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1、(10)申请公布号 CN 102332501 A (43)申请公布日 2012.01.25 CN 102332501 A *CN102332501A* (21)申请号 201110302088.9 (22)申请日 2011.09.28 H01L 31/18(2006.01) B08B 3/00(2006.01) (71)申请人 桂林尚科光伏技术有限责任公司 地址 541300 广西壮族自治区桂林市兴安县 工业集中区 C1 区 (72)发明人 孙良欣 陈璧滔 梁光鸿 (74)专利代理机构 北京市商泰律师事务所 11255 代理人 毛燕生 (54) 发明名称 一种用于太阳电池生产过程中去除花篮印的。
2、 清洗方法 (57) 摘要 一种用于太阳电池生产过程中去除花篮印的 清洗方法， 属于太阳电池技术领域。 在硅片表面吸 附一层异丙醇保护层隔绝纯水、 氧气与硅片的接 触， 去除去磷硅过程中产生的花篮印。 本发明与现 有技术比较能有效的去除去磷硅过程中产生的花 篮印， 降低生产过程中 B 类片的产生， 并保证对后 续工艺及最终电池片性能无影响。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 1 页 CN 102332514 A1/1 页 2 1. 一种用于太阳电池生产过程中去除花篮印的清洗方法， 其特征是在硅片表面吸附。
3、一 层异丙醇保护层隔绝纯水、 氧气与硅片的接触， 去除去磷硅过程中产生的花篮印。 2. 根据权利要求 1 所述的一种用于太阳电池生产过程中去除花篮印的清洗方法， 将异 丙醇和氢氟酸混合去除花篮印， 其特征是含有以下步骤 ： (1)1 号槽 ( 去磷硅槽 ) 步骤 ： 在槽中加入氢氟酸和异丙醇 ； 异丙醇加和氢氟酸的重量 配比为 ： 氢氟酸 8L-12L， 异丙醇 4L-8L， 在循环反应时间为 ： 120-300 秒的作用下， 去除硅片 表面的磷硅玻璃， 并在硅片表面吸附一层异丙醇保护层， 隔绝纯水、 氧气与硅片的接触 ； (2)2 号槽 ( 快排槽 ) 步骤 ： 在大花篮放入槽内后， 上下喷。
4、淋开始喷淋， 当机械臂将处于 槽内的大花篮挂臂上提时， 随即马上进行自动快排 ； 通过纯水的张力及吸附力， 以及异丙醇 和氢氟酸在纯水中溶解度不同， 将从一号槽步骤带出的 HF( 无色透明发烟液体， 为氟化氢 气体的水溶液， 呈弱酸性， 有刺激性气味 ) ； 在二号槽步骤得到及时处理 ； (3) 大花篮通过去磷硅设备下料后， 取小花篮放入烘干箱 8-10min， 烘干温度为 80-90， 异丙醇保护层通过烘干可去除干净。 3. 根据权利要求 1 或 2 所述的一种用于太阳电池生产过程中去除花篮印的清洗方法， 其特征是 ： 2 号槽 ( 快排槽 ) 步骤中须确保氢氟酸不在残留在硅片上。 4. 根。
5、据权利要求 1 或 2 所述的一种用于太阳电池生产过程中去除花篮印的清洗方法， 其特征是 ： 2号槽(快排槽)步骤中上下喷淋时间分别为120秒和180秒， 快排时间为6秒， 此操作周期为 1 栏 / 次。 5. 根据权利要求 1 或 2 所述的一种用于太阳电池生产过程中去除花篮印的清洗方法， 其特征是 ： 氢氟酸和异丙醇可以用异戊醇、 丙醇、 乙醇、 乙二醇、 丁醇等其他的醇类， 以及丙 酮替代。 权 利 要 求 书 CN 102332501 A CN 102332514 A1/3 页 3 一种用于太阳电池生产过程中去除花篮印的清洗方法 技术领域 0001 本发明涉及一种用于太阳电池生产过程中。
6、去除花篮印的清洗方法， 属于太阳电池 技术领域。 背景技术 0002 花篮印是指在去磷硅玻璃过程中硅片表面容易附着一层水溶氧与花篮接触形成 的再次氧化， 镀膜后会产生较明显的暗白色花篮状的印记， 这印记对成品的外观影响很大。 0003 传统的二次清洗工艺在清洗磷硅玻璃之后需要脱水处理， 目前主流的方法有甩干 和经过纯水槽的慢提拉处理后烘干两种方法。机械甩干能有效的去除硅片表面的水滴， 但 碎片率较高 ； 而慢提拉处理能大大降低碎片率及硅片的机械损伤， 但在大规模生产中， 采用 慢提拉处理的硅片表面容易附着一层水溶氧后与花篮接触形成的再次氧化的花篮印， 镀膜 后会产生明显的暗白色花篮状印记， 对。
7、成品的外观影响很大。 0004 本发明是使用将异丙醇和氢氟酸混合去除花篮印的二次清洗工艺， 在硅片表面吸 附一层异丙醇保护层隔绝纯水、 氧气与硅片的接触， 有效的去除去磷硅过程中产生的花篮 印， 降低生产过程中 B 类片 ( 因各种原因导致外观不合格的电池片 ) 的产生， 并保证对后续 工艺及最终电池片性能无影响。 0005 现有技术的缺点是 ： 机械甩干能有效的去除硅片表面的水滴， 但碎片率较高 ； 采 用慢提拉处理的硅片容易产生花篮印。 发明内容 0006 为了克服现有技术结构的不足， 本发明提供一种用于太阳电池生产过程中去除花 篮印的清洗方法， 本发明的目的是去除去磷硅过程中产生的花篮印。
8、， 降低生产过程中 B 类 片的产生， 并保证对后续工艺及最终电池片性能无影响。 0007 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是 ： 一种用于太阳电池生产过程中去除 花篮印的清洗方法， 在硅片表面吸附一层异丙醇保护层隔绝纯水、 氧气与硅片的接触， 去除 去磷硅过程中产生的花篮印。 0008 本发明降低生产过程中 B 类片的产生， 并保证对后续工艺及最终电池片性能无影 响。 0009 本发明的目的通过以下技术措施予以实现 ： 0010 一种用于太阳电池生产过程中去除花篮印的清洗方法， 将异丙醇和氢氟酸混合去 除花篮印， 含有以下步骤 ： 0011 (1)1 号槽 ( 去磷硅槽 ) 步骤 ： 在。
9、槽中加入氢氟酸和异丙醇 ； 异丙醇加和氢氟酸的 重量配比为 ： 氢氟酸 8L-12L， 异丙醇 4L-8L， 在循环反应时间为 ： 120-300 秒的作用下， 去除 硅片表面的磷硅玻璃， 并在硅片表面吸附一层异丙醇保护层， 隔绝纯水、 氧气与硅片的接 触 ； 0012 (2)2 号槽 ( 快排槽 ) 步骤 ： 在大花篮放入槽内后， 上下喷淋开始喷淋， 当机械臂将 说 明 书 CN 102332501 A CN 102332514 A2/3 页 4 处于槽内的大花篮挂臂上提时， 随即马上进行自动快排 ； 通过纯水的张力及吸附力， 以及异 丙醇和氢氟酸在纯水中溶解度不同， 将从一号槽步骤带出的 。
10、HF( 无色透明发烟液体， 为氟 化氢气体的水溶液， 呈弱酸性， 有刺激性气味 ) 在二号槽步骤得到及时处理 ； 0013 (3) 大花篮通过去磷硅设备下料后， 取小花篮放入烘干箱 8-10min， 烘干温度为 80-90， 异丙醇保护层通过烘干可去除干净。 0014 大花篮 ( 大花篮是用来装 4 个小花篮的， 方便在机械手每一次提拉都能生产更多 的硅片， 大花篮长和宽是小花篮的两倍， 高度与小花篮一致， 这样能装下四个小花篮 ) 0015 小花篮(小花篮是用来装硅片的， 每个小花篮装50片硅片， 装好硅片后， 再把小花 篮装进大花篮并固定好， 就可以开始生产， 小花篮的长和宽为大花篮的二分。
11、之一， 与大花篮 高度一致 ) 0016 本发明的有益效果是降低了制程中的不良率。 本发明与现有技术比较能有效的去 除去磷硅过程中产生的花篮印， 降低生产过程中 B 类片的产生， 并保证对后续工艺及最终 电池片性能无影响。 附图说明 0017 当结合附图考虑时， 通过参照下面的详细描述， 能够更完整更好地理解本发明以 及容易得知其中许多伴随的优点， 但此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解， 构成本发明的一部分， 本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明， 并不构成对本发 明的不当限定， 其中 ： 0018 图 1 为本发明的方法示意图。 0019 下面结合附图和实施例对本发明进一步说。
12、明。 具体实施方式 0020 显然， 本领域技术人员基于本发明的宗旨所做的许多修改和变化属于本发明的保 护范围。 0021 实施例 1 ： 如图 1 所示， 0022 本发明的目的是使用将异丙醇和氢氟酸混合去除花篮印的二次清洗工艺方法， 在 硅片表面吸附一层异丙醇保护层隔绝纯水、 氧气与硅片的接触， 有效的去除去磷硅过程中 产生的花篮印， 降低生产过程中 B 类片的产生， 并保证对后续工艺及最终电池片性能无影 响。 0023 本发明的目的通过以下技术措施予以实现 ： 0024 一种将异丙醇和氢氟酸混合去除花篮印的二次清洗方法， 0025 含有以下步骤 ： 0026 (1)1 号槽 ( 去磷硅槽。
13、 ) 步骤 ： 在槽中加入氢氟酸和异丙醇， 异丙醇加和氢氟酸的 配比为 ： 氢氟酸 8L-12L， 异丙醇 4L-8L， 在循环反应时间为 ： 120-300 秒的作用下， 去除硅片 表面的磷硅玻璃， 并在硅片表面吸附一层异丙醇保护层， 隔绝纯水、 氧气与硅片的接触 ； 0027 (2)2 号槽 ( 快排槽 ) 步骤 ： 在大花篮放入槽内后， 上下喷淋开始喷淋， 当机械臂将 处于槽内的大花篮挂臂上提时， 随即马上进行自动快排 ； 此项操作目的是通过纯水的张力 及吸附力， 以及异丙醇和氢氟酸在纯水中溶解度不同， 有效地将从一号槽步骤带出的 HF 在 说 明 书 CN 102332501 A CN。
14、 102332514 A3/3 页 5 二号槽步骤得到及时处理 ； 0028 (3) 大花篮通过去磷硅设备下料后， 取小花篮放入烘干箱 8-10min， 烘干温度为 80-90， 异丙醇保护层通过烘干可去除干净。 0029 以下列举部分具体实施例对本发明进行说明。需要指出的是， 实施例只用于对本 发明作进一步说明， 不代表本发明的保护范围， 其他人根据本发明的提示做出非本质的修 改与调整， 仍属于本发明的保护范围。 0030 实施例 1 0031 本发明实施例 1 之将异丙醇和氢氟酸混合去除花篮印的二次清洗工艺包括以下 的步骤 ： 0032 (1)1 号槽 ( 去磷硅槽 ) ： 在槽中加入氢氟。
15、酸 12L， 异丙醇 8L， 在循环下反应 120 秒， 去除磷硅玻璃， 并在硅片表面吸附一层异丙醇保护层， 隔绝纯水、 氧气与硅片的接触 ； 0033 (2)2 号槽 ( 快排槽 ) ： 上下喷淋时间分别为 120 秒和 180 秒， 当机械臂将处于槽内 的大花篮挂臂上提时， 即马上进行自动快排， 快排时间为6秒， 此操作周期为1栏/次 ； 须确 保氢氟酸不在残留在硅片上。 0034 (3) 大花篮通过去磷硅设备下料后， 取小花篮放入烘干箱 10min， 烘干温度为 90， 异丙醇保护层通过烘干可去除干净。 0035 实施例 2 0036 本发明实施例 2 之将异丙醇和氢氟酸混合去除花篮印的。
16、二次清洗工艺包括以下 的步骤 ： 0037 (1)1 号槽 ( 去磷硅槽 ) ： 在槽中加入氢氟酸 8L， 异丙醇 4L， 在循环下反应 300 秒， 去除磷硅玻璃， 并在硅片表面吸附一层异丙醇保护层， 隔绝纯水、 氧气与硅片的接触 ； 0038 (2)2 号槽 ( 快排槽 ) ： 上下喷淋时间分别为 120 秒和 180 秒， 当机械臂将处于槽内 的大花篮挂臂上提时， 即马上进行自动快排， 快排时间为 6 秒， 此操作周期为 1 栏 / 次 ； 0039 (3) 大花篮通过去磷硅设备下料后， 取小花篮放入烘干箱 8min， 烘干温度为 80， 异丙醇保护层通过烘干可去除干净。 0040 氢氟酸和异丙醇用异戊醇、 丙醇、 乙醇、 乙二醇、 丁醇等其他的醇类 0041 通过往酸槽中加异戊醇等其他的醇类， 以及丙酮等也能达到相同的效果。 0042 上所述， 对本发明的实施例进行了详细地说明， 但是只要实质上没有脱离本发明 的发明点及效果可以有很多的变形， 这对本领域的技术人员来说是显而易见的。 因此， 这样 的变形例也全部包含在本发明的保护范围之内。 说 明 书 CN 102332501 A CN 102332514 A1/1 页 6 图 1 说 明 书 附 图 CN 102332501 A 。