《电容式触控面板.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电容式触控面板.pdf(6页完整版)》请在专利查询网上搜索。
1、(10)申请公布号 CN 102243556 A (43)申请公布日 2011.11.16 CN 102243556 A *CN102243556A* (21)申请号 201110158725.X (22)申请日 2011.06.14 G06F 3/044(2006.01) (71)申请人 华映视讯 (吴江) 有限公司 地址 215217 江苏省苏州市吴江经济开发区 同里分区江兴东路 88 号 申请人 中华映管股份有限公司 (72)发明人 苏圣中 蔡乙诚 (74)专利代理机构 上海汉声知识产权代理有限 公司 31236 代理人 胡晶 (54) 发明名称 电容式触控面板 (57) 摘要 一种电容。
2、式触控面板, 包含 : 复数侦测单元、 处理模组以及走线区域。 复数侦测单元, 分布于显 示区域中, 用以侦测电容变化以产生侦测结果。 处 理模组用以根据侦测结果判断触控位置。走线区 域位于显示区域周边, 包含 : 复数走线以及复数 中空间隔。 走线用以连接侦测单元以及处理模组, 以使处理模组自走线接收等侦测单元侦测的侦测 结果, 各走线包含形成于其上的绝缘层以及保护 层。中空间隔形成于每二走线间。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 1 页 CN 102243562 A1/1 页 2 1. 一种电容式触。
3、控面板, 其特征在于, 包含 : 复数侦测单元, 分布于一显示区域中, 用以侦测一电容变化以产生一侦测结果 ; 一处理模组, 用以根据该侦测结果判断一触控位置 ; 以及 一走线区域, 位于该显示区域周边, 包含 : 复数走线, 用以连接该等侦测单元以及该处理模组, 以使该处理模组自该等走线接收 该等侦测单元侦测的该侦测结果, 各该等走线包含形成于其上的一绝缘层以及一保护层 ; 以及 复数中空间隔, 形成于每二该等走线间。 2. 如权利要求 1 所述的电容式触控面板, 其特征在于, 该等中空间隔是藉由蚀刻该绝 缘层以及该保护层形成。 3. 如权利要求 1 所述的电容式触控面板, 其特征在于, 该。
4、中空间隔的一介电系数接近 1。 4. 如权利要求 1 所述的电容式触控面板, 其特征在于, 该绝缘层以及该保护层是包覆 该等走线。 5. 如权利要求 1 所述的电容式触控面板, 其特征在于, 该等走线延伸至该显示区域。 6. 如权利要求 5 所述的电容式触控面板, 其特征在于, 该绝缘层延伸至该显示区域, 并 包含以置于该等走线延伸至该显示区域的部份以及该等侦测单元间。 7. 如权利要求 5 所述的电容式触控面板, 其特征在于, 该保护层延伸至该显示区域, 以 提供该等走线延伸至该显示区域的部份一保护作用。 8. 如权利要求 1 所述的电容式触控面板, 其特征在于, 该处理模组是形成于一软性电。
5、 路板上。 9. 如权利要求 1 所述的电容式触控面板, 其特征在于, 该绝缘层的材质为一硅氮化物 或一硅氧化物。 10. 如权利要求 1 所述的电容式触控面板, 其特征在于, 该等走线的材质为金属。 权 利 要 求 书 CN 102243556 A CN 102243562 A1/3 页 3 电容式触控面板 技术领域 0001 本揭示内容是有关于一种面板, 且特别是有关于一种电容式触控面板。 背景技术 0002 触控面板在近年来触控式电子装置如手机、 平板计算机广受欢迎的潮流下, 成为 当红的科技之一。其中, 电容式的触控面板可藉由形成于显示面板中的传感器感测面板上 因触压产生的电容变化造成。
6、的电压降, 进而由处理芯片计算出触控的位置所在。然而这些 传感器需要藉由许多走线来传递感测的结果至处理芯片以进行计算。 这些走线常由于在触 控面板制程中, 会于其整体上方披覆保护结构, 而产生走线与走线间的跨线电容效应。 跨线 电容的产生将会对感测结果的传递产生极大的影响, 进一步使处理芯片无法依据正确的感 测结果计算而影响侦测的灵敏度。 0003 因此, 如何设计一个新的电容式触控面板, 以避免跨线间的电容效应影响侦测结 果, 提升灵敏度, 乃为此一业界亟待解决的问题。 发明内容 0004 因此, 本揭示内容的一态样是在提供一种电容式触控面板, 包含 : 复数侦测单元、 处理模组以及走线区域。
7、。 复数侦测单元, 分布于显示区域中, 用以侦测电容变化以产生侦测 结果。处理模组用以根据侦测结果判断触控位置。走线区域位于显示区域周边, 包含 : 复数 走线以及复数中空间隔。走线用以连接侦测单元以及处理模组, 以使处理模组自走线接收 等侦测单元侦测的侦测结果, 各走线包含形成于其上的绝缘层以及保护层。中空间隔形成 于每二走线间。 0005 依据本揭示内容一实施例, 中空间隔是藉由蚀刻绝缘层以及保护层形成。 0006 依据本揭示内容另一实施例, 其中该空间隔的介电系数接近 1。 0007 依据本揭示内容又一实施例, 其中绝缘层以及保护层是包覆走线。 0008 依据本揭示内容再一实施例, 其中。
8、走线延伸至显示区域。 绝缘层延伸至显示区域, 以提供走线延伸至显示区域的部份以及侦测单元间一绝缘作用。保护层延伸至显示区域, 以提供走线延伸至显示区域的部份一保护作用。 0009 依据本揭示内容更具有的一实施例, 其中处理模组是形成于软性电路板上。 0010 依据本揭示内容再具有的一实施例, 绝缘层的材质为硅氮化物或硅氧化物。走线 的材质为金属。 0011 应用本揭示内容的优点是在于藉由走线间的中空间隔, 大幅降低走线间所产生的 跨线电容效应, 可有效降低整体走线的容阻值, 提高电容式触控面板的灵敏度以及线宽设 计的弹性, 而轻易地达到上述的目的。 附图说明 0012 为让本揭示内容的上述和其。
9、它目的、 特征、 优点与实施例能更明显易懂, 所附图式 说 明 书 CN 102243556 A CN 102243562 A2/3 页 4 的说明如下 : 图 1 为本揭示内容的一实施例中的一电容式触控面板的俯视图 ; 图 2 为本揭示内容一实施例中, 图 1 所绘示的走线区域其中二走线沿线段 A-A 的剖面 图 ; 以及 图 3 为本揭示内容又一实施例中, 图 1 所绘示的走线区域其中二走线沿线段 A-A 的剖 面图。 具体实施方式 0013 请参照图 1。图 1 为本揭示内容的一实施例中的一电容式触控面板 1 的俯视图。 电容式触控面板 1 包含 : 复数侦测单元 10、 处理模组 12。
10、 以及走线区域 14。 0014 侦测单元 10 分布于显示区域 100 中。显示区域 100 即为电容式触控面板 1 中具 有像素电极 (未绘示) 以产生显示画面予使用者观看的区域。 于不同实施例中, 显示区域100 可由驱动电路 (未绘示) 或是其它方式将数据传送至显示区域 100 的像素电极以进行显示。 0015 于一实施例中, 侦测单元10可为如图1所示的菱形状侦测垫以纵向与横向交错设 置于显示区域 100 中。于其它实施例中, 亦可由其它配置方式设置侦测单元 10。侦测单元 10 于一实施例中可由导电玻璃形成, 并用以侦测此显示区域 100 中, 由于使用者的触控输 入造成的电容变化。
11、以产生侦测结果。处理模组 12 可进一步根据侦测单元 10 的侦测结果来 判断上述触控输入的触控位置。于一实施例中, 处理模组 12 是电性连接于软性电路板 (未 绘示) 上。 0016 走线区域 14 位于显示区域 100 周边, 包含复数走线 140 以及复数中空间隔 142。 请同时参照图2。 图2为本揭示内容一实施例中, 图1所绘示的走线区域14其中二走线140 沿线段 A-A 的剖面图。走线 140 用以连接侦测单元 10 以及处理模组 12。于一实施例中, 走线 140 本身的材质可为利于信号传导的金属, 连接至处理模组 12 所位于的软性电路板 上的接脚, 并进一步藉由软性电路板。
12、与处理模组12产生电性连接, 以使处理模组12自走线 140 接收等侦测单元 10 所产生的侦测结果。于一实施例中, 上述的电容变化可造成一电压 降信号形式的侦测结果, 以使此电压降信号经由走线 140 传递至处理模组 12。于其它实施 例中, 电容变化亦可能产生其它形式的信号以经由走线 140 传递至处理模组 12。 0017 走线 140 可进一步包含形成于其上的绝缘层 20 以及保护层 22。其中, 绝缘层 20 的材质于不同的实施例中可为硅氮化物 (如 SiNx) 、 硅氧化物 (如 SiOx) 或其它介电材质。 0018 中空间隔 142 形成于每二走线 140 间。如图 2 所示,。
13、 在两条走线 140 中间形成有 中空间隔 142。于一实施例中, 走线 140、 绝缘层 20 以及保护层 22 是延伸至显示区域 100 中。走线 140 与侦测单元 10 进行电性连接以接收侦测结果并传递至处理模组 12。绝缘层 20 延伸至显示区域 100 的部份提供走线 140 延伸至显示区域 100 的部份及侦测单元 10 间 的绝缘, 并于其上形成连接孔 (未绘示) , 使侦测单元 10 及走线 140 仅藉由连接孔连接。而 保护层 22 延伸至显示区域 100 则形成于绝缘层 20 上方以提供整体结构一个保护作用。一 实施例中, 显示区域 100 以及走线区域 14 的绝缘层 。
14、20 是一起形成的, 且显示区域 100 与走 线区域 14 内的保护层 22 是一起形成。 0019 举例来说, 电容式触控面板 1 的上述结构可由四道光罩制程, 以形成第一层的金 属走线 140、 第二层的绝缘层 20、 仅于显示区域 100 中的第三层侦测单元 10 以及第四层保 说 明 书 CN 102243556 A CN 102243562 A3/3 页 5 护层 22。在上述四层结构完成后, 可再对走线区域 14 进行一蚀刻制程, 以将各走线 140 间 的部份挖空, 以形成上述中空间隔 142 的结构。 0020 走线 140 间的跨线电容可由下列式子表示 : 其中 C 为跨线。
15、电容, 为介电常数, d 为走线间距, A 则为走线的面积。当未进行对绝缘 层 20 以及保护层 22 的蚀刻时, 走线 140 间的介质为绝缘层 20 以及保护层 22 的物质。以 绝缘层 20 为例, 如其材质为硅氮化物, 则其介电常数约为 7。如为硅氧化物, 则其介电常 数约为 4。而形成中空间隔 142 后, 走线 140 间的介质即为空气。空气的介电常数接近 1。因此, 本揭示内容中, 走线 140 间的中空间隔 142 可使走线 140 的跨线电容大幅下降。 0021 走线140间跨线电容的大幅下降, 可进一步使整体走线140的时间常数 (亦即整体 走线的电容值 R 与电阻值 C 。
16、的乘积 RC) 下降。因此, 侦测单元 10 根据电容变化所产生的侦 测结果在经过走线140传递至处理模组12时, 其反应将较快, 且损耗较低, 信号衰竭的情形 可大为改善。 并且, 以往在为减少信号延迟效应或面积考虑而欲缩减走线宽度时, 常因走线 宽度变窄而提高走线电阻值, 进而影响时间常数, 而无法进行过多的缩减。 在跨线电容下降 的情形下, 走线140的阻值将可提高许多, 走线140的宽度将可大幅缩减而使得电容式触控 面板 1 的走线设计更具有弹性。 0022 请参照图 3。图 3 为本揭示内容又一实施例中, 图 1 所绘示的走线区域 14 其中二 走线 140 沿线段 A-A 的剖面图。
17、。于本实施例中, 绝缘层 20 及保护层 22 更进一步包覆走 线 140。本实施例中的结构, 可由控制蚀刻绝缘层 20 及保护层 22 的制程完成, 以在保留部 份走线 140 周边的绝缘层 20 及保护层 22 下, 蚀刻走线 140 间大部份的绝缘层 20 及保护层 22, 以使中空间隔 142 形成于走线 140 间。因此, 本实施例中的走线区域 14, 在藉由中空间 隔 142 达到上述降低跨线电容的功效时, 仍可藉由覆盖住走线 140 的少部份绝缘层 20 及保 护层 22 达到完整的保护效果。 0023 需注意的是, 上述关于电容式触控面板 1 的制程的叙述仅为其中的一可能的实施。
18、 态样, 于其它实施例中, 亦可采用其它形式的制程实现如图 2 所绘示的结构。 0024 应用本揭示内容的优点是在于藉由走线间的中空间隔, 大幅降低走线间所产生的 跨线电容效应, 可有效降低整体走线的容阻值, 提高电容式触控面板的灵敏度以及线宽设 计的弹性。 0025 虽然本揭示内容已以实施方式公开如上, 然其并非用以限定本揭示内容, 任何熟 习此技艺者, 在不脱离本揭示内容的精神和范围内, 当可作各种的更动与润饰, 因此本揭示 内容的保护范围当视前述的申请专利范围所界定者为准。 说 明 书 CN 102243556 A CN 102243562 A1/1 页 6 图 1 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 102243556 A 。