本发明涉及超细微粒制备方法，尤其涉及管式纳米级超细微粒制备方法。 碳化硅超细微粒是一种优质的高温结构陶瓷，被广泛用于陶瓷发动机等领域。优质的碳化硅超细粉末不仅是制备高性能陶瓷的前提，而且能降低烧结温度，改善其烧结性能，提高高温力学性能。纳米级的碳化硅超细微粒相比于大颗粒和块状碳化硅具有许多特异的磁、电、光、热等性能，是一种引起人们广泛兴趣的介观材料。纳米级超细微粒的研制是当前的前沿研究课题，利用碳化硅超细粉末的表面特性，开拓新的材料特性和功能已引起人们的广泛关注。所以，制备纳米级碳化硅超细粉末不仅对制备优质碳化硅陶瓷有重要意见，而且对纳米碳化硅超细微粒本身开拓新的应用具有重要意义。
一般说来，人们把颗粒直径小于1μm的称为超细粉末，小于100的称为纳米级超细粉末。
商业生产碳化硅粉末的主要技术最早是由E.G.Acheson发明，并在1893年申请了专利。他采用石英和碳发生化学反应而得到的。粉末的化学纯度不高（＜97%），颗粒尺寸＞1μm，不适宜做先进陶瓷用碳化硅原料。而后，A.W.Evans在1967年申请的英国专利中，以SiO2蒸气和CH4为反应气体，用射频等离子体方法制得颗粒尺寸为44～150μm地SiC粉末。Cleaver和Penisi在1968年申请用等离子化学气相沉积法，以Sicl4、H2、CH4作为原料气体，得到SiC粉末中SiC含量为81.3ut%，颗粒粒径小于1μm的粉末。Bocher等人在1978年用甲基硅烷（CH3SiH3）在1000～1800℃下进行化学气相热解反应制备颗粒尺寸为0.1μm到0.5μm的β-SiC超细粉末。日本名城大学的大河内正人在1980年用气体蒸发的方法制备出SiC超细粉末，可得到颗粒尺寸为10～100μm的β-SiC超细粉末。
波兰的Roman pampuch用Si和C的混合物作为反应物，采用固体燃烧技术使其着火，这种方法可得到化学计量并有较好烧结性的β-SiC粉末，相应的晶粒尺寸为0.2～0.5μm。
另外，日本的小玉展宏用非晶的Si2N3H和碳块混合物在1350～1650℃下加热0.5～4小时，可得到α-SiC和β-SiC的混合物，颗粒呈球状，大小为0.2～0.4μm。
如上所述的一些制备SiC粉末的方法，不能得到颗粒尺寸为纳米级的优质SiC粉末。
目前，人们探索用各种方法来制备超细粉末，分为固相法、液相法和气相法三类。但是，如前所述用固相法难以制备纳米级（＜100）的超细微粒，所以人们试图用液相法中的溶胶凝胶方法，气相法中的激光化学气相沉积，辉光化学气相沉积和热化学气相沉积来探索制备纳米超细粉末。但是，要制备出化学计量配比的优质高纯的纳米级超细粉末的方法还甚少。所以，迫切需要我们寻找一种新的工艺、新方法来制备纳米级超细粉末。
本发明的目的是提供一种管式纳米级超细徽粒制备方法。
本方法制得的超细微粒呈球形，颗粒尺寸均匀分布，颗粒尺寸＜100，化学量比的β-SiC纳米级超细微粒，该方法具有设备简单，操作方便，产率高，易在工业上推广的优点。
为了达到上述的目，本发明采取下列方法，它是以金属蒸汽或者卤化物气体，氢化物气体和有机金属化合物为原料，在管式高温反应炉的真空和惰性气体中，通过气相加热和化学反应合成微粒，即被急冷抽至粉末收集装置中的超细微粒制备方法。
下面结合附图作详细说明。
附图是按该方法设计的设备操作系统示意图。
管式纳米级超细微粒具体制备方法是：首先，将刚玉管式高温反应炉加热，使反应室温度升至1200～1400℃，并恒温0.5～1小时，同时，开启真空抽气系统，将反应室抽至10-3～10-5乇;接着，打开SiH4和C2H4或NH4和SiH4或SiH4，C2H4和NH4钢瓶，通过质量流量计调至C2H4/SiH4摩尔比0.5～2或NH3/SiH4摩尔比5～20或C2H4/SiH4和NH3/SiH4摩尔比为0.2～1.2和1～7，总的气体流量为200～600ml/min，或100～400ml/min，或100～500ml/min，并控制反应压力0.1～1atm;然后，通入的SiH4和C2H4或NH3和SiH4或SiH4，C2H4和NH3，在反应炉发生化学反应生成SiC或Si3N4超细微粒，或SiC-Si3N4复合超细微粒被急冷抽至粉末收集装置中。
按该方法设计的设备操作系统，包括质量流量计1，2，混合室3，热电偶4，硅碳棒高温炉5，反应室6，真空-压力表7，粉末收集装置8，过滤膜9，真空抽滤系统。
该方法的反应原料金属蒸汽为Ag，Ni，Cu，卤化物为CH3SiCl3，Sicl4，Alcl3，氢化物为SiH4，C2H4，CH4，NH3，有机金属化合物为LiOC2H5，Ba（OC2H5）2，Cu（OC2H5）2。
实施例一：
纳米级SiC超细微粒的制备方法：
1.将硅碳棒高温炉加热，使反应室逐渐升温至1300℃并恒温半小时，同时开启机械泵将反应室预抽真空，使真空度达10-3乇。
2。打开SiH4和C2H4钢瓶，通过质量流量计调节使C2H4气体和SiH4气体的摩尔比为1.2，并通入贮气室。打开贮气室的质量流量计，使原料气体被通入到反应室1300℃恒温区域。调节质量流量计和真空抽气系统阀门的大小（即抽力的大小），使通过反应室的混合气体的流量为350ml/min，并使反应室的压力恒定在0.7atm。
3.通入的SiH4和C2H4在反应室发生化学反应：
生成SiC纳米级超细微粒来不及聚集和长大即被抽至粉末收集瓶中。在粉末收集瓶与真空系统间有一过滤膜以防粉末扩散到真空系统。在收集瓶中收集到的粉末有旋光效应且呈雾状。
根据以上制备条件所得到的SiC超细粉末的组成、结构如下：
1.粉末呈球形，弥散性好不结团、粒径分布均匀、颗粒度＜100。
2.SiC粉末是β-SiC，化学组成纯度高，Si/C原子比为1.044，接近β-SiC的化学计量比1.049。
粉末组成SiC游离硅SiO2含量（ut%)96.471.511.33
实施例二：
纳米级Si3N4超细微粒的制备方法：
1.开启硅碳棒加热炉，使反应室内的某一恒温区域逐渐升温至1350℃并恒温半小时。同时开启机械泵使反应室预抽真空度达103乇。
2.通过贮气室前的质量流量计的调节，使NH3/SiH4的摩尔比为12，并在贮气室内混合。用质量流量计控制混合气体的流量为250ml/min，用刚玉小管通入到反应室恒温区内。通过控制进气口和出气口阀门大小的调节，使反应室压力控制在0.7atm。
3.通入的SiH4和NH3气体在恒温区内发生化学反应：
生成的Si3N4微粒即被急冷抽至粉末收集瓶中。
根据上述工艺我们可制得优质的Si3N4粉末：
1。颗粒呈球形、弥散不结团、颗径均匀、颗粒度＜100的Si3N4粉末。
2。化学组成为：
粉末组成Si3N4游离硅SiO2含量（ut%)97.640.391.97
实施例三：
纳米级SiC-Si3N4复合超细微粒的制备方法：
1。此步骤同上。
2.开启SiH4、C2H4和NH3钢瓶，调节连接在每一气路上的质量流量计，使通入到贮气室的各气体的浓度比分别为C2H4/SiH4摩尔比为0.6，NH3/SiH4摩尔比为2.5，各种气体在贮气室内混合。并用质量流量计来控制总的气体的流量为400ml/min。用刚玉小管将混合气体通入到反应室的恒温区内。并控制反应室压力为0.7atm。
3.通入到反应室的SiH4、C2H4和NH3气体在恒温区内发生化学反应：
3SiH4+NH3＝Si3N4+12H2↑
2SiH4+C2H4＝2SiC+6H2↑
可制得含有Si3N4、SiC的复合超细粉末。
根据以上反应条件可得到SiC-Si3N4复合超细粉末如下：
1。颗粒呈球形、弥散、颗粒度＜100，颗径分布均匀。
化学组成为：Si3N4：22.16ut%，SiC：69.81ut%，