 11， 但是这里以易于理解的方。

22、式示 出了四个液晶显示面板形成区域 11。 0037 在母基板 10 的四个液晶显示面板形成区域 11 的每一个中， 液晶注入口 14 由密 封材料 13 形成， 密封材料 13 被涂敷为围绕显示区域 12。另外， 阵列基板 AR 和滤色器基板 CF( 参考图 3) 彼此接合， 由此在阵列基板 AR 和滤色器基板 CF 之间限定空间。专利文件 3 所示的轮式切割机沿着图 1 所示的划线 SC 移动以形成凹槽， 并且给母基板 10 施加应力， 由 此将母基板 10 切割成四个液晶显示面板 11A。 0038 如图 3 和 4 所示， 在液晶面板 11A 中， 液晶层 LC 夹设在阵列基板 AR 。

23、和滤色器基板 CF 之间。在由母基板 10 切割而成的液晶面板 11A 中， 液晶从液晶注入口 14 注入该空间， 然 后液晶注入口 14 由密封材料密封。应当注意的是， 尽管省略了图示， 但是使液晶层 LC 保持 具有预定厚度的柱状间隔物形成在滤色器基板 CF 或阵列基板 AR 上。 0039 另外， 液晶面板 11A 具有多个像素， 该多个像素沿行方向和列方向设置在显示区 域 12 中。一个像素例如由用于显示红 (R)、 绿 (G) 和蓝 (B) 三原色的三个子像素组成。另 外， 相应的一个像素的颜色分别根据 R、 G 和 B 光的混合颜色决定。如图 2 所示， 阵列基板 AR 中的子像素。

24、 16 包括扫描线 17、 信号线 18 和薄膜晶体管 TFT。在此情况下， 扫描线 17 由不 透明的金属制造， 例如铝或钼， 并且沿 X 轴方向延伸。信号线 18 由不透明的金属制造， 例如 铝或钼， 并且沿 Y 轴方向延伸。另外， 薄膜晶体管 TFT 设置在扫描线 17 和信号线 18 之间的 说 明 书 CN 102162945 A CN 102162946 A5/9 页 7 交叉点附近。 0040 阵列基板 AR 具有第一透明基板 19 作为基底， 该第一透明基板 19 由玻璃、 石英或 塑料等制造、 为透明的且具有绝缘性。缓冲膜 20 层叠在第一透明基板 19 的表面上。由低 温多。

25、晶硅制造的半导体层 21 形成在缓冲膜 20 的表面上， 且在平面中为 U 字形状。例如， 由 氮化硅或氧化硅等制造的透明栅极绝缘膜22层叠来覆盖半导体层21和缓冲膜20。 扫描线 17 形成在栅极绝缘膜 22 的表面上， 且在平面中与半导体层 21 的 U 字形状的两个臂的每一 个成直角交叉。扫描线 17 的与半导体层 21 重叠的两个部分成为栅极电极 G。 0041 由氮化硅或者氧化硅等制造的层间绝缘膜23形成来覆盖扫描线17和栅极绝缘膜 22。例如， 由诸如铝或钼的金属制造的信号线 18 沿图 2 的 Y 轴方向 ( 列方向 ) 形成在层间 绝缘膜 23 的表面上。源极电极 S 从信号线。

26、 18 延伸。源极电极 S 通过用于源极电极 S 的接 触孔 24 电连接到半导体层 21 的 U 字形状的两个臂之一， 该接触孔 24 完全延伸通过层间绝 缘膜 23 和栅极绝缘膜 22。 0042 另外， 例如由诸如铝或钼的金属制造的漏极电极 D 形成在层间绝缘膜 23 的表面 上。漏极电极 D 通过用于漏极电极 D 的接触孔 25 电连接到半导体层 21 的 U 字形状的两个 臂的另一个， 该接触孔 25 完全延伸通过层间绝缘膜 23 和栅极绝缘膜 22。例如由氮化硅或 氧化硅等制造的钝化膜 26 形成来覆盖全部的信号线 18、 源极电极 S 和漏极电极 D。用作开 关元件的薄膜晶体管 。

27、TFT 由栅极电极 G、 栅极绝缘膜 22、 半导体层 21、 源极电极 S 和漏极电 极 D 构成。另外， 薄膜晶体管 TFT 形成在各子像素 11 中。 0043 由扫描线 17 和信号线 18 区划的多个区域分别成为子像素区域。用于显示 R、 G 和 B 的三个子像素 11 组成基本上为正方形形状的一个像素 ( 未示出 )。因此， 将一个像素三 等分而获得的每个子像素 11 都具有矩形形状， 其中扫描线 17 侧是短边， 信号线 18 侧是长 边。 0044 另外， 例如由诸如丙烯酸树脂或光致抗蚀剂的透明树脂材料制成的层间树脂膜 27 层叠来覆盖钝化膜 26。另外， 由诸如铟锡氧化物 (。

28、ITO) 或铟锌氧化物 (IZO) 的透明导电材 料制造的下电极28形成来覆盖层间树脂膜27。 像素电极的接触孔29形成为完全延伸通过 层间树脂膜 27 和钝化膜 26 以到达漏极电极 D。下电极 28 和漏极电极 D 通过像素电极的接 触孔 29 彼此电连接。因此， 下电极 28 用作像素电极。 0045 例如， 由氮化硅或氧化硅等制造的透明无机绝缘膜30层叠来覆盖下电极28。 透明 无机绝缘膜 30 以低于栅极绝缘膜 22 和层间绝缘膜 23 的每一个的温度沉积， 这是因为层间 树脂膜 27 耐热性弱。于是， 在下面的描述中， 为了使透明无机绝缘膜 30 区别于栅极绝缘膜 22 和层间绝缘。

29、膜 23 中每一个， 透明无机绝缘膜 30 将称为 “低温无机绝缘膜” 。 0046 另外， 由诸如 ITO 或 IZO 的透明导电材料制造的上电极 31 形成来覆盖低温无机绝 缘膜 30。上电极 31 连接到显示区域 12 的周边部分中的公共配线 ( 未示出 )， 因此用作公 共电极。 0047 如图 2 所示， 多个狭缝状开口 32 形成在上电极 31 中。在采用光刻法将涂敷在上 电极 31 的表面上的光致抗蚀剂材料曝光并显影后， 采用得到的光致抗蚀剂材料作为蚀刻 掩模进行选择性蚀刻， 由此在上电极 31 中形成这些狭缝状开口 32。尽管省略了图示， 但是 例如由聚酰亚胺制造的第一取向膜层。

30、叠来覆盖上电极 31 和狭缝状开口 32 的内侧。对第一 取向膜进行液晶方向取向处理， 即在图 2 的 Y 轴方向上 ( 在基本上平行于信号线 18 的延伸 说 明 书 CN 102162945 A CN 102162946 A6/9 页 8 方向的方向上 ) 的摩擦处理。 0048 每一个都沿信号线 18 的延伸方向延伸的多个 V 形狭缝状开口 32 以相等的间隔形 成在上电极 31 中。因为子像素 16 在垂直方向上长， 所以当狭缝状开口 32 制作为横向延伸 时， 狭缝状开口 32 的两端部数目增加。狭缝状开口 32 的端部是液晶分子不规则取向的区 域。于是， 在第一实施例的液晶显示面板。

31、 10A 中， 如图 2 所示， 狭缝状开口 32 的延伸方向设 定为 Y 轴方向， 从而减少狭缝状开口 32 的端部的数目， 并且减少了开口率的降低。 0049 V 形狭缝状开口 32 的延伸方向相对于摩擦方向倾斜约 +5和约 -5。当所有的 狭缝状开口 32 相对于摩擦方向在顺时针方向或逆时针方向上倾斜时， 出现颜色根据视角 方向而改变的现象， 这是因为液晶分子在一个方向上被扭曲。这其中的原因是因为表观延 迟 (apparent retardation) 根据液晶分子被观察的方向而变化。为了减少由于延迟的变 化而引起的这种现象， 在第一实施例的液晶显示面板 11A 中， 提供狭缝状开口 3。

32、2 的延伸方 向相对于顺时针方向倾斜约 +5的域以及狭缝状开口 32 的延伸方向相对于顺时针方向倾 斜约 -5的域。 0050 滤色器基板CF具有由玻璃、 石英或塑料等制造的第二透明基板33作为基底， 该第 二透明基板 33 是透明的且具有绝缘性。在第二透明基板 33 的最下层 ( 这里是指在制造滤 色器基板或阵列基板的工艺中首先形成在透明基板上的层)且在面对扫描线17、 信号线18 和薄膜晶体管 TFT 的位置形成具有遮光性的遮光层 34。另外， 分别透射不同颜色 (R、 G 和 B 或者无色 ) 光的滤色器层 35 分别形成在三个子像素 16 中。 0051 另外， 例如由诸如光致抗蚀剂的。

33、透明树脂材料制造的外覆层 36 层叠来覆盖遮光 层 34 和滤色器层 35。形成子像素 16 的外覆层 36 的目的是平坦化分别由不同颜色的滤色 器层 35 引起的台阶部分， 并且阻挡杂质从遮光层 34 或从滤色器层 35 泄出， 从而这样的杂 质不会进入液晶层LC。 另外， 尽管省略了图示， 但是例如由聚酰亚胺制造的第二取向膜形成 来覆盖外覆层 36。对第二取向膜进行摩擦处理， 其方向与第一取向膜的方向相反。 0052 对于上述结构， 当子像素16中的薄膜晶体管TFT导通时， 在下电极28和上电极31 之间产生电场， 因此改变了液晶层 LC 的液晶分子的取向。结果， 改变了液晶层 LC 的光。

34、透射 性， 因此液晶显示面板 11A 在其上以 FFS 模式显示图像。另外， 下电极 28 和上电极 31 隔着 低温无机绝缘膜 30 彼此面对的区域形成辅助电容器。这样形成的辅助电容器在薄膜晶体 管 TFT 截止时及截止后将下电极 28 和上电极 31 之间产生的电场再保持预定的时间段。 0053 接下来， 将描述不存在低温无机绝缘膜 30 的区域 37。如上所述， 在完成层间树脂 膜 27 的层叠后， 层叠低温无机绝缘膜 30， 因为低温无机绝缘膜 30 粘合性弱， 所以在切割阶 段中产生低温无机绝缘膜30的碎片且这些碎片与液晶一起从液晶注入口14侵入显示区域 12的可能性变得很高。 为了。

35、应对这一情形， 在第一实施例的液晶显示面板11A中， 如图1所 示， 不存在低温无机绝缘膜 30 的区域 37 提供在液晶注入口 14 的部分划线 SC 中。液晶注 入口 14 的划线 SC 对应于本发明的液晶注入口侧的边。结果， 因为粘合性弱的低温无机绝 缘膜 30 没有形成在液晶注入口 14 的部分中， 所以防止低温无机绝缘膜 30 的碎片从液晶注 入口 14 侵入显示区域 12 侧。通过上述结构， 变得能够减少微小亮点缺陷的发生。 0054 应当注意的是， 在液晶注入口 14 部分的阵列基板 AR 中， 如图 4 所示， 上述子像素 16 的具有绝缘性的每个膜， 即缓冲膜 20、 栅极绝。

36、缘膜 22、 层间绝缘膜 23、 钝化膜 26、 层间树 脂膜 27 和低温无机绝缘膜 30， 依次层叠在第一透明基板 19 的表面上。不存在低温无机绝 说 明 书 CN 102162945 A CN 102162946 A7/9 页 9 缘膜 30 的区域 37 在图 1 的 Y 轴方向上涵盖了液晶注入口 14 的宽度 W， 且在图 1 的 X 轴方 向上也位于如图 4 所示的距划线 SC 为距离 L1 处。 0055 在此情况下， 距离 L1 设定为等于或大于约 120m。用于研磨切割用的凹槽的轮 式切割机的位置偏移可最大至 120m。于是， 不存在低温无机绝缘膜 30 的区域 ( 去除区。

37、 域)37提供为位于距划线SC 120m或更大的距离处， 从而， 即使在轮式切割机偏移最大至 120m时， 也可防止低温无机绝缘膜30的碎片产生。 另外， 因为低温无机绝缘膜30可防止 杂质从低温无机绝缘膜 30 下面的层间树脂膜 27 泄出， 所以超过必要的范围去除低温无机 绝缘膜 30 不是优选的。因此， 在液晶显示面板 11A 具有液晶注入口 14 的特定边的两端的 划线 SC 中以及其它三个边的划线 SC 中没有去除低温无机绝缘膜 30。 0056 应当注意的是， 在液晶注入口 14 部分的滤色器基板 CF 中， 如图 4 所示， 因为遮光 层 34 和外覆层 36 依次形成在第二透明。

38、基板 33 的表面上， 而没有层叠低温无机绝缘膜 30， 所以在滤色器基板 CF 中没有低温无机绝缘膜 30 的去除区域。 0057 第一实施例的变型 0058 图 5A 是示出第一实施例的第一变型的截面图。在第一实施例的第一变型中， 钝化 膜 26 从第一实施例的液晶显示面板 11A 的阵列基板 AR 去除。因为， 在上述第一实施例的 液晶显示面板 11A 中， 层间树脂膜 27 和低温无机绝缘膜 30 都形成在薄膜晶体管 TFT 的上 面， 所以， 即使在去除钝化膜 26 时， 也没有对薄膜晶体管 TFT 产生坏的影响。在第一实施例 的液晶显示面板 11A 中， 钝化膜 26 可以以上述方。

39、式去除， 因此本发明也可以应用于以这样 更少的工艺制造的液晶显示面板的情况。 0059 图 5B 是示出第一实施例的第二变型的截面图。在第一实施例的第二变型中， 层间 树脂膜 27 在距划线 SC 的距离 L2 范围内从第一实施例中的阵列基板 AR 去除。因为低温无 机绝缘膜 30 对于层间树脂膜 27 粘合性弱， 在划线 SC 中不形成层间树脂膜 27， 从而可以防 止低温无机绝缘膜30在切割阶段中因为给层间树脂膜27施加应力而被剥离。 另外， 尽管低 温无机绝缘膜 30 对层间树脂膜 27 的粘合性弱， 但是低温无机绝缘膜 30 对钝化膜 26 的粘 合性强， 这是因为低温无机绝缘膜 30。

40、 由与钝化膜 26 的材料具有相同成分的材料制造。因 此， 低温无机绝缘膜30的端部粘合到钝化膜26， 从而低温无机绝缘膜30的端部可几乎不剥 离。 0060 这里， 优选 L2 L1， 且 (L2-L1) 等于或大于约 80m。当 (L2-L1) 较大时， 甚至在 任何切割阶段中的任何时间轮式切割机偏移时， 轮式切割机和层间树脂膜 27 上的低温无 机绝缘膜 30 也几乎不彼此接触， 并且低温无机绝缘膜 30 的粘合到层间树脂膜 27 的端部也 几乎不剥离。然而， 当距离 L2 太大时， 层间树脂膜 27 的形成区域变窄。应当注意的是， 图 5C 是示出第一实施例的第三变型的截面图， 在第一。

41、实施例的第三变型中， 第一实施例的第 二变型应用于第一实施例的第一变型。 0061 第二实施例 0062 尽管第一实施例的液晶显示面板 11A 中的薄膜晶体管 TFT 是低温多晶硅 (LTPS) 型， 但是在第二实施例的液晶面板 11B 中， 薄膜晶体管 TFT 是非晶硅 (a-Si) 型。在下文， 将 参考图 6 至 8 详细描述第二实施例的液晶显示面板 11B 的阵列基板 AR。应当注意的是， 在 图 6 至图 8 中， 与图 2 至图 4 所示第一实施例的液晶显示面板 11A 的阵列基板 AR 具有相同 结构的构成元件分别分配相同的附图标记用于描述。 说 明 书 CN 102162945。

42、 A CN 102162946 A8/9 页 10 0063 在第二实施例的液晶面板 11B 中， 扫描线 17 形成在阵列基板 AR 的第一透明基板 19 的表面上。栅极电极 G 从扫描线 17 延伸。由氮化硅或氧化硅等制造的透明栅极绝缘膜 22 层叠来覆盖扫描线 17 和栅极电极 G。另外， 由 a-Si 制造的半导体层 21 形成在栅极绝缘 膜 22 的表面上且在平面图中与栅极电极 G 重叠。另外， 每个都由诸如铝或钼的金属制造的 多个信号线 18 形成在栅极绝缘膜 20 的表面上。源极电极 S 从这些信号线 18 的每一个延 伸。源极电极 S 部分地接触半导体层 21 的表面。 006。

43、4 另外， 漏极电极 D 形成在栅极绝缘膜 22 的表面上， 该漏极电极 D 由与信号线 18 和 源极电极 S 中每一个相同的材料制造， 且与信号线 18 和源极电极 S 中每一个同时形成， 并 且漏极电极 D 设置为靠近源极电极 S， 以部分地接触半导体膜 21 的表面。用作开关元件的 薄膜晶体管TFT由栅极电极G、 栅极绝缘膜22、 半导体层21、 源极电极S和漏极电极D组成。 薄膜晶体管 TFT 形成在各子像素 16 中。 0065 另外， 例如由氮化硅或氧化硅等制造的透明钝化膜 26 层叠来覆盖信号线 18、 薄膜 晶体管 TFT 和栅极绝缘膜 22 的暴露部分。另外， 例如由诸如光。

44、致抗蚀剂的透明树脂材料制 造的层间树脂膜 27 层叠来覆盖钝化膜 26。另外， 由诸如铟锡氧化物 (ITO) 或铟锌氧化物 (IZO) 的透明导电材料制造的下电极 28 形成来覆盖层间树脂膜 27。用于像素电极的接触 孔 29 形成为完全延伸通过层间树脂膜 27 和钝化膜 26 以到达漏极电极 D。下电极 28 和漏 极电极 D 通过用于像素电极的接触孔 29 彼此电连接。因此， 下电极 28 用作像素电极。 0066 例如由氮化硅或氧化硅等制造的透明低温无机绝缘膜 30 层叠来覆盖下电极 28。 另外， 由诸如 ITO 或 IZO 的透明导电材料制造的上电极 31 形成来覆盖低温无机绝缘膜 。

45、30。 上电极 31 连接到显示区域 12 的周边部分中的公共配线 ( 未示出 )， 因此用作公共电极。如 图 2 所示， 多个狭缝状开口 32 形成在上电极 31 中。尽管省略了图示， 但是由聚酰亚胺制造 的第一取向膜层叠来覆盖上电极 31。对第一取向膜进行沿图 2 的 Y 轴方向 ( 沿基本上平行 于信号线 18 的延伸方向的方向 ) 的液晶方向取向处理， 即摩擦处理。 0067 接下来， 将描述没有低温无机绝缘膜 30 的区域 37。与第一实施例的液晶显示面 板 11A 的情况类似， 第二实施例的液晶显示面板 11B 也具有没有低温无机绝缘膜 30 的区域 37， 这是因为与第一实施例的。

46、液晶显示面板 11A 的情况类似， 存在完成层间树脂膜 27 的层 叠后层叠的低温无机绝缘膜 30。在液晶注入口 14 部分的阵列基板 AR 中， 如图 8 所示， 上述 子像素 16 的具有绝缘性的每个膜， 即栅极绝缘膜 22、 钝化膜 26、 层间树脂膜 27 和低温无机 绝缘膜 30， 依次层叠在第一透明基板 19 的表面上。另外， 与第一实施例的第二变型的情况 一样， 低温无机绝缘膜 30 在距划线 SC 的距离 L1范围内被去除， 并且层间树脂膜 27 在距划 线 SC 的距离 L2 范围内被去除。结果， 在第二实施例的液晶显示面板 11B 中， 与第一实施例 的液晶显示面板 11A。

47、 的情况类似， 可以减少微小亮点缺陷的发生。 0068 第二实施例的变型 0069 图 9A 是示出第二实施例的第一变型的截面图。在第二实施例的第一变型中， 钝化 膜 26 从第二实施例的液晶显示面板 11B 的如图 8 所示的阵列基板 AR 中被去除。因为在上 述的第二实施例的液晶显示面板 11B 中， 层间树脂膜 27 和低温无机绝缘膜 30 形成在薄膜 晶体管 TFT 的上面， 所以即使在去除钝化膜 26 时， 也没有对薄膜晶体管 TFT 施加坏的影响。 因此， 在第二实施例的液晶显示面板11B中， 钝化膜26可以以上述方式去除， 因此本发明也 可以应用于以如此更少的工艺制造的液晶显示面。

48、板的情况。 说 明 书 CN 102162945 A CN 102162946 A9/9 页 11 0070 图 9B 是示出第二实施例的第二变型的截面图。在第二实施例的第二变型中， 层间 树脂膜 27 从第二实施例的如图 8 所示的阵列基板 AR 被去除。即使在层叠于子像素 16 上 的层间树脂膜 27 以这样的方式没有层叠在液晶注入口上时， 也可以减少微小亮点缺陷的 产生， 这是因为低温无机绝缘膜 30 对栅极绝缘膜 22 的粘合性高于低温无机绝缘膜 30 对层 间树脂膜 27 的粘合性。 0071 应当注意的是， 在上述实施例的液晶显示面板的每一个中， 相对于上电极用作公 共电极且下电极。

49、用作像素电极的情况进行了描述。然而， 本发明也可以应用于上电极用作 像素电极且下电极用作公共电极的情况。 另外， 尽管在上述实施例的每一个中， 层间树脂膜 平坦化薄膜晶体管等的不规则之处， 并且低温无机绝缘膜是设置在下电极和上电极之间的 绝缘膜， 但是对于这些应用， 本发明并不意味着限于层间树脂膜和低温无机绝缘膜， 因此本 发明可以应用于具有在完成树脂膜的形成后以低温形成的低温树脂膜的液晶显示面板。 0072 本 申 请 包 含 2010 年 2 月 22 日 提 交 日 本 专 利 局 的 日 本 优 先 权 专 利 申 请 JP2010-035758 中公开的相关主题， 其全部内容通过引用结合于此。 0073 本领域的技术人员应当理解的是， 在权利要求或其等同方案的范围内， 根据设计 需要和其他因素， 可以进行各种修改、 结合、 部分结合和替换。 说 明 书 CN 102162945 A CN 102162946 A1/10 页 12 图 1 说 明。