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剥离涂层组合物，包含可固化的聚硅氧烷和具有大于一个SiO4/2单元的气溶胶抑制剂。该气溶胶抑制剂包括在聚合催化剂存在下，硅氧烷和环状聚硅氧烷的聚合产物。该硅氧烷具有化学式(SiO4/2)(RaRb2SiO1/2)x的单元，其中Ra是乙烯基部分，Rb是烷基部分，和x的数值为1.05-4。通过结合气溶胶抑制剂和可固化的聚硅氧烷，形成剥离涂层组合物。在剥离涂布工艺中，该剥离涂层组合物还用于涂布基底，当在约457m/min下测量时，它产生小于50mg/m3的烟雾。

1.  一种剥离涂层组合物，它包含：
A.具有大于一个SiO_4/2单元且包括下述物质的聚合产物的气溶胶抑制剂：
(1)含化学式(SiO_4/2)(R^aR^b₂SiO_1/2)_x的单元的硅氧烷
其中R^a选自具有1-6个碳原子的烷基部分，具有2-6个碳原子的链烯基部分，和具有2-6个碳原子的炔基部分，R^b选自具有2-6个碳原子的烷基部分，芳基部分，烷氧基部分，丙烯酸酯部分，和甲基丙烯酸酯部分，和x的数值为1.05-4，和
(2)环状聚硅氧烷，
其中所述硅氧烷和所述环状聚硅氧烷在聚合催化剂存在下聚合；和
B.可固化的聚硅氧烷。

2.  权利要求1的组合物，其中所述聚合催化剂选自强酸催化剂、强碱催化剂、及其组合。

3.  权利要求2的组合物，其中所述强酸催化剂进一步定义为三氟甲磺酸。

4.  权利要求2的组合物，其中所述强碱催化剂进一步定义为膦腈碱催化剂。

5.  权利要求1的组合物，其中所述气溶胶抑制剂具有1.05-4个SiO_4/2单元。

6.  权利要求5的组合物，其中所述气溶胶抑制剂具有2-4个SiO_4/2单元。

7.  权利要求1的组合物，其中所述气溶胶抑制剂进一步含有键合到所述大于一个SiO_4/2单元的每一个上的至少一个R^b₂SiO_2/2单元。

8.  权利要求7的组合物，其中所述气溶胶抑制剂具有键合到所述大于一个SiO_4/2单元的每一个上的(CH₃)₂SiO_2/2单元的四个嵌段。

9.  权利要求7的组合物，其中所述气溶胶抑制剂具有1000-5000个(CH₃)₂SiO_2/2单元。

10.  权利要求1的组合物，其中所述气溶胶抑制剂具有8个R^aR^b₂SiO_1/2单元。

11.  权利要求1的组合物，其中所述气溶胶抑制剂的聚合度为1000-4000。

12.  权利要求1的组合物，其中所述气溶胶抑制剂的存在量为1-5重量份/100重量份所述组合物。

13.  权利要求1的组合物，其中所述硅氧烷与所述环状聚硅氧烷以0.2∶99.8-4∶96的重量比聚合。

14.  权利要求1的组合物，当将其以约457m/min施加到基底上时，产生小于50mg/m³的烟雾。

15.  权利要求1的组合物，其中所述气溶胶抑制剂具有4个SiO_4/2单元，360-1600个键合到所述4个SiO_4/2单元的每一个上的(CH₃)₂SiO_2/2单元，8个末端键合到4个所述(CH₃)₂SiO_2/2单元上的(CH₃)₂(CH₂CH)SiO_1/2单元，且存在量为1-5重量份/100重量份所述组合物，和其中R^a是乙烯基部分，R^b是甲基部分，所述硅氧烷与所述环状聚硅氧烷以0.2∶99.8-4∶96的重量比聚合，所述环状聚硅氧烷选自十甲基环五硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、及其组合，所述聚合催化剂是具有下述化学式的膦腈碱催化剂：
((R^c₂N)₃P＝N)_t(R^c₂N)_3-tP＝NR^d
其中R^c和R^d中的每一个独立地选自氢原子、烃、及其组合，和t的数值为1-3；和当将所述组合物以约457m/min施加到基底上时，产生小于50mg/m³的烟雾。

16.  一种形成剥离涂层组合物的方法，所述方法包括下述步骤：
A.在聚合催化剂存在下，聚合具有化学式(SiO_4/2)(R^aR^b₂SiO_1/2)_x的单元的硅氧烷与环状聚硅氧烷，形成具有大于一个SiO_4/2单元的气溶胶抑制剂，其中R^a选自具有1-6个碳原子的烷基部分，具有2-6个碳原子的链烯基部分，和具有2-6个碳原子的炔基部分，R^b选自具有1-6个碳原子的烷基部分，芳基部分，烷氧基部分，丙烯酸酯部分，和甲基丙烯酸酯部分，和x的数值为1.05-4；和
B.结合该气溶胶抑制剂和可固化的聚硅氧烷，形成剥离涂层组合物。

17.  权利要求16的方法，其中聚合催化剂选自强酸催化剂、强碱催化剂、及其组合。

18.  权利要求16的方法，其中聚合催化剂进一步定义为膦腈碱催化剂。

19.  权利要求16的方法，其中气溶胶抑制剂具有1.05-4个SiO_4/2单元。

20.  权利要求16的方法，其中当将所述组合物以约457m/min施加到基底上时，产生小于50mg/m³的烟雾。

21.  一种在剥离涂布工艺中涂布基底的方法，所述方法包括下述步骤：
A.在聚合催化剂存在下，聚合具有化学式(SiO_4/2)(R^aR^b₂SiO_1/2)_x的单元的硅氧烷与环状聚硅氧烷，形成具有大于一个SiO_4/2单元的气溶胶抑制剂，其中R^a选自具有1-6个碳原子的烷基部分，具有2-6个碳原子的链烯基部分，和具有2-6个碳原子的炔基部分，R^b选自具有1-6个碳原子的烷基部分，芳基部分，烷氧基部分，丙烯酸酯部分，和甲基丙烯酸酯部分，和x的数值为1.05-4；和
B.结合该气溶胶抑制剂和可固化的聚硅氧烷，形成剥离涂层组合物；和
C.在剥离涂布工艺中，施加该剥离涂层组合物到基底上。

22.  权利要求21的方法，其中聚合催化剂选自强酸催化剂、强碱催化剂、及其组合。

23.  权利要求21的方法，其中聚合催化剂进一步定义为膦腈碱催化剂。

24.  权利要求21的方法，其中气溶胶抑制剂具有1.05-4个SiO_4/2单元。

25.  权利要求21的方法，其中当将所述组合物以约457m/min施加到基底上时，产生小于50mg/m³的烟雾。

剥离涂层组合物及其形成方法
发明领域
[0001]本发明涉及剥离涂层组合物及其形成方法。剥离涂层组合物包含气溶胶抑制剂和可固化的聚硅氧烷。本发明还涉及用剥离涂层组合物涂布基底的方法。
相关现有技术的说明
[0002]含硅氧烷的剥离涂层组合物是本领域众所周知的且用于广泛的各种应用，例如单面和双面衬层上。单面衬层的实例包括用于压敏粘合剂标签的衬层纸，它典型地要求要求临时保留且没有降低粘合性。双面衬层的实例包括用于转移胶带和粘合膜的隔离纸。这些双面衬层给胶带和膜提供保护并确保它们所需的解卷特征。
[0003]在高速剥离涂布工艺中，在约305m/min和以上的速度下，可将剥离涂层组合物施加到基底，例如单面和双面衬层上。当施加到这些基底上时，剥离涂层组合物倾向于形成“烟雾”，所述烟雾包括在空气中微细地分散的组合物颗粒。这些烟雾不仅浪费，且产生涂布生产设施中的机器和地板的损害。
[0004]可通过各种合成方法，形成剥离涂层组合物。这些方法典型地产率低，成本过高，且当在高速剥离涂布工艺中使用时，无法产生烟雾倾向下降的剥离涂层组合物。
[0005]因此，在高速剥离涂布工艺中，仍存在提供可在最小烟雾的情况下施加到基底上的剥离涂层组合物的机会。还存在开发形成剥离涂层组合物和施加该剥离涂层组合物到基底上的机会。
发明概述和优点
[0006]本发明提供含气溶胶抑制剂和可固化聚硅氧烷的剥离涂层组合物，其中气溶胶抑制剂具有通过在聚合催化剂存在下由硅氧烷和环状聚硅氧烷的聚合产物而产生的大于一个SiO_4/2单元。
[0007]本发明还提供形成剥离涂层组合物的方法，其中该方法包括结合气溶胶抑制剂和可固化的聚硅氧烷，形成剥离涂层组合物。本发明进一步提供在剥离涂布工艺中，涂布基底的方法，其中该方法包括施加剥离涂层组合物到基底上。
[0008]以成本有效的方式形成本发明的剥离涂层组合物并在降低烟雾的情况下施加到各种基底上。当在高速剥离涂布工艺中使用时，气溶胶抑制剂将最小化剥离涂层组合物的雾化，从而降低废物和损害。具体地，认为，气溶胶抑制剂中的大于一个SiO_4/2单元有助于这一烟雾降低效果。另外，通过在聚合催化剂存在下聚合硅氧烷和环状聚硅氧烷，有效地形成气溶胶抑制剂。这一催化剂有效地直接掺入SiO_4/2单元到宽的硅氧烷基底内，从而产生气溶胶抑制剂。
发明详述
[0009]本发明提供剥离涂层组合物，下文简称为“组合物”。该组合物包含气溶胶抑制剂和可固化的聚硅氧烷。在不打算束缚于理论的情况下，认为气溶胶抑制剂降低组合物起雾，即在空气中雾化并形成微细分散颗粒的倾向。当组合物施加到基底上时，测量组合物起雾的倾向。
[0010]气溶胶抑制剂具有大于一个SiO_4/2单元(Q单元)且可具有大于1的任何整数或分数个SiO_4/2单元。在一个实施方案中，气溶胶抑制剂具有1.05-4个SiO_4/2单元。或者，气溶胶抑制剂可具有至少两个SiO_4/2单元，或者可具有2-4个SiO_4/2单元。仅仅为了说明的目的，以下示出了SiO_4/2单元的化学结构：

[0011]气溶胶抑制剂也可包括R^b₂SiO_2/2单元(D单元)。R^b可以独立地选自具有1-6个碳原子的烷基部分，芳基部分，烷氧基部分，丙烯酸酯部分，和甲基丙烯酸酯部分。烷基部分可包括但不限于甲基部分，乙基部分，丙基部分，异丙基部分，丁基部分，异丁基部分，及其组合。典型地，R^b是甲基部分。仅仅为了说明的目的，以下示出了R^b₂SiO_2/2单元的化学结构：

[0012]气溶胶抑制剂可包括键合到大于一个SiO_4/2单元中的每一个上的至少一个R^b₂SiO_2/2单元。或者，气溶胶抑制剂具有键合到大于一个SiO_4/2单元中的每一个上的4个(CH₃)₂SiO_2/2单元的嵌段。(CH₃)₂SiO_2/2单元的嵌段可包括20-400个单独的(CH₃)₂SiO_2/2单元，但不限于这一范围。在一个实施方案中，气溶胶抑制剂具有键合到大于一个SiO_4/2单元中的每一个上的120-500个(CH₃)₂SiO_2/2单元的嵌段。典型地，气溶胶抑制剂具有4个SiO_4/2单元和键合到这4个SiO_4/2单元中的每一个上的120-500个(CH₃)₂SiO_2/2单元的嵌段，以致该气溶胶抑制剂具有总计1000-5000个(CH₃)₂SiO_2/2单元。仅仅为了说明的目的，以下示出了键合到SiO_4/2单元上的(CH₃)₂SiO_2/2单元的链的化学结构，其中n的数值为20-400：

[0013]气溶胶抑制剂包括R^aR^b₂SiO_1/2单元(M单元)。R^b与以上所述的R^b相同。R^a优选选自具有1-6个碳原子的烷基部分，具有2-6个碳原子的链烯基部分，和具有2-6个碳原子的炔基部分。典型地，R^a包括乙烯基部分。仅仅为了说明的目的，以下示出了R^aR^b₂SiO_1/2单元的化学结构：

[0014]典型地，气溶胶抑制剂包括键合到至少一个R^b₂SiO_2/2单元中的每一个上的R^aR^b₂SiO_1/2单元，从而用官能化端基封端气溶胶抑制剂。以下示出了这一结构的代表性化学结构：

[0015]气溶胶抑制剂典型地具有4个SiO_4/2单元和键合到这4个SiO_4/2单元中的每一个上的120-500个(CH₃)₂SiO_2/2单元，以致气溶胶抑制剂具有总计1000-5000个(CH₃)₂SiO_2/2单元。这一气溶胶抑制剂还优选具有8个R^aR^b₂SiO_1/2单元，即末端键合到8个末端(CH₃)₂SiO_2/2单元中的每一个上的单一R^aR^b₂SiO_1/2单元，从而用官能化端基封端气溶胶抑制剂。仅仅为了说明的目的，以下示出了这一特定优选气溶胶抑制剂的化学结构：

其中n的数值为20-400。
[0016]气溶胶抑制剂在25℃下的粘度为4500-1,250,000，或者10,000-600,000，或者30,000-120,000MPa·s(cP)。粘度至少部分取决于气溶胶抑制剂的尺寸和结构。正因为如此，认为气溶胶抑制剂不限于特定的粘度。然而，在一个实施方案中，气溶胶抑制剂是在25℃下粘度大于1,250,000MPa·s(cP)的胶料。
[0017]气溶胶抑制剂还优选聚合度为1000-6000，或者1000-4000。在一个实施方案中，气溶胶抑制剂的聚合度大于1000。在另一实施方案中，气溶胶抑制剂的聚合度为至少2000。在再一实施方案中，气溶胶抑制剂的聚合度为约4000。聚合度是在聚合物链内重复子单元数目的量度。
[0018]以每100重量份组合物计，气溶胶抑制剂的存在量为1-10，或者1-5，或者1-4重量份。然而，认为若气溶胶抑制剂在25℃下的粘度小于4500或者小于1000MPa·s(cP)，则气溶胶抑制剂的使用量可以是组合物重量的最多100％。气溶胶抑制剂包括具有以上定义的式(SiO_4/2)(R^aR^b₂SiO_1/2)_x的单元的硅氧烷和以下所述的环状聚硅氧烷的聚合产物。优选以0.2∶99.8-4∶96，或者0.5∶99.5-2∶98，或者0.6∶99.4-1.2∶98.8的重量比，聚合硅氧烷与环状聚硅氧烷。
[0019]硅氧烷含有式(SiO_4/2)(R^aR^b₂SiO_1/2)_x的单元，其中R^a和R^b如上所述，和x的数值为1.05-4，或者1.2-4。仅仅为了说明的目的，硅氧烷优选具有以下所示的含两个(SiO_4/2)(R^aR^b₂SiO_1/2)_x单元的下述化学结构，其中x为2：

硅氧烷的重均分子量为246-2000g/mol。硅氧烷还优选在25℃下的粘度为20-50MPa·s(cP)。
[0020]可例如通过使约1mol(C₂H₅O)₄Si与约1mol((CH₂CH)(CH₃)₂Si)₂O和约0.0005mol三氟甲磺酸反应，形成该硅氧烷。也可在形成硅氧烷中使用化学计量过量的水。形成硅氧烷不限于前述试剂，且可通过任何合适的反应和采用本领域已知的任何合适的试剂，例如通过美国专利No.6147243中列出的方法形成，在此通过参考引入。
[0021]生产气溶胶抑制剂中所使用的环状聚硅氧烷典型地包括双官能的甲硅烷氧基单元。在一个实施方案中，环状聚硅氧烷中的双官能甲硅烷氧基单元包括至少一个烷基部分。烷基部分的合适的非限定性实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基和异丁基。典型地，环状聚硅氧烷是双官能的且包括甲基部分。环状聚硅氧烷可包括3-10个R^a₂SiO_2/2单元(D单元)，其中R^a与以上所述的相同。环状聚硅氧烷可以是具有3-6个R^a₂SiO_2/2重复单元的二烷基硅氧烷环，其中每一R^a是甲基。环状聚硅氧烷选自环三硅氧烷、环四硅氧烷例如八甲基环四硅氧烷、环五硅氧烷例如十甲基环五硅氧烷、环六硅氧烷、及其组合。仅仅为了说明的目的，以下示出了十甲基环五硅氧烷和八甲基环四硅氧烷的化学结构：

十甲基环五硅氧烷

八甲基环四硅氧烷
环状聚硅氧烷的分子量典型地为100-750，或者150-500，或者275-375g/mol。环状聚硅氧烷以商品名Dow244 Fluid和Dow245 Fluid商购于Dow Corning Corporation ofMidland，MI。
[0022]为了形成气溶胶抑制剂，硅氧烷和环状聚硅氧烷在聚合催化剂存在下聚合。形成气溶胶抑制剂的反应类型是酸催化或者碱催化的反应，这取决于所选的特定催化剂。正因为如此，聚合催化剂可选自强酸催化剂，强碱催化剂，及其组合。强酸催化剂可以是三氟甲磺酸和类似物。聚合催化剂典型地为强碱催化剂。典型地，这一强碱催化剂是膦腈碱催化剂。膦腈碱催化剂可以是本领域已知的任何一种，但典型地具有下述化学式：
((R^c₂N)₃P＝N)_t(R^c₂N)_3-tP＝NR^d
其中R^c和R^d中的每一个独立地选自氢原子、烃、及其组合，和t的数值为1-3。若R^c是烃，则烃具有1-4个碳原子。每一R^c在每一位置上可以相同或不同，和两个R^c基可键合到相同氮(N)原子上并连接形成杂环，所述杂环优选具有5或6元环。若R^d是烃，则该烃具有1-20个碳原子，或者1-10个碳原子。
[0023]或者，膦腈碱催化剂可以是盐，且具有下述可供替代的化学式之一：
[((R^c₂N)₃P＝N)_t(R^c₂N)_3-tP＝N(H)R^d]⁺[A^-]；或
[((R^c₂N)₃P＝N)_s(R^c₂N)_4-sP]⁺[A^-]
其中R^c、R^d和t与以上所述的相同，且s是数值1-4。A是阴离子且选自氟离子、氢氧根、硅烷醇盐基团、烷醇盐基团、碳酸根和碳酸氢根。在一个实施方案中，膦腈碱是氢氧化氨基膦腈鎓。在0.1-100，或者1-50，或者5-20重量份膦腈碱催化剂/百万重量份组合物存在下，聚合硅氧烷和环状聚硅氧烷。
[0024]除了气溶胶抑制剂以外，组合物还包括可固化的聚硅氧烷，它可以是本领域已知的任何一种。典型地，可固化的聚硅氧烷的聚合度为50-500，或者100-300，或者约160。可固化聚硅氧烷可包括含一个或多个SiO_4/2单元，至少15个R^a₂SiO_2/2单元和至少一个R^aR^b₂SiO_1/2单元的支链硅氧烷。可固化的聚硅氧烷可以是在美国专利No.6806339中公开的那些，在此通过参考将其引入。在美国专利No.4609574中以聚二有机基硅氧烷形式和在WO03/093369中以有机基硅聚合物形式公开了可固化的聚硅氧烷的额外实例，在此通过参考将这两个专利引入。
[0025]可固化的聚硅氧烷可进一步包括交联剂，不同于膦腈碱催化剂的催化剂，抑制剂，剥离力改性剂，及其组合。交联剂可以是有机基氢聚硅氧烷交联剂，其存在量使得在可固化的聚硅氧烷内Si-H部分的总数与可固化聚硅氧烷内脂族不饱和烃部分之比为约0.9∶1-3∶1，或者1.1∶1-2.5∶1，或者1.2∶1-2∶1。典型地，交联剂包括至少三个Si-H部分且可具有下述化学式：
R^g₃SiO_1/2((CH₃)₂SiO_2/2)_i(R^g₂SiO_2/2)_j)SiO_1/2R^h₃
其中每一R^g可选自具有1-4个碳原子的烷基部分和氢原子，i是大于或等于0的数值，和j是使得i+j为8-100的数值。
[0026]可固化聚硅氧烷内的催化剂可包括第VIII族金属的络合物或化合物，例如铂、钌、铑、钯、锇和铱。典型的催化剂包括铂化合物和络合物，其中包括氯铂酸、乙酰丙酮酸铂，卤化亚铂与不饱和化合物例如乙烯、丙烯、有机基乙烯基硅氧烷和苯乙烯的络合物，六甲基二铂、PtCl₂、PtCl₃和Pt(CN)₃。或者，催化剂可以是铑的络合物，例如RhCl₃(Bu₂S)₃。
[0027]可固化聚硅氧烷内的抑制剂可包括烯键式和芳族不饱和酰胺，炔类化合物，烯键式不饱和异氰酸酯，烯属硅氧烷，不饱和烃二酯，共轭烯炔，氢过氧化物，亚硝酸盐和二氮丙啶，甲基丁炔醇，二甲基己炔醇，乙炔基环己醇，三甲基(3，5-二甲基-1-己炔-3-氧基)硅烷，马来酸酯，例如双(2-甲氧基-1-甲基乙基)马来酸酯，富马酸酯，例如富马酸二乙酯、含苄醇、1-辛醇和/或乙烯基环己基-1-醇的富马酸酯/醇混合物，及其组合。正如本领域所已知的，使用抑制剂来防止和/或减慢组合物在预定温度以下发生固化。要理解，在组合物中不要求抑制剂且在不存在抑制剂的情况下，组合物可在环境温度下固化。
[0028]可固化聚硅氧烷内的剥离力改性剂可包括链烯基化硅氧烷，链烯基化聚二有机基硅氧烷，一种或多种具有14-30个碳原子的伯烯烃，和/或一种或多种具有至少10个碳原子的支链烯烃。链烯基化硅氧烷可包括至少一个链烯基化的MQ树脂，其中M单元和Q单元以任何合适的比例存在。M单元可包括三烷基甲硅烷氧基和/或二烷基链烯基甲硅烷氧基部分。链烯基部分可以是环己烯基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基和/或己烯基部分。典型地，链烯基部分是乙烯基或己烯基部分。烷基部分可以是任何合适的烷基部分，但最优选甲基部分。链烯基化的聚二有机基硅氧烷典型地包括链烯基二烷基甲硅烷基封端的聚二有机基硅氧烷(它包括含具有1-6个碳原子的烷基部分和/或链烯基部分例如乙烯基或己烯基部分的D单元)。一种或多种伯烯烃可包括具有10-30个碳原子的任何伯烯烃，例如十四碳烯和十八碳烯。
[0029]作为剥离力改性剂的支化烯烃可具有下述化学式：

其中l是亚甲基部分的数量，和m是支化烷基部分的数量，以致l和m中每一个是0-20的数值，和l与m中每一个随机分布。另外，o、p和q可以是1-12的数值。典型地，在每一支化烯烃内的碳原子总数为至少20。典型地，可固化聚硅氧烷包括15-75重量份剥离力改性剂/100重量份可固化聚硅氧烷。
[0030]该组合物可进一步包含二烷基链烯基甲硅烷基封端的聚二有机基硅氧烷、反应性稀释剂、粘合促进剂、溶剂、香料、防腐剂、浴寿命延长剂，和填料，例如二氧化硅、石英和白垩。浴寿命延长剂的合适实例包括伯或仲醇，具有小于10个碳原子的脂族和芳族醇，例如甲醇、乙醇、丙醇苯酚和环己醇，羧酸，环醚，及其组合。
[0031]本发明还提供形成该组合物的方法。该方法包括结合气溶胶抑制剂和可固化的聚硅氧烷，形成组合物。
[0032]尽管可通过仅仅结合气溶胶抑制剂和可固化聚硅氧烷以及任何任选的组分，形成组合物，但更加理想的是，可在单独部分或包装内，即以套盒形式，制备组合物。在这一情况下，可在将组合物施加到基底上的时刻，结合气溶胶抑制剂、可固化的聚硅氧烷和任何任选的组分。认为套盒可包括含气溶胶抑制剂的第一部分和含可固化聚硅氧烷的第二部分，其中任何或所有任选的组分包括在第一和/或第二部分内。
[0033]本发明进一步提供在剥离涂布工艺中涂布基底的方法。涂布基底的方法包括形成组合物，之后施加该组合物到基底上。合适的基底的实例包括纸张、金属、塑料、硬纸板、织物、膜、及其组合。膜可包括聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚苯乙烯、取向聚丙烯、双轴取向聚丙烯、及其组合。
[0034]典型地将组合物以超过305m/min的速度施加到基底上，但视需要，可由本领域的技术人员在较慢的速度下施加。可无溶剂地、在溶剂中或者作为水包油乳液的一部分，施加该组合物。典型地。该组合物基本上不含溶剂。术语“基本上不含”包括在该方法中的溶剂用量小于组合物重量的0.5％。
[0035]该组合物产生小于50，或者小于20，或者小于15，或者小于5mg/m³的烟雾，这在约457m/min下使用由Euclid Tool andMachines of Bay City，MI制造的实验室双辊涂布器和由TSICorporation，St.，Paul，MN制造的附属的Model 8520Aerosol Monitor仪器测定。由于烟雾的测量对环境变化敏感，因此测量烟雾的整个装置布置在实验室通风柜内，以最小化空气湍流对起雾测量的任何影响。将真空清洁器固定到每一辊表面上，以便一旦它通过测量点，则吹扫掉烟雾。为了获得一致的结果，顶部刀片和顶部辊之间的压力设定值优选分别保持在约70,000Pa和约345,000Pa下，和底部刀片优选用作刮刀，以调节暴露于顶部和底部辊下的组合物的量。
[0036]在产生烟雾之后，组合物的气载颗粒被导引到Aerosol Monitor中并分析。Monitor能测量在约31/min下在设定的样品时间内在空气样品内导引通过的气溶胶颗粒总数。在下述实施例中，通过测量30秒样品时间，测定烟雾。
实施例
[0037]形成一系列的气溶胶抑制剂(抑制剂1-6)。对于每一气溶胶1-6来说，在反应容器内在25℃下结合硅氧烷、环状聚硅氧烷和稀释剂，并形成混合物。然后，将膦腈碱催化剂加入到该混合物中，在25℃下彻底混合。然后使所得混合物达到约140-150℃的所需反应温度，并在该温度下混合，其时间足以使得形成的抑制剂1-6的粘度稳定。随后，一旦完成反应，则添加任选的络合剂，以抑制膦腈碱催化剂的活性并稳定抑制剂1-6。表1中列出了每一种反应物的化学类别和用量，其中所有量均以重量份计。此外，评价每一抑制剂1-6和硅氧烷本身，以测定％乙烯基浓度、粘度(cs)、重均分子量、多分散性、M与Q单元之比及SiO_4/2单元与二甲基硅氧烷单元的当量比。下表1中也列出了这些评价结果。
表1