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1、10申请公布号CN104103290A43申请公布日20141015CN104103290A21申请号201410132213X22申请日20140402201308428520130412JP201312479120130613JPG11B5/6620060171申请人昭和电工株式会社地址日本东京都72发明人张磊神边哲也村上雄二丹羽和也74专利代理机构北京市中咨律师事务所11247代理人刘瑞东段承恩54发明名称磁记录介质和磁存储装置57摘要一种磁记录介质，包含基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层。其中，所述磁性层的主成分是具有10结构的合金；所述多个底层中的至少1。
2、层是含有的结晶质底层；所述是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含从、及中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1以上、20以下；及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有结构的材料。30优先权数据51INTCL权利要求书2页说明书28页附图2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书28页附图2页10申请公布号CN104103290ACN104103290A1/2页21一种磁记录介质，包含基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层，其中，所述磁性层的主成分是具有10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有的结晶。
3、质底层；所述是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含1以上、20以下的从、及中所选择的1种以上的元素，及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有结构的材料。2如权利要求1所述的磁记录介质，还包含密排方向控制底层，包含从、以为主成分的结构的合金、及具有2结构的合金中所选择的1种以上的金属，其中，所述结晶质底层形成在所述密排方向控制底层上。3如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述包含具有结构的材料包含从、及中所选择的1种以上的化合物。4如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述磁性层包含从2、2、23、23、25、2、23、2、23、及中所选择的1种以上的物质；及所述磁性层。
4、的主成分是合金或具有10结构的合金。5一种磁存储装置，包含权利要求1至4的任1项所述的磁记录介质。6一种磁记录介质，包含基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层，其中，所述磁性层的主成分是具有10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有的结晶质底层；所述是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含1以上、50以下的氧化物；及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有结构的材料。7如权利要求6所述的磁记录介质，其中所述氧化物包含从23、2、23、23、25、25、权利要求书CN104103290A2/2页32、23、2、2、23、及中所选择的1种以。
5、上。8如权利要求6所述的磁记录介质，还包含密排方向控制底层，包含从、以为主成分的结构的合金、及具有2结构的合金中所选择的1种以上的金属，其中，所述结晶质底层形成在所述密排方向控制底层上。9如权利要求6所述的磁记录介质，其中所述包含具有结构的材料包含从、及中所选择的1种以上的化合物。10如权利要求6所述的磁记录介质，其中所述磁性层包含从2、2、23、23、25、2、23、2、23、及中所选择的1种以上的物质；及所述磁性层的主成分是合金或具有10结构的合金。11一种磁存储装置，包含权利要求6至10的任1项所述的磁记录介质。权利要求书CN104103290A1/28页4磁记录介质和磁存储装置技术领域。
6、0001本发明涉及一种磁记录介质和磁存储装置。背景技术0002近年，硬盘驱动器的大容量化的需求日益提高。作为满足这种需求的手段，提出了一种采用安装了激光光源的磁头对磁记录介质进行加热以进行记录的热辅助磁记录方式。0003采用热辅助磁记录方式，藉由对磁记录介质进行加热，可大幅降低保磁力，所以，可在磁记录介质的磁性层使用磁晶异方性常数较高的材料。为此，可在对热稳定性进行维持的同时进行磁粒粒径的微细化，并可实现12级别的面密度。作为高磁性材料，提出了10型合金、10型合金、11型合金等的有序合金等。0004另外，在磁性层中，为了对由上述有序合金组成的结晶粒进行隔离（ISOLATE），添加了作为粒界相。
7、材料（GRAINBOUNDARYPHASEMATERIAL）的2、2等的氧化物或、等。藉由具有在粒界相所分离的磁性结晶粒的粒状结构，可降低磁性粒子间的交换结合，并可实现较高的介质比。0005非专利文献1中记载了，通过在添加38的2，可将磁粒粒径降低至5。再有，在该文献还记载了，通过将2的添加量再增加至50，可将粒径降低至29。0006另外，为了获得具有较高垂直磁气异方性的热辅助磁记录介质，优选为，使磁性层中的1O型有序合金中具有良好的（001）密排方向ORIENTATION。由于磁性层的密排方向可由底层进行控制，所以，需要使用适当的底层。0007关于底层，例如，专利文献1中示出了，通过使用底层。
8、，1O型磁性层可具有良好的（001）密排方向。0008另外，专利文献2中记载了，通过在合金等的具有结构的结晶粒径控制层之上形成作为“结晶密排方向性控制兼低热传导中间层”的层，1O型磁性层可具有更好的（001）密排方向。0009专利文献3的实施例23中记载了，作为底层可使用5的例子。0010另外，作为次世代的记录方式而被注目的其它技术，还具有微波辅助磁记录方式。微波辅助磁记录方式是一种通过向磁记录介质的磁性层照射微波，使磁化方向从磁化容易轴倾斜，并使磁性层的磁化局部反转（翻转），以对磁性信息进行记录的方式。0011在微波辅助磁记录方式中也与热辅助磁记录方式同样地，作为磁性层的材料，可使用由具有1。
9、O型结晶结构的合金所组成的高材料。为此，可在对热稳定性进行维持的同时进行磁粒粒径的微细化。0012同时，在使用上述热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式的磁记录介质的磁存说明书CN104103290A2/28页5储装置中，为了实现较高的介质比，还需要在磁记录介质中进行磁性结晶粒的微细化的同时，也要充分地降低磁性结晶粒间的交换结合。作为实现该目的的方法，如上所述，可向磁性层中添加2或等的粒界相材料。0013现有技术文献0014专利文献0015专利文献1特开平11353648号公报0016专利文献2特开2009158054号公报0017专利文献3特开201248792号公报0018非专利文献0019。
10、非专利文献1104，023904（2008）发明内容0020发明要解决的课题0021然而，在使用为磁存储装置的情况下，如果为了获得足够高的介质比而添加了多量的粒界相材料，则存在着，磁性层中所含的具有10结构的合金的结晶粒（以下，也称磁性层结晶粒）、例如、合金结晶粒的有序度恶化，降低的问题。0022本发明是鉴于上述现有技术所存在的问题而提出的，其目的在于提供一种磁记录介质，可在不使磁性层中所含的具有10结构的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁存储装置的情况下的介质比。0023用于解决课题的手段0024根据本发明的一方面，提供一种磁记录介质，包含0025基板；0026在所述基板上形成的多。
11、个底层；及0027在所述多个底层上形成的磁性层，0028其中，0029所述磁性层的主成分是具有10结构的合金；0030所述多个底层中的至少1层是含有的结晶质底层；0031所述是所述结晶质底层的主成分；0032所述结晶质底层还包含从、及中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1以上、20以下；及0033在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有结构的材料。0034根据本发明的另一方面，还提供一种磁记录介质，包含0035基板；0036在所述基板上形成的多个底层；及0037在所述多个底层上形成的磁性层，0038其中，0039所述磁性层的主成分是具有10结构的合金；0040所述多。
12、个底层中的至少1层是含有的结晶质底层；说明书CN104103290A3/28页60041所述是所述结晶质底层的主成分；0042所述结晶质底层还包含1以上、50以下的氧化物；及0043在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有结构的材料。0044发明的效果0045根据本发明，能够提供一种磁记录介质，可在不使磁性层中所含的具有10结构的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁存储装置的情况下的介质比。0046附图概述0047图1本发明的一个实施例的磁记录装置的图。0048图2本发明的一个实施例的磁头的结构图。0049图3实验例1所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。005。
13、0图4实验例2所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。0051图5实验例5所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。0052符号说明0053100、212磁记录介质0054101磁记录介质驱动部0055102磁头0056103磁头驱动部0057104记录和再生信号处理系统0058301、401、501基板（玻璃基板）0059304、404、506底层0060305、405、507阻挡层0061306、406、508磁性层0062本发明的实施方式0063本申请主张基于2013年4月12日申请的日本国专利申请第2013084285号（以下简称“第1基础申请”）和2013年6月13日申请的日本国专利申。
14、请第2013124791号（以下简称“第2基础申请”）的优先权，并将这两个申请的全部内容引用于此。0064以下，对本发明的实施方式进行说明。然而，本发明并不限定于下述的实施方式，只要不脱离本发明的范围，可对下述实施方式进行各种各样的变形或置换。0065这里需要说明的是，下述的第1、第2实施方式与上述第1基础申请相对应，下述的第3、第4实施方式与上述第2基础申请相对应。第1实施方式0066在本实施方式中，对本发明的磁记录介质的结构例进行说明。0067本实施方式的磁记录介质具有基板；该基板上所形成的多个底层；及以具有10结构的合金为主成分的磁性层。另外，多个底层中的至少1层为含有的底层。0068另。
15、外，含有的底层包含，并且包含从、23、2、23、23、25、25、2、23、2、2、2、中所选择的1种以上的物质。0069另外，在含有的底层与所述磁性层之间，还形成有具有型结构的阻挡说明书CN104103290A4/28页7层。0070首先，如上所述，本实施方式的磁记录介质具有基板、基板上所形成的多个底层、及磁性层。0071这里，对基板并无特别的限定，可以使用能作为磁记录介质的各种各样的基板。0072另外，该基板上形成了多个底层，多个底层中的至少1层为含有（钨）的底层。0073含有的底层包含从上述的、2等的氧化物、及等的氮化物中所选择的1种以上的物质。0074含有10结构的合金等的结晶粒的磁性。
16、层形成在底层上，然而，在底层的结晶粒径较大的情况下，可为在1个结晶粒上成长具有多个10结构的合金结晶粒。为此，现有技术中存在着，磁性层中所含的具有10结构的合金的各结晶粒的粒径不均，粒径分布（即，粒径不均）较大的问题。对此，在本实施方式的磁记录介质中，通过设置含有的底层，可对底层的粒径进行微细化。通过对底层的粒径进行微细化，可促进在1个底层结晶粒上成长1个磁性层结晶粒的“成长”。据此，可达到使磁性层中所含的具有10结构的合金的结晶粒的粒径均匀化的目的。即，可降低磁性层中所含的具有10结构的合金结晶粒的粒径分布（即，使粒径均匀化）。另外，同时，在使用为磁存储装置的情况下，还可提高介质比。在本实施。
17、方式的磁记录介质中，通过设置上述底层，不仅可降低保磁力的分布（不均），还可促进磁性层结晶粒间的分离，进而降低交换结合。另外，也可降低翻转磁场分布（）。0075在含有的底层包含从、中所选择的1种以上的物质的情况下，含有量（添加量）优选为1以上、25以下。其原因在于，如果超过25，则存在着向底层的（100）面的密排方向性降低的情况，不是较好。另外，如果从、中所选择的1种以上的物质的含有量小于1，则存在着不能充分发挥添加效果的情况，所以，含有量优选在上述范围内。0076在含有的底层包含从23、2、23、23、25、25、2、23、2、2、2、中所选择的1种以上的物质的情况下，含有量优选为1以上、40。
18、以下。0077其原因在于，如果上述氧化物或氮化物的含有量超过40，则存在着向底层的（100）面的密排方向性降低的情况，并非较好。另外，在上述氧化物或氮化物的含有量小于1的情况下，存在着不能充分发挥添加效果的情况，所以，含有量优选为在上述范围内。0078这里，作为含有的底层中的的含有量，对其并无特别的限定，然而，优选为以为主成分的方式进行添加，具体而言，在除了、元素、上述氧化物、或氮化物之外的化合物中，将含有量最多的元素设为。特别地，在除了、元素、上述氧化物、或氮化物的化合物中，的含有量优选为30以上，最好为90以上。这里需要说明的是，并不需要以单体的形态来包含，可为以添加了其它元素的形态来包含。
19、，或者如前所述，以化合物的形态来包含。0079另外，为了使磁记录介质的性能稳定，多个底层间的晶格错配优选为10以下。为说明书CN104103290A5/28页8了对晶格错配进行调整，含有的底层还可包含从、中所选择的1种以上的元素。在包含从、中所选择的1种以上的元素的情况下，对含有量并无特别限定，可采用能对上述晶格错配进行控制的方式来对其添加量进行选择。0080为了使上述含有的底层的密排方向更确实地为（100）密排方向，含有的底层的下面优选为形成密排方向控制底层。作为密排方向控制底层的材料，对其并无特别的限定，例如，可使用从（金属）、以为主成分的结构的合金、及具有2结构的合金中所选择的1种以上的。
20、金属。另外，在此情况下，含有的底层优选为，形成在由从、以为主成分的结构的合金、及具有2结构的合金中所选择的1种以上的金属所组成的密排方向控制底层之上。0081作为以为主成分的结构的合金，可列举出、等。另外，作为密排方向控制层，如果在或以为主成分的结构的合金中再添加、等，则可以改善底层的结晶粒子的大小、分布度等。但是，在进行添加的情况下，最好不要使密排方向控制层本身的（100）密排方向性恶化。0082另外，作为具有2结构的合金，例如，可列举出、等。0083接下来对磁性层进行说明。0084作为磁性层的材料，对其并无特别限定，然而，因为具有较高的磁晶异方性常数，可优选使用以具有10结构的合金为主成分。
21、的材料。作为这样的具有10结构的合金，例如，可列举出合金、合金等。0085如上所述，在形成磁性层时，为了促进磁性层的有序化，优选为进行加热处理，然而，为了降低此时的加热温度（有序化温度），可在具有10结构的合金中添加、等。通过添加这些成分，可将磁性层形成时的加热温度（基板温度）降低至400500左右。0086另外，在磁性层中，具有10结构的合金的结晶粒优选为磁气隔离。为此，磁性层优选为包含从2、2、23、23、25、2、23、2、23、中所选择的1种以上的物质。据此，可对结晶粒间的交换结合进行更确实地切断，并可提高介质比。0087另外，为了促进具有10结构的磁性层的有序化，在制造本实施方式的磁。
22、记录介质时，在形成磁性层时，优选为进行600左右的加热。此时，为了对底层与磁性层之间的界面扩散进行抑制，在含有的底层与磁性层之间优选为形成具有型结构的阻挡层。0088此时，对具有型结构的阻挡层的材料并无特别限定，然而，优选为，包含从、中所选择的1种以上的化合物。0089以上对本实施方式的磁记录介质的结构例进行了说明，然而，就本实施方式的磁记录介质而言，还可以设置任意的各种各样的部件，例如，可为具有以下的部件的结构。0090例如，在磁性层上最好形成保护膜。0091对保护膜的制造方法并无特别的限定。例如，可采用对由碳化氢所组成的说明书CN104103290A6/28页9原料气体由高频等离子体进行分。
23、解以形成膜的法、由灯丝所放出的电子对原料气体进行离子化以形成膜的法、不使用原料气体而使用固体TARGET以形成膜的法等。0092对保护膜的膜厚并无特别的限定，例如，优选为1以上、6以下。其原因在于，如果低于1，则存在着磁头的浮上特性恶化的情况，并非较好。另外，如果高于6，则磁隙（MAGNETICSPACING）变大，存在着介质比下降的情况，也并非较好。0093在保护膜上，还可涂敷由全氟聚醚（PFPE）系氟树脂所组成润滑剂。0094另外，为了迅速地对磁性层进行冷却，优选为形成散热层。散热层可使用、等的热传导率的高的金属、或以、等的热传导率的高的金属为主成分的合金。例如，在热辅助磁记录方式中，磁记。
24、录介质的磁性层在被激光加热后，优选为被迅速冷却，这样，可对加热点的扩大进行抑制。为此，通过设置散热层，可降低磁化迁移区域的宽度，降低介质噪音，为较好的。对散热层的设置位置并无特别的限定，例如，优选为，在密排方向控制层的下面、或、在密排方向控制层与阻挡层之间来进行形成。0095另外，为了改善写入特性，也可形成软磁性底层。作为软磁性底层的材料，对其并无特别的限定，然而，例如可使用、等的非晶质合金、等的微结晶合金、等的多结晶合金等。软磁性底层可为由上述合金所组成的单层膜，也可为通过对适当膜厚的层进行夹持而进行了反强磁性结合的积层膜。0096另外，除了上述的层以外，根据需要，还可任意地设置种晶（SEE。
25、D）层、黏接层等。0097以上所说明的本实施方式的磁记录介质可优选作为热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式的磁记录介质来使用。0098根据以上所述的本实施方式的磁记录介质，通过在预定的底层上形成磁性层，可在不使磁性层中所含的具有10结构的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁存储装置的情况下的介质比。第2实施方式0099在本实施方式中，对本发明的磁存储装置的结构例进行说明。这里需要说明的是，在本实施方式中，尽管对基于热辅助磁记录方式的磁存储装置的结构例进行了说明，然而，并不限定于该方式，也可将第1实施方式中所说明的磁记录介质使用于基于微波辅助磁记录方式的磁存储装置。0100本实施方式的磁。
26、存储装置可为具有第1实施方式中所说明的磁记录介质的磁存储装置。0101在磁存储装置中，例如，可为还具有用于使磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部、及在前端部具有近场光发生元件的磁头的结构。另外，可具有用于对磁记录介质进行加热的激光发生部；将激光发生部所发生的激光导引至近接场光发生元件的导波路；用于使磁头移动的磁头驱动部；及记录和再生（RECORDING/REPRODUCTION）信号处理系统。0102磁存储装置的具体结构例示于图1中。0103例如，本实施方式的磁存储装置可为图1所示的结构。具体而言，可为由磁记录介质100、用于使磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部101、磁头102、用于使磁头移动的磁。
27、头驱动部103、及记录和再生信号处理系统104等构成的结构。0104另外，作为磁头102，例如，可使用图2所示的记录用磁头。该磁头具有记录头208说明书CN104103290A7/28页10和再生头211。记录头208具有主磁极201；辅助磁极202；用于产生磁场的线圈203；作为激光发生部的激光二极管（）204；及用于将所发出的激光205引导至近接场光发生元件206的导波路207。再生头211具有由保护部（SHIELD）209所夹持的再生元件210。0105另外，作为磁记录介质100，如上所述，使用了第1实施方式中所说明的磁记录介质。为此，通过在预定的底层上形成磁性层，可在不使磁性层中所含的。
28、具有10结构的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁存储装置的情况下的介质比。另外，还可获得OW（覆盖）特性（OVERWRITE特性）良好的磁记录装置。0106实施例0107以下通过列举具体的实施例进行说明，然而，本发明并不限定于这些实施例。0108实验例10109（实施例11113、比较例1112）0110在本实验例中，制作了实施例11113、比较例11、12的试料，并对其进行了评价。0111图3表示本实验例中所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。以下对其制造步骤进行说明。0112在本实验例中，在25英寸的玻璃基板301上，作为种晶层302，形成了膜厚为25的35层，并进行了300的。
29、基板加热。0113作为密排方向控制底层303，形成了膜厚为20的50。0114接下来，形成了含有的底层304，其膜厚为15。0115另外，作为阻挡层305，形成了膜厚为2的层。0116之后，进行580的基板加热，形成了8的（46）15的2磁性层306，再形成了膜厚为3的保护膜307。0117含有的底层304如表1所示，在各实施例中形成了组成成分不同的层。在实施例11中形成了8的层，在实施例12中形成了8的层，在实施例13中形成了8的层，在实施例14中形成了8的23层，在实施例15中形成了8的2层，在实施例16中形成了10的2层，在实施例17中形成了16的层，在实施例18中形成了10的2层，在实。
30、施例19中形成了10的23层，在实施例110中形成了5的23层，在实施例111中形成了（205的25层，在实施例112中形成了（208的23层，在实施例113中形成了（20）17的层。0118另外，在比较例11、12中，制作了分别形成了不添加、氧化物、及氮化物的层及20的层的介质。0119通过对本实验例中所制作的试料（介质）进行线衍射测定，从密排方向控制底层303的50的观察到了（100）面的衍射峰值和较弱的（200）面的衍射峰值。0120从含有的底层304仅观察到了（200）面的衍射峰值。0121从磁性层306观察到了10的（001）面的衍射峰值、以及、10的（002）面的衍射峰值和的（20。
31、0）面的衍射峰值的混合峰值。说明书CN104103290A108/28页110122阻挡层305薄为2，所以，没有看到明显的衍射峰值，然而，由于磁性层306为上述的密排方向，所以，也为（100）密排方向。0123另外，由于从种晶层302没有看到明显的衍射峰值，所以，可知该种晶层是非晶质（非结晶）结构。0124表1示出了，相对于10的（002）面的衍射峰值和的（200）面的衍射峰值的混合峰值强度002200的、10的（001）面的衍射峰值强度001的比率、即、001（002200）。另外，还示出了保磁力和标准化（正规化）了的保磁力分布。0125这里，是根据通过使用（超传导量子干涉元件）施加7的磁。
32、场而在室温下所测定的磁化曲线所求得的。另外，是采用，27，49754977，1991中所述的方法所测定的。具体而言，在通过施加7的最大磁场而在室温下所测定的MAJORLOOP及MINORLOOP中，对磁化值为饱和值的50时的磁场进行测定，然后，根据两者的差，并在假定分布为高斯分布的前提下，算出了。是相当于反转（翻转）磁场分布的参数，该值越低，表示在使用为磁存储装置的情况下所获得的介质比越高，是较好的。0126表101270128说明书CN104103290A119/28页120129由表1的结果可知，在本实验例中的实施例11113的试料中，都示出了为38以上，可确认到，与比较例11、12的试料。
33、（介质）相比，高出了6以上。0130另外，关于，实施例11113的试料都示出了为03以下，可确说明书CN104103290A1210/28页13认到，低于比较例11、12的介质。0131另外，本实施例11113的试料和比较例11、12的试料的001（002200）都示出了21以上的高值，所以可知，磁性层中的10合金的有序度为良好。0132根据以上的结果可确认到，通过在含有的底层中添加从、23、2、23、23、25、25、2、23、2、2、2、中所选择的1种以上的物质，可对磁性层中的具有10结构的合金结晶粒的有序度进行维持。另外，可确认到，可大幅改善磁性层的10合金的分布度，并可降低反转磁场分布。
34、。0133实验例20134（实施例21211、比较例21）0135图4示出了本实验例所制作的磁记录介质的截面模式图。0136在25英寸的玻璃基板401上，作为种晶层402，形成了膜厚为25的50层，并进行了300的基板加热。0137作为密排方向控制底层403，形成了膜厚为20的5。0138作为含有的底层404，形成了膜厚为20的82层。0139另外，作为阻挡层405，形成了膜厚为2的层。阻挡层405在各实施例中形成了组成成分不同的层。具体而言，如表2所示，在实施例21中形成了层，在实施例22中形成了层，在实施例23中中形成了层，在实施例24中形成了层，在实施例25中形成了层，在实施例26中形成。
35、了层，在实施例27中形成了层，在实施例28中形成了层，在实施例29中形成了层，在实施例210中形成了，在实施例211中形成了层。另外，作为比较例21，还制作了没有设置阻挡层的试料。0140之后，进行600的基板加热，作为磁性层406，形成了膜厚为10的（45）1226的层。另外，作为保护膜407，形成了膜厚为3的层。0141表20142阻挡层HCKOEHC/HC实施例21MGO410030实施例22TIO389028实施例23NIO383028实施例24TIN409025实施例25TAN396027实施例26HFN390026说明书CN104103290A1311/28页14实施例27NBN3。
36、98026实施例28ZRC386029实施例29HFC381029实施例210NBC397030实施例211TAC423027比较例211900380143与实验例1的情况同样地，保磁力和保磁力分布的测定结果示于表2中。0144由表2的结果可知，在本实验例中的实施例21211的试料中，都示出了为38以上的高以及03以下的低。0145另外，可确认到，在实施例的试料中，特别是在作为阻挡层405而形成了层、层、层的实施例21、实施例24、实施例211的试料中，为40以上的特别高的。0146另一方面，在没有形成阻挡层405的比较例21的试料中，可确认到，为20以下，高为038。其原因在于，为了促进具有。
37、10结构的磁性层的有序化，在形成磁性层时，将基板加热至了600，此时，在底层与磁性层之间，产生了界面扩散，磁性层不能充分地发挥其应发挥的性能。0147从以上的结果可确认到，为了形成以具有良好有序度的1O型结构的合金为主成分的磁性层而进行基板加热时，为了对底层与磁性层之间的界面扩散进行抑制，在底层与磁性层之间，最好设置具有型结构的阻挡层。0148实验例30149（实施例3138、比较例31）0150如表3所示，制作了磁记录介质，其中，作为含有的底层404，形成了添加了140的2的（20）2层，其余都与实施例21相同。0151另外，在比较例31中，制作了试料（介质），其中，作为含有的底层404，形。
38、成了没有添加2的20层。0152这里需要说明的是，在实施例和比较例中，就含有的底层的组成之外的层结构、成膜处理而言，与实验例2相同。0153表3示出了在实施例3138及比较例31中所得到的试料的保磁力及保磁力分布的测定结果。0154表30155含有W的底层的组成HCKOEHC/HC实施例31W20ATTA1MOLSIO2378031说明书CN104103290A1412/28页15实施例32W20ATTA4MOLSIO2404025实施例33W20ATTA8MOLSIO2407023实施例34W20ATTA12MOLSIO2419025实施例35W20ATTA16MOLSIO2397026实施。
39、例36W20ATTA20MOLSIO2408026实施例37W20ATTA30MOLSIO2391027实施例38W20ATTA40MOLSIO2365032比较例31W20ATTA3090370156由表3的结果可知，在实施例3138中，都确认到了，为36以上，为032以下，与没有添加2的比较例31的试料相比，性能都得到了提高。从该结果可知，在含有的底层中，在向中添加上述的2的情况下，其添加量优选为，1以上、40以下。0157另外，尤其可确认到，在含有的底层中，2的添加量为430的试料（实施例3237）的可高达39以上；另外，关于这些试料，其低至028以下。0158其中，在添加了8的2的试料。
40、的实施例32中，为023，示出了特别低的值。0159在2的添加量为1的实施例31的试料和2的添加量为40的实施例38的试料中，如上所述，与比较例31的试料相比，可确认到其添加效果。但是，在为38以下、为030以上的情况下，则可确认到，与其它实施例的试料相比，性能有一些不好。其原因在于，在2的添加量为1的情况下，底层的粒径的微细化不充分，在磁性层的10合金粒子间的隔离方面，没有获得充分的效果；另外，在将2过多地添加至40的情况下，向含有的底层的（100）面的密排方向性降低了。0160从以上的结果可知，在向含有的底层添加2的情况下，其添加量优选为1以上、40以下，最好为大于1、小于40。0161另。
41、外，在本实验例中尽管以2为例进行了研讨，但是，对2以外的上述氧化物、氮化物（23、23、23、25、25、2、23、2、2、2、）也同样适用，所以，在添加这些化合物的情况下，也优选为采用同样的添加量。0162实验例40163（实施例4146、比较例41）0164如表4所示，制作了磁记录介质，其中，作为含有的底层404，形成了添加了125的的层，其余都与实施例21的磁记录介质相同。说明书CN104103290A1513/28页160165另外，作为比较例41，制作了试料（介质），其中，作为含有的底层404，形成了没有添加的层。0166这里需要说明的是，在实施例和比较例中，就含有的底层的组成之外的。
42、层结构、成膜处理而言，其与实验例2相同。0167表4示出了在实施例4146及比较例41中所获得的试料的保磁力及保磁力分布的测定结果。0168表401690170根据表4的结果可知，在实施例4148中，都确认到了，为大约36，为035以下，与没有添加的比较例41的试料相比，性能都得到了提高。从该结果可知，对于含有的底层，在向添加的情况下，其添加量优选为1以上、25以下。0171尤其是在含有的底层中，确认到了，的添加量为520的试料（实施例4245）的高达38以上；另外，这些试料的低至028以下。0172其中，在添加了10的的试料的实施例43中，示出了为023的特别低的值。0173在的添加量为1的。
43、实施例41的试料和的添加量为25的实施例46的试料中，如上所述，与比较例41的试料相比，确认到了其添加效果。但是，在为030以上的情况下，则确认到了与其他实施例的试料相比，性能有些不好。其原因在于，在的添加量为1的情况下，底层的粒径的微细化不充分，在磁性层的10合金粒子间的隔离方面，没有获得充分的效果；另外，在将过多地添加了25的情况下，向含有的底层的（100）面的密排方向性降低了。0174根据以上的结果可知，在向含有的底层添加的情况下，其添加量优选为1以上、25以下，最好为大于1、小于25。0175这里需要说明的是，这里尽管以为例进行了研讨，但是，对于以外的上述元素说明书CN104103290A1614/28页17（、）也同样适用，所以，在添加从、中所选择的1种以上的元素的情况下，最好也采用同样的添加量。0176实验例501。