发光装置及投影仪技术领域
本发明涉及发光装置及投影仪。
背景技术
已知有如下的发光装置：在基板上形成由III族氮化物半导体构成
的发光层，从外部注入电流，在发光层内使电子与空穴复合而发光。这
样的发光装置中，有时会在发光层与基板之间产生应变。特别是，在使
用InGaN作为发光层、使用与InGaN不同的材料(例如GaN)作为基
板的情况下，会在两者之间产生晶格不匹配，因该晶格不匹配而使应变
变大。一旦产生这样的应变，就会对发光层施加由压电效应所产成的电
场(压电电场)，从而使电子与空穴的发光再复合概率显著地降低。
作为解决上述问题的方法，例如有如下的方法，即，如专利文献1
中记载的那样，将III族氮化物半导体制成微细柱状晶体结构，以缓解
在发光层与基板之间产生的应变。
专利文献1日本特开2008-169060号公报
但是，在专利文献1中记载的技术中，由于微细柱状晶体结构的侧
面是露出的，因此产生伴有侧面附近的缺陷或杂质的非发光再复合，从
而会有发光效率降低的情况。
发明内容
本发明的几个方式的目的之一在于，提供一种发光效率高的发光装
置。另外，本发明的几个方式的目的之一在于，提供一种具有上述发光
装置的投影仪。
本发明的发光装置可以是，包括：
第一层，其具有第一面；
第二层，其具有与上述第一面对置的第二面；及
结构体，其被上述第一面和上述第二面夹持，
上述结构体具有第一微细壁状构件、第二微细壁状构件和半导体构
件，
上述第一微细壁状构件及上述第二微细壁状构件具有：
第三层，其与上述第一面邻接；
第四层，其与上述第二面邻接；及
第五层，其被上述第三层与上述第四层夹持，
上述半导体构件被上述第一微细壁状构件和上述第二微细壁状构
件夹持，
上述第一层及上述第二层的材质为GaN，
上述第三层、上述第四层、上述第五层及上述半导体构件的材质为
InxGa1-xN(0＜x＜1)，
上述第五层的x的值比上述第三层的x的值、上述第四层的x的值
及上述半导体构件的x的值大，
上述第五层是产生光并且传导光的层，
上述第三层及上述第四层是传导在上述第五层中产生的光的层，
上述第一层及上述第二层是抑制在上述第五层中产生的光的泄漏
的层，
上述结构体具备：
第三面，其与上述第一面及上述第二面连接；及
第四面，其与上述第一面及上述第二面连接，并与上述第三面对置，
从上述第一面的垂线方向俯视上述第一微细壁状构件及上述第二
微细壁状构件时，上述第一微细壁状构件及上述第二微细壁状构件被从
上述第三面设置到上述第四面，
在上述第三面和上述第四面的至少一方被设有出射面，
上述第一微细壁状构件和上述第二微细壁状构件的至少一方与上
述半导体构件构成上述出射面的至少一部分，
上述出射面射出在上述第五层中产生的光。
根据这样的发光装置，在第一微细壁状构件与第二微细壁状构件之
间形成有半导体构件。由此，就可以抑制第一微细壁状构件及第二微细
壁状构件的侧面的非发光再复合。所以，在这样的发光装置中，可以缓
解在基板与结构体之间产生的应变的同时，获得高发光效率。反过来说，
如果不形成这样的半导体构件，微细壁状构件的侧面露出，则会产生与
该侧面附近的缺陷或杂质相伴的非发光再复合，从而会有发光效率降低
的情况。
此外，在这样的发光装置中，半导体构件的材质为InGaN，第一微
细壁状构件及第二微细壁状构件的材质例如为InGaN。由此，与在第一
微细壁状构件及第二微细壁状构件之间形成例如由氧化硅或聚酰亚胺
构成的绝缘构件的情况相比，可以使第一微细壁状构件及第二微细壁状
构件与半导体构件的热膨胀系数接近。所以，这样的发光装置中，例如
即使因电流注入而放热，也可以减小因热膨胀而对结构体施加的应力，
可以抑制由应力造成的发光效率的降低或寿命的降低。
本发明的发光装置可以是，包括：
第一层，其具有第一面；
第二层，其具有与上述第一面对置的第二面；及
结构体，其被上述第一面和上述第二面夹持，
上述结构体具有第一微细壁状构件、第二微细壁状构件和半导体构
件，
上述第一微细壁状构件及上述第二微细壁状构件具有：
第三层，其与上述第一面邻接；
第四层，其与上述第二面邻接；及
第五层，其被上述第三层与上述第四层夹持，
上述半导体构件被上述第一微细壁状构件和上述第二微细壁状构
件夹持，
上述第一层及上述第二层的材质为AlGaN，
上述第三层及上述第四层的材质为GaN，
上述第五层及上述半导体构件的材质为InxGa1-xN(0＜x＜1)，
上述第五层的x的值比上述半导体构件的x的值大，
上述第五层是产生光并且传导光的层，
上述第三层及上述第四层是传导在上述第五层中产生的光的层，
上述第一层及上述第二层是抑制在上述第五层中产生的光的泄漏
的层，
上述结构体具备：
第三面，其与上述第一面及上述第二面连接；及
第四面，其与上述第一面及上述第二面连接，并与上述第三面对置，
从上述第一面的垂线方向俯视上述第一微细壁状构件及上述第二
微细壁状构件时，上述第一微细壁状构件及上述第二微细壁状构件被从
上述第三面设置到上述第四面，
在上述第三面和上述第四面的至少一方被设有出射面，
上述第一微细壁状构件和上述第二微细壁状构件的至少一方与上
述半导体构件构成上述出射面的至少一部分，
上述出射面射出在上述第五层中产生的光。
根据这样的发光装置，同样地可以获得高发光效率。
本发明的发光装置中可以是，还包括：
第一电极，其与上述第一层电连接；
第二电极，其与上述第二层电连接；及
第六层，其被形成于上述第二层与上述第二电极之间，
上述第六层与上述第二电极进行欧姆接触，
从上述第一面的垂线方向俯视上述第六层与上述第二电极的接触
面时，上述第六层与上述第二电极的接触面被从上述第三面设置到上述
第四面，
从上述第一面的垂线方向俯视上述第一微细壁状构件和上述第二
微细壁状构件的至少一方时，上述第一微细壁状构件和上述第二微细壁
状构件的至少一方在上述接触面内被从上述第三面设置到上述第四面。
根据这样的发光装置，即使不调整半导体构件的折射率，也可以将
在活性层中产生的光从出射面中射出。
本发明的发光装置中可以是，
上述半导体构件还形成于上述第一微细壁状构件的与上述第二微
细壁状构件侧相反的一侧、以及上述第二微细壁状构件的与上述第一微
细壁状构件侧相反的一侧。
根据这样的发光装置，可以进一步抑制第一微细壁状构件及第二微
细壁状构件的侧面的非发光再复合，从而可以获得更高的发光效率。
本发明的发光装置可以是超辐射发光二极管。
根据这样的发光装置，可以抑制激光振荡，在作为投影仪等图像投
影装置、图像显示装置的光源使用的情况下，可以减少散斑噪声(speckle
noise)。
本发明的发光装置中可以是，还包括覆盖上述出射面地形成的第七
层，
上述第七层是抑制在上述第五层中产生的光的反射的层。
根据这样的发光装置，可以减小构成出射面的微细壁状构件(第一
微细壁状构件的端面及第二微细壁状构件的至少一方)的端面及半导体
构件的端面的反射率。由此，就可以使光不在第一微细壁状构件的端面
间、以及第二微细壁状构件的端面间发生多重反射。其结果是，可以抑
制第一微细壁状构件的端面间以及第二微细壁状构件的端面间的激光
振荡。
本发明的发光装置中可以是，上述第五层的x的值为0.4以上0.6
以下。
根据这样的发光装置，可以射出绿色的光。
本发明的发光装置中可以是，
上述第三层被掺杂为第一导电型，
上述第四层被掺杂为第二导电型，
上述半导体构件未被掺杂。
根据这样的发光装置，可以使注入载流子(电子及空穴)避开半导
体构件，流入微细壁状构件中。
本发明的投影仪包括：
本发明的发光装置、
根据图像信息调制从上述发光装置中射出的光的光调制装置、
投射由上述光调制装置形成的图像的投射装置。
根据这样的投影仪，可以获得高发光效率。
附图说明
图1是示意性地表示本实施方式的发光装置的立体图。
图2是示意性地表示本实施方式的发光装置的俯视图。
图3是示意性地表示本实施方式的发光装置的剖面图。
图4是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的立体图。
图5是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的立体图。
图6是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的立体图。
图7是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的立体图。
图8是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的立体图。
图9是示意性地表示本实施方式的变形例的发光装置的剖面图。
图10是示意性地表示本实施方式的投影仪的图。
图中符号说明：100发光装置，102基板，104第一包层，104a
上面，106第二包层，106b下面，107接触层，107a接触面，108
柱状部，109绝缘构件，110结构体，110a第一侧面，110b第二
侧面，110c第三侧面，110d第四侧面，111微细壁状构件，112第
一微细壁状构件，113第二微细壁状构件，114第一引导层，115活
性层，116第二引导层，118半导体构件，119波导路径，119a第
一端面，119b第二端面，120第一电极，122第二电极，130防
反射层，200发光装置，700投影仪，702均一化光学系统，702a全
息透镜，702b场透镜704液晶光阀，706正交二向色棱镜，708投
射透镜，710屏幕。
具体实施方式
下面，边参照附图边对本发明的优选的实施方式进行说明。
1.发光装置
首先，边参照附图，边对本实施方式的发光装置进行说明。图1是
示意性地表示本实施方式的发光装置100的立体图。图2是示意性地表
示本实施方式的发光装置100的俯视图。图3是示意性地表示本实施方
式的发光装置100的图2的III-III线剖面图。而且，图1中，为了方便
起见，省略了第二电极122及第七层130的图示。另外，为了方便起见，
在图2中，将第二层106、绝缘部109及第二电极122透视地图示。
下面，作为一个例子，对发光装置100为超辐射发光二极管(Super
Luminescent Diode，以下也称作“SLD”)的情况进行说明。SLD与半
导体激光器不同，可以通过抑制谐振器的形成来抑制激光振荡。由此，
在作为投影仪等图像投影装置或图像显示装置的光源使用的情况下，可
以减少散斑噪声。
发光装置100如图1～图3所示，包括第一层104(以下也称作“第
一包层104”)、第二层106(以下也称作“第二包层106”)、结构体110。
此外，发光装置100还可以包括基板102、第六层107(以下也称作“接
触层107”)、第七层130(以下也称作“防反射层130”)、绝缘构件109、
第一电极120、第二电极122。
作为基板102，例如可以使用第一导电型(例如n型)的GaN基板、
或在蓝宝石基板上形成了n型的GaN层的GaN模板基板。
第一包层104形成于基板102上。作为第一包层104，例如可以使
用n型的GaN层。而且，虽然未图示，然而在基板102与第一包层104
之间，也可以形成缓冲层。作为缓冲层，例如可以使用n型的GaN层。
缓冲层可以提高形成于其上方的层的结晶性。
结构体110形成于第一包层104上。在结构体110上形成有第二包
层106。由此也可以说，结构体110被第一包层104的第一面104a(以
下也称作“上面104a”)和与上面104a对置的第二包层106的第二面
106a(以下也称作“下面106a”)夹持。
结构体110的形状例如为长方体(包括立方体的情况)。结构体110
可以具有相互面对的第三面(以下也称作“第一侧面110a”)及第四面
(以下也称作“第二侧面110b”)、将第一侧面110a与第二侧面110b
相互连接而对置的第三侧面110c及第四侧面110d。第一侧面110a如图
1所示，也可以称作将上面104a与下面106a连接的面。同样地，结构
体110的第二侧面110b也可以称作将第一包层104的上面104a与第二
包层106的下面106a连接的面。
而且也可以说，结构体110的第一侧面110a的垂线P与第一包层
104的上面104a的垂线(未图示)交叉。同样地也可以说，结构体110
的第二侧面110b的垂线(未图示)与第一包层104的上面104a的垂线
交叉。
结构体110具有微细壁状构件111和半导体构件118。微细壁状构
件111如图1及图3所示，具有第三层114(以下也称作“第一引导层
114”)、第四层116(以下也称作“第二引导层116”)、包含第五层(以
下也称作“阱层”)的活性层115。
第一引导层114形成于第一包层104上。也可以说，第一引导层114
与第一包层104的上面104a邻接。作为第一引导层114，例如可以使用
n型的InGaN层。
活性层115形成于第一引导层114上。也可以说，活性层115被第
一引导层114和第二引导层116夹持。活性层106例如具有将由阱层和
阻挡层构成的量子阱结构重复3次的多重量子阱(MQW)结构。阱层
的材质例如为In0.5Ga0.5N，阻挡层的材质例如为In0.15Ga0.85N。阱层及阻
挡层的厚度例如为数nm到10nm左右。
第二引导层116形成于活性层115上。也可以说，第二引导层116
与第二包层106的下面106a邻接。作为第二引导层116，例如可以使用
第二导电型(例如p型)的InGaN层。第一引导层114及第二引导层
116的厚度大于阱层及阻挡层的厚度，例如为数十nm到数百nm左右。
图1所示的例子中，微细壁状构件111具有相对于第一包层104的
上面104a直立的壁状的形状(板状的形状)。可以形成多个微细壁状构
件111，其数目没有特别限定。图2所示的例子中，微细壁状构件111
被从第三侧面110c朝向第四侧面110d以一定的周期配置，然而也可以
不用特意地是一定的周期，邻接的微细壁状构件111之间的距离也可以
不同。
多个微细壁状构件当中，邻接的第一微细壁状构件112及第二微细
壁状构件113被从第一侧面110a设置到第二侧面110b。图2所示的例
子中，从上面104a的垂线方向观看(俯视)发光装置110，第一微细壁
状构件112及第二微细壁状构件113在接触层107的与第二电极122接
触的接触面107a内，被从第一侧面110a设置到第二侧面110b。如图2
所示，在接触面107a内，也可以配置第一微细壁状构件112及第二微
细壁状构件113以外的微细壁状构件111。另外，只要第一微细壁状构
件112及第二微细壁状构件113中的至少一方配置于接触面107a内，
则另一方的一部分或整体也可以处于接触面107a的外侧。
第一微细壁状构件112及第二微细壁状构件113的平面形状例如为
具有长度方向的边和宽度方向的边的平行四边形。微细壁状构件112、
113的长度方向的边在如图2所示俯视时，也可以与形成接触面107a
的外缘的边平行。微细壁状构件112、113只要宽度方向的边的大小为
数百nm以下，则长度方向的边的大小、高度(例如活性层115的厚度
方向的大小)就没有特别限定。但是，宽度方向及长度方向的边的大小
越小，则缓解对结构体110施加的应变的效果就越大。特别是宽度方向
的边的大小最好为250nm以下。像这样，由于微细壁状构件112、113
的宽度方向的边的大小为纳米单位，因此也可以将微细壁状构件112、
113称作“纳米墙112、113”)。在微细壁状构件112、113的晶系为六方
晶系的情况下，微细壁状构件112、113的长度方向也可以是六方晶系
的a轴方向。
半导体构件118形成于第一包层104上，且形成于微细壁状构件111
的侧方。即，在第一微细壁状构件112与第二微细壁状构件113之间，
形成半导体构件118。此外，半导体构件118还形成于第一微细壁状构
件112的与第二微细壁状构件113相反的一侧(第四侧面110d侧)、以
及第二微细壁状构件113的与第一微细壁状构件112相反的一侧(第三
侧面110c侧)。第一微细壁状构件112的侧面及第二微细壁状构件113
的侧面例如与半导体构件118相接。也可以说，以将多个微细壁状构件
111之间填充的方式形成半导体构件118。也可以说，结构体110当中的
微细壁状构件111以外的部分是半导体构件118。
半导体构件118的材质例如可以是未被掺杂的InGaN。通过不对半
导体构件118进行掺杂，而对构成微细壁状构件111的第一引导层114
和第二引导层116如前所述地掺杂，就可以使注入载流子(电子及空穴)
避开半导体构件118地流入微细壁状构件111。
活性层115的一部分、引导层114、116的一部分以及半导体构件
118的一部分如图1～图3所示，可以构成波导路径119。第一微细壁状
构件112及第二微细壁状构件113的活性层115(阱层)可以产生光，
该光可以在波导路径119内传播。波导路径119如图1～图3所示，在俯
视时从第一侧面110a到第二侧面110b沿着柱状部108设置。也可以说，
波导路径119被沿着接触层107与第二电极122接触的接触面107a设
置。而且，虽然未图示，然而也可以设置多条波导路径119。
接触层107与第二电极122接触的接触面107a在如图2所示俯视
时，是与柱状部108相同的平面形状或被包含于柱状部108中。由于波
导路径119被沿着柱状部108设置，因此可以说，接触面107a在俯视
时包含于波导路径119中。另一方面，如上所述，第一微细壁状构件112
及第二微细壁状构件113的至少一方在俯视时包含于接触面107a中。
所以，第一微细壁状构件112及第二微细壁状构件113的至少一方在俯
视时包含于波导路径119中。图示的例子中，第一微细壁状构件112、
第二微细壁状构件113以及第一微细壁状构件112与第二微细壁状构件
113之间的半导体构件118构成波导路径119。构成波导路径119的第一
微细壁状构件112及第二微细壁状构件113中的至少一方的长度方向在
俯视时，与连结波导路径119的第一端面119a(设于第一侧面110a的
端面)的中心和第二端面119b(设于第二侧面110b的端面)的中心的
方向大致相同。
图2所示的例子中，波导路径119相对于垂线P倾斜地从第一侧面
110a设置到第二侧面110b。这样，由于在形成于第一侧面110a的第一
端面119a与形成于第二侧面110b的第二端面119b之间不会发生光的
多重反射。其结果是，可以抑制第一端面119a与第二端面119b之间的
激光振荡。在图1及图2所示的例子中，第一端面119a及第二端面119b
的一部分由第一微细壁状构件112、第二微细壁状构件113以及第一微
细壁状构件112与第二微细壁状构件113之间的半导体构件118构成。
防反射层130是覆盖波导路径119的第一端面119a及第二端面119b
而形成的。也可以覆盖结构体110的第一侧面110a及第二侧面110b全
面形成防反射层130。防反射层130可以抑制在活性层115中产生的光
的反射。即，可以利用防反射层130，将端面119a、119b的反射率设为
0％或与之接近的值。这样，就可以从端面119a、119b(也可以称作出
射面119a、119b)中有效地射出光。
而且，虽然未图示，然而防反射层130也可以仅覆盖第一端面119a，
第二端面119b也可以由反射层覆盖。这样，在活性层115中产生的光
的一部分在第二端面119b中被反射后，可以从第一端面119a中射出。
作为防反射层130及反射层，例如可以使用Al2O3层、TiN层、TiO2层、
SiON层、SiN层、SiO2层、Ta2O3层或它们的多层膜等。
第二包层106形成于结构体110上。作为第二包层106，例如可以
使用p型的GaN层。
例如，利用p型的第二包层106、未掺杂杂质的活性层115以及n
型的第一包层104来构成pin二极管。
如上所述，可以将包层104、106的材质设为GaN，将活性层115、
引导层114、116以及半导体构件118的材质设为InxGa1-xN(0＜x＜1)。
这样，就可以将包层104、106设为与活性层115、引导层114、116以
及半导体构件118相比禁带宽度大而折射率小的层。此外，可以使构成
活性层115的阱层的x的值(相对于Ga的In的值)比引导层114、116
的x的值大。这样，就可以将引导层114、116设为与阱层相比禁带宽
度大、折射率小的层。
而且，通过将阱层的材质设为InxGa1-xN(0.4≤x≤0.6)，就可以使
活性层115产生绿色的光。所以，发光装置100就可以射出绿色的光。
另外，只要确保上述各层的折射率的大小关系，则在以上述的材质
作为主成分的各层104、106、114、116中，作为副成分也可以混入Al
等。即，也可以将包层104、106的材质设为AlGaN，将引导层114、
116的材质设为InAlGaN。另外，只要确保上述各层的折射率的大小关
系，则也可以将包层104、106的材质设为AlGaN，将引导层114、116
的材质设为GaN。另外，例如也可以将包层104、106设为由AlGaN层
和GaN层构成的超晶格结构，将引导层114、116的材质设为GaN或
InGaN。
利用如上所述的各层的材质，可以使活性层115(阱层)产生光，
并具有将光放大的功能。此外，活性层115还具有传导光的功能。引导
层114、116具有传导在活性层115中产生的光的功能。包层104、106
具有将注入载流子(电子及空穴)以及密封光而抑制泄漏的功能。半导
体构件118虽然具有传导光的功能，然而从注入载流子避开半导体构件
118而流动的角度考虑，功能与引导层114、116不同。
更具体来说，对于发光装置100来说，在向第一电极120与第二电
极122之间施加pin二极管的正偏置电压时，则电子及空穴就会避开半
导体构件118，从引导层114、116注入到活性层115，在活性层115中
的构成波导路径119的部分发生电子与空穴的再复合。利用该再复合产
生发光。以该产生的光为起点，连锁地发生受激辐射，在波导路径119
的活性层115内放大光的强度。例如，可以将在构成波导路径119的第
一微细壁状构件112及第二微细壁状构件113的至少一方的活性层115
中产生的光的一部分，经第一微细壁状构件112及第二微细壁状构件113
的至少一方以及半导体构件118传播，从端面119a、119b中作为出射
光射出。在图1及图2所示的例子中，可以将在第一微细壁状构件112
及第二微细壁状构件113的活性层115中产生的光的一部分，经第一微
细壁状构件112、第二微细壁状构件113以及半导体构件118传播，从
端面119a、119b中作为出射光射出。
接触层107如图1及图3所示，形成于第二包层106上。作为接触
层107，例如可以使用p型的GaN层。接触层107在接触面107a中与
第二电极122相接，可以与第二电极122进行欧姆接触。这样，就可以
减少第二电极122的接触电阻。
而且，虽然未图示，然而也可以在第二包层106与接触层107之间，
形成蚀刻阻挡层或载流子阻挡层。蚀刻阻挡层可以提高脊部的深度(绝
缘构件109的厚度)的精度。载流子阻挡层可以减小电子与空穴的迁移
率的差别。
接触层107与第二包层106的一部分可以构成柱状部108。形成了
柱状部108的部分如后所述，与未形成柱状部的部分相比可以增大有效
折射率。这样，通过在平面方向(例如与活性层115的厚度方向正交的
方向)密封光，就可以构成波导路径119。即，可以利用柱状部108的
平面形状，决定波导路径119的平面形状。如后所述，在接触层107上，
形成第二电极122。接触层107的与第二电极122的接触面107a的平面
形状也可以与柱状部108的平面形状，即波导路径119的平面形状相同。
也就是说，在俯视时，连结接触面107a的第一侧面110a侧的端面的中
心与第二侧面110b侧的端面的中心的方向也可以与波导路径119相同，
与构成波导路径119的第一微细壁状构件112及第二微细壁状构件113
的至少一方的长度方向大致相同。另外，也可以利用柱状部108，如后
所述，防止电流沿平面方向扩散(通过将电流密封在平面方向)，决定
电极120、122间的电流路径。而且，虽然未图示，然而也可以使柱状
部108的侧面倾斜。
绝缘构件109如图1及图3所示，设于第二包层106上，且设于柱
状部108的侧方。绝缘构件109可以与柱状部108的侧面相接。绝缘构
件109的上面如图3所示，例如与接触层107的上面连续。作为绝缘构
件109的材质，例如可以举出SiN、SiO2、聚酰亚胺等。在使用了这些
材料作为绝缘构件109的情况下，电极120、122间的电流可以避开绝
缘构件109，流过由绝缘构件109夹持的柱状部108。绝缘构件109可
以具有比活性层115及引导层114、116的折射率小的折射率。该情况
下，形成了绝缘构件109的部分的垂直剖面的有效折射率就会比未形成
绝缘构件109的部分，即形成了柱状部108的部分的垂直剖面的有效折
射率小。这样，就可以在平面方向中，将光有效地密封在波导路径119
内。而且，虽然未图示，然而也可以不设置绝缘构件109。也可以将绝
缘构件109解释为空气。
第一电极120形成于基板102下的全面中。第一电极120可以与同
该第一电极120进行欧姆接触的层(图示的例子中是基板102)相接。
第一电极120借助基板102与第一包层104电连接。第一电极120是用
于驱动发光装置100的一方的电极。作为第一电极120，例如可以使用
从基板102侧起依次层叠了Ti层、Al层、Au层的材料等。
而且，也可以在第一包层104与基板102之间，设置第二接触层(未
图示)，利用干式蚀刻等使该第二接触层露出，将第一电极120设于第
二接触层上。这样，就可以获得单面电极结构。该方式在如下的情况下
特别有效，即，像在蓝宝石基板上生长了GaN层的GaN模板基板那样，
基板102的一部分是绝缘性的。
第二电极122形成于接触层107上。此外，第二电极122也可以如
图3所示，被设于绝缘构件109上。第二电极122借助接触层107与第
二包层106电连接。例如，第二电极122与活性层115之间的距离比第
一电极120与活性层115之间的距离小。第二电极122是用于驱动发光
装置100的另一方的电极。作为第二电极122，可以使用例如从接触层
107侧起依次层叠了Ni层、Pd层、Au层的材料等。
如上所述的发光装置100例如可以适用于投影仪、显示器、照明装
置、计测装置等的光源中。
本实施方式的发光装置100例如具有以下的特征。
根据发光装置100，在第一微细壁状构件112与第二微细壁状构件
113之间形成半导体构件118。由此，就可以抑制第一微细壁状构件112
及第二微细壁状构件113的侧面的非发光再复合。所以，在发光装置100
中，可以缓解产生于基板102与结构体110之间的应变的同时，获得高
发光效率。例如，如果微细壁状构件的侧面露出，则会产生与该侧面附
近的缺陷或杂质相伴的非发光再复合，从而会有发光效率降低的情况。
此外，在发光装置100中，半导体构件118的材质为InGaN，第二
微细壁状构件112及第二微细壁状构件113的材质例如为InGaN。由此，
与在微细壁状构件112、113之间形成例如由氧化硅或聚酰亚胺构成的
绝缘构件的情况相比，可以使微细壁状构件112、113与半导体构件118
的热膨胀系数接近。所以，发光装置100中，即使例如因电流注入而放
热，也可以减小因热膨胀而对结构体110施加的应力，可以抑制由应力
造成的发光效率的降低或寿命的降低。这一点对于活性层115的材质为
InGaN、引导层114、116的材质为GaN也是相同的。
根据发光装置100，在俯视时，可以将接触面107a从第一侧面110a
设置到第二侧面110b，将第一微细壁状构件112及第二微细壁状构件
113中的至少一方(图示的例子中是双方)在接触面107a内从第一侧面
110a设置到第二侧面110b。这样，即使不调整半导体构件118的折射
率，也可以将在活性层115中产生的光从出射面119a、119b中射出。
例如，虽然未图示，然而在俯视时，将接触面107a从第三侧面110c设
置到第四侧面110d，将微细壁状构件112、113从第一侧面110a设置到
第二侧面110b的情况下，微细壁状构件112、113的长度方向与光的行
进方向(波导方向)不同，在活性层115中产生的光交互地通过微细壁
状构件111和半导体构件118而行进。由此，就需要调整半导体构件118
的折射率，以使半导体构件118的有效折射率与微细壁状构件111的有
效折射率的差为极小等。其结果是，构成半导体构件118的材质的
InxGa1-xN的x的容许范围变小，从而会有难以形成半导体构件118的
情况。与之不同，本实施方式的发光装置100中，不用进行如上所述的
折射率的调整，就可以扩大x的容许范围，从而可以很容易地形成半导
体构件118。
根据发光装置100，可以在第一微细壁状构件112的与第二微细壁
状构件113相反的一侧(第二侧面110b侧)、以及第二微细壁状构件113
的与第一微细壁状构件112相反的一侧(第一侧面110a侧)也形成半
导体构件118。由此，就可以进一步抑制微细壁状构件112、113的侧面
的非发光再复合。
发光装置100可以是超辐射发光二极管。由此，发光装置100就可
以抑制激光振荡，在作为投影仪等图像投影装置、图像显示装置的光源
使用的情况下，可以减少散斑噪声。
根据发光装置100，可以将波导路径119的端面119a、119b覆盖地
形成防反射层130。这样，就可以减小成为出射面的端面119a、119b
的反射率。由此，就可以使光在端面119a、119b间不发生多重反射。
其结果是，可以抑制端面119a、119b间的激光振荡。
根据发光装置100，构成活性层115的阱层的材质可以是InxGa1-xN
(0.4≤x≤0.6)。这样，发光装置100就可以射出绿色的光。
根据发光装置100，可以不对半导体构件118进行掺杂，而对构成
微细壁状构件111的第一引导层114和第二引导层116进行掺杂。这样，
注入载流子就可以避开半导体构件118，流入微细壁状构件111。
2.发光装置的制造方法
下面，边参照附图边对本实施方式的发光装置的制造方法进行说
明。图4～图8是示意性地表示本实施方式的发光装置100的制造工序的
立体图。
如图4所示，在基板102上，依次外延成长第一包层104、第一引
导层114、活性层115及第二引导层116。作为使之外延成长的方法，
例如可以使用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、
MBE(Molecular Beam Epitaxy)法。
如图5所示，对第二引导层116、活性层115及第一引导层114进
行图案处理形成微细壁状构件111。图案处理例如使用光刻技术及蚀刻
技术来进行。图示的例子中，图案处理是按照使第一包层104的上面
104a的一部分露出的方式进行的。
如图6所示，在被露出的第一包层104的上面104a上，且在微细
壁状构件111的侧方，形成半导体构件118。这样，就可以形成结构体
110。半导体构件118例如被按照使半导体构件118的上面与微细壁状
构件111的上面连续的方式形成。半导体构件118例如可以利用基于
MOCVD法的横向成长(Epitaxial Lateral Overgrowth；ELO)来形成。
作为半导体构件118的材质的InGaN的横向(例如与活性层115的厚
度方向正交的方向)的生长与层叠方向(例如活性层115的厚度方向)
的生长相比极快，可以比较容易地将微细壁状构件111之间填充。具体
来说，即使邻接的微细壁状构件111之间的距离为数十nm～数百nm，
通过利用横向成长形成半导体构件118，与CVD(Chemical Vapor
Deposition)法或溅射法等相比，也可以更为容易并且没有间隙地填入
半导体构件118。此外，通过利用横向成长形成半导体构件118，可以
使半导体构件118的结晶性提高。
如图7所示，在结构体110上，依次外延成长第二包层106及接触
层107。作为使之外延成长的方法，例如可以使用MOCVD法、MBE
法。
如图8所示，至少对接触层107及第二包层106进行图案处理，形
成柱状部108。图案处理例如可以使用光刻技术及蚀刻技术来进行。图
示的例子中，图案处理是按照不使结构体110的上面露出的方式进行的。
如图1所示，以将柱状部108的侧面覆盖的方式形成绝缘构件109。
具体来说，首先，例如利用CVD法、涂布法等，在第二包层106的上
方(包括接触层107上)形成绝缘层(未图示)。然后，例如使用蚀刻
技术等，使接触层107的上面露出。利用以上的工序，可以形成绝缘构
件109。
如图3所示，在接触层107及绝缘构件109上形成第二电极122。
第二电极122例如可以利用真空蒸镀法形成。
然后，在基板102的下面形成第一电极120。第一电极120例如可
以利用真空蒸镀法形成。而且，第一电极120及第二电极122的形成顺
序没有特别限定。
如图2所示，在结构体110的第一侧面110a及第二侧面110b形成
防反射层130。防反射层130例如可以利用CVD法、溅射法、离子辅
助蒸镀(Ion Assisted Depostion)法等形成。
利用以上的工序，可以制造发光装置100。
根据发光装置100的制造方法，可以制造发光效率高的发光装置
100。
3.发光装置的变形例
下面，边参照附图边对本实施方式的变形例的发光装置进行说明。
图9是示意性地表示本实施方式的变形例的发光装置200的剖面图，是
与图3对应的图。下面，在本实施方式的变形例的发光装置200中，对
于具有与本实施方式的发光装置100的构成构件相同的功能的构件，使
用相同的符号，省略其详细的说明。
在发光装置100的例子中，如图3所示，针对在形成有绝缘构件109
的区域、和未形成绝缘构件109的区域，即形成柱状部108的区域设置
折射率差而密封光的折射率波导型进行了说明。与之不同，发光装置200
是未形成柱状部108而在平面方向没有设置折射率差的增益波导型。
即，发光装置200中，如图9所示，接触层107及第二包层106不
构成柱状部，因而也不会有在柱状部的侧方形成绝缘构件109的情况。
发光装置200中，绝缘构件109形成于成为波导路径119的部分的上方
以外的接触层107上。也就是说，绝缘构件109在成为波导路径119的
部分的上方具有开口部，在该开口部中使接触层107的上面露出。第二
电极122形成于该露出的接触层107上及绝缘构件109上。图示的例子
中，利用第二电极122与接触层107接触的接触面107a的平面形状，
来决定电极120、122间的电流路径，其结果是，在俯视时，决定了波
导路径119的平面形状。所以，第二电极122与接触层107的接触面107a
的平面形状成为与波导路径119相同的平面形状。而且，虽然未图示，
然而第二电极122也可以不形成于绝缘构件109上，而仅形成于波导路
径119的上方的接触层107上。
根据发光装置200，与发光装置100相同，可以获得高发光效率。
4.投影仪
下面，对本实施方式的投影仪700进行说明。图10是示意性地表
示投影仪700的图。而且，图10中，为了方便起见，省略了构成投影
仪700的壳体。投影仪700具有本发明的发光装置。以下，针对作为本
发明的发光装置使用了发光装置100的例子进行说明。
投影仪700可以具有分别射出红色光、绿色光、蓝色光的红色光源
(发光装置)100R、绿色光源(发光装置)100G、蓝色光源(发光装
置)100B。它们当中，至少100G是上述的发光装置100。
投影仪700具备：分别根据图像信息调制从光源100R、100G、100B
射出的光的透过型的液晶光阀(光调制装置)704R、704G、704B；将
由液晶光阀704R、704G、704B形成的像放大并向屏幕(显示面)710
投射的投射透镜(投射装置)708。另外，投影仪700可以具备将从液
晶光阀704R、704G、704B中射出的光合成并导向投射透镜708的正交
二向色棱镜(色光合成机构)706。
此外，投影仪700为了使从光源100R、100G、100B中射出的光的
照度分布均匀化，在各光源100R、100G、100B的光路下游侧，设有均
匀化光学系统702R、702G、702B，以利用它们将照度分布均匀化了的
光，将液晶光阀704R、704G、704B照明。均匀化光学系统702R、702G、
702B例如由全息透镜702a及场透镜702b构成。
利用各液晶光阀704R、704G、704B调制后的3种色光射入到正交
二向色棱镜706。该棱镜是将4个直角棱镜贴合而形成的，在其内面以
十字形配置有反射红色光的电介质多层膜和反射蓝色光的电介质多层
膜。利用这些电介质多层膜合成3种色光，形成显示彩色图像的光。此
后，被合成的光由作为投射光学系统的投射透镜706投射到屏幕710上，
显示出放大了的图像。
根据投影仪700，可以具有发光效率高的绿色光源100G。所以，作
为投影仪700整体来说，也可以具有高发光效率。
而且，虽然在上述的例子中，作为光调制装置使用了透过型的液晶
光阀，然而也可以使用液晶以外的光阀，还可以使用反射型的光阀。作
为这样的光阀，例如可以举出反射型的液晶光阀、数字微镜设备(Digital
Micromirror Device)。另外，投射光学系统的构成可以根据所用的光阀
的种类适当地变更。
另外，也可以作为如下的扫描型的图像显示装置(投影仪)的光源
装置，即，具有作为通过使来自光源的光在屏幕上扫描而在显示面中显
示所需的大小的图像的图像形成装置的扫描机构，也可以使用光源
100R、100G、100B。
而且，上述的实施方式及变形例只是一个例子，并不一定限定于它
们。例如，也可以将各实施方式及各变形例适当地组合。
虽然如上所述地对本发明的实施方式进行了详细说明，然而对于本
领域技术人员来说可以很容易地理解，可以实质上不脱离本发明的新事
项及效果地进行很多变形。所以，这些变形全都包含于本发明的范围中。