含有稀土的铜合金材料.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 103361514 A (43)申请公布日 2013.10.23 CN 103361514 A *CN103361514A* (21)申请号 201210088319.5 (22)申请日 2012.03.30 C22C 9/10(2006.01) (71)申请人江苏迅达电磁线有限公司地址 225800 江苏省扬州市宝应县安宜镇南塘大街 36 号 (72)发明人周志云董绍祥封心波 (74)专利代理机构北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人奚衡宝 (54) 发明名称含有稀土的铜合金材料 (57) 摘要本发明涉及一种制造集成电路封装用的含有。

2、稀土的铜合金材料。包括以下组分：且各组分的重量比为：硅 0.8-3%、钒 0.08-2%、锆 0.02-0.1%、稀土元素 0.01-0.3%、铬 0.008-0.02%、其余为铜。本发明的优点是：采用上述技术方案后，经检测具有以下性能指标：室温力学性能： b 350MPa， 0.2 260MPa， 5 8% ； 350力学性能： b275MPa， 0.2240MPa， 510% ； 20电学性能：为 (30.1)cm。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页说明书 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请权利。

3、要求书1页说明书2页 (10)申请公布号 CN 103361514 A CN 103361514 A *CN103361514A* 1/1 页 2 1. 含有稀土的铜合金材料，其特征在于，包括以下组分：且各组分的重量比为：硅 0.8-3%、钒 0.08-2%、锆 0.02-0.1%、稀土元素 0.01-0.3%、铬 0.008-0.02%、其余为铜。 2. 根据权利要求 1 所述的含有稀土的铜合金材料，其特征在于，包括以下组分：且各组分的重量比为：硅 1-2%、钒 0.2-0.8%、锆 0.06-0.08%、稀土元素 0.05-0.2%、铬 0.01。

4、-0.016%、其余为铜。 3. 根据权利要求 1 所述的含有稀土的铜合金材料，其特征在于，所述稀土元素为镧系中各元素、锕系中各元素、钪元素中的多种的组合。 4. 根据权利要求 3 所述的含有稀土的铜合金材料，其特征在于，所述稀土元素包括镧元素和铈元素，其重量比为：镧元素：铈元素 =1:2-3。权利要求书 CN 103361514 A 2 1/2 页 3 含有稀土的铜合金材料技术领域 0001 本发明涉及一种制造集成电路封装用的含有稀土的铜合金材料，属于材料科学技术领域。背景技术 0002 电子信息产业是当代世界技术最先进、同时也是技术更新换代最。

5、快的一个产业。随着大规模集成电路、物联网、云计算、移动通信、 LED 光源等产业的不断发展和兴起，高性能铜合金异形带的研究与开发将显得越来越重要，项目产品是上述行业集成电路封装的关键部件，目前，我国大部分依赖进口，项目的实施不仅满足了我国电子信息产业用高性能新型铜合金材料之急需，缓解了我国此类合金长期依赖进口的尴尬现状，同时取得具有独立自主知识产权的目标产品，为取代进口和填补我国高性能铜合金材料的空白做出新的贡献，对我国的电子信息产业快速发展和打入国际市场将起到较大的推动作用。 0003 目前世界各国采用的集成电路引线框架材料以铜铁磷系合金为主，各国采用的。

6、工艺方法有所不同，以日本电线公司为代表，主要是通过系列孔型轧辊的连续轧制，得到异型断面的带材成品。以德国公司为代表，首先是以铣削法得到异型带毛坯，然后再用型辊轧制出成品。以法国 Griset 公司为代表，以高速锻造获得异型带毛坯，然后通过型辊轧制得到成品。而根据上述材料制得的铜合金材料性能在很多方面已经不能满座大规模或超大规模集成电路引线框架材料的性能要求。发明内容 0004 本发明针对上述缺陷，目的在于提供一种综合性能好的含有稀土的铜合金材料。 0005 为此本发明采用的技术方案是：本发明包括以下组分：且各组分的重量比为：硅 0.8-3%、钒 0。

7、.08-2%、锆 0.02-0.1%、稀土元素 0.01-0.3%、铬 0.008-0.02%、其余为铜。 0006 进一步的，本发明各组分的重量比为：硅 1-2%、钒 0.2-0.8%、锆 0.06-0.08%、稀土元素 0.05-0.2%、铬 0.01-0.016%、其余为铜。 0007 所述稀土元素为镧系中各元素、锕系中各元素、钪元素中的多种的组合。 0008 所述稀土元素包括镧元素和铈元素，其重量比为：镧元素：铈元素 =1:2-3。 0009 本发明的优点是：采用上述技术方案后，经检测具有以下性能指标：室温力学性能： b 350MP。

8、a 0.2 260MPa 5 8% ； 350力学性能： b 275MPa 0.2 240MPa 5 10% ； 20电学性能：为 (30.1)cm。具体实施方式 0010 实施例一：本发明包括以下组分：且各组分的重量比为：硅 0.8%、钒 2%、锆 0.1%、稀土元素 0.01%、铬 0.02%、其余为铜。 0011 本发明所述稀土元素包括镧元素和铈元素，其重量比为：镧元素：铈元素 =1:2。说明书 CN 103361514 A 3 2/2 页 4 0012 实施例二：本发明包括以下组分：且各组分的重量比为：硅 3%、钒 0.08%、锆 0.02%、稀土元素 0.3%、铬 0.008%、其余为铜。 0013 本发明所述稀土元素包括镧元素和铈元素，其重量比为：镧元素：铈元素 =1: 3。 0014 实施例三：本发明包括以下组分：且各组分的重量比为：硅 1.5%、钒 0.26%、锆 0.07%、稀土元素 0.01%、铬 0.012%、其余为铜。 0015 本发明所述稀土元素包括镧元素和铈元素，其重量比为：镧元素：铈元素 =1:2.5。说明书 CN 103361514 A 4 。

摘要
申请专利号：	CN201210088319.5	申请日：	2012.03.30
公开号：	CN103361514A	公开日：	2013.10.23
当前法律状态：	撤回	有效性：	无权
法律详情：	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):C22C 9/10申请公布日:20131023\|\|\|公开
IPC分类号：	C22C9/10	主分类号：	C22C9/10
申请人：	江苏迅达电磁线有限公司
发明人：	周志云; 董绍祥; 封心波
地址：	225800 江苏省扬州市宝应县安宜镇南塘大街36号
优先权：
专利代理机构：	北京连和连知识产权代理有限公司 11278	代理人：	奚衡宝
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内容摘要

本发明涉及一种制造集成电路封装用的含有稀土的铜合金材料。包括以下组分：且各组分的重量比为：硅0.8-3%、钒0.08-2%、锆0.02-0.1%、稀土元素0.01-0.3%、铬0.008-0.02%、其余为铜。本发明的优点是：采用上述技术方案后，经检测具有以下性能指标：室温力学性能：σb≥350MPa，σ0.2≥260MPa，δ5≥8%；350℃力学性能：σb≥275MPa，σ0.2≥240MPa，δ5≥10%；20℃电学性能：ρ为(3±0.1)μΩ·cm。

权利要求书

权利要求书
1.  含有稀土的铜合金材料，其特征在于，包括以下组分：且各组分的重量比为：硅0.8-3%、钒0.08-2%、锆0.02-0.1%、稀土元素0.01-0.3%、铬0.008-0.02%、其余为铜。

2.  根据权利要求1所述的含有稀土的铜合金材料，其特征在于，包括以下组分：且各组分的重量比为：硅1-2%、钒0.2-0.8%、锆0.06-0.08%、稀土元素0.05-0.2%、铬0.01-0.016%、其余为铜。

3.  根据权利要求1所述的含有稀土的铜合金材料，其特征在于，所述稀土元素为镧系中各元素、锕系中各元素、钪元素中的多种的组合。

4.  根据权利要求3所述的含有稀土的铜合金材料，其特征在于，所述稀土元素包括镧元素和铈元素，其重量比为：镧元素：铈元素=1:2-3。

说明书

说明书含有稀土的铜合金材料
技术领域
本发明涉及一种制造集成电路封装用的含有稀土的铜合金材料，属于材料科学技术领域。
背景技术
电子信息产业是当代世界技术最先进、同时也是技术更新换代最快的一个产业。随着大规模集成电路、物联网、云计算、移动通信、LED光源等产业的不断发展和兴起，高性能铜合金异形带的研究与开发将显得越来越重要，项目产品是上述行业集成电路封装的关键部件，目前，我国大部分依赖进口，项目的实施不仅满足了我国电子信息产业用高性能新型铜合金材料之急需，缓解了我国此类合金长期依赖进口的尴尬现状，同时取得具有独立自主知识产权的目标产品，为取代进口和填补我国高性能铜合金材料的空白做出新的贡献，对我国的电子信息产业快速发展和打入国际市场将起到较大的推动作用。
目前世界各国采用的集成电路引线框架材料以铜铁磷系合金为主，各国采用的工艺方法有所不同，以日本电线公司为代表，主要是通过系列孔型轧辊的连续轧制，得到异型断面的带材成品。以德国公司为代表，首先是以铣削法得到异型带毛坯，然后再用型辊轧制出成品。以法国Griset公司为代表，以高速锻造获得异型带毛坯，然后通过型辊轧制得到成品。而根据上述材料制得的铜合金材料性能在很多方面已经不能满座大规模或超大规模集成电路引线框架材料的性能要求。
发明内容
本发明针对上述缺陷，目的在于提供一种综合性能好的含有稀土的铜合金材料。
为此本发明采用的技术方案是：本发明包括以下组分：且各组分的重量比为：硅0.8-3%、钒0.08-2%、锆0.02-0.1%、稀土元素0.01-0.3%、铬0.008-0.02%、其余为铜。
进一步的，本发明各组分的重量比为：硅1-2%、钒0.2-0.8%、锆0.06-0.08%、稀土元素0.05-0.2%、铬0.01-0.016%、其余为铜。
所述稀土元素为镧系中各元素、锕系中各元素、钪元素中的多种的组合。
所述稀土元素包括镧元素和铈元素，其重量比为：镧元素：铈元素=1:2-3。
本发明的优点是：采用上述技术方案后，经检测具有以下性能指标：室温力学性能： σb≥ 350MPa σ0.2≥ 260MPa δ5≥8%；350℃力学性能： σb≥ 275MPa σ0.2≥240MPa δ5≥10%；20℃电学性能：ρ为(3±0.1)μΩ·cm。
具体实施方式
实施例一：
本发明包括以下组分：且各组分的重量比为：硅0.8%、钒2%、锆0.1%、稀土元素0.01%、铬0.02%、其余为铜。
本发明所述稀土元素包括镧元素和铈元素，其重量比为：镧元素：铈元素=1:2。
实施例二：
本发明包括以下组分：且各组分的重量比为：硅3%、钒0.08%、锆0.02%、稀土元素0.3%、铬0.008%、其余为铜。
本发明所述稀土元素包括镧元素和铈元素，其重量比为：镧元素：铈元素=1: 3。
实施例三：
本发明包括以下组分：且各组分的重量比为：硅1.5%、钒0.26%、锆0.07%、稀土元素0.01%、铬0.012%、其余为铜。
本发明所述稀土元素包括镧元素和铈元素，其重量比为：镧元素：铈元素=1:2.5。