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1、10申请公布号CN104103292A43申请公布日20141015CN104103292A21申请号201410116219822申请日20140326201307695920130402JPG11B5/84200601G11B5/72520060171申请人昭和电工株式会社地址日本东京都72发明人冈部健彦藤克昭74专利代理机构北京市中咨律师事务所11247代理人李照明段承恩54发明名称磁记录介质的制造方法57摘要一种在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层的磁记录介质的制造方法。所述润滑层的形成包含采用汽相润滑成膜方法，以使形成了所述保护层后的被积层体不与大气接触的方式，将第1润滑剂。
2、涂敷至所述被积层体；及在涂敷了所述第1润滑剂后，采用汽相润滑成膜方法，以使所述被积层体不与大气接触的方式，将第2润滑剂涂敷至所述被积层体。所述第1润滑剂的分子量低于所述第2润滑剂的分子量。所述第1润滑剂的极性高于所述第2润滑剂的极性。30优先权数据51INTCL权利要求书2页说明书18页附图3页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书18页附图3页10申请公布号CN104103292ACN104103292A1/2页21一种在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层的磁记录介质的制造方法，其特征在于所述润滑层的形成包含采用汽相润滑成膜方法，以使形成了所述保护层后。
3、的被积层体不与大气接触的方式，将第1润滑剂涂敷至所述被积层体；及在涂敷了所述第1润滑剂后，采用汽相润滑成膜方法，以使所述被积层体不与大气接触的方式，将第2润滑剂涂敷至所述被积层体，其中所述第1润滑剂的分子量低于所述第2润滑剂的分子量；及所述第1润滑剂的极性高于所述第2润滑剂的极性。2如权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于所述第1润滑剂包含分子量在5002000范围内的四醇。3如权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于所述第2润滑剂包含分子量在15005000范围内的二醇。4一种在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层的磁记录介质的制造方法，其特征在于所述润滑层的形。
4、成包含采用汽相润滑成膜方法，以使形成了所述保护层后的被积层体不与大气接触的方式，将第1润滑剂涂敷至所述被积层体；及在涂敷了所述第1润滑剂后，采用汽相润滑成膜方法，以使所述被积层体不与大气接触的方式，将第2润滑剂涂敷至所述被积层体，其中所述第1润滑剂的分子量高于所述第2润滑剂的分子量；所述第1润滑剂的极性低于所述第2润滑剂的极性；及将所述第2润滑剂涂敷至所述被积层体的步骤为，将所述被积层体上所涂敷的所述第1润滑剂的一部分或全部置换为所述第2润滑剂的步骤。5如权利要求4所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于所述第1润滑剂包含分子量在15005000范围内的二醇。6如权利要求4或5所述的磁记录介质的。
5、制造方法，其特征在于所述第2润滑剂包含分子量在5002000范围内的四醇。7如权利要求12及45的任1项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于在形成了所述保护层后，在涂敷所述第1润滑剂前，对所述保护层表面进行氮化或氧化处理。8如权利要求12及45的任1项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于所述保护层或形成了所述保护层后的表层部为氮化碳或氧化碳。9如权利要求12及45的任1项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于在第1处理室内将所述第1润滑剂涂敷至所述被积层体；将所述被积层体从所述第1处理室介由搬送区域搬送至第2处理室；在所述第2处理室内将所述第2润滑剂涂敷至所述被积层体；及权利要求书CN10。
6、4103292A2/2页3在所述第1处理室内的处理气体的压力为，所述第2处理室内的处理气体的压力为，所述搬送区域内的气体压力为的情况下，满足且的关系。10如权利要求9所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于所述搬送区域内的气体使用非活性气体。权利要求书CN104103292A1/18页4磁记录介质的制造方法技术领域0001本发明涉及一种磁记录介质的制造方法。背景技术0002近年，磁存储装置被安装在个人计算机、录像机、数据服务器等各种各样的产品中，其重要性日益增加。磁存储装置是一种具有通过磁记录对电子数据进行保存的磁记录介质的装置，例如，可包括磁盘装置、可挠性（软）盘装置、及磁带装置等。磁盘装置例。
7、如可包括硬盘驱动器（HARDDISKDRIVE）等。0003一般的磁记录介质具有多层膜积层结构，该多层膜积层结构例如可通过在非磁性基板上按底层（或称基层）、中间层、磁记录层、及保护层的顺序进行成膜，然后在保护层的表面涂敷润滑层而形成。为了防止杂物（不纯物）等混入磁记录介质的各层之间，在磁记录介质的制造中使用了一种可在减压状态下连续地对各层进行积层的串列式（INLINE）真空成膜装置（例如，参照专利文献1）。0004在串列式真空成膜装置中，具有可在基板上进行成膜的成膜单元的多个（本文中指2个以上）成膜室、进行加热处理的加热室、及预备室等一起介由闸阀（GATEVALVE）进行连接，形成了一条成膜线。
8、。在搬运单元上安放基板并使其通过成膜线的过程中，基板上可形成预定层的膜，据此，可制成预期的磁记录介质。0005一般而言，成膜线被配置为环状，成膜线上具有基板装卸室，用于将基板安放至搬运单元或从搬运单元上将其拆卸下来。在成膜室间绕了一圈的搬运单元被送入基板装卸室，从搬运单元上拆下成膜后的基板，并在成膜后的基板被拆下了的搬运单元内再安装新的基板。0006另外，作为在磁记录介质的表面形成润滑层的方法，提出了一种在真空成膜容器内载置磁记录介质，并在成膜容器内导入气化润滑剂的汽相润滑（VAPORPHASELUBRICATION）成膜方法（例如，参照专利文献2）。0007另外，还提出了一种磁记录介质，其中。
9、，形成了2层润滑层，在保护层侧具有固定层（或结合层），其化学性稳定并且与保护层的密着性适当，在表面侧具有流动层（或自由层），其主要由低摩擦系数材料构成（例如，参照专利文献3）。0008另外，为了将保护层和润滑层的结合率（或称“粘合比”）提高至70以上，还提出了采用氮化碳来形成保护层，采用具有包含胺结构的末端基的全氟聚醚（PFPE）来形成润滑层的方案（例如，参照专利文献4）。这里，需要说明的是，在专利文献4中，结合率被定义如下，即将形成了润滑层的磁记录介质浸渍至碳氟化合物（FLUOROCARBON）溶媒中并对其施加5分种的超音波，之后，采用（ELECTRONSPECTROSCOPYFORCHEM。
10、ICALANALYSIS）方法，对同一介质的同一位置处的浸渍前后的12701付近的吸光度进行测定，并将所测定的两个吸光度的比值的百分率（浸渍后吸光度浸渍前吸光度）100）定义为所述结合率。0009现有技术文献说明书CN104103292A2/18页50010专利文献0011专利文献1特开平8274142号公报0012专利文献2特开2004002971号公报0013专利文献3特开2006147012号公报0014专利文献4特开2000222719号公报发明内容0015发明要解决的课题0016如果考虑到磁记录介质和磁头的接触，则润滑层的摩擦系数最好为较低。另一方面，如果考虑到磁记录介质的耐腐蚀性，。
11、则基于润滑层的保护层表面的被覆率最好为较高。0017因此，本发明的目的在于提供一种磁记录介质的制造方法，其可降低润滑层的摩擦系数，并可提高基于润滑层的保护层表面的被覆率。0018用于解决课题的手段0019根据本发明的一方面，提供一种在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层的磁记录介质的制造方法。所述润滑层的形成包括采用汽相润滑成膜方法，以使形成了所述保护层后的所述被积层体不与大气接触的方式，在所述被积层体上涂敷第1润滑剂；及在涂敷了所述第1润滑剂后，采用汽相润滑成膜方法，以使所述被积层体不与大气接触的方式，在所述被积层体上涂敷第2润滑剂。其中，所述第1润滑剂的分子量低于所述第2润滑剂的分。
12、子量，所述第1润滑剂的极性高于所述第2润滑剂的极性。0020根据本发明的另一方面，提供一种在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层的磁记录介质的制造方法。所述润滑层的形成包括采用汽相润滑成膜方法，以使形成了所述保护层后的被积层体不与大气接触的方式，将第1润滑剂涂敷至所述被积层体；及在涂敷了所述第1润滑剂后，采用汽相润滑成膜方法，以使所述被积层体不与大气接触的方式，将第2润滑剂涂敷至所述被积层体。其中，所述第1润滑剂的分子量高于所述第2润滑剂的分子量，所述第1润滑剂的极性低于所述第2润滑剂的极性。将所述第2润滑剂涂敷至所述被积层体的步骤为，将被涂敷至所述被积层体的所述第1润滑剂的一部分或全。
13、部置换为所述第2润滑剂的步骤。0021发明的效果0022根据所公开的磁记录介质的制造方法及装置，可降低润滑层的摩擦系数，并可提高基于润滑层的保护层的表面被覆率。0023附图概述0024图1对本发明的一个实施方式中所使用的磁记录介质的制造装置的一个例子进行表示的模式图。0025图2对由图1的制造装置所制造的磁记录介质的一个例子进行表示的截面图。0026图3对具有在本实施方式中所制造的磁记录介质的磁气记忆装置的结构的一个例子进行表示的斜视图。0027符号说明00281磁记录介质0029100基板说明书CN104103292A3/18页60030101成膜装置0031110密着层0032111、11。
14、2、940、942、946机器人0033120软磁性底层0034130配向控制层0035140非磁性下地层0036150垂直记录层0037160保护层0038170润滑层0039903基板装卸室0040904、907、914、917拐角室0041905、906、908913、915、916、918920处理室0042921预备室0043944第1汽相润滑处理室0044944分离室0045944第2汽相润滑处理室0046、112闸阀0047本发明的实施方式0048以下参照附图对本发明的各实施方式的磁记录介质的制造方法及装置进行说明。0049由本发明人的研究可知，如果以使被积层体不与大气接触的方式。
15、连续地执行磁记录介质的从磁记录层至润滑层的形成过程，则润滑层所含的粘合层的比率（或称“粘合比（BONDEDRATIO）”）根据润滑剂的种类的不同可高达100。但是，由本发明人的研究还可知，润滑层的粘合比不一定100就是最佳。如果从对磁记录介质和磁头接触时的摩擦系数进行降低的观点来看，则润滑层最好包含适当的自由层。另一方面，如果从对磁记录介质的耐腐蚀性进行提高的观点来看，则基于润滑层的保护层表面的被覆率最好较高。0050因此，本发明人如以下所述的那样提出了一种磁记录介质的制造方法，其通过在适当的范围内提高润滑层的相对于保护层表面的粘合比，不仅使润滑层包含了适当的自由层，还提高了基于润滑层的保护层。
16、表面的被覆率。0051就磁记录介质的润滑层而言，保护层侧需要具有可与保护层牢固结合（即，粘合比较高）并且化学性稳定的粘合层，而表面侧则需要具有主要由低摩擦系数的材料所形成的自由层。这里，如果采用汽相润滑成膜方法，则可容易地形成所述粘合层。然而，这难以使保护层表面的基于润滑剂的被覆率提高，并且，难以使润滑层含有合适的自由层。即，具有这样的特性的磁记录介质的润滑层由特殊润滑剂或该特殊润滑剂与其他润滑剂的混合物所形成的情形较多。然而，在想采用汽相润滑成膜方法对这样的润滑剂进行涂敷时，存在这样的问题，即，分子量较低的低沸点的化合物先蒸发并进行了涂敷，或者，为了同时使化合物蒸发而提高加热温度时，会导致润。
17、滑剂内所含的一部分化合物产生分解或热聚合从而变为别的化合物。0052相对于此，在以下所述的磁记录介质的制造方法的各实施方式中，因为采用汽相润滑成膜方法将第1润滑剂涂敷至被积层体后，采用汽相润滑成膜方法将第2润滑剂涂敷说明书CN104103292A4/18页7至被积层体，所以可形成包括适当的粘合层和自由层的润滑层。0053另外，在磁记录介质的制造方法的第1实施方式中，较佳为，第1润滑剂的分子量低于第2润滑剂，第1润滑剂的极性高于第2润滑剂的极性。在采用汽相润滑成膜方法对分子量低的润滑剂进行涂敷以形成润滑层的情况下，可提高基于润滑层的保护层的被覆率。其原因在于，就分子量低的润滑剂而言，其高分子链较。
18、短，可容易地在保护层的表面上进行均匀分布，而就分子量高的润滑剂而言，其高分子链较长，链与链络合为网状，容易在保护层的表面上生成不能覆盖的区域。另外，通过使第1润滑剂的极性高于第2润滑剂的极性，可提高相对于保护层表面的粘合比。因此，在采用汽相润滑成膜方法将分子量低的第1润滑剂涂敷至被积层体的情况下，可容易地形成相对于保护层表面的粘合比及被覆率都较高的粘合层，并可提高磁记录介质的耐腐蚀性。0054在磁记录介质的制造方法的第1实施方式中，较佳为，第2润滑剂的分子量高于第1润滑剂的分子量，第2润滑剂的极性低于第1润滑层的极性。第2润滑剂在润滑层中主要发挥自由层的作用（功能），通过提高第2润滑剂的分子量。
19、，可提高热稳定性，这样，即使在高温使用环境下，也可获得相对于磁头较低的摩擦系数，据此，可提供可靠性较高的磁记录介质。另外，通过使第2润滑剂的极性低于第1润滑剂的极性，可降低润滑剂粘着至磁头（或磁头浮动块（HEADSLIDER）的粘着现象（以下也称“LUBPICKUP（润滑剂粘着）”）。0055另外，在磁记录介质的制造方法的第1实施方式中，作为第1润滑剂，较佳为，包含分子量在5002000范围内的四醇（TETRAOL）的润滑剂。通过在第1润滑剂中使用这样的化合物，可提高至被积层体表面的润滑剂的被覆率。这里，需要说明的是指，四醇是4个羟基与4个不同的碳相结合的脂肪族或脂环化合物的总称，例如，可例示。
20、为下述化合物。在第1润滑剂包括四醇的情况下，第1润滑剂的极性可根据润滑剂中所含的羟基的量进行调整。0056化100570058式中，P、Q为整数，数均分子量为15002000。0059在磁记录介质的制造方法的第1实施方式中，作为第2润滑剂，较佳为，包含分子量在15005000范围内的二醇（DIOL）的润滑剂。这样的化合物的热稳定性较高，即使在高温使用环境下，也可容易地获得相对于磁头较低的摩擦系数。这里，需要说明的是指，二醇是2个羟基与2个不同的碳相结合了的脂肪族或脂环化合物的总称，例如，可例示为下述化合物。在第2润滑剂包含二醇的情况下，润滑剂的极性可根据羟基的量进行调整。在第1实施方式中，第1。
21、润滑剂（例如，四醇）的极性被调整为高于第2润滑剂（例如，二醇）的极性。0060化20061HOCH2CF2OCF2CF2OPCF2OQCF2CH2OH0062式中，P、Q为整数，数均分子量为15005000。0063在磁记录介质的制造方法的第1实施方式中，作为第2润滑剂，取代前述的二醇，说明书CN104103292A5/18页8或者，与前述的二醇相混合，还可使用下式（1）（3）的润滑剂。这些润滑剂的热稳定性较高，即使在高温使用环境下，也容易获得相对于磁头较低的摩擦系数。这里，需要说明的是，在对这些润滑剂进行混合使用的情况下，要尽可能地使各润滑剂的涂敷时的蒸气压相同，还要最好使各润滑剂均匀地被包。
22、含在汽相润滑成膜方法的处理气体（PROCESSGAS）中。0064化300650066化400670068化500690070上述一般式（1）中，是15的整数，1是氢原子、碳数14的烃基ALKYL、或碳数14的卤化烃基的任一个，2是末端基为2或（）2的置换基。上述一般式（2）中，是436范围的整数。上述一般式（3）中，、是440范围的整数。0071另一方面，在磁记录介质的制造方法的第2实施方式中，第1润滑剂的分子量高于第2润滑剂的分子量，第1润滑剂的的极性低于第2润滑剂的极性，第2润滑剂的分子量低于第1润滑剂的分子量，第2润滑剂的极性高于第1润滑层的极性，将第2润滑剂涂敷至被积层体的步骤为将被。
23、涂敷至被积层体的第1润滑剂的一部分或全部置换为第2润滑剂的步说明书CN104103292A6/18页9骤。通过采用这样的制造方法，可制造具有与所述第1实施方式类似结构的磁记录介质，据此，可提高基于润滑层的保护层的被覆率，另外，还可提高自由层的热稳定性，即使在高温使用环境下，也可获得相对于磁头较低的摩擦系数，这样，就可以提供可靠性较高的磁记录介质。0072另外，在磁记录介质的制造方法的第2实施方式中，作为第1润滑剂，较佳为，包含分子量在15005000范围内的二醇的润滑剂。通过在第1润滑剂中使用这样的化合物，可提高至被积层体表面的润滑剂的被覆率。这里，需要说明的是，二醇是指2个羟基与2个的不同的。
24、碳相结合了的脂肪族或脂环化合物的总称，例如，可例示为下述的化合物。在第1润滑剂包含二醇的情况下，二醇的极性可根据羟基的量进行调整。0073化60074HOCH2CF2OCF2CF2OPCF2OQCF2CH2OH0075式中，P、Q为整数，数均分子量为15005000。0076在磁记录介质的制造方法的第2实施方式中，作为第2润滑剂，较佳为，包含分子量在5002000范围内的四醇的润滑剂。这样的化合物的热稳定性高，即使在高温使用环境下，也容易获得相对于磁头较低的摩擦系数。这里，需要说明的是，四醇是指4个羟基与4个不同的碳相结合了的脂肪族或脂环化合物的总称，例如，可例示为下述的化合物。在第2润滑剂包。
25、含四醇的情况下，四醇的极性可根据羟基的量进行调整。在第1实施方式中，第1润滑剂（例如，二醇）的极性被调整为高于第2润滑剂（例如，四醇）的极性。0077化700780079式中，P、Q为整数，数均分子量为5002000。0080在磁记录介质的制造方法的第2实施方式中，作为第2润滑剂，取代前述的四醇，或者，与前述的四醇相混合，可使用下式（4）（6）的润滑剂。这些润滑剂的热稳定性高，即使在高温使用环境下，也容易获得相对于磁头较低的摩擦系数。这里，需要说明的是，在对这些润滑剂进行混合使用的情况下，要尽可能地使各润滑剂的涂敷时的蒸气压相同，还要最好使各润滑剂被均匀地包含在汽相润滑成膜方法的处理气体中。0。
26、081化800820083化90084说明书CN104103292A7/18页100085化1000860087在上述一般式（4）中，是15的整数，1是氢原子、碳数14的烃基、或碳数14的卤化烃基的任一个，2是末端基为2或（）2的置换基。在上述一般式（5）中，是436范围的整数。在上述一般式（6）中，、是440范围的整数。0088在磁记录介质的制造方法的各实施方式中，在形成保护层后，并在将第1润滑剂涂敷至被积层体的步骤之前，较佳为，对保护层的表面进行氮化或氧化处理。另外，对保护层或保护层形成后的表层部而言，较佳为，由氮化碳或氧化碳来形成它们。0089根据本发明的发明人的研究结果可知，如在保护层。
27、中使用纯碳，并在润滑层的形成中使用磁记录介质的制造方法的各实施方式的汽相润滑成膜方法，则存在着润滑层中所含的粘合层的粘合比高达100的情况。但是，如前所述，润滑层的粘合比为100并不一定就是最佳值，最好在润滑层中设置适当的自由层。因此，在磁记录介质的制造方法的各实施方式中，对保护层表面进行氮化或氧化处理，或者，由氮化碳或氧化碳来形成保护层或保护层形成后的表层部，据此，使润滑层中所含的粘合层（主要由第1润滑剂所形成的层）的粘合比低于100，并使自由层（主要由第2润滑剂所形成的层）与保护层表面相结合。这样，不仅可维持自由层相对于磁头的较低的摩擦系数，而且还可以降低LUBPICKUP。这里，需要说明。
28、的是，如果产生了LUBPICKUP，则磁头浮动块的摩擦系数变高，难以实现的稳定动作，这是早已熟知的事项。0090在磁记录介质的制造方法的各实施方式中，在对保护层表面进行氮化或氧化处理，或者，由氮化碳或氧化碳来形成保护层或保护层形成后的表层部的情况下，可使用熟知说明书CN104103292A108/18页11的方法。例如，熟知的方法为，可向保护层表面注入氮原子或氧原子，或者，可在保护层的成膜处理中或处理后向反应容器内导入氮气或氧气。0091在磁记录介质的制造方法的各实施方式中，较佳为，保护层和第1润滑剂的粘合比在6090的范围内。通过将保护层和第1润滑剂的粘合比设定在这样的范围内，可在由第2润滑。
29、剂所形成的自由层和保护层表面之间获得适当的结合（粘合）。在磁记录介质的制造方法的各实施方式中，较佳为，保护层和第2润滑剂的粘合比在1030的范围内。0092这里，需要说明的是，粘合比是通过如下方法测定的，即将形成了润滑层后的磁记录介质在碳氟化合物溶媒中浸渍5分钟，之后，采用（ELECTRONSPECTROSCOPYFORCHEMICALANALYSIS）方法，对同一介质的同一位置处的浸渍前后的12701付近的吸光度进行测定，并将所测定的两者的比值的百分率（浸渍后吸光度浸渍前吸光度）100）作为所述粘合比。碳氟化合物溶媒可使用VERTREL（商品名，DUPONTMITSUIFLUOROCHEMI。
30、CALS公司制）或与其相当的物质。0093在磁记录介质的制造方法的各实施方式中，设置了采用汽相润滑成膜方法将第1润滑剂涂敷至被积层体的第1处理室、及将第2润滑剂涂敷至被积层体的第2处理室，在第1处理室和第2处理室之间设置了对被积层体进行搬送的搬送区域，在第1处理室内的处理气体压力为，第2处理室内的处理气体压力为，搬送区域内的处理气体压力为的情况下，较佳为，满足且的关系。0094接下来，对在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层的磁记录介质的制造方法的一个例子进行说明。0095图1是对本发明的一个实施方式中所使用的磁记录介质的制造装置的一个例子进行表示的模式图。图1所示的磁记录介质的制造装。
31、置具有形成至磁记录介质的保护层的成膜装置101；及在保护层表面形成润滑层的汽相润滑成膜装置102。0096成膜装置101具有介由室间闸阀使基板装卸室903、第1拐角室904、第1处理室905、第2处理室906、第2拐角室907、第3处理室908、第4处理室909、第5处理室910、第6处理室911、第7处理室912、第8处理室913、第3拐角室914、第9处理室915、第10处理室916、第4拐角室917、用于形成保护层的第11及第12处理室918、919、用于向保护层表面注入氮原子或氧原子的第13处理室920、及预备室921连接成环状的结构。各室903921被多个间隔壁所包围，并具有可设为减。
32、压状态的空间部。0097互相毗邻的室之间（例如，处理室905和906之间）设置有可高速的进行自由开闭的室间闸阀。所有的闸阀的开闭动作都在相同的时机（TIMING）进行。据此，搬送基板（图中未示）的多个搬送单元925可规则、正确地从互相毗邻的两个室的一方移动至另一方。0098第1第13处理室905、906、908913、915、916、918920分别具有基板加热单元（或称“基板加热器”）、成膜单元（或称“成膜部”）、处理气体供给单元（或称“FREONGAS供给部”）、处理单元、排气单元（或称“排气部”）等。成膜单元例如可由溅射装置、离子束成膜装置等形成。通过使用气体供给单元和排气单元，根据需要。
33、，可进行处理气体的供排。0099例如，第1处理室905至第10处理室916用于进行至磁记录介质的磁记录层的成膜，第11及第12处理室918、919用于进行保护层的成膜。在该例中，第13处理室920进行向保护层表面的氮原子或氧原子的注入，具体而言，采用等离子体使氮气或氧气离子化，说明书CN104103292A119/18页12并采用高电压对该离子进行加速，以将其注入保护层的表面。0100这里需要说明的是，第1第13处理室905、906、908913、915、916、918920的基准压力（BASEPRESSURE；到达压力）被设定为例如1105。0101拐角室904、907、914、917被配置。
34、在磁记录介质的成膜装置101的拐角，用于将搬运单元925的方向变更为搬运单元925的行进方向。拐角室904、907、914、917内被设定为高真空，在减压环境下可对搬运单元925进行旋转。0102如图1所示，第1拐角室904和预备室921之间配置有基板装卸室903。基板装卸室903的空间部大于其它室的空间部。基板装卸室903内配置有2台可安装或拆卸基板的搬运单元925。1台搬运单元925进行基板的安装（安放），另1台搬运单元925进行基板的拆卸。各搬运单元925同时沿图1的箭头所示的方向被搬送。基板装卸室903与基板搬入室902及基板搬出室922连接。0103基板搬入室902内配置有1台真空机。
35、器人111，基板搬出室922内配置有另1台真空机器人112。需要说明的是，真空机器人111、112仅是搬送装置的一个例子而已。基板搬入室902使用真空机器人111将基板安装（安放）至基板装卸室903内的搬运单元925。另外，基板搬出室922使用真空机器人112将基板从基板装卸室903内的搬运单元925上拆卸下来。0104基板搬入室902介由室间闸阀与锁气室12连接。基板搬出室922介由室间闸阀与锁气室13连接。各锁气室12、13内可蓄积多个基板（例如50个）。各锁气室12、13具有对所蓄积的基板在各锁气室12、13的两侧进行传递的功能，各锁气室12、13的动作是以下所说明的处理的重复。0105。
36、（基板的向成膜装置的搬入）0106基板的向成膜装置101的搬入可通过包含以下步骤19的处理来实现。0107步骤1关闭闸阀1、2。0108步骤2将锁气室12内设为大气压。0109步骤3打开闸阀1。0110步骤5使用作为搬送装置的一个例子的基板搬入机器人940，将多个基板（例如，50个）搬入锁气室12内。0111步骤6关闭闸阀1。0112步骤7将锁气室12内减压至真空。0113步骤8打开闸阀2。0114步骤9使用真空机器人111将锁气室12内的基板安装在基板装卸室903内的搬运单元925上。0115（被积层体的从成膜装置的搬出及被积层体的向汽相润滑成膜装置的搬入）0116被积层体的从成膜装置101。
37、的搬出及被积层体的向汽相润滑成膜装置102的搬入可通过包含以下步骤1118的处理开来实现。0117步骤11关闭闸阀3、4。0118步骤12将锁气室13内减压至真空。0119步骤13打开闸阀3。0120步骤14使用真空机器人112，从基板装卸室903内的搬送单元925上卸下基说明书CN104103292A1210/18页13板，并将其积载至锁气室12内。0121步骤15锁气室12内的基板装满了（例如50个）后，关闭闸阀3。0122步骤16将锁气室13内减压至真空。0123步骤17打开闸阀4。0124步骤18使用真空容器内942内所设的真空机器人941，将锁气室12内的基板（例如50个）搬入汽相润。
38、滑成膜装置102。真空机器人941仅为搬送装置的一个例子。0125返回图1的说明，汽相润滑成膜装置102具有充填非活性气体的隔离室943、作为将第1润滑剂涂敷至被积层体的第1处理室的一个例子的汽相润滑处理室944、作为将第2润滑剂涂敷至被积层体的第2处理室的一个例子的汽相润滑处理室944，作为在第1处理室和第2处理室之间所设置的分离室的一个例子的分离室944、锁气室945、及搬送盒的返回路径室947介由闸阀（6、11、12、7、9、10）相接的结构。分离室944还发挥作为将被积层体从第1处理室944搬送至第2处理室944的搬送区域的功能。0126锁气室945的隔壁设置有用于将形成了润滑层的被积。
39、层体取出的基板搬出机器人946。基板搬出机器人946仅是搬送装置的一个例子。作为用于在各室943945、947之间对多个被积层体（例如50个）进行搬送的搬送单元的一个例子的搬送盒948进行移动。汽相成膜装置102内的各室中根据需要还具有气体供给单元（或气体供给部）、排气单元（或排气部）等。0127在各实施方式中，在汽相润滑处理室（以下也称“第1处理室”）944内的处理气体的压力为，汽相润滑处理室（以下也称“第2处理室”）944内的处理气体的压力为，搬送区域内的分离室944的气体压力为的情况下，较佳为，满足且的关系。通过这样的结构，可防止第1处理室944内的处理气体和第2处理室944内的处理气体。
40、相混合，在第1处理室944中，仅由第1润滑剂形成了对保护层的被覆率较高并进行了牢固结合的第1润滑层，之后，在第2处理室944中，由于仅涂敷第2润滑剂，所以，可形成适当的包含粘合层和自由层的润滑层。0128在各实施方式中，作为搬送区域即分离室944内的气体，较佳为使用非活性气体。根据本发明的发明人的研究可知，非活性气体即使混入第1处理室944内的处理气体或第2处理室944内处理气体，都不会对所形成的润滑层产生实质的影响。0129另外，在各实施方式中，较佳为，通过将保护层的成膜时的处理气体的压力设为，在形成保护层后的至第1处理室933的被积层体的搬送经路上设置气体压力为的区域，并使其满足且的关系，。
41、在以对保护层进行成膜的处理气体和第1润滑剂的处理气体相混合的方式形成保护层及润滑层时，可防止在两个形成过程中所形成的保护层及润滑层的质量的下降。0130在各实施方式中，例如，在气体压力为120的范围内，气体压力、在150的范围内，气体压力、在10500的范围内时，较佳为，满足且且且的关系。另外，气体压力、与气体压力、的压差越大，与处理气体的混合防止效果越高；然而，如果压差过大，则存在流入各处理气体的非活性气体的影响变大，保护层及润滑层的膜厚分布不佳的情况。为此，气体压力、与气体压力、的压差较佳为150以下。说明书CN104103292A1311/18页140131汽相润滑成膜装置102内的被积。
42、层体（以下也称“基板”）等的移动是以下所说明的处理的重复。包含以下步骤2145的处理被连续地执行。0132步骤21关闭闸阀5、6。0133步骤22将隔离室943内减压至真空。0134步骤23打开闸阀5。0135步骤24使用真空机器人941，将锁气室12内的基板（例如50个）搬入隔离室943内的搬送盒948。0136步骤25关闭闸阀5。0137步骤26向隔离室943内流入非活性气体，将其内压设为。0138步骤27打开闸阀6。0139步骤28将隔离室943内的搬送盒948搬入第1处理室944内。在此状态下，第1处理室944内的处理气体的压力变为。0140步骤29在将搬送盒948搬入第1处理室944。
43、，关闭闸阀6。0141步骤30在第1处理室944内，在搬送盒948内的被积层体上形成第1润滑层。0142步骤31打开闸阀11。这里，需要说明的是，分离室944内是内压为的非活性气体。0143步骤32将装载了涂敷了第1润滑剂的被积层体的搬送盒948移动至分离室944内。在此状态下，关闭闸阀11，打开闸阀12。0144步骤33将分离室944内的搬送盒948搬入第2处理室944内。这里，需要说明的是，第2处理室944内的处理气体的压力变为了。0145步骤34在将搬送盒948搬入第2处理室944后，关闭闸阀12。0146步骤35在第2处理室944内，在搬送盒948内的被积层体上形成第2润滑层。0147。
44、步骤36打开闸阀7，将装载了形成了第1及第2润滑层的被积层体的搬送盒948移动至锁气室945。0148步骤37关闭闸阀7。0149步骤38将锁气室945内设为大气压。0150步骤39打开闸阀8。0151步骤40使用基板搬出机器人946，将处理后的被积层体取出。0152步骤41关闭闸阀8。0153步骤42将锁气室945内减压至真空。0154步骤43打开闸阀9。0155步骤44将空的搬送盒948经由返回路径室947移动至隔离室943。这里，需要说明的是，返回路径室947内被减压至真空。0156步骤45在隔离室943为减压状态下，打开闸阀10，将空的搬送盒948搬入隔离室943内。0157图2是表示。
45、由图1所示的制造装置所制造的磁记录介质1的一个例子的截面图。这里需要说明的是，一般而言，在磁记录介质1的数据记录方式中，存在有“面内记录方式”说明书CN104103292A1412/18页15和“垂直记录方式”两种方式；然而，在本实施方式中，对采用了垂直记录方式的磁记录介质1进行说明。0158磁记录介质1具有基板100；基板100之上所形成的密着层110；密着层110之上所形成的软磁性底层120；软磁性底层120之上所形成的配向控制层130；配向控制层130之上所形成的非磁性底层140；非磁性底层140之上所形成的作为磁记录层的一个例子的垂直记录层150；垂直记录层150之上所形成的保护层16。
46、0；及、保护层160之上所形成的润滑层170。在本实施方式中，基板100的两面分别具有形成了密着层110、软磁性底层120、配向控制层130、非磁性底层140、垂直记录层150、保护层160、及润滑层170的结构。这里，需要说明的是，在以下的说明中，根据需要，将基板100的两面上所积层的从密着层110至保护层160的各层的积层结构，换言之，将基板100上所形成的除了润滑层170以外的各层的积层结构有时也称为“积层基板180”。另外，在以下的说明中，根据需要，将基板100的两面所形成的从密着层110至垂直记录层150的各层的积层结构，换言之，将基板100上所形成的保护层160及润滑层170以外的。
47、各层的积层结构有时也称为“积层体190”。0159在本实施方式中，基板100由非磁性体所形成。基板100可以采用由例如铝、铝合金等金属材料所形成的金属基板，也可以采用由例如玻璃（GLASS）、陶瓷（CERAMIC）、硅（SILICON）、碳化硅（SIC）、碳（CARBON）等非金属材料所形成的非金属基板。另外，也可以将在这些金属基板或非金属基板的表面上采用例如电镀（PLATING）法或溅射法等形成了层或合金层的基板作为基板100来使用。0160玻璃基板可采用例如通常的玻璃或结晶化玻璃等。通常的玻璃可采用例如常用的钠钙（SODALIME）玻璃、铝硅（ALUMINOSILICATE）玻璃等。另外，。
48、结晶化玻璃可采用例如锂系结晶化玻璃等。再有，陶瓷基板可采用例如以常用的氧化铝、氮化铝、氮化硅等为主成分的烧结体、或这些成分的纤维强化物等。0161就基板100而言，如后所述，由于其与主成分为或的软磁性底层120相接触，表面所吸附的气体或水分的影响或基板成分的扩散等，可能会导致发生腐蚀。为此，基板100与软磁性底层120之间优选为设置密着层110。这里，需要说明的是，作为密着层110的材料，可适当地选择例如、合金、合金等。另外，密着层110的厚度优选为2以上。0162软磁性底层120是在采用了垂直记录方式的情况下为了降低对记录内容进行播放（PLAY）时的噪音（NOISE）而设置的。在本实施方式中，软磁性底层120具有密着层110之上所形成的第1软磁性层121；第1软磁性层121之上所形成的分隔层122；及、分隔层122之上所形成的第2软磁性层123。换言之，软磁性底层120具有由第1软磁性层121和第2软磁性层123对分隔层122进行夹持的结构。0163第1软磁性层121及第2软磁性层123优选为由含有为40607030（原子比）的范围的材料所形成；为了提高透磁率、耐腐蚀性，优选为含有从、所组成的群中任选的1种（在18。