《具有非均匀线宽加热电阻丝的矩形微型加热器及方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《具有非均匀线宽加热电阻丝的矩形微型加热器及方法.pdf（11页完整版）》请在专利查询网上搜索。
1、(10)申请公布号 CN 102256387 A (43)申请公布日 2011.11.23 CN 102256387 A *CN102256387A* (21)申请号 201110132577.4 (22)申请日 2011.05.20 H05B 3/02(2006.01) B81C 1/00(2006.01) (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术 研究所 地址 200050 上海市长宁区长宁路 865 号 (72)发明人 许磊 李铁 王跃林 (74)专利代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 潘振甦 (54) 发明名称 具有非均匀线宽加热电阻丝的矩形微型加热 器及方法。
2、 (57) 摘要 本发明涉及一种具有非均匀线宽加热电阻丝 的矩形微型加热器及方法， 所述的微型加热器包 括 ： 衬底框架， 矩形加热膜区， 支撑悬梁， 梯形过 渡区， 折线形加热电阻丝， 引线， 接触电极， 和隔热 腔体。其特征在于矩形加热膜区通过过渡区和支 撑悬梁与衬底框架相连， 折线形加热电阻丝按照 在加热膜区中心处线宽较宽、 在加热膜区两端处 线宽较窄的方式排布在矩形加热膜区上， 并通过 支撑悬梁上的引线与衬底框架上的接触电极相 连， 在矩形加热膜区和支撑悬梁的下方是隔热腔 体。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明。
3、书 4 页 附图 4 页 CN 102256394 A1/2 页 2 1. 一种具有非均匀线宽加热电阻丝的矩形微型加热器， 包括衬底框架， 矩形加热膜区， 支撑悬梁， 梯形过渡区， 折线形加热电阻丝， 引线， 接触电极和隔热腔体 ； 其特征在于 ： 1) 矩形加热膜区的两端分别通过一个梯形过渡区与支撑悬梁的一端相连， 支撑悬梁的 另一端连接衬底框架起到支撑的作用 ； 2) 折线形加热电阻丝通过支撑悬梁上的引线与衬底框架上的接触电极相连 ； 3) 折线形加热电阻丝以中心对称或左右对称的方式排布在矩形加热膜区上， 电阻丝的 线宽按照在加热膜区中心处较宽、 在加热膜区两端处较窄的方式分布 ； 4) 。
4、在矩形加热膜区和支撑悬梁的下方是隔热腔体。 2. 按权利要求 1 所述的微型加热器， 其特征在于所述的梯形过渡区的上底与支撑悬梁 相连， 下底则与矩形加热区相连。 3. 按权利要求 1 所述的微型加热器， 其特征在于加热电阻丝的线宽的宽度按照从加热 膜区的中心向左右两端逐渐递减， 单次递减的幅度的范围在 5到 60之间。 4. 按权利要求 1 所述的微型加热器， 其特征在于加热电阻丝的线宽在加热膜区中心处 最宽， 在加热膜区两端处最窄， 线宽最宽为 100 微米， 最窄为 1 微米。 5. 按权利要求 3 所述的微型加热器， 其特征在于加热电阻丝的线宽在加热膜区中心处 最宽， 在加热膜区两端处。
5、最窄， 线宽最宽为 100 微米， 最窄为 1 微米。 6. 按权利要求 1 所述的微型加热器， 其特征在于隔热腔体有两种形状， 一种是通过正 面硅各向异性湿法腐蚀形成的横截面呈倒梯形或 “V” 字形的结构， 另一种是通过各向同性 释放腐蚀或各向同性干法刻蚀形成的横截面呈圆弧形的结构。 7. 按权利要求 1 所述的微型加热器， 其特征在于支撑悬梁的方向与 晶向的夹角 保持在 30 度以内， 或与 晶向的夹角保持在 15 度以内。 8. 制备如权利要求 1-7 中任一项所述的微型加热器的方法， 其特征在于具体步骤是 ： 1) 选取 (100) 面硅片作为衬底， 双面抛光或单面抛光 ； 2) 在步。
6、骤 1 选取的硅片上制作复合膜用于形成加热膜区， 梯形过渡区和支撑悬梁， 复 合膜由氧化硅和氮化硅复合而成， 采用氧化、 等离子增强化学气相沉积、 或低压化学气相沉 积方法制备 ； 3) 接着制作折线形加热电阻丝， 引线和电极， 对于铂或金金属材料， 利用 lift-off 工 艺或者湿法腐蚀工艺制作 ； 对于多晶硅半导体材料， 则采用先沉积再干法刻蚀的方法制 作 ； 4) 开薄膜释放窗口， 如果支撑悬梁的方向与 晶向的夹角保持在 30 度以内， 直接利用反应离子刻蚀或离子束刻蚀刻蚀暴露的氧化硅和氮化硅复合膜， 形成薄膜释放窗 口 ； 如果支撑悬梁的方向与 晶向的夹角保持在 15 度以内， 先。
7、利用反应离子刻蚀或 离子束刻蚀刻蚀暴露的氧化硅和氮化硅复合膜， 再利用深反应离子刻蚀刻蚀衬底硅， 最后 形成薄膜释放窗口 ； 5) 释放薄膜， 一种方法是使用四甲基氢氧化铵或氢氧化钾各向异性湿法腐蚀液 ； 另一 种方法是使用各向同性湿法腐蚀液或者各向同性干法气体刻蚀， 通过这两种方法掏空复合 膜下面的衬底硅释放出薄膜结构， 从而形成微型加热器。 9. 按权利要求 8 所述的方法， 其特征在于 ： 1) 步骤 1 中所述的 (100) 面硅衬底为 N 型或 P 型 ； 权 利 要 求 书 CN 102256387 A CN 102256394 A2/2 页 3 2) 步骤 2 中所述的复合膜为单。
8、层或多层 ； 3) 步骤 4 中所述的刻蚀衬底硅的刻蚀深度大于支撑梁宽度的 0.7 倍 ； 4)步骤5中所述的各向同性腐蚀的腐蚀液为HF+HNO3+H2O， 所述各向同性干法刻蚀的气 体为 XeF2。 权 利 要 求 书 CN 102256387 A CN 102256394 A1/4 页 4 具有非均匀线宽加热电阻丝的矩形微型加热器及方法 技术领域 0001 本发明涉及一种具有非均匀线宽加热电阻丝的矩形微型加热器及其制作方法， 属 于微电子机械系统 (MEMS) 领域。 背景技术 0002 随着微加工技术的不断发展， 基于 MEMS 工艺的微型加热器已开始在气体探测， 环 境监控和红外光源等。
9、领域广泛应用。 由于应用的不断推广和深入， 对微型加热器的低功耗、 低成本、 高性能、 高可靠的要求也日益强烈。 如何制作出低功耗高性能的加热器一直是本领 域内技术人员追求的目标。 0003 在应用于气体传感领域时， 为了达到更好的性能， 加热器的加热膜区需要有较好 的温度均匀性。比如在金属氧化物半导体式气体传感器中， 传感器在某一温度下对不同气 体有不同的灵敏度， 因此稳定且均匀的温度必将有利于提高传感器对特定气体的选择性。 在催化燃烧式气体传感器中， 为了实现低功耗和高灵敏度， 良好的温度均匀性也是必要的。 0004 然而， 基于硅衬底的微型加热器通常只采用两种方式来提高加热膜区的温度均匀。
10、 性。一种是在加热区下方增加一块硅岛， 通过导热的方式分散热量。例如 ： Markus Graf， Diego Barrettino， Kay-Uwe Kirstein， Andreas hierlemann，“COMS microhotplate sensor system for operating temperatures up to 500， ” Sensors and Actuators B， vol.117， 2006， pp.346-352。 另一种方法是在加热膜区上方增加一层金属层， 如铝， 金等， 利 用金属良好的导热性来提高温度均匀性。例如 ： Tekin A.Kunt， 。
11、Thomas J.McAvoy， Richard E.Cavicchi， Steve Semancik，“Optimization of temperature programmed sensing for gas identification using micro-hotplate sensors， ” Sensors and Actuators B， vol.53， 1998， pp.24-43。 这两种方法都能够在一定程度上提高温度均匀性， 但是工艺复杂， 增加成本， 而且还会增加加热器的功耗， 影响机械强度。 0005 本发明拟提供一种采用非均匀线宽加热电阻丝的矩形加热器， 它是通过。
12、增加折线 形加热电阻丝中心的线宽从而有效减小加热膜区中心的发热功耗， 以实现良好的温度均匀 性。 该结构只需改变折线形加热电阻丝的版图设计， 不会增加任何工艺或成本， 而且对功耗 和机械强度几乎没有影响。 发明内容 0006 本发明的目的在于提供一种具有非均匀线宽加热电阻丝的矩形微型加热器及其 制作方法， 从而提高微型加热器的温度均匀性， 进而提高其在气体传感应用中的性能。 0007 所提供的微型加热器的结构如图 1 所示， 包括 ： 衬底框架， 矩形加热膜区， 支撑悬 梁， 梯形过渡区， 折线形加热电阻丝， 引线， 接触电极， 和隔热腔体。本发明所提供的具有良 好温度均匀性的微型加热器的结构。
13、特征在于 ： 0008 1. 矩形加热膜区的两端分别通过一个梯形过渡区与支撑悬梁的一端相连， 支撑悬 梁的另一端连接衬底框架起到支撑的作用 ； 说 明 书 CN 102256387 A CN 102256394 A2/4 页 5 0009 2. 折线形加热电阻丝通过支撑悬梁上的引线与衬底框架上的接触电极相连 ； 0010 3. 折线形加热电阻丝以中心对称或左右对称的方式排布在矩形加热膜区上， 电阻 丝的线宽按照在加热膜区中心处较宽、 在加热膜区两端处较窄的方式分布 ； 0011 4. 线宽在加热膜区中心处最宽， 在加热膜区两端处最窄， 线宽最宽为 100 微米， 最 窄为 1 微米。 0012。
14、 5. 线宽的宽度按照从加热膜区的中心向左右两端逐渐递减， 单次递减的幅度的范 围在 5到 60之间。 0013 6.支撑悬梁的方向与晶向的夹角保持在30度以内， 或与晶向的夹 角保持在 15 度以内。 0014 7. 折线形加热电阻丝的线间距是可以变化的， 实际应用中可以通过增加调整电阻 丝的线间距来进一步提高加热膜区处的温度均匀性。 0015 8. 在矩形加热膜区和支撑悬梁的下方是是隔热腔体， 隔热腔体可以有两种形状， 一种是通过正面硅各向异性湿法腐蚀形成的横截面呈倒梯形或 “V” 字形的结构， 另一种是 通过各向同性释放腐蚀或各向同性干法刻蚀形成的横截面呈圆弧形的结构。 0016 本发明。
15、的制作方法如图 2 所示， 具体如下 ： 0017 1. 选择衬底。选取 (100) 面的硅片作为衬底， 双面抛光或单面抛光的硅片均可， N 型或 P 型的都可以。 0018 2. 制作复合膜。复合膜用于形成加热膜区， 梯形过渡区和支撑悬梁。复合膜由单 层或多层的氧化硅和氮化硅复合而成。可以采用氧化、 等离子增强化学气相沉积 (PECVD)、 或低压化学气相沉积 (LPCVD) 等方法制备。 0019 3. 制作折线形加热电阻丝， 引线和电极。对于金属材料， 如铂、 金等， 利用 lift-off 工艺或者湿法腐蚀工艺制作 ； 对于半导体材料， 如多晶硅等， 采用先沉积再干法 刻蚀的方法制作。。
16、 0020 4. 开薄膜释放窗口。如果支撑悬梁的方向与 晶向的夹角保持在 30 度以 内， 直接利用反应离子刻蚀(RIE)或离子束刻蚀(Ion-beam)彻底刻蚀暴露的氧化硅和氮化 硅复合膜， 形成薄膜释放窗口。如果支撑悬梁的方向与 晶向的夹角保持在 15 度以 内， 先利用反应离子刻蚀(RIE)或离子束刻蚀(Ion-beam)彻底刻蚀暴露的氧化硅和氮化硅 复合膜， 再利用深反应离子刻蚀 (DRIE) 刻蚀衬底硅， 刻蚀深度要大于支撑悬梁宽度的 0.7 倍， 最后形成薄膜释放窗口。 0021 5. 释放薄膜。一种方法是使用各向异性湿法腐蚀液， 如四甲基氢氧化铵 (TMAH) 或氢氧化钾 (KO。
17、H) 等 ； 另一种方法是使用各向同性湿法腐， 如氢氟酸 (HF)+ 硝酸 (HNO3)+ 水 (H2O) 等或者各向同性干法刻蚀气体， 如 XeF2等。通过这两种方法掏空复合膜下面的衬底 硅释放出薄膜结构即形成微型加热器。 0022 本发明提供的一种具有非均匀线宽加热电阻丝的矩形微型加热器的结构和制造 方法， 与以往的微型加热器相比， 其优点在于 ： 0023 1. 这个器件只需要两块光刻版就能完成， 制造工艺相对简单。 0024 2. 采用线宽中心较宽两端较窄的折线形加热电阻丝， 只需要改变版图的设计， 不 增加额外工艺， 降低了成本。 0025 3. 加热膜区温度分布均匀， 利于提高加热。
18、器在气体传感应用中的性能 ( 图 5)。 说 明 书 CN 102256387 A CN 102256394 A3/4 页 6 0026 4. 两支撑悬梁的结构减小了中心加热膜区向衬底的热传导， 进而降低了功耗。 0027 综上所述， 本发明提供了一种具有非均匀线宽的加热电阻丝的矩形微型加热器， 加热电阻丝也可以为非均匀线间距 ( 已另案申请 )， 甚至可以将非均匀线宽与非均匀线间 距相结合提出新的申请， 则显然仍属于本申请构思范畴之列， 两者相结合的结果可能会使 加热膜区的温度分布更均匀， 发热功耗更小。 附图说明 0028 图 1 为本发明提供的一种具有非均匀线宽加热电阻丝的矩形微型加热器。
19、的结构 示意图， 其中 (a) 为矩形微型加热器的立体结构示意图， 支撑悬梁沿着 晶向， (b) 为 图 1(a) 所示的加热器的加热膜区的放大图， 折线形加热电阻丝的线宽保持中心较宽两端 较窄。 0029 图 2 为本发明提供的一种具有非均匀线宽加热电阻丝的矩形微型加热器的制作 流程图， 其中 (a) 选择衬底， (b) 制作复合膜， (c) 制作折线形加热电阻丝， 引线和电极， (d) 开薄膜释放窗口， (e) 释放薄膜。 0030 图 3 为实施例 2 中微型加热器的立体结构示意图， 支撑悬梁沿着 晶向。 0031 图 4 为实施例 3 中微型加热器的结构示意图， 其中 (a) 为俯视图。
20、， (b) 为截面图， 薄膜释放采用的干法刻蚀工艺。 0032 图 5 为两个加热器在相同功耗下工作时的红外照片对比图， 其中 (a) 为具有均匀 线宽和均匀线间距折线形加热电阻丝的加热器的红外照片， 加热膜区中心处的颜色要明显 比两端红， 可见中心处的温度要比两端高出很多， (b) 为具有非均匀线宽和均匀线间距折线 形加热电阻丝的加热器的红外照片， 加热膜区中心处的颜色和两端处的颜色度是红色， 说 明中心处的温度和两端差不多。 对比可见这种采用非均匀线宽加热电阻丝的结构设计能够 显著提高加热膜区的温度均匀性。 0033 图中 1 为衬底框架， 2 为矩形加热膜区， 3 为支撑悬梁， 4 为梯。
21、形过渡区， 5 为折线形 加热电阻丝， 6 为引线， 7 为接触电极， 8 为隔热腔体。 具体实施方式 0034 实施例 1 ： 0035 该实施例的结构示意图参见图 1(a) 所示， 具体制作方法如下 ： 0036 1. 选择衬底。选取 N 型 (100) 面的 4 英寸双面抛光的硅片作为衬底， 电阻率 3-8cm， 硅片厚度为 35010 微米， 切边的角度误差 1。 0037 2. 制作复合膜。采用单层复合膜， 利用低压化学气相沉积 (LPCVD) 的方法依次生 长一层厚度为 0.5 微米的氧化硅和一层厚度为 0.3 微米的氮化硅。 0038 3. 制作折线形加热电阻丝， 引线和电极。采。
22、用剥离工艺 (lift-off) 制作。薄胶光 刻 ( 光刻胶厚度为 2.0 微米 ) 定义出折线形加热电阻丝， 引线和电极的图形， 然后溅射一层 0.2 微米厚的钛铂， 最后丙酮去胶后形成了折线形加热电阻丝， 引线和电极。 0039 4.开薄膜释放窗口。 正面光刻定义出用于释放加热膜区和支撑悬梁的腐蚀窗口图 形， 在光刻胶的保护下利用离子束刻蚀 (Ion-beam) 彻底刻蚀暴露的氧化硅和氮化硅复合 膜。 说 明 书 CN 102256387 A CN 102256394 A4/4 页 7 0040 5.释放薄膜。 利用TMAH腐蚀液通过薄膜释放窗口腐蚀衬底硅， 并在中心膜区和支 撑悬梁的下。
23、方形成倒梯形的隔热腔体。 0041 施例 2 ： 0042 该实施例的结构示意图参见图 3 所示， 具体制作方法如下 ： 0043 1. 衬底选择。选择 P 型 (100) 面的 4 英寸单面抛光的硅片作为衬底， 电阻率 3-8cm， 硅片厚度为 35010 微米， 切边的角度误差 1。 0044 2. 制作复合膜。采用单层复合膜， 利用等离子增强化学气相沉积 (PECVD) 的方法 依次生长一层厚度为 0.4 微米的氧化硅和一层厚度为 0.6 微米的氮化硅。 0045 3.制作折线形加热电阻丝， 引线和电极。 采用湿法腐蚀工艺制作。 先溅射一层0.2 微米厚的钛铂， 再进行薄胶光刻 ( 光刻。
24、胶厚度为 1.8 微米 ) 定义出折线形加热电阻丝， 引线 和电极的图形， 最后湿法腐蚀形成折线形加热电阻丝， 引线和电极。 0046 4. 开薄膜释放窗口。第一步， 正面光刻定义出用于释放加热膜区和支撑悬梁的腐 蚀窗口图形， 在光刻胶的保护下利用离子束刻蚀 (Ion-beam) 彻底刻蚀暴露的氧化硅和氮 化硅复合膜 ； 第二步， 利用深反应离子刻蚀 (DRIE) 刻蚀衬底硅， 刻蚀深度要大于支撑悬梁 宽度的 0.7 倍 ； 最后去胶后就形成薄膜释放窗口。 0047 5. 释放薄膜。利用 KOH 腐蚀液通过薄膜释放窗口腐蚀衬底硅， 并在中心膜区和支 撑悬梁的下方形成倒梯形的隔热腔体。 0048。
25、 实施例 3 ： 0049 该实施例的结构示意图参见图 4 所示， 具体制作方法如下 ： 0050 1. 衬底选择。选择 P 型 (100) 面的 4 英寸双面抛光的硅片作为衬底， 电阻率 3-8cm， 硅片厚度为 35010 微米， 切边的角度误差 1。 0051 2. 制作复合膜。采用多层复合膜， 先利用低压化学气相沉积 (LPCVD) 的方法依次 沉积一层厚度为 0.2 微米的氧化硅和一层厚度为 0.2 微米的氮化硅， 再利用等离子增强化 学气相沉积 (PECVD) 的方法依次沉积一层厚度为 0.2 微米的氧化硅和一层厚度为 0.2 微米 的氮化硅。 0052 3. 制作折线形加热电阻丝。
26、， 引线和电极。采用剥离工艺 (1ift-off) 制作。薄胶光 刻 ( 光刻胶厚度为 1.4 微米 ) 定义出折线形加热电阻丝， 引线和电极的图形， 然后溅射一层 0.2 微米厚的钛铂， 最后丙酮去胶后形成了折线形加热电阻丝， 引线和电极。 0053 4.开薄膜释放窗口。 正面光刻定义出用于释放加热膜区和支撑悬梁的腐蚀窗口图 形， 在光刻胶的保护下利用离子束刻蚀 (Ion-beam) 彻底刻蚀暴露的氧化硅和氮化硅复合 膜。 0054 5. 释放薄膜。利用 XeF2刻蚀通过薄膜释放窗口腐蚀衬底硅， 并在中心膜区和支撑 悬梁的下方形成弧形的隔热腔体。 说 明 书 CN 102256387 A CN 102256394 A1/4 页 8 图 1 说 明 书 附 图 CN 102256387 A CN 102256394 A2/4 页 9 图 2 说 明 书 附 图 CN 102256387 A CN 102256394 A3/4 页 10 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 102256387 A CN 102256394 A4/4 页 11 图 5 说 明 书 附 图 CN 102256387 A 。