表面处理装置和表面处理方法.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 103052734 A (43)申请公布日 2013.04.17 CN 103052734 A *CN103052734A* (21)申请号 201180037585.9 (22)申请日 2011.08.04 2010-175176 2010.08.04 JP C23C 16/458(2006.01) C23C 14/50(2006.01) H01L 21/31(2006.01) H01L 21/318(2006.01) H01L 31/04(2006.01) (71)申请人 株式会社岛津制作所 地址 日本京都府 (72)发明人 东正久 中谷敦夫 中尾荣作 (74)专。

2、利代理机构 北京林达刘知识产权代理事 务所 ( 普通合伙 ) 11277 代理人 刘新宇 张会华 (54) 发明名称 表面处理装置和表面处理方法 (57) 摘要 本发明的表面处理方法包括 ： 容纳工序， 在该 容纳工序中容纳用于容纳被处理体的容器 ； 以及 处理工序， 在该处理工序中使容器进行往返动作 或摆动动作之中的至少一个动作， 从而一边使被 处理体在容器内滚动， 一边对被处理体的表面实 施处理。 (30)优先权数据 (85)PCT申请进入国家阶段日 2013.01.30 (86)PCT申请的申请数据 PCT/JP2011/067854 2011.08.04 (87)PCT申请的公布数据 。

3、WO2012/018075 JA 2012.02.09 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 8 页 附图 9 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 8 页 附图 9 页 1/1 页 2 1. 一种表面处理装置， 其中， 该表面处理装置包括 ： 容器， 其容纳被处理体 ； 表面处理单元， 其具有处理室， 该处理室具有容纳上述容器的空间， 且该处理室被导入 用于对上述被处理体的表面进行处理的气体 ； 以及 容器驱动机构， 其使容纳被处理体的上述容器进行往返动作或摆动动作之中的至少一 个动作。 2. 根据权利要求 1 所述的表面处。

4、理装置， 其中， 上述表面处理单元包括电极板， 该电极板的与上述容器相对的面平坦， 上述容器驱动 机构使上述容器处于与上述电极板大致平行的面内， 且使容纳在上述容器内的被处理体滚 动。 3. 根据权利要求 1 或 2 中的任一项所述的表面处理装置， 其中， 上述表面处理单元包括电极板， 该电极板的与上述容器相对的面平坦， 上述容器驱动 机构使上述容器在与上述电极板垂直的方向上进行摆动动作。 4. 根据权利要求 1 至 3 中的任一项所述的表面处理装置， 其中， 上述容器驱动机构具有 ： 至少一对辊 ； 以及 驱动单元， 其用于驱动上述辊。 5. 根据权利要求 1 至 4 中的任一项所述的表面处。

5、理装置， 其中， 上述容器驱动机构包括用于使上述容器的移动停止的止挡件。 6. 根据权利要求 1 至 5 中的任一项所述的表面处理装置， 其中， 上述表面处理单元具有等离子体产生单元， 该等离子体产生单元用于在球状、 柱状或 多面体的被处理体的表面上形成薄膜。 7. 一种表面处理方法， 包括 ： 容纳工序， 在该容纳工序中容纳用于容纳被处理体的容器 ； 以及 处理工序， 在该处理工序中使上述容器进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作， 从而一边使上述被处理体在上述容器内滚动， 一边对上述被处理体的表面实施处理。 8. 根据权利要求 7 所述的表面处理方法， 其中， 在与重力大致垂直的面内， 使。

6、上述容器进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作。 9. 根据权利要求 7 或 8 所述的表面处理方法， 其中， 使上述容器在重力方向上进行摆动动作。 权 利 要 求 书 CN 103052734 A 2 1/8 页 3 表面处理装置和表面处理方法 技术领域 0001 本发明涉及用于在被处理体的表面上实施形成薄膜、 或者使杂质离子扩散等表面 处理的表面处理装置和表面处理方法。 背景技术 0002 公知有在 p 型硅基板上扩散了 n 型杂质的球状的太阳能电池。在于这种球状构件 的表面上扩散杂质离子， 或者形成防止反射兼提高性能用的、 例如 SiNx（氮化硅） 等的钝化 膜时， 难以利用与对通常的基。

7、板进行的表面处理相同的方法来将其处理为均匀厚度。 0003 作为在球状的被处理体的表面上利用溅射法或等离子体 CVD 法形成薄膜的方法， 公知有如下的方法 ： 在真空腔室内配置六角筒型机筒， 使该六角筒型机筒以配置在与重力 垂直的方向上的轴为中心进行旋转， 一边对容纳在六角筒型机筒内的被处理体进行搅拌一 边形成薄膜 （例如， 参照专利文献 1） 。 0004 专利文献 1 ： 日本特开 2006 257472 号公报 0005 在上述现有文献所述的方法中， 容纳在六角筒型机筒内的被处理体伴随着六角筒 型机筒的旋转而上升， 并在重力的作用下下降， 并且在被处理体的表面上形成薄膜。如此， 球状的被。

8、处理体伴随着六角筒型机筒的旋转而上升， 并利用因重力的作用而下降的动作来 进行旋转， 从而在整个表面上形成薄膜。 0006 然而， 在被处理体呈球状的情况下， 尤其是在微小的构件的情况下， 使被处理体伴 随着六角筒型机筒的旋转而上升的作用变小， 上升的高度将会变得极其小。 即， 被处理体在 紧挨着六角筒型机筒的最低位置的附近聚集成大致直线状的较厚层状， 并成为几乎无法发 挥搅拌作用的状态。因此， 难以在被处理体上形成均匀厚度的薄膜。 发明内容 0007 本发明的表面处理装置包括 ： 容器， 其容纳被处理体 ； 表面处理单元， 其具有处理 室， 该处理室具有容纳容器的空间， 并导入用于对被处理体。

9、的表面进行处理的气体 ； 以及容 器驱动机构， 其使容纳被处理体的容器进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作。 0008 本发明的第 2 技术方案的表面处理装置构成为， 根据第 1 技术方案中的表面处理 装置， 表面处理单元包括电极板， 该电极板的与容器相对的面平坦， 容器驱动机构使容器处 于与电极板大致平行的面内， 且使容纳在容器内的被处理体滚动。 0009 本发明的第 3 技术方案的表面处理装置构成为， 根据第 1 技术方案或第 2 技术方 案中的任一技术方案中的表面处理装置， 表面处理单元包括电极板， 该电极板的与容器相 对的面平坦的， 容器驱动机构使容器在与电极板垂直的方向上进行摆动动。

10、作。 0010 本发明的第 4 技术方案的表面处理装置为， 根据第 1 至第 3 技术方案中的任一 技术方案中的表面处理装置， 容器驱动机构具有 ： 至少一对辊 ； 以及驱动单元， 其用于驱动 辊。 0011 本发明的第 5 技术方案的表面处理装置为， 根据第 1 至第 4 技术方案中的任一技 说 明 书 CN 103052734 A 3 2/8 页 4 术方案中的表面处理装置， 容器驱动机构包括用于使容器的移动停止的止挡件。 0012 本发明的第 6 技术方案的表面处理装置为， 根据第 1 至第 5 技术方案中的任一技 术方案中的表面处理装置， 表面处理单元具有等离子体产生单元， 该等离子体。

11、产生单元用 于在球状、 柱状或多面体的被处理体的表面上形成薄膜。 0013 本发明的第 7 技术方案的表面处理方法为， 包括 ： 容纳工序， 在该容纳工序中容纳 用于容纳被处理体的容器 ； 以及处理工序， 在该处理工序中使容器进行往返动作或摆动动 作中的至少一个动作， 从而一边使被处理体在容器内滚动， 一边对被处理体的表面实施处 理。 0014 本发明的第8技术方案的表面处理方法为， 根据第7技术方案的表面处理方法， 在 与重力大致垂直的面内， 使容器进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作。 0015 本发明的第 9 技术方案的表面处理方法为， 根据第 7 技术方案或第 8 技术方案中 的表面。

12、处理方法， 使容器在重力方向上进行摆动动作。 0016 根据本发明， 通过使容器进行往返动作或摆动动作， 将会发挥能够对被处理体的 表面进行均匀地处理这样的效果。 附图说明 0017 图 1 是本发明的直线排列式等离子体 CVD 装置的框图。 0018 图 2 是用于说明图 1 的成膜室的输送系统构造的用 II II 线截断的剖视图。 0019 图 3 是设置于图 1 的成膜室的输送机构的立体图。 0020 图 4 的 （A） 图 4 的 （C） 是用于说明容器的往返动作的侧视图。 0021 图 5 的 （A） 图 5 的 （C） 是分别表示图 4 的 （A） 图 4 的 （C） 中的容器内的。

13、被处 理体的滚动的状态的剖视图。 0022 图 6 的 （A） 图 6 的 （C） 是用于说明容器的动作的第 1 变形例的侧视图。 0023 图 7 的 （A） 图 7 的 （H） 是用于说明容器的动作的第 2 变形例的侧视图。 0024 图 8 的 （A） 图 8 的 （C） 是用于说明容器的动作的第 3 变形例的侧视图。 0025 图 9 是表示容器容纳部的第 1 变形例的剖视图。 0026 图 10 是表示容器容纳部的第 2 变形例的剖视图。 具体实施方式 0027 下面， 说明本发明的表面处理装置和表面处理方法的一实施方式。 0028 图 1 是表示本发明的一实施方式的直线排列式等离子。

14、体 CVD（Chemical Vapor Deposition） 装置的框图。等离子体 CVD 装置 1 包括有装入室 10、 加热室 20 以及成膜室 30。 0029 装入室10是用于将容纳有被处理体的容器51安装在输送部 （cart） 41上的室。 在 容器 51 中形成有从上表面向厚度方向开口的容纳部 52。容纳部 52 的底面形成为平坦状， 在该容纳部 52 内容纳球状、 圆柱状或多面体等的微小的被处理体。在装入室 10 内设有输 送机构 60A。输送机构 60A 包括多个辊 11。在该辊 11 上搭载输送部 41。之后详细叙述输 送机构。 0030 加热室 20 是用于对被处理体进。

15、行预加热的室。在加热室 20 内设有块状加热器 说 明 书 CN 103052734 A 4 3/8 页 5 22、 输送机构 60B。输送机构 60B 包括多个辊 21。被处理体被块状加热器加热。另外， 设有 经由气体阀 27 和配管排出加热室 20 内的气体的真空泵 25。 0031 成膜室 30 是用于对被处理体的表面实施处理的室。在成膜室 30 内设有输送机构 60C。输送机构 60C 包括多个辊 31。在辊 31 上搭载输送部 41， 在该输送部 41 的下表面上 设有隔着输送部 41 对容纳在容器 51 内的被处理体进行加热的夹套加热器 33。 0032 在夹套加热器 33 和辊 。

16、31 的上方设有电极板 34。在电极板 34 上连接有 RF 电源 35。 另外， 设有用于对供给到成膜室30内的原料气体的流量进行调整的质量流量控制器36 和导入气体阀。并且设有用于排出在成膜时经由质量流量控制器 36 和气体导入阀 37 而流 入的气体的排气阀 39 和真空泵 38。 0033 图 2 是用 II II 线截取包含图 1 的成膜室 30 内的输送机构 60C 和夹套加热器 33 在内的区域的剖视图， 图 3 是输送部 41、 容器 51 以及输送机构 60C 的立体图。但是， 在 图 3 中， 为了便于图示， 省略了基座 61、 支承机构等的图示。输送机构 60A 和输送机。

17、构 60B 也具有与输送机构 60C 相同的构造。 0034 输送机构 60C 的用于驱动辊 31 和辊 31 的机构形成为左右对称。 0035 各辊31在图1中仅图示有两对， 但是实际上是以左右各一个为一对的方式配置有 多对。在图 3 中图示有四对， 但这是一个例子， 可以设定为适当的数量。各辊 31 的旋转轴 77 以能够旋转的方式被基座 61 （参照图 2） 支承。在基座 61 的外侧配置有电机 62， 电机 62 的旋转轴 63 与伞齿轮 64 结合。在伞齿轮 64 上啮合有伞齿轮 72。伞齿轮 64 与伞齿轮 72 之间的轴角为 90 度。 0036 在伞齿轮 72 的中心设有轴 7。

18、1。在轴 71 上设有四个伞齿轮 73。各伞齿轮 73 配置 在对应于辊 31 的旋转轴 77 的区域， 与各伞齿轮 73 啮合的伞齿轮 74 设置于各辊 31 的旋转 轴 77。伞齿轮 73 与伞齿轮 74 的轴角为 90 度。 0037 在辊 31 上搭载输送部 41。通过驱动电机 62 而使辊 31 进行旋转， 使该输送部 41 在辊 31 的旋转方向上移动。在输送部 41 上利用固定器具 ( 未图示 ) 固定有容器 51。因 而， 容器 51 在辊 31 的作用下与输送部 41 一体地移动。 0038 输送机构 60C 是如此构成的 ： 如图 3 所示， 若电机 62 的旋转轴 63 。

19、如箭头所示 那样沿顺时针方向进行旋转， 则经由伞齿轮 64 伞齿轮 72 轴 71 伞齿轮 73 伞齿轮 74使辊31的旋转轴77沿逆时针方向进行旋转， 从而向左侧方向输送搭载于辊31的输送部 41。另外， 若使电机 62 的旋转轴 63 沿逆时针方向进行旋转， 则经过相同的传递路径， 使辊 31 的旋转轴 77 沿顺时针方向进行旋转， 从而向右侧方向输送搭载于辊 31 的输送部 41。 0039 在输送部 41 的下表面处的左右辊 31 之间设有夹套加热器 33。夹套加热器 33 具 有在金属壳 81 之中保持镍铬合金线等发热体 82， 并在两者之间牢固地填充有无机绝缘材 料的构造。该夹套加。

20、热器 33 配置为在输送部 41 的下表面靠近输送部 41， 隔着输送部 41 和 容器 51 对容纳在容器 51 的容纳部 52 内的被处理体快速地进行加热。 0040 接着， 说明利用该等离子体 CVD 装置 1 在被处理体的表面上形成薄膜的方法。 0041 首先， 在搭载于装入室 10 的辊 11 的输送部 41 上安装容器 51， 该容器 51 在容纳 部 52 内容纳有被处理体。也可以将安装有容器 51 的输送部 41 配置在辊 11 上， 从而将被 处理体容纳在容器 51 的容纳部 52 内。 0042 作为被处理体的一个例子， 能够列举出在球状的 p 型硅的表面上具有 n 型扩散。

21、层 说 明 书 CN 103052734 A 5 4/8 页 6 的太阳能电池用元件。太阳能电池用元件是直径为 0.5mm 1.0mm 左右的球状体。该例示 并非限定本发明的意思， 而是以使理解变得明确为目的。 0043 打开闸门阀2， 驱动电机而使辊11进行旋转， 从而将输送部41和容器51输送至加 热室 20。关闭闸门阀 2， 利用真空泵 25 使加热室 20 成为真空状态， 利用块状加热器 22 对 容纳在容器 51 的容纳部 52 内的被处理体进行预加热。 0044 接着， 打开闸门阀 3， 驱动电机而使辊 21 进行旋转， 从而将输送部 41 和容纳有预 加热后的被处理体的容器 51。

22、 输送至成膜室 30。关闭闸门阀 3， 利用真空泵 38 使成膜室 30 内成为真空。一边利用夹套加热器 33 对容器 51 的容纳部 52 内的被处理体进行加热一边 利用质量流量控制器 36 来调整流量从而将原材料导入到成膜室 30 内。另外， 从 RF 电源 35 向电极板 34 供给电力。若输送部 41 由碳等形成， 则以电极板 34 为阴极， 以输送部 41 为阳 极， 产生等离子体。 0045 说明在作为被处理体的球状的太阳能电池用元件的表面上形成 SiNx来作为钝化 膜的一个例子。在该例子中， 作为原料气体， 供给 SiH4（甲硅烷） 、 NH3（氨气） 、 N2（氮气） 。在 该。

23、成膜工序中， 驱动电机63而使输送部41和容器51在图1中的左右方向上进行往返移动， 从而使容纳在容器 51 的容纳部 52 内的被处理体在容纳部 52 内滚动。 0046 图 4 的 （A） 图 4 的 （C） 是表示利用输送机构 60C 输送的输送部 41 和容器 51 的 移动状态的侧视图， 图 5 的 （A） 图 5 的 （C） 是用于分别表示在对应于图 4 的 （A） 图 4 的 （C） 的位置处的、 容纳在容器 51 的容纳部 52 内的被处理体 55 的滚动的状态的图。 0047 图 4 的 （A） 表示电机 62 进行旋转之前的状态。在该状态下， 输送部 41 和容器 51 静。

24、止， 容器 51 的容纳部 52 的底面大致平坦， 因而容纳在容器 51 的容纳部 52 内的被处理体 55 如图 4 的 （A） 所示那样大致均匀地分散在容纳部 52 的整个底面上。 0048 从图 4 的 （A） 的状态起， 驱动电机 62 而使旋转轴 63 沿顺时针方向进行旋转， 而经 由伞齿轮 64 伞齿轮 72 轴 71 伞齿轮 73 伞齿轮 74 的传递路径使辊 31 沿逆时针方 向进行旋转。由此， 容器 51 与输送部 41 一同向图 4 的 （A） 所图示的箭头 ( 左侧 ) 方向 移动而成为图 4 的 （B） 所示的状态。若在该位置处使电机 62 停止， 则如图 5 的 （B。

25、） 所示， 容 纳在容器 51 的容纳部 52 内的被处理体 55 在惯性力的作用下一边在容纳部 52 的底面上进 行旋转一边移动， 并抵接于容纳部 52 的左侧的内壁。 0049 接着， 使电机62的旋转轴63沿作为相反方向的逆时针方向进行旋转， 经由与上述 相同的传递路径使辊 31 沿顺时针方向进行旋转。由此， 容器 51 与输送部 41 一同向图 4 的 （B） 所图示的箭头 ( 右侧 ) 方向移动而成为图 4 的 （C） 所示的状态。若在输送部 41 和容 器 51 到达了图 4 的 （C） 所示的位置的时机使电机 62 停止， 则如图 5 的 （C） 所示， 容纳在容 器 51 的容。

26、纳部 52 内的被处理体 55 在惯性力的作用下一边在容纳部 52 的底面上进行旋转 一边移动， 并抵接于容纳部 52 的右侧的内壁。 0050 通过重复进行图 4 的 （B） 图 4 的 （C） 所示的驱动， 在这期间继续进行针对被处 理体 55 的成膜， 从而能够在各被处理体 55 的整个表面上均匀地形成薄膜。例如， 在被处理 体 55 为上述的太阳能电池用元件时， 通过供给 SiH4（甲硅烷） 、 NH3（氨气） 、 N2（氮气） 作为 原料气体， 从而 SiNx以均匀的膜厚形成在太阳能电池用元件的整个表面上。 0051 在上述的实施方式中， 通过使容器51进行往返动作， 从而使球状的被。

27、处理体55一 边在容纳部 52 的底面上滚动一边在被处理体 55 的表面上形成薄膜， 因而能够使形成在被 说 明 书 CN 103052734 A 6 5/8 页 7 处理体 55 的整个表面上的薄膜成为均匀的厚度。另外， 由于将被处理体 55 容纳在底面为 大致平坦状的容纳部 52 内， 因而被处理体 55 在容纳部 52 的底面上广泛地分散， 滚动的区 域将变宽， 因而被处理体的滚动变得可靠， 另外， 能够增加可容纳在容纳部 52 内的被处理 体的量。 0052 此外， 也可以取代往返动作而使容器 51 进行其他动作。以下表示其变形例。 0053 容器动作的变形例 1 0054 图 6 的。

28、 （A） （C） 是用于说明使容器 51 进行摆动动作的方法的图。 0055 输送机构 60 在基座 61 的中心处具有成为基座 61 的摆动中心的支承轴 67。图 6 的 （A） 表示基座 61 在与重力大致垂直的方向 ( 水平方向 ) 上静止的状态。若从该状态起， 如图示的箭头那样使基座61以支承轴67为中心沿顺时针方向进行旋转， 则如图6的 （B） 所示， 容器 51 与输送部 41 一同向右下方倾斜。因此， 容纳在容器 51 的容纳部 52 内的被处 理体 55 一边在容纳部 52 的底面上进行旋转， 一边向右侧下方移动。 0056 接着， 如图示的箭头， 若使基座 61 以支承轴 6。

29、7 为中心沿逆时针方向进行旋转， 则如图 6 的 （C） 所示， 容器 51 与输送部 41 一同向右上方倾斜。因此， 容纳在容器 51 的容 纳部 52 内的被处理体 55 一边在容纳部 52 的底面上进行旋转， 一边向左侧下方移动。重复 进行图 6 的 （B） 图 6 的 （C） 所图示的动作， 在这期间内， 在被处理体的表面上形成薄膜。 0057 通过使容纳有这种被处理体的容器进行摆动动作， 也能够在被处理体的表面上形 成均匀厚度的薄膜。 0058 此外， 作为驱动基座61的构造， 能够采用在基座61的端部上连结进行往返动作的 气缸的杆、 或连结利用电机进行旋转的偏心凸轮等适当的驱动机构。

30、。 0059 容器动作的变形例 2 0060 图 7 的 （A） 图 7 的 （H） 是用于说明使容器进行往返动作和摆动动作的复合动作 的方法的图。 0061 图 7 的 （A） 表示使基座 61 在与重力垂直的状态 （水平状态） 下静止的状态。 0062 若在该状态下驱动电机62， 使辊31进行旋转， 如箭头所示那样使输送部41和容 器 51 向左侧方向移动， 并且如箭头所示那样使基座 61 以支承轴 67 为中心沿顺时针方向 进行旋转， 则如图 7 的 （B） 所示， 容器 51 成为稍微向右下方倾斜的状态。 0063 若从图 7 的 （B） 的状态起进一步向相同方向驱动电机 62， 使辊。

31、 31 进行旋转， 如 箭头所示那样使输送部 41 和容器 51 进一步向左侧方向移动， 并且如箭头所示那样使基 座 61 以支承轴 67 为中心进一步沿顺时针方向进行旋转， 则如图 7 的 （C） 所示， 容器 51 成 为进一步向右下方倾斜的状态。 0064 若在图 7 的 （C） 的状态下使电机 62 向相反方向进行旋转， 使辊 31 向相反方向进 行旋转， 如箭头所示那样使输送部41和容器51向右侧方向移动， 并且如箭头所示那样 使基座 61 以支承轴 67 为中心沿逆时针方向进行旋转， 则如图 7 的 （D） 所示， 容器 51 成为 稍微向右下方倾斜的状态。 0065 若从图 7 。

32、的 （D） 的状态起进一步向相同方向驱动电机 62， 使辊 31 进行旋转， 如 箭头所示那样使输送部 41 和容器 51 进一步向右侧方向移动， 并且如箭头所示那样使基 座 61 以支承轴 67 为中心进一步沿逆时针方向进行旋转， 则如图 7 的 （E） 所示， 输送部 41 和 容器 51 成为水平状态。 说 明 书 CN 103052734 A 7 6/8 页 8 0066 若从图 7 的 （E） 的状态起进一步向相同方向驱动电机 62， 使辊 31 进行旋转， 如 箭头所示那样使输送部 41 和容器 51 进一步向右侧方向移动， 并且如箭头所示那样使基 座 61 以支承轴 67 为中心。

33、进一步沿逆时针方向进行旋转， 则如图 6 的 （F） 所示， 容器 51 成 为稍微向右上方倾斜的状态。 0067 若从图 7 的 （F） 的状态起进一步向相同方向驱动电机 62， 使辊 31 进行旋转， 如 箭头所示那样使输送部 41 和容器 5 进一步 1 向右侧方向移动， 并且如箭头所示那样使基 座 61 以支承轴 67 为中心进一步沿逆时针方向进行旋转， 则如图 7 的 （G） 所示， 容器 51 成 为进一步向右上方倾斜的状态。 0068 若从图 7 的 （G） 的状态起向反方向驱动电机 62， 使辊 31 进行旋转， 如箭头所示 那样使输送部41和容器51向左侧方向移动， 并且如箭。

34、头所示那样使基座61以支承轴67 为中心沿顺时针方向进行旋转， 则如图 7 的 （H） 所示， 容器 51 成为稍微向右下方倾斜的状 态。 0069 若从图 7 的 （H） 的状态起向相同方向驱动电机 62， 使辊 31 进行旋转， 如箭头所 示那样使输送部 41 和容器 51 进一步向左侧方向移动， 并且如箭头所示那样使基座 61 以 支承轴 67 为中心进一步沿顺时针方向进行旋转， 则如图 7 的 （A） 所示， 容器 51 成为水平状 态。 0070 通过重复进行图 7 的 （A） 图 7 的 （H） 所图示的驱动， 在这期间内持续进行针对被 处理体 55 的成膜， 从而能够在各被处理体。

35、 55 的整个表面上均匀地形成薄膜。 0071 在该容器动作的变形例 2 中， 使容器 51 一边在水平方向上进行往返动作， 一边向 重力所作用的方向进行摆动动作， 因而对容纳在容器 51 的容纳部 52 内的被处理体作用重 力和水平方向的惯性力。因此， 能够使被处理体的滚动变得更可靠。 0072 容器动作的变形例 3 0073 图 8 的 （A） （C） 表示能够进一步增大作用于被处理体的惯性力的例子。 0074 在该实施例的输送机构 60 上， 在基座 61 的两端设有止挡件 68。止挡件 68 的间隔 设定为比输送部 41 的长度大， 且输送部 41 能够在止挡件 68 之间进行往返动作。

36、的长度。另 外， 容器51两侧的外侧面抵接于竖直设置在输送部41上的止动销56， 被限制了向长度方向 的移动。 0075 图 8 的 （A） 是未驱动电机 62 的停止的状态。从该状态起驱动电机 62， 利用辊 31 使输送部 41 和容器 51 向图 8 的 （A） 的箭头所示的左侧方向移动。若继续驱动电机 62， 则如图 8 的 （B） 所示， 输送部 41 的左端撞击于左侧的止挡件 68。在基于该撞击的冲击下， 容纳在容器 51 的容纳部 52 内的被处理物可靠地进行滚动。 0076 一旦成为图 8 的 （B） 的状态， 使电机 62 的驱动停止， 紧接着向相反方向进行旋转。 然后， 如。

37、箭头所示那样使输送部 41 和容器 51 向右侧方向移动， 这次， 如图 8 的 （C） 所示， 使输送部41的右端撞击于右侧的止挡件68。 之后， 使电机62的驱动停止， 紧接着进行相反 方向的旋转。由此， 经过图 8 的 （A） 所示的状态， 成为图 8 的 （B） 的状态。如此， 通过重复进 行图 8 的 （A） 图 8 的 （C） 所示的动作， 在这期间， 持续进行针对被处理体 55 的成膜， 从而 能够在各被处理体 55 的整个表面上均匀地形成薄膜。 0077 该实施方式是一种使输送部 41 撞击于止挡件 68， 并利用此时的冲击力使容纳在 容器 51 的容纳部 52 内的被处理物 。

38、55 滚动的方法， 输送部 41 撞击在止挡件 68 时的冲击比 说 明 书 CN 103052734 A 8 7/8 页 9 突然使电机 62 停止而产生的能量大， 因而使容纳部 52 内的被处理体的滚动变得可靠。另 外， 通过调整容器 51 的输送速度， 能够将冲击力设定为任意的大小。 0078 另外， 容器 51 的容纳部 52 的形状也能够进行各种变形， 下面示出其变形例。 0079 容纳部形状的变形例 1 0080 图 9 表示容器 51 的容纳部 52 的变形例的剖视图。在该变形例中， 在容纳部 52 的 底面52a的两侧缘上形成有坡度较缓的倾斜部52b。 另外， 与坡度较缓的倾斜。

39、部52b连续地 形成有较陡的倾斜部 52c。坡度较缓的倾斜部 52b 用于防止微小的被处理体被夹在底面与 侧面之间的边界部即垂直的角部而被限制滚动。另外， 较陡的倾斜部 52c 用于防止被处理 体从坡度较缓的倾斜部 52b 向容纳部 52 的外部飞出。 0081 容纳部形状的变形例 2 0082 图 10 表示容器 51 的另一变形例的剖视图。在该变形例中， 容纳部 52 的底面 52d 呈圆弧状。容纳部 52 的侧面成为在端部设为圆倒角状的直线状的陡倾斜面 52e。另外， 在 陡倾斜面 52e 的上部形成有悬空部 52f。悬空部 52f 用于防止被处理体从容纳部 52 飞出。 另外， 悬空部。

40、 52f 使尽管如此仍从容纳部 52 飞出的被处理体再次落入到容纳部 52 内。 0083 容纳部 52 的底面的粗糙度也对被处理体的滚动动作带来影响。只要被处理体呈 球状， 容纳部 52 的底面也可以是镜面。另外， 为了给被处理体和容纳部的底面带来一些摩 擦力， 也可以在容纳部 52 的底面形成微小的凹凸。若在被处理体为多面体的情况下， 容纳 部 52 的底面为镜面， 则被处理体的一个面在容纳部 52 的底面上滑动， 从而难以进行滚动。 在这种情况下， 推荐在容纳部 52 的底面上形成微小的凹凸。但是， 若形成在容纳部 52 的底 面上的微小的凹凸过深， 或者凹凸的间距比多面体的各表面尺寸大。

41、， 则多面体将会滞留在 凹部内， 因而需要注意。 0084 如上， 本发明通过使容器 51 进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作， 从而一 边使被处理体 55 在容纳部 52 的底面上滚动一边在被处理体 55 的表面上形成薄膜， 因而能 够使形成在被处理体 55 的整个表面上的薄膜形成为均匀的厚度。另外， 将被处理体 55 容 纳在底面形成为大致平坦状的容纳部 52 内， 因而被处理体 55 在容纳部 52 的底面广泛地分 散， 滚动的区域变宽， 能够使被处理体的滚动动作进一步变得可靠， 另外， 能够增加可容纳 在容纳部 52 内的被处理体的量， 从而提高生产率。 0085 此外， 在上述实。

42、施方式中， 以在被处理体上形成薄膜的情况为例进行了说明， 但是 能够应用于包括在被处理体上扩散杂质离子、 或者照射离子束等而带来物理或化学变化的 情况等在内的， 进行各种处理的情况。 0086 进行被处理体的处理的装置也不限于等离子体 CVD 装置， 也能够应用于溅射装置 等其他装置。 以在水平状态下使容器进行往返动作为例进行了说明， 但是在水平状态中， 也 可以使容器进行摆动动作等， 从而使容器进行并非一维而是二维的动作。 另外， 作为容器的 动作， 还能够采用组合了这些动作和重力方向上的摆动动作而成的动作。 0087 以被处理体 55 容纳在与输送部 41 不同的容器 51 内的实施方式进。

43、行了说明， 但是 还能够进行在输送部 41 内设置被处理体的容纳部， 而将被处理体 55 直接容纳在输送部 41 的容纳部内的实施方式。 0088 除此之外， 本发明的表面处理装置能够进行各种变形而构成， 主要具备以下构件 即可 ： 容器， 其容纳被处理体 ； 表面处理单元， 其具有处理室， 该处理室具有容纳容器的空 说 明 书 CN 103052734 A 9 8/8 页 10 间， 并导入用于对被处理体的表面进行处理的气体 ； 以及容器驱动机构， 其使容纳有被处理 体的容器进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作。 0089 另外， 本发明应用于如下表面处理方法 ： 该表面处理方法包括 ： 。

44、容纳工序， 在该容 纳工序中容纳用于容纳被处理体的容器 ； 以及处理工序， 在该处理工序中使容器进行往返 动作或摆动动作中的至少一个动作， 从而一边使被处理体在容器内滚动， 一边对被处理体 的表面实施处理。 0090 以上， 说明了各种实施方式和变形例， 但是本发明并不限定于这些内容。 在本发明 的技术主旨的范围内所能想出的其他技术方案也属于本发明的范围内。 0091 以下的优先权基础申请的公开内容作为引用文引用于此。 0092 日本国特许出愿 2010 年第 175176 号 （2010 年 8 月 4 日提出申请） 说 明 书 CN 103052734 A 10 1/9 页 11 图 1 。

45、说 明 书 附 图 CN 103052734 A 11 2/9 页 12 图 2 说 明 书 附 图 CN 103052734 A 12 3/9 页 13 图 3 说 明 书 附 图 CN 103052734 A 13 4/9 页 14 图 4 说 明 书 附 图 CN 103052734 A 14 5/9 页 15 图 5 说 明 书 附 图 CN 103052734 A 15 6/9 页 16 图 6 说 明 书 附 图 CN 103052734 A 16 7/9 页 17 图 7 说 明 书 附 图 CN 103052734 A 17 8/9 页 18 图 8 图 9 说 明 书 附 图 CN 103052734 A 18 9/9 页 19 图 10 说 明 书 附 图 CN 103052734 A 19 。