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一种101晶面择优生长的SNSSUB2/SUB纳米片负极材料的制备方法.pdf

  • 上传人:v****
  • 文档编号:5320415
  • 上传时间:2019-01-03
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  • 摘要
    申请专利号:

    CN201610874891.2

    申请日:

    2016.09.30

    公开号:

    CN106450296A

    公开日:

    2017.02.22

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情:

    实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/58申请日:20160930|||公开

    IPC分类号:

    H01M4/58(2010.01)I; H01M10/0525(2010.01)I; B82Y40/00(2011.01)I

    主分类号:

    H01M4/58

    申请人:

    北京科技大学

    发明人:

    赵海雷; 张子佳; 杜志鸿; 赵丽娜; 滕勇强; 李兆麟; 杜雪飞

    地址:

    100083 北京市海淀区学院路30号

    优先权:

    专利代理机构:

    北京市广友专利事务所有限责任公司 11237

    代理人:

    张仲波

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    内容摘要

    本发明公开了一种(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法。本研究以无机锡盐为锡源,以有机硫化物为硫源,以聚乙二醇为添加剂,通过简单的溶剂热法一步制备出以(101)晶面择优生长的SnS2纳米片。这些以(101)晶面为裸露表面的纳米片,在充放电过程中可以提供充足的电化学活性位点,缩短锂离子的扩散路径,加快电化学反应动力学,从而使得电极的倍率性能优异。本发明的优点在于(101)晶面择优生长的SnS2纳米片的制备工艺简单易行,并可以应用到其他层状物质的择优生长。此方法制备的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片具有优异的倍率性能,是一种潜在的高性能锂离子电池负极材料,有望广泛应用于各种便携式电子设备、电动汽车以及航空航天等领域。

    权利要求书

    1.一种(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法,其特征是采用一步溶剂
    热法并添加表面活性剂聚乙二醇,制备出以(101)晶面为裸露表面的SnS2纳米片;具体工艺
    步骤为:
    (1)将一定摩尔比的锡盐溶解于一定量溶剂中,搅拌均匀形成澄清溶液,锡盐的浓度控
    制在1×10-4~3×10-2mol L-1;选用有机硫源加入澄清溶液中,不断搅拌使有机硫源完全溶
    解;再加入表面活性剂聚乙二醇搅拌均匀,有机硫源浓度控制在4×10-4~4×10-1mol L-1,
    表面活性剂聚乙二醇浓度控制在2×10-3~5×10-1mol L-1;
    (2)将步骤(1)中得到的溶液倒入带有聚四氟乙烯内衬的水热釜中,于恒温箱内一定温
    度下反应一定时间。
    2.根据权利要求1所述的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法,其特
    征在于:步骤(1)所述的锡盐为硝酸锡、氯化锡、硫酸锡或其结晶水化合物。
    3.根据权利要求1所述的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法,其特
    征在于:步骤(1)所述的溶剂为去离子水、无水乙醇、丙醇、甲醇中的一种或几种。
    4.根据权利要求1所述的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法,其特
    征在于:步骤(1)所述的有机硫源是乙硫醇、丙烯硫醇、硫脲、L-半胱氨酸。
    5.根据权利要求1所述的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法,其特
    征在于:步骤(1)中所述的聚乙二醇是聚乙二醇200、聚乙二醇2000、聚乙二醇6000、聚乙二
    醇12000中的一种或几种。
    6.根据权利要求1所述的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法,其特
    征在于:步骤(2)中恒温箱的温度为120~240℃。
    7.根据权利要求1所述的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法,其特
    征在于:步骤(2)中反应的时间为10~40h。

    说明书

    一种(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法

    技术领域

    本发明属于新能源材料和电化学领域,具体涉及一种新型以(101)晶面择优生长
    的锂离子电池负极材料SnS2纳米片及其制备方法。

    技术背景

    能源是人类生存的物质基础和社会发展的经济基础。随着人类社会生产力的不断
    发展,人们在日常生产和生活中对能源的需求急剧增多。为应对日益严重的能源短缺问题,
    传统的一次电池逐渐被可重复使用的二次电池所替代。然而,传统的二次电池由于容量低、
    安全性能差、循环寿命较短、对环境污染较为严重以及体积笨重不利于携带而逐渐被新型
    的锂离子电池所取代。锂离子电池具有高电压、高能量密度、低自放电率、宽使用温度范围、
    长循环寿命、环保、无记忆效应及大电流放电等优点。自1991年被Sony公司首先推向市场以
    来,锂离子电池已经广泛地应用于手机、数码产品、笔记本电脑以及便捷式电子设备中,并
    且逐步向电动自行车、电动汽车、新能源储能等领域拓展。

    目前,商用的锂离子电池负极材料是石墨,其理论比容量仅372mAhg-1,已经无法满
    足电动汽车以及混合动力车动力电池的需求,因此,迫切需要开发新型的具有高比容量的
    负极材料。其中,SnS2理论容量高达1232mAh g-1,资源丰富,低毒,成本低廉等特点,近年来
    受到了研究者们的广泛关注。然而,SnS2的导电性较差,从而造成其阶梯倍率性能不尽如人
    意。这一问题严重阻碍了SnS2作为锂离子电池负极材料的实际应用。为解决上述问题,文献
    中对SnS2的改进方法包括:通过减小颗粒尺寸,缩短锂离子的扩散路径,从而加快电极电化
    学反应动力学;通过和碳基质进行复合,从而提高复合材料的电子电导。具有代表性的SnS2
    基电极材料的研究工作包括:

    (1)浙江大学DuNing教授研究小组采用水热法,以五水合四氯化锡为镍源,硫代乙
    酰胺为硫源,制备了SnS2纳米片。测试其电化学性能,结果表明:在100mAg-1的电流密度下,
    循环50次后其可逆比容量为513mAhg-1,相比于第一次循环的可逆容量,容量保持率为96%
    (Chem.Commun.,2011,47,1270-1272)。该制备工艺得到的SnS2纳米片沿着[001]方向堆叠
    生长,但表现出的比容量较低,其电化学性能有待进一步改善。

    (2)清华大学Cao Huaqiang教授研究小组采用溶剂热并结合液相法,以硼氢化钠
    为还原剂,合成出具有双三明治结构的二硫化锡/还原氧化石墨烯复合材料。将得到的复合
    材料作为锂离子电池的负极材料进行性能测试,结果发现:在电流密度为120mAg-1时,首次
    放电比容量为1032mAh g-1;循环30次后,其放电比容量为619mAh g-1(J.Mater.Chem.,
    2012,22,23963-23970)。但该制备的复合材料倍率性能较差,且制备过程能耗大,成本较
    高。

    目前对于锂离子电池负极材料SnS2的改性研究,和碳基质复合多采用静电吸引、
    表面包覆法,但此类方法制备的复合物的组分间的结合密切性较差,且复合碳基质大多采
    用石墨烯、碳纳米管等,使得制备成本较高。

    发明内容

    本发明的目的在于提供一种以(101)晶面择优生长的、具有优异倍率性能的锂离
    子电池负极材料SnS2纳米片及其制备方法。

    本发明提供了一种(101)晶面择优生长的SnS2纳米片的制备方法,其特征是采用
    一步溶剂热法并添加表面活性剂聚乙二醇,制备出以(101)晶面为裸露表面的SnS2纳米片;
    具体工艺步骤为:

    (1)将一定摩尔比的锡盐溶解于一定量溶剂中,搅拌均匀形成澄清溶液,锡盐的浓
    度控制在1×10-4~3×10-2mol L-1;选用有机硫源加入澄清溶液中,不断搅拌使有机硫源完
    全溶解;再加入表面活性剂聚乙二醇搅拌均匀,有机硫源浓度控制在4×10-4~4×10-1mol
    L-1,表面活性剂聚乙二醇浓度控制在2×10-3~5×10-1mol L-1。

    (2)将步骤(1)中得到的溶液倒入带有聚四氟乙烯内衬的水热釜中,于恒温箱内一
    定温度下反应一定时间;

    其中步骤(1)所述的锡盐为硝酸锡、氯化锡、硫酸锡或其结晶水化合物;所述的溶
    剂为去离子水、无水乙醇、丙醇、甲醇中的一种或几种;所述的有机硫源是乙硫醇、丙烯硫
    醇、硫脲、L-半胱氨酸;步骤(1)中所述的聚乙二醇是聚乙二醇200、聚乙二醇2000、聚乙二醇
    6000、聚乙二醇12000中的一种或几种。

    步骤(2)中恒温箱的温度为120~240℃;反应的时间为10~40h。

    本研究采用纳米化改性措施,并且考虑到SnS2材料具有类石墨烯的层状结构,晶
    体的生长方向对电化学性能影响较大。因此,本发明以无机锡盐为锡源,以有机硫化物为硫
    源,以聚乙二醇为添加剂,通过简单的溶剂热法一步制备出以(101)晶面择优生长的SnS2纳
    米片。这些以(101)晶面为裸露表面的纳米片,在充放电过程中可以提供充足的电化学活性
    位点,并且缩短锂离子的扩散路径,加快电化学反应动力学,从而使得电极的倍率性能优
    异:即使在大电流下电极也能表现出较高的可逆比容量;当测试电流恢复到初始电流,电极
    的比容量也恢复到初始数值。

    本发明的优点在于(101)晶面择优生长的SnS2纳米片的制备工艺简单易行,并可
    以应用到其他层状物质的择优生长。此方法制备的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片具有
    优异的倍率性能,是一种潜在的高性能锂离子电池负极材料,有望广泛应用于各种便携式
    电子设备、电动汽车以及航空航天等领域。

    附图说明

    图1是实施例1的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片的扫描电镜图。

    图2是实施例1的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片的透射高分辨图。

    图3是实施例1的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片的倍率性能图。

    图4是实施例2的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片的扫描电镜图。

    图5是实施例3的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片的扫描电镜图。

    具体实施方式

    下面结合实施例对本发明做进一步说明,但并不限定于本发明的保护范围:

    实施例1:

    称取0.3g五水合四氯化锡,将其溶解于70mL去离子水中,搅拌均匀形成澄清溶液;
    称取0.1g L-半胱氨酸加入溶液中,搅拌均匀。然后称取0.5g聚乙二醇200并加入上述溶液
    中,最后将得到的澄清溶液倒入100mL带有聚四氟乙烯内衬的水热釜中,在120℃下反应
    12h。将得到的产物离心分离并用去离子水和乙醇洗涤,然后在恒温干燥箱中70℃下烘干
    8h,最终得到SnS2纳米片。将制得的70wt.%SnS2材料、15wt.%的乙炔黑和15wt.%的羧甲基
    纤维素钠混合均匀,制成浆料,均匀涂覆在铜箔上,真空烘干后冲压为圆形电极极片,以金
    属锂为对电极,1mol L-1LiPF6/EC+DEC+DMC(体积比为1:1:1)为电解液,Celgard2400为隔
    膜,组装成纽扣电池。对电池进行阶梯倍率性能测试,充放电电压范围为0.01~3.0V,结果
    表明:在0.1A g-1的电流密度下,可逆比容量为1100mAh g-1;在2A g-1的大电流密度下,可逆
    比容量为850mAh g-1。

    实施例2:

    称取0.5g五水合四氯化锡,将其溶解于80mL去离子水中,搅拌均匀形成澄清溶液;
    称取0.3g乙硫醇加入溶液中,搅拌均匀。然后称取0.5g聚乙二醇6000并加入上述溶液中,最
    后将得到的澄清溶液倒入100mL带有聚四氟乙烯内衬的水热釜中,在170℃下反应24h。将得
    到的产物离心分离并用去离子水和乙醇洗涤,然后在恒温干燥箱中70℃下烘干8h,最终得
    到SnS2纳米片。将制得的70wt.%SnS2材料、15wt.%的乙炔黑和15wt.%的羧甲基纤维素钠
    混合均匀,制成浆料,均匀涂覆在铜箔上,真空烘干后冲压为圆形电极极片,以金属锂为对
    电极,1mol L-1LiPF6/EC+DEC+DMC(体积比为1:1:1)为电解液,Celgard 2400为隔膜,组装成
    纽扣电池。对电池进行阶梯倍率性能测试,充放电电压范围为0.01~3.0V,结果表明:在
    0.1A g-1的电流密度下,可逆比容量为850mAh g-1;在2A g-1的大电流密度下,可逆比容量为
    505mAh g-1。

    实施例3:

    称取0.5g五水合四氯化锡,将其溶解于80mL去离子水中,搅拌均匀形成澄清溶液;
    称取0.3g乙硫醇加入溶液中,搅拌均匀。然后称取0.25g聚乙二醇6000并加入上述溶液中,
    最后将得到的澄清溶液倒入100mL带有聚四氟乙烯内衬的水热釜中,在170℃下反应24h。将
    得到的产物离心分离并用去离子水和乙醇洗涤,然后在恒温干燥箱中70℃下烘干8h,最终
    得到SnS2纳米片。将制得的70wt.%SnS2材料、15wt.%的乙炔黑和15wt.%的羧甲基纤维素
    钠混合均匀,制成浆料,均匀涂覆在铜箔上,真空烘干后冲压为圆形电极极片,以金属锂为
    对电极,1mol L-1LiPF6/EC+DEC+DMC(体积比为1:1:1)为电解液,Celgard 2400为隔膜,组装
    成纽扣电池。对电池进行阶梯倍率性能测试,充放电电压范围为0.01~3.0V,结果表明:在
    0.1A g-1的电流密度下,可逆比容量为600mAh g-1;在2A g-1的大电流密度下,可逆比容量为
    409mAh g-1。

    实施例4:

    称取0.2g五水合四氯化锡,将其溶解于50mL去离子水中,搅拌均匀形成澄清溶液;
    称取0.4g硫脲加入溶液中,搅拌均匀。然后称取0.6g聚乙二醇2000并加入上述溶液中,最后
    将得到的澄清溶液倒入100mL带有聚四氟乙烯内衬的水热釜中,在190℃下反应40h。将得到
    的产物离心分离并用去离子水和乙醇洗涤,然后在恒温干燥箱中70℃下烘干8h,最终得到
    SnS2纳米片。将制得的70wt.%SnS2材料、15wt.%的乙炔黑和15wt.%的羧甲基纤维素钠混
    合均匀,制成浆料,均匀涂覆在铜箔上,真空烘干后冲压为圆形电极极片,以金属锂为对电
    极,1mol L-1LiPF6/EC+DEC+DMC(体积比为1:1:1)为电解液,Celgard 2400为隔膜,组装成纽
    扣电池。对电池进行阶梯倍率性能测试,充放电电压范围为0.01~3.0V,结果表明:在0.1A
    g-1的电流密度下,可逆比容量为1000mAh g-1;在2A g-1的大电流密度下,可逆比容量为
    750mAh g-1。

    实施例5:

    称取0.5g五水合四氯化锡,将其溶解于80mL去离子水中,搅拌均匀形成澄清溶液;
    称取0.3g乙硫醇加入溶液中,搅拌均匀。然后称取1g聚乙二醇6000并加入上述溶液中,最后
    将得到的澄清溶液倒入100mL带有聚四氟乙烯内衬的水热釜中,在170℃下反应24h。将得到
    的产物离心分离并用去离子水和乙醇洗涤,然后在恒温干燥箱中70℃下烘干8h,最终得到
    SnS2纳米片。将制得的70wt.%SnS2材料、15wt.%的乙炔黑和15wt.%的羧甲基纤维素钠混
    合均匀,制成浆料,均匀涂覆在铜箔上,真空烘干后冲压为圆形电极极片,以金属锂为对电
    极,1mol L-1LiPF6/EC+DEC+DMC(体积比为1:1:1)为电解液,Celgard 2400为隔膜,组装成纽
    扣电池。对电池进行阶梯倍率性能测试,充放电电压范围为0.01~3.0V,结果表明:在0.1A
    g-1的电流密度下,可逆比容量为950mAh g-1;在2A g-1的大电流密度下,可逆比容量为
    705mAh g-1。

    关 键  词:
    一种 101 择优 生长 SNSSUB2 SUB 纳米 负极 材料 制备 方法
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