《一种适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《一种适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路.pdf（5页完整版）》请在专利查询网上搜索。
1、(10)申请公布号 CN 104320114 A (43)申请公布日 2015.01.28 CN 104320114 A (21)申请号 201410647848.3 (22)申请日 2014.11.14 H03K 17/567(2006.01) H03K 19/14(2006.01) (71)申请人 杭州桑尼能源科技有限公司 地址 311500 浙江省杭州市桐庐县经济开发 区石珠路 288 号 (72)发明人 李新富 欧余斯 程亮亮 (74)专利代理机构 杭州新源专利事务所 ( 普通 合伙 ) 33234 代理人 李大刚 刘晓阳 (54) 发明名称 一种适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱。
2、动 电路 (57) 摘要 本发明公开了一种适用于IGBT和MOS的高性 能抗干扰驱动电路， 包括光耦 (OC) 和输入端连接 在 DSP 的 IO 口或 PWM 口上的非门电路 (NOT1) ； 所 述光耦 (OC) 内的发光二极管阳级连接至第一电 源(VCC1)， 光耦(OC)内的发光二极管阴级经过第 一限流电阻 (R3) 连接至非门电路 (NOT1) 的输出 端， 所述非门电路 (NOT1) 的输出端还设有一个上 拉电阻 (R2)， 上拉电阻 (R2) 与第二电源 (VCC2) 相连， 所述光耦 (OC) 的信号输出端连接至受控的 IGBT 或 MOS。本发明可以起到高效的抗 EMI 干扰。
3、 的作用， 从而可以达到防止 MOS 或 IGBT 误开通和 关断的目的， 而且电路结构简单、 成本较低、 需要 的体积也较小。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (10)申请公布号 CN 104320114 A CN 104320114 A 1/1 页 2 1. 一种适用于 IGBT 和 MOS 的高性能抗干扰驱动电路， 其特征在于 ： 包括光耦 (OC) 和 输入端连接在 DSP 的 IO 口或 PWM 口上的非门电路 (NOT1) ； 所述光耦 (OC。
4、) 内的发光二极管 阳级连接至第一电源 (VCC1)， 光耦 (OC) 内的发光二极管阴级经过第一限流电阻 (R3) 连接 至非门电路(NOT1)的输出端， 所述非门电路(NOT1)的输出端还设有一个上拉电阻(R2)， 上 拉电阻 (R2) 与第二电源 (VCC2) 相连， 所述光耦 (OC) 的信号输出端连接至受控的 IGBT 或 MOS。 2. 根据权利要求 1 所述的适用于 IGBT 和 MOS 的高性能抗干扰驱动电路， 其特征在于 ： 所述光耦 (OC) 内的发光二极管阳级的阴阳两极之间连接有稳压电阻 (R4)。 3. 根据权利要求 1 所述的适用于 IGBT 和 MOS 的高性能抗干。
5、扰驱动电路， 其特征在于 ： 所述非门电路 (NOT1) 的输入端设有下拉电阻 (R1)。 4. 根据权利要求 1 所述的适用于 IGBT 和 MOS 的高性能抗干扰驱动电路， 其特征在于 ： 所述光耦 (OC) 内的发光二极管阳级的阳极上设有接地的电容 (C1)。 5. 根据权利要求 1 所述的适用于 IGBT 和 MOS 的高性能抗干扰驱动电路， 其特征在于 ： 所述 DSP 的 IO 口或是 PWM 口在实现抗干扰驱动电路时输出 PWM 信号或实现驱动 IGBT 或 MOS 所需要的高低电平。 权 利 要 求 书 CN 104320114 A 2 1/2 页 3 一种适用于 IGBT 和。
6、 MOS 的高性能抗干扰驱动电路 技术领域 0001 本发明涉及一种抗干扰电路， 特别是一种应用于光伏逆变器中的适用于 IGBT 和 MOS 的高性能抗干扰驱动电路。 背景技术 0002 光伏逆变器中通常都会包含有驱动电路用于控制 MOS 或 IGBT 的开通和关断。然 而一般驱动电路在工作过程中， 要求根据DSP发出的PWM信号， 准确无误的控制MOS或IGBT 的开通和关断， 以实现光伏逆变器所要求的功能 ； 但是由于逆变器内部高低频信号重叠或 者布局不合理的情况下， 其他的一些信号就会干扰到DSP发出的PWM信号， 从而导致无法正 确的控制 MOS 或 IGBT 的开通和关断， 以致 M。
7、OS 或 IGBT 损坏。然而现有的部分抗干扰驱动 电路虽然可以实现抗干扰的作用， 但电路结构复杂， 使用的元器件成本较高， 所需要的 PCB 体积也相对较大。 发明内容 0003 本发明的目的在于， 提供一种适用于 IGBT 和 MOS 的高性能抗干扰驱动电路。它可 以起到高效的抗 EMI 干扰的作用， 从而可以达到防止 MOS 或 IGBT 误开通和关断的目的， 而 且电路结构简单、 成本较低、 需要的体积也较小。 0004 本发明的技术方案 ： 一种适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路， 其特点是 ： 包括光耦和输入端连接在 DSP 的 IO 口或 PWM 口上的非门电路 ； 所。
8、述光耦内的发光二极管 阳级连接至第一电源， 光耦内的发光二极管阴级经过第一限流电阻连接至非门电路的输出 端， 所述非门电路的输出端还设有一个上拉电阻， 上拉电阻与第二电源相连， 所述光耦的信 号输出端连接至受控的 IGBT 或 MOS。 0005 上述的适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路中， 所述光耦内的发光二极管 阳级的阴阳两极之间连接有稳压电阻， 具有为发光二极管稳压的作用。 0006 前述的适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路中， 所述非门电路的输入端设 有下拉电阻， 可以起到防止静电对芯片造成损坏， 增强芯片信号输入的抗干扰能力。 0007 前述的适用于IGBT和MO。
9、S的高性能抗干扰驱动电路中， 所述光耦内的发光二极管 阳级的阳极上设有接地的电容， 可以给电源滤波， 降低电路对电源的干扰。 0008 前述的适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路中， 所述DSP的IO口或是PWM 口在实现抗干扰驱动电路时输出 PWM 信号或实现驱动 IGBT 或 MOS 所需要的高低电平。 0009 本发明中的一些术语的解释如下 ： IGBT- 绝缘栅双极型晶体管， MOS- 场效应管， DSP- 数字信号处理器， IO- 输入 / 输出 ,PWM- 脉冲宽度调制 , 0010 与现有技术相比， 本发明通过非门电路、 光耦的驱动电路和上拉电阻的配合工作， 实现了 DS。
10、P 的 IO 口或 PWM 口输出信号的电平转换， 将容易受到干扰的芯片输出信号转换为 不易受到干扰的电源信号， 从而使驱动电路具有高性能的抗干扰功能， 实验数据证明在相 同情况下 ( 相同驱动信号、 PCB 回路面积相同等 )， 本专利的驱动电路可使电路中的干扰减 说 明 书 CN 104320114 A 3 2/2 页 4 少 90以上。而且本发明的电路结构简单、 元器件使用较少、 成本较低， 运行稳定性高。 附图说明 0011 图 1 是本发明的结构示意图。 具体实施方式 0012 下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明， 但并不作为对本发明限制的依 据。 0013 实施例。一种适用。
11、于 IGBT 和 MOS 的高性能抗干扰驱动电路， 如图 1 所示 ： 包括光 耦 OC 和输入端连接在 DSP 的 IO 口或 PWM 口上的非门电路 NOT1 ； 所述光耦 OC 内的发光二 极管阳级连接至第一电源 VCC1， 光耦 OC 内的发光二极管阴级经过第一限流电阻 R3 连接至 非门电路 NOT1 的输出端， 所述非门电路 NOT1 的输出端还设有一个上拉电阻 R2， 上拉电阻 R2 与第二电源 VCC2 相连， 所述光耦 OC 的信号输出端连接至受控的 IGBT 或 MOS。所述光耦 OC 内的发光二极管阳级的阴阳两极之间连接有稳压电阻 R4。所述非门电路 NOT1 的输入端 。
12、设有下拉电阻 R1。所述光耦 OC 内的发光二极管阳级的阳极上设有电容 C1， 给电源 VCC1 滤 波， 降低电路对 VCC1 的干扰。所述 DSP 的 IO 口或是 PWM 口在实现抗干扰驱动电路时输出 PWM 信号或实现驱动 IGBT 或 MOS 所需要的高低电平。光耦 OC 上设有光耦输出端电源 VCC3 和电阻 R5。 0014 本发明的工作原理 ： 0015 当 IGBT 或 MOS 需要开通时， DSP 的 IO 口或 PWM 口上发 PWM 电平信号， 使得非门电 路的输入端为高电平， 接着非门电路作反相处理使输出端为低电平 ( 逻辑 0)。此时光耦的 发光二极管的阴极电平被拉。
13、低， 其相对于阳极为一个低电平， 光耦的发光二极管被导通。 光 耦输出端发出高电平使 IGBT 或 MOS 开通。PWM 电平信号通过非门和光耦的电平间转换， 实 现高性能的抗干扰作用。 0016 当 IGBT 或 MOS 需要关断时， DSP 的 IO 口或 PWM 口上发 PWM 电平信号， 使得非门的 输入端为低电平， 之后非门作反相处理使输出端为高电平(逻辑1)。 此时电源VCC2通过上 拉电阻R2将光耦发光二极管的阴极拉至高电平， 其相对于阳极的电源VCC1较高， 光耦发光 二极管不导通。光耦输出端为低电平使 IGBT 或 MOS 关断。PWM 电平信号通过非门和光耦的 电平间转换， 实现高性能的抗干扰作用。 说 明 书 CN 104320114 A 4 1/1 页 5 图 1 说 明 书 附 图 CN 104320114 A 5 。