电路修复的方法和系统.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 102281983 A (43)申请公布日 2011.12.14 CN 102281983 A *CN102281983A* (21)申请号 201080004959.2 (22)申请日 2010.02.07 197349 2009.03.02 IL B23K 26/00(2006.01) (71)申请人 奥博泰克有限公司 地址 以色列亚夫内 (72)发明人 乌里戈尔德 兹维科特拉尔 (74)专利代理机构 北京英赛嘉华知识产权代理 有限责任公司 11204 代理人 余朦 王艳春 (54) 发明名称 电路修复的方法和系统 (57) 摘要 本发明提供一种修复电路的系统和方。

2、法， 包 括 ： 利用激光器和至少一个激光束传输路径， 对 形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区 域进行激光预处理 ； 以及利用激光器和至少一个 激光束传输路径的至少一部分， 将至少一个激光 束应用至施体基板， 使得施体基板的至少一部分 从施体基板分离并转移至至少一个预定的导体位 置。 (30)优先权数据 (85)PCT申请进入国家阶段日 2011.07.19 (86)PCT申请的申请数据 PCT/IL2010/000106 2010.02.07 (87)PCT申请的公布数据 WO2010/100635 EN 2010.09.10 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产。

3、权局 (12)发明专利申请 权利要求书 3 页 说明书 6 页 附图 9 页 CN 102281992 A1/3 页 2 1. 一种修复电路的方法， 包括 ： 利用激光器和至少一个激光束传输路径， 对形成于电路基板上的导体的至少一个导体 修复区域进行激光预处理 ； 以及 利用所述激光器和所述至少一个激光束传输路径的至少一部分， 将至少一个激光束应 用至施体基板， 使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离并转移至至少一个预 定的导体位置。 2. 如权利要求 1 所述的修复电路的方法， 其中， 所述预处理包括激光剥蚀。 3. 如权利要求 1 所述的修复电路的方法， 其中， 在所述激光预处理和。

4、应用至所述施体 基板的过程中， 所述激光器工作在不同的功率等级。 4. 如权利要求 1 所述的修复电路的方法， 其中， 所述预处理包括基板修复区域的预处 理和导体修复区域的预处理。 5. 如权利要求 4 所述的修复电路的方法， 其中， 所述激光剥蚀引起所述基板修复区域 和所述导体修复区域的表面粗糙化。 6. 如权利要求 5 所述的修复电路的方法， 其中， 所述基板修复区域的预处理和所述导 体修复区域的预处理包括不同程度的表面粗糙化。 7. 如权利要求 1 所述的修复电路的方法， 其中， 通过自动光学检查来选择所述至少一 个导体修复区域。 8. 如权利要求 1 所述的修复电路的方法， 还包括 ：。

5、 利用所述激光器和所述至少一个激 光束传输路径对过量导体材料进行激光剥蚀。 9. 如权利要求 8 所述的修复电路的方法， 其中， 所述过量导体材料是由从所述施体基 板分离的材料形成的。 10. 如权利要求 8 所述的修复电路的方法， 其中， 对过量导体材料进行的激光剥蚀是在 将至少一个激光束应用至施体基板之后执行的， 而将至少一个激光束应用至施体基板又是 在所述激光预处理之后执行的。 11. 一种修复电路的方法， 包括 ： 利用激光器和至少一个激光束传输路径， 对形成于电路基板上的导体的至少一个导体 修复区域中的过量导体材料进行激光剥蚀 ； 以及 利用所述激光器和所述至少一个激光束传输路径的至。

6、少一部分， 将至少一个激光束应 用至施体基板， 使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离并转移至至少一个预 定的导体位置。 12. 如权利要求 11 所述的修复电路的方法， 其中， 对过量导体材料进行的激光剥蚀产 生对短路的修复。 13. 如权利要求 11 所述的修复电路的方法， 其中， 在所述激光剥蚀和应用至所述施体 基板的过程中， 所述激光器工作在不同的功率等级。 14. 如权利要求 11 所述的修复电路的方法， 还包括 ： 对所述至少一个导体修复区域进 行表面粗糙化。 15. 如权利要求 11 所述的修复电路的方法， 其中， 通过自动光学检查来选择所述至少 一个导体修复区域。 16。

7、. 一种修复电路的方法， 包括 ： 权 利 要 求 书 CN 102281983 A CN 102281992 A2/3 页 3 预处理电路基板的至少一个电路基板修复区域和导体的至少一个导体修复区域， 所述 导体形成于所述电路基板上并与所述至少一个电路基板修复区域邻接 ； 以及 将至少一个激光束应用至施体基板， 使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板 分离， 并转移至所述至少一个电路基板修复区域中的至少一个预定的电路基板位置和所述 至少一个导体修复区域中的至少一个预定的导体位置， 由此在所述至少一个导体修复区域 处至少部分地与所述导体的一部分重叠， 并在所述至少一个电路基板修复区域中形成所。

8、述 导体的至少一个延伸部。 17. 如权利要求 16 所述的修复电路的方法， 其中， 所述预处理包括激光剥蚀。 18. 如权利要求 16 所述的修复电路的方法， 其中， 所述预处理和所述应用是由同一激 光器实施的。 19. 如权利要求 18 所述的修复电路的方法， 其中， 所述预处理和所述应用是由同一激 光器以不同的功率等级实施的。 20. 如权利要求 18 所述的修复电路的方法， 其中， 所述基板修复区域的预处理和所述 导体修复区域的预处理是由同一激光器以不同的功率等级实施的。 21. 如权利要求 20 所述的修复电路的方法， 其中， 所述基板修复区域的预处理和所述 导体修复区域的预处理包括。

9、不同程度的表面粗糙化。 22. 如权利要求 17 所述的修复电路的方法， 其中， 所述激光剥蚀引起表面粗糙化。 23. 如权利要求 16 所述的修复电路的方法， 其中， 通过自动光学检查来选择所述至少 一个基板修复区域中的至少一个预定的基板位置和所述至少一个导体修复区域中的至少 一个预定的导体位置。 24. 一种用于修复电路的系统， 包括 ： 激光器和激光束传输路径 ； 激光预处理功能组件， 利用所述激光器和所述激光束传输路径的至少一部分， 对形成 于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域进行激光预处理 ； 以及 导体沉积功能组件， 利用所述激光器和所述激光束传输路径的至少一部分， 将至少一 。

10、个激光束应用至施体基板， 使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离并转移至 至少一个预定的导体位置。 25. 一种用于修复电路的系统， 包括 ： 激光器和激光束传输路径 ； 过量导体剥蚀功能组件， 利用所述激光器和所述激光束传输路径的至少一部分， 对形 成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域中的过量导体材料进行激光剥蚀 ； 以及 导体沉积功能组件， 利用所述激光器和所述激光束传输路径的至少一部分， 将至少一 个激光束应用至施体基板， 使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离并转移至 至少一个预定的导体位置。 26. 如权利要求 25 所述的用于修复电路的系统， 其中， 对过量导。

11、体材料进行的激光剥 蚀产生对短路的修复。 27. 一种用于修复电路的系统， 包括 ： 激光器和激光束传输路径 ； 预处理功能组件， 利用所述激光器和所述激光束传输路径的至少一部分来处理电路基 权 利 要 求 书 CN 102281983 A CN 102281992 A3/3 页 4 板的至少一个电路基板修复区域和导体的至少一个导体修复区域， 所述导体形成于所述电 路基板上并与所述至少一个电路基板修复区域邻接 ； 以及 导体沉积功能组件， 利用所述激光器和所述激光束传输路径的至少一部分， 将至少一 个激光束应用至施体基板， 使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离并转移至 所述至少一个电。

12、路基板修复区域中的至少一个预定的电路基板位置和所述至少一个导体 修复区域中的至少一个预定的导体位置， 由此在所述至少一个导体修复区域处至少部分地 与所述导体的一部分重叠， 并在所述至少一个电路基板修复区域中形成所述导体的至少一 个延伸部。 权 利 要 求 书 CN 102281983 A CN 102281992 A1/6 页 5 电路修复的方法和系统 技术领域 0001 本发明通常涉及电路修复。 0002 相关申请的交叉引用 0003 本 申 请 要 求 于 2009 年 3 月 2 日 提 交 的 题 为 “A Method and System for Electrical Circui。

13、t Repair(电路修复的方法和系统)” 的第197349号以色列专利申请的 优先权， 上述被要求优先权的申请通过引用并入本文。 背景技术 0004 以下出版物被认为代表该项技术的现状 ： 0005 第 4,752,455 号、 第 4,970,196 号、 第 4,987,006 号、 第 5,173,441 号 以 及 第 5,292,559 号美国专利 ； 0006 “Metal deposition from a supported metal film(来自支撑的金属膜的金属沉 积 )” ， Bohandy， B.F.Kim 以及 F.J.Adrian， 应用物理杂志 (J.App。

14、l.Phys.)60(1986)1538 ； 以及 0007 “A study of the mechanism of metal deposition by the laser-induced forward transfer process( 对由激光诱致的前向转递过程的金属沉积机制的研究 )” ， F.J.Adrian， J.Bohandy， B.F.Kim 以及 A.N.Jette， 真空科学技术杂志 (Journal ofVacuum Science and Technology)B 5， 1490(1989)， 第 1490-1494 页。 发明内容 0008 本发明寻求提供一种改。

15、良的电路修复的系统和方法。 0009 因此， 根据本发明的优选实施例提供一种修复电路的方法， 包括 ： 利用激光器和至 少一个激光束传输路径， 对形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域进行激光预 处理 ； 以及利用激光器和至少一个激光束传输路径的至少一部分， 将至少一个激光束应用 至施体基板， 使得施体基板的至少一部分从施体基板分离并转移至至少一个预定的导体位 置。 0010 根据本发明的优选实施例， 预处理包括激光剥蚀。 优选地， 在激光预处理与应用至 施体基板的过程中， 激光器工作在不同的功率等级。 0011 根据本发明的优选实施例， 预处理包括基板修复区域的预处理和导体修复区域的 。

16、预处理。另外， 激光剥蚀引起基板修复区域和导体修复区域的表面粗糙化。再者， 基板修复 区域的预处理和导体修复区域的预处理包括不同程度的表面粗糙化。 0012 优选地， 通过自动光学检查来选择至少一个导体修复区域。 0013 根据本发明的优选实施例， 修复电路的方法还包括 ： 利用激光器和至少一个激光 束传输路径对过量导体材料进行激光剥蚀。另外， 过量导体材料是由从施体基板分离的材 料形成的。另外或另一选择为， 对过量导体材料进行的激光剥蚀是在将至少一个激光束应 用至施体基板之后执行的， 将至少一个激光束应用至施体基板又是在激光预处理之后执行 说 明 书 CN 102281983 A CN 10。

17、2281992 A2/6 页 6 的。 0014 根据本发明另一优选实施例还提供一种修复电路的方法， 包括 ： 利用激光器和至 少一个激光束传输路径， 对形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域中的过量导 体材料进行激光剥蚀 ； 以及利用激光器和至少一个激光束传输路径的至少一部分， 将至少 一个激光束应用至施体基板， 使得施体基板的至少一部分从施体基板分离并转移至至少一 个预定的导体位置。 0015 根据本发明的优选实施例， 对过量导体材料进行的激光剥蚀产生对短路的修复。 优选地， 在激光剥蚀与应用至施体基板的过程中， 激光器工作在不同的功率等级。 0016 根据本发明的优选实施例， 修复。

18、电路的方法还包括 ： 对至少一个导体修复区域进 行表面粗糙化。优选地， 通过自动光学检查来选择至少一个导体修复区域。 0017 根据本发明的又一优选实施例还提供一种修复电路的方法， 包括 ： 预处理电路基 板的至少一个电路基板修复区域和导体的至少一个导体修复区域， 其中导体形成于电路基 板上并与至少一个电路基板修复区域邻接 ； 以及将至少一个激光束应用至施体基板， 使得 施体基板的至少一部分从施体基板分离并转移至至少一个电路基板修复区域中的至少一 个预定的电路基板位置和至少一个导体修复区域中的至少一个预定的导体位置， 由此在至 少一个导体修复区域处至少部分地与导体的一部分重叠， 并在至少一个电。

19、路基板修复区域 中形成导体的至少一个延伸部。 0018 根据本发明的优选实施例， 预处理包括激光剥蚀。另外， 激光剥蚀形成表面粗糙 化。 0019 优选地， 预处理和应用是由同一激光器实施的。 另外， 预处理和应用是由同一激光 器以不同的功率等级实施的。 0020 根据本发明的优选实施例， 基板修复区域的预处理和导体修复区域的预处理是由 同一激光器以不同的功率等级实施。另外， 基板修复区域的预处理和导体修复区域的预处 理包括不同程度的表面粗糙化。 0021 优选地， 通过自动学检查来选择至少一个基板修复区域中的至少一个预定的基板 位置和至少一个导体修复区域中的至少一个预定的导体位置。 0022。

20、 根据本发明的再一优选实施例还提供一种用于修复电路的系统， 包括 ： 激光器和 激光束传输路径 ； 激光预处理功能组件， 利用激光器和激光束传输路径的至少一部分， 对形 成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域进行激光预处理 ； 以及导体沉积功能组 件， 利用激光器和激光束传输路径的至少一部分， 将至少一个激光束应用至施体基板， 使得 施体基板的至少一部分从施体基板分离， 并转移至至少一个预定的导体位置。 0023 根据本发明的另一优选实施例还提供一种用于修复电路的系统， 包括 ： 激光器和 激光束传输路径 ； 过量导体剥蚀功能组件， 利用激光器和激光束传输路径的至少一部分， 对 形成于电路。

21、基板上的导体的至少一个导体修复区域中的过量导体材料进行激光剥蚀 ； 以及 导体沉积功能组件， 利用激光器和激光束传输路径的至少一部分， 将至少一个激光束应用 至施体基板， 使得施体基板的至少一部分从施体基板分离并转移至至少一个预定的导体位 置。 0024 优选地， 对过量导体材料进行的激光剥蚀产生对短路的修复。 0025 根据本发明的又一优选实施例还提供一种用于修复电路的系统， 包括 ： 激光器和 说 明 书 CN 102281983 A CN 102281992 A3/6 页 7 激光束传输路径 ； 预处理功能组件， 利用激光器和激光束传输路径的至少一部分来处理电 路基板的至少一个电路基板修。

22、复区域和导体的至少一个导体修复区域， 其中导体形成于电 路基板上并与至少一个电路基板修复区域邻接 ； 以及导体沉积功能组件， 利用激光器和激 光束传输路径的至少一部分， 将至少一个激光束应用至施体基板， 使得施体基板的至少一 部分从施体基板分离， 并转移至至少一个电路基板修复区域中的至少一个预定的电路基板 位置和至少一个导体修复区域中的至少一个预定的导体位置， 由此在至少一个导体修复区 域处至少部分地与导体的一部分重叠， 并在至少一个电路基板修复区域中形成导体的至少 一个延伸部。 附图说明 0026 通过下文的详细描述并结合附图将能更好地理解本发明， 其中 ： 0027 图 1 是根据本发明的。

23、优选实施例构造和工作的修复电路的系统的简化图示 ； 0028 图 2 是图 1 的系统的光学子系统的实施例的简化图示 ； 0029 图 3A-3H 是示出图 1 的系统的运作的简化剖视图 ； 0030 图 4 是图 1 的系统的附加功能的简化图示 ； 以及 0031 图 5A-5C 是示出图 4 的功能的运作的简化剖视图。 具体实施方式 0032 现在参见图1和图2， 图1是根据本发明的优选实施例构造和工作的用于修复电路 的系统的简化图示， 图 2 是图 1 的系统的光学子系统的实施例的简化图示。 0033 如图 1 所示， 该系统优选地包括底架 100， 底架 100 优选地安装在传统的光学。

24、平台 102 上。底架 100 限定电路检查位置 104， 将被检查的电路例如印刷电路板 (PCB)106 可被 放置在电路检查位置104上。 PCB 106通常具有一个或多个不同类型的缺陷， 例如过量导体 缺陷和导体缺失缺陷 ( 例如断口 110)。 0034 桥 112 被设置为沿相对于底架 100 限定的第一检查轴线 114、 相对于检查位置 104 进行线性运动。光学头组件 (optical head assembly)116 被设置为沿垂直于第一检查轴 线 114 的第二检查轴线 118、 相对于桥 112 进行线性运动。 0035 根据本发明的优选实施例， 如图2详细所示， 光学头。

25、组件116优选地包括检查子组 件 120 和修复子组件 122。检查子组件 120 与修复子组件 122 共享至少一些光学部件是本 发明的特定特征。 0036 该系统优选地还包括控制组件 124， 控制组件 124 优选地包括计算机 126， 计算机 126 具有用户接口 128 且包括软件模块， 这些软件模块可操作以操作检查子组件 120 和修 复子组件 122。控制组件 124 优选地从自动光学检查系统 ( 未示出 ) 接收缺陷位置输入， 该自动光学检查系统例如为 Discovery 8000 系统， 其可从位于以色列 Yavne( 亚夫内 ) 的 Orbotech 有限公司购得。 003。

26、7 如图 2 所示， 光学头组件 116 包括检查子组件 120 和修复子组件 122。检查子组 件 120 是定焦 (parafocal) 成像系统， 其包括照相机 150( 例如可从 Exton PA 的 Basler 公 司购得的 Basler CMOS 照相机 )， 沿光轴 154 在 PCB 106 上的位置 152 处成像。照相机 150 通过具有典型的 100 毫米至 150 毫米焦距的聚焦物镜 160、 局部反射镜 162 以及物镜模块 说 明 书 CN 102281983 A CN 102281992 A4/6 页 8 164( 例如 5x/0.14 物镜模块， 可从日本 M。

27、itutoyo 有限公司购得 ) 观察位置 152。 0038 根据本发明的实施例， 检查子组件 120 和修复子组件 122 被设置为沿光轴 154 至少部分地共享同一光路。修复子组件 122 包括脉冲式激光源 170( 例如可从位于法国 Grenoble( 格勒诺布尔 ) 的 TeemPhotonoics 公司购得的被动式 Q- 开关微激光器 )， 可操作 为产生脉冲式激光束 174。根据应用， 可从例如操作为输出波长为 532 奈米或 1064 奈米的 光束的激光头选择适合的微激光器。脉冲式光束 174 穿过包括焦距分别为 80 毫米与 -150 毫米的两个透镜 180 和 182 的准。

28、直光学部件 178， 可操作以将激光束 174 准直至优选的 0.5 毫米至 3.0 毫米的光点大小。激光束 174 接着被镜面 184 反射， 并随后由扩束器 185 调整 至特定直径， 扩束器 185 包括针对准直后的输出光束所需的尺寸进行放置和调整的多个透 镜 186。透镜 186 可包括例如分别为 28 毫米平凸透镜、 -10 毫米双凹透镜和 129 毫米平凸 透镜的透镜。激光束 174 接着被透镜 188 引导至撞击在双轴快速导向镜 (fast steering mirror， FSM)190( 可从 Newport 公司购得 ) 上， 接着经过透镜 192( 例如 108 毫米凹凸。

29、透 镜 )、 镜面 194 和透镜 196( 例如平凸 338 毫米透镜 )。透镜 188、 192 和 196 维持光束在位 于透镜 188 后的 FSM 190 上的位置以及维持物镜模块 164 的输入孔径。光束 174 然后撞击 在分光镜 198 上， 由分光镜 198 引导光束 174 沿光轴 154 穿过物镜模块 164。根据本发明的 优选实施例， 透镜和光学部件如图所示排列， 并经适当涂覆以结合激光束 174 的所选波长 操作。 0039 现在参照图 3A-3H， 其是图 1 的系统的运作的剖面图。图 3A 显示典型的导体缺失 缺陷， 例如断口110(图1)。 首先， 如上文所述，。

30、 控制组件124通常从自动光学检查系统接收 标识缺陷的类型和位置的输入。 0040 在图 3A 所示的阶段中， 控制组件 124 使光学头组件 116 位移， 以使物镜模块 164 位于缺陷上方并聚焦在该缺陷上。在优选地以约 600 奈米和 500 奈米为中心的两个波段获 得该缺陷的图像， 且优选地以约 400 奈米为中心获得荧光图像。 0041 图像经控制组件 124 分析并优选地与基准 ( 例如 CAM 数据 ) 相比较， 由此确认缺 陷的存在及其类型， 并提供缺陷的详细轮廓， 该详细轮廓优选地包括至少一个导体修复区 域 250 和至少一个基板修复区域 252 的限定。 0042 现在参见。

31、图3B、 3C和3D， 从图可知， 执行导体修复区域250和基板修复区域252的 激光预处理。因激光器与检查子组件共享同一焦点， 故物镜模块 164 在此阶段无需移离其 相对于缺陷的方向， 这是本发明的特定特征。 0043 可理解的是， 对导体修复区域 250 的预处理与对基板修复区域 252 的预处理通常 不同。导体修复区域 250 与基板修复区域 252 的预处理的一般目的是通过激光剥蚀将其表 面粗糙化， 进而提供将要沉积的导体材料与现有导体和基板之间的增强的黏合。 举个例子， 若采用产生亚奈秒脉冲的 30 毫瓦 532 奈米调 Q 微片 (Q-switched microchip) 激光。

32、器， 则 可通过使用直径通常为 10 微米的光点大小产生深度通常为 4-6 微米的沟槽的 X-Y 网格， 从 而实现基板和导体表面的粗糙化。 可理解的是， 根据基板的成分和导体的成分， 改变撞击在 表面的单位面积上的激光能量， 例如通过改变激光束在表面上的扫描速度或通过调整所撞 击的激光束的功率来改变撞击在表面的单位面积上的激光能量。 0044 现在参见图3E、 3F和3G， 图3E图示了在施体(donor)基板270上进行初始激光束 撞击 (impingement)， 并导致构成施体基板 270 一部份的导体材料 272 沉积到基板修复区 说 明 书 CN 102281983 A CN 10。

33、2281992 A5/6 页 9 域 252 上， 图 3F 和 3G 图示了在施体基板 270 上进行进一步的激光束撞击， 并导致导体材料 272 沉积到基板修复区域 252 上。如图 3E、 3F 和 3G 所示， 施体基板 270 优选地位于导体修 复区域 250 的表面之上通常约 50 微米至 300 微米的距离 ( 由标号 H1 标出 ) 处， 且通过物 镜模块 164 的适当位移， 使激光束聚焦在施体基板 270 上。 0045 施体基板 270 通常由激光波长可穿透的材料制成， 该材料可以是刚性的 ( 例如玻 璃 ) 或挠性的 ( 例如塑料 )， 且在一侧上涂覆有一薄层导体材料 。

34、272。 0046 如图 3E、 3F 和 3G 所示， 导体的高度 ( 标记为 H2) 通常约为 5 微米至 50 微米， 施体 基板 270 的厚度 ( 标记为 H3) 通常在 500 微米至 3000 微米的范围内， 且导体材料 272 的厚 度 ( 标记为 H4) 通常在 0.5 微米至 3 微米的范围内。 0047 优选地， 在沉积之前与沉积的过程中， 使用检查子组件监测施体基板 270 的 X-Y 位置， 以确保在覆盖所有预料的激光束撞击位置的区域中在所有相关时刻都存在导体材料 272。此功能是通过使激光器与检查子组件共享同一焦点而实现的。 0048 用于表面粗糙化的同一激光器还用。

35、于沉积， 这是本发明的特定特征。 举个例子， 若 采用产生亚奈秒脉冲的 30 毫瓦 532 奈米调 Q 微片激光器， 则可通过利用直径通常为 10 微 米的大小的光点实现沉积， 以填充导体修复区域 250 和基板修复区域 252。 0049 图 3H 图示了在导体修复区域 250 与基板修复区域 252 上完成沉积之后的导体修 复区域 250 与基板修复区域 252。可理解的是， 尽管在图 3E、 3F、 3G 和 3H 所示的实施例中， 所沉积的材料以单独沉积点 (deposits) 显现， 但是由此形成的导体呈现大体均匀的外观。 0050 通常， 在完成沉积之后， 执行对导体修复区域 25。

36、0 与基板修复区域 252 的下一检 查， 此检查类似于参照图 3A 所描述的检查。 0051 现在参见图 4 和图 5A-5C， 图 4 是图 1 的修复电路的系统的附加功能的简化图示， 图 5A-5C 是示出了图 4 的功能的运作的简化的剖视图。 0052 如图 4 所示， 包括控制组件 124、 计算机 126 和用户接口 128 的图 1 的修复电路的 系统已在 PCB 106 中识别出过量导体缺陷 300。 0053 在图 4 所示的实例中， 且如图 5A 所具体显示的， 过量导体缺陷 300 包括第一过量 导体材料区 302 和第二过量导体材料区 304。第一过量导体材料区 302。

37、 位于导体 310 与 312 之间， 而第二过量导体材料区 304 位于导体 312 与 314 之间。可理解的是， 过量导体缺 陷 300 可形成于 PCB 106( 图 1) 的制造期间， 或可由在图 3E-3H 的过程中因溅射而沉积的 残留导体材料所导致的。 0054 在图 5A 所示的阶段中， 控制组件 124 使光学头组件 116( 图 1 和图 2) 位移， 以使 物镜模块 164( 图 2) 位于缺陷上方并聚焦在该缺陷上。优选地在以约 600 奈米和 500 奈米 为中心的两个波段处获得该缺陷的图像， 且以约 400 奈米为中心获得荧光图像。 0055 图像经控制组件124分析。

38、并优选地与基准(例如CAM数据)相比较， 由此确认缺陷 的存在和类型并提供缺陷的详细轮廓， 该详细轮廓优选地包括至少一个导体移除区域 ( 在 所示实例中， 为第一过量导体材料区 302 和第二过量导体材料区 304) 的限定。 0056 现在参见图 5B 和图 5C， 从图可知， 在第一过量导体材料区 302 和第二过量导体材 料区 304 实施过量导体材料的激光剥蚀。因激光器与检查子组件共享同一焦点， 故物镜模 块 164 在此阶段中无需移离其相对于缺陷的方向， 这是本发明的特定特征。 0057 应理解， 通常， 若采用产生亚奈秒脉冲的 30 毫瓦 532 奈米调 Q 微片激光器， 则可通 。

39、说 明 书 CN 102281983 A CN 102281992 A6/6 页 10 过利用直径通常为 5 微米至 20 微米的光点大小实现对第一过量导体材料区 302 和第二过 量导体材料区 304 的激光剥蚀。应理解， 根据过量导体材料的成分， 改变撞击在表面的单位 面积上的激光能量， 例如通过改变激光束在表面上的扫描速度或通过调整所撞击的激光束 的功率来改变撞击在表面的单位面积上的激光能量。 0058 优选地， 在激光剥蚀之前与激光剥蚀的过程中， 使用检查子组件监测 PCB 106 的 X-Y 位置， 以确保激光束撞击在第一过量导体材料区 302 和第二过量导体材料区 304 上， 而。

40、 不撞击在导体310、 312和314上。 此功能是通过激光器与检查子组件共享同一焦点实现的。 0059 参照图 1-3H 描述的表面粗糙化和沉积所使用的同一激光器还用于激光剥蚀， 这 是本发明的特定特征。 0060 通常， 在完成激光剥蚀之后， 执行对 PCB 106 的下一检查， 此检查类似于参照图 5A 所描述的检查。 0061 应理解， 若在 PCB 106 上发现多个缺陷， 或移除在沉积过程中所沉积的过量导体 材料， 则上文参照图 4 和图 5A-5C 描述的用于对过量导体材料区 302 和 304 执行激光剥蚀 的激光剥蚀功能， 还可与上文参照图 3A-3H 描述的表面粗糙化功能与。

41、沉积功能一起用于同 一 PCB106。 0062 应理解， 上文参照图 3A-3H 描述的表面粗糙化功能与沉积功能， 以及上文参照图 4 和图 5A-5C 描述的激光剥蚀功能， 均可根据所需在 PCB 106 上的多个位置或同一位置上以 任意适当的顺序实现一次或多次。 0063 本领域技术人员应理解， 本发明并非仅限于上文具体显示和描述的内容。 而是， 本 发明包括本文所描述的各种特征的组合和子组合以及本领域技术人员在阅读上文说明后 所得到的不属于现有技术的各种改进和修改。 说 明 书 CN 102281983 A CN 102281992 A1/9 页 11 图 1 说 明 书 附 图 CN。

42、 102281983 A CN 102281992 A2/9 页 12 图 2 说 明 书 附 图 CN 102281983 A CN 102281992 A3/9 页 13 图 3A 图 3B 说 明 书 附 图 CN 102281983 A CN 102281992 A4/9 页 14 图 3C 图 3D 说 明 书 附 图 CN 102281983 A CN 102281992 A5/9 页 15 图 3E 说 明 书 附 图 CN 102281983 A CN 102281992 A6/9 页 16 图 3F 图 3G 说 明 书 附 图 CN 102281983 A CN 102281992 A7/9 页 17 图 3H 说 明 书 附 图 CN 102281983 A CN 102281992 A8/9 页 18 图 4 说 明 书 附 图 CN 102281983 A CN 102281992 A9/9 页 19 图 5A 图 5B 图 5C 说 明 书 附 图 CN 102281983 A 。