一种提高电解铜箔抗剥离强度的工艺.pdf

本发明属于一种提高电解铜箔抗剥离强度的工艺，包括以下步骤：①溶液制备，分别取KBE-903和KBM-703，加入到水中，常温搅拌1.5~3.5小时，所得溶液中KBE-903的浓度为2－4g/l，KBM-703的浓度为0.5－1.5g/l；②表面处理：将步骤①制备得到的溶液均匀喷淋在铜箔表面，并用吹风机吹干。铜箔处理层表面的羟基与完成水解的KBE-903、KBM-703发生缩合反应形成化学键，提高了基膜（PI薄膜）与铜箔的抗剥离强度值；并且通过KBE-903、KBM-703形成复合溶液，进一步提升了铜箔的抗剥离强度。

权利要求书
1.  一种提高电解铜箔抗剥离强度的工艺，其特征在于，包括以下步骤：
①溶液制备：分别将3-氨基丙基三乙氧基硅烷和γ-氯丙基三乙氧基硅烷加入到水中，常温搅拌1.5~3.5小时，所得溶液中3-氨基丙基三乙氧基硅烷的浓度为2－4g/l，γ-氯丙基三乙氧基硅烷的浓度为0.5－1.5g/l；②表面处理：将步骤①制备得到的溶液均匀喷淋在铜箔表面，并用吹风机吹干。

说明书一种提高电解铜箔抗剥离强度的工艺
技术领域
本发明属于电解铜箔表面处理技术领域，具体涉及一种提高电解铜箔抗剥离强度的工艺。
背景技术
目前，由于电子产品的飞速发展，对电解铜箔的材料性能有了更高的要求，而作为电解铜箔基本性能之一的抗剥离强度的高低，直接影响到产品的质量及生产工艺的稳定性。在铜箔实际生产过程中，添加剂、电解工艺参数、铜箔表观缺陷、溶液进液流量、硅烷偶联剂等诸多因素，都在不同程度上影响到铜箔的抗剥离强度。本发明工艺主要是采用一种混合硅烷偶联剂，优化其配比及浓度，达到下游客户以聚酰亚胺薄膜（PI薄膜）作为绝缘基膜材料时，可以提高基膜与铜箔的抗剥离强度。
发明内容
本发明的目的是提供一种可以提高电解铜箔抗剥离强度的工艺。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是，一种提高电解铜箔抗剥离强度的工艺，包括以下步骤：①溶液制备，分别取KBE-903和KBM-703，加入到水中，常温搅拌1.5~3.5小时，所得溶液中KBE-903的浓度为2－4g/l，KBM-703的浓度为0.5－1.5g/l；②表面处理：将步骤①制备得到的溶液均匀喷淋在铜箔表面，并用吹风机吹干。
 KBE-903的化学名称：3-氨基丙基三乙氧基硅烷（NH2(CH2)3Si(OC2H5)3）；KBM-703的化学名称：γ-氯丙基三乙氧基硅烷（Cl(CH2)3Si(OC2H5)3）。
 本发明产生的有益效果是，铜箔处理层表面的羟基与完成水解的KBE-903、KBM-703发生缩合反应形成化学键，提高了基膜（PI薄膜）与铜箔的抗剥离强度值；并且通过KBE-903、KBM-703形成复合溶液，进一步提升了铜箔的抗剥离强度。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明，但本发明的保护范围不限于此。
实施例1
一种提高电解铜箔抗剥离强度的工艺，包括以下步骤：①溶液制备，分别取KBE-903和KBM-703，加入到水中，常温搅拌3个小时，所得溶液中KBE-903的浓度为2g/l，KBM-703的浓度为0.5g/l；②表面处理：将步骤①制备得到的溶液均匀喷淋在铜箔表面，并用吹风机吹干。
对比试验1：取KBE-903，加入到水中，常温搅拌三个小时，所得溶液中KBE-903的浓度为2.5 g/l，制备得到的溶液均匀喷淋在铜箔表面，并用吹风机吹干。
实施例2
一种提高电解铜箔抗剥离强度的工艺，包括以下步骤：①溶液制备，分别取KBE-903和KBM-703，加入到水中，常温搅拌1.5小时，所得溶液中KBE-903的浓度为2.6g/l，KBM-703的浓度为1.31g/l；②表面处理：将步骤①制备得到的溶液均匀喷淋在铜箔表面，并用吹风机吹干。
对比试验2：取KBE-903，加入到水中，常温搅拌三个小时，所得溶液中KBE-903的浓度为3.91g/l，制备得到的溶液均匀喷淋在铜箔表面，并用吹风机吹干。
 实施例3
一种提高电解铜箔抗剥离强度的工艺，包括以下步骤：①溶液制备，分别取KBE-903和KBM-703，加入到水中，常温搅拌3.5小时，所得溶液中KBE-903的浓度为4g/l，KBM-703的浓度为1.5g/l；②表面处理：将步骤①制备得到的溶液均匀喷淋在铜箔表面，并用吹风机吹干。
对比试验3：取KBE-903，加入到水中，常温搅拌三个小时，所得溶液中KBE-903的浓度为5.5g/l，制备得到的溶液均匀喷淋在铜箔表面，并用吹风机吹干。
将实施例1－3及对比试验1－3分别用PI薄膜基材与12μm厚的 A4纸大小的电解铜箔压板，测试抗剥结果（常温抗剥离是将PI薄膜基材与电解铜箔压板后在常温下保持48小时后进行测试，高温抗剥离是将PI薄膜基材与电解铜箔压板后在180℃下保持48小时后进行测试）如表1：
表1

 本发明经过KBE-903和KBM-703混合硅烷偶联剂表面处理后，使铜箔与PI薄膜基材结合时，抗剥离强度均比目前单独使用的KBE-903硅烷有了一定程度上的提高。同时，该工艺操作简单，易于实现工业化。