一种IGBT散热结构及电饭煲技术领域
本发明属于一种烹调器的散热元件，具体涉及一种IGBT散热结构及电饭煲。
背景技术
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
IGBT具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，被广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。为此， IGBT使用过程中需要从过流、过压、过热三方面进行IGBT保护设计。
IGBT的过热保护一般是采用散热器，散热器可以采用普通散热器或者热管散热器，并且在散热器的基础上可以进一步的采用强迫风冷。
应用于烹调器中的IGBT由于装配空间以及工作环境的影响，IGBT的热量不能够及时散出，堆积的热量会使IGBT过热烧坏，因此，烹调器中应用的IGBT还没有一种切实有效、安全稳定的散热结构。
发明内容
本发明为解决现有技术存在的问题而提出，其目的是提供一种IGBT散热结构及电饭煲。
本发明的技术方案是：一种IGBT散热结构，包括散热器，散热器与电路板相连接，散热器中基板的一侧设置有IGBT模块，基板的另一侧形成多个平行的散热片，基板两侧端面分别形成与散热片平行的Ⅰ号侧板、Ⅱ号侧板，所述散热片两侧形成多个倾斜的散热侧板。
所述散热侧板的自由端向远离基板的方向倾斜。
所述散热片一侧散热侧板长度按照由基板到散热片自由端的方向逐渐减小。
所述散热片两侧的散热侧板呈对位设置或错位设置。
所述Ⅰ号侧板、Ⅱ号侧板高度均大于散热片的高度。
所述的基板中形成装配IGBT模块用的装配孔、装配棱。
装配孔两侧的散热片间距大于装配螺钉的宽度。
本发明同时提出一种电饭煲，该电饭煲包括上述IGBT散热结构，该IGBT散热结构包含散热器、电路板、IGBT模块，散热器中基板的一侧设置有IGBT模块，基板的另一侧形成多个平行的散热片，基板两侧端面分别形成与散热片平行的Ⅰ号侧板、Ⅱ号侧板，所述散热片两侧形成多个倾斜的散热侧板。
所述散热侧板的自由端向远离基板的方向倾斜。
所述散热片一侧散热侧板长度按照由基板到散热片自由端的方向逐渐减小。
所述散热片两侧的散热侧板呈对位设置或错位设置。
所述Ⅰ号侧板、Ⅱ号侧板高度均大于散热片的高度。
所述的基板中形成装配IGBT模块用的装配孔、装配棱。
装配孔两侧的散热片间距大于装配螺钉的宽度。
本发明的散热片两侧形成散热侧板，并通过散热侧板的形状及其结构来增加了散热速度和散热效率，避免了热量的局部集中，从而使IGBT模块能够在安全的温度范围内工作，增加了IGBT模块使用过程中的安全系数以及使用寿命。
附图说明
图1 是本发明散热器的装配立体图；
图2 是本发明散热器的立体图；
图3 是本发明散热器的主视图。
其中：
1 散热器 2 电路板
3 IGBT模块 4 基板
5 Ⅰ号侧板 6 Ⅱ号侧板
7 散热片 8 散热侧板
9 装配孔 10 装配棱。
具体实施方式
以下，参照附图和实施例对本发明进行详细说明：
如图1~3所示，一种IGBT散热结构，包括散热器1，散热器1与电路板2相连接，散热器1中基板4的一侧设置有IGBT模块3，基板4的另一侧形成多个平行的散热片7，基板4两侧端面分别形成与散热片7平行的Ⅰ号侧板5、Ⅱ号侧板6，所述散热片7两侧形成多个倾斜的散热侧板8。
所述散热侧板8的自由端向远离基板4的方向倾斜。
所述散热片7一侧散热侧板8长度按照由基板4到散热片7自由端的方向逐渐减小。
散热器1的基板4将IGBT模块3工作时产生的热量吸收传导，平行设置的散热片7便于将基板4中吸收的热量导出，由于散热侧板8的自由端向远离基板4的方向倾斜，也就是散热通道的孔径由小变大，从而使相同体积的散热气体能够带走更多的热量。在IGBT模块3工作过程中，可以认定IGBT模块3单位时间产生的热量是恒定的，通过散热片7的单位时间风量恒定，本发明中的散热结构由于倾斜状的散热侧板8能够使气流带有更多的热量，保证了散热的稳定性，避免了局部热量的堆积。
所述散热片7两侧的散热侧板8呈对位设置或错位设置。散热侧板8的布局方式能够有效的避免或者是弱化散热时的相互干扰，利于分散热量，提高散热的效率。
所述Ⅰ号侧板5、Ⅱ号侧板6高度均大于散热片7的高度。
所述的基板4中形成装配IGBT模块3用的装配孔9、装配棱10。
装配孔9两侧的散热片7间距大于装配螺钉的宽度。并且保证散热侧板8与装配螺钉不接触，避免局部的热量集中。
本实施例同时提出一种电饭煲，该电饭煲包括上述IGBT散热结构，该IGBT散热结构包含散热器1、电路板2、IGBT模块3。本实施例中的IGBT散热结构与上述IGBT散热结构相同，在此不再赘述。
本发明的散热片两侧形成散热侧板，并通过散热侧板的形状及其结构来增加了散热速度和散热效率，避免了热量的局部集中，从而使IGBT模块能够在安全的温度范围内工作，增加了IGBT模块使用过程中的安全系数以及使用寿命。