基于有源埋入的微波射频基板结构及其制备方法.pdf

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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410755470.9 (22)申请日 2014.12.10 H01L 23/488(2006.01) H01L 23/20(2006.01) H01L 21/54(2006.01) H01L 21/48(2006.01) H01L 21/60(2006.01) (71)申请人 华进半导体封装先导技术研发中心 有限公司 地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道 200 号中国传感网国际创新园 D1 栋 (72)发明人 郭学平 刘丰满 (74)专利代理机构 无锡市大为专利商标事务所 ( 普通合伙 ) 32104 代理人 曹祖良 张。

2、涛 (54) 发明名称 基于有源埋入的微波射频基板结构及其制备 方法 (57) 摘要 本发明涉及一种微波射频基板结构及其制备 方法， 尤其是一种基于有源埋入的微波射频基板 结构及其制备方法， 属于微电子先进封装的技术 领域。按照本发明提供的技术方案， 所述基于有 源埋入的微波射频基板结构， 包括下芯板以及位 于所述下芯板上的微波射频芯片， 所述下芯板上 层压有用于包覆微波射频芯片的介质层， 在介质 层内设有空气腔， 所述空气腔位于所述微波射频 芯片射频区域的正上方 ； 在下芯板的下方设有焊 球， 所述焊球与所述微波射频芯片电连接。本发 明结构简单， 制备工艺简单， 与基板的制作工艺兼 容， 提。

3、高微波射频芯片的高频信号性能， 降低封装 成本， 安全可靠。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (10)申请公布号 CN 104465584 A (43)申请公布日 2015.03.25 CN 104465584 A 1/2 页 2 1.一种基于有源埋入的微波射频基板结构， 其特征是 ： 包括下芯板 （1） 以及位于所述 下芯板 （1） 上的微波射频芯片 （2） ， 所述下芯板 （1） 上层压有用于包覆微波射频芯片 （2） 的 介质层 （14） ， 在介质层 （14） 内设有空气腔 （4） ， 所述空气腔 。

4、（4） 位于所述微波射频芯片 （2） 射频区域的正上方 ； 在下芯板 （1） 的下方设有焊球 （12） ， 所述焊球 （12） 与所述微波射频芯 片 （2） 电连接。 2.根据权利要求 1 所述的基于有源埋入的微波射频基板结构， 其特征是 ： 所述微波射 频芯片 （2） 上设有第二导电柱 （9） ， 所述第二导电柱 （9） 位于所述空气腔 （4） 的外侧 ； 在微 波射频芯片 （2） 的外侧设有与焊球 （12） 电连接的第一导电柱 （8） ， 微波射频芯片 （2） 通过第 一导电柱 （8） 以及第二导电柱 （9） 与焊球 （12） 电连接。 3.根据权利要求 2 所述的基于有源埋入的微波射频基。

5、板结构， 其特征是 ： 所述介质层 （14） 上设有上芯板 （6） ， 所述上芯板 （6） 上设有上基板线路 （10） ； 下芯板 （1） 的下表面上设 有下基板线路 （7） ； 第二导电柱 （9） 的下端与微波射频芯片 （2） 电连接， 第二导电柱 （9） 的 上端穿过介质层 （14） 以及上芯板 （6） 后与上基板线路 （10） 电连接 ； 第一导电柱 （8） 的下端 穿过下芯板 （1） 后与下基板线路 （7） 电连接， 第一导电柱 （8） 的上端穿过介质层 （14） 以及 上芯板 （6） 后与上基板线路 （10） 电连接。 4.根据权利要求 3 所述的基于有源埋入的微波射频基板结构， 其。

6、特征是 ： 所述上基板 线路 （10） 上覆盖有上阻焊层 （11） ； 下基板线路 （7） 上覆盖有下阻焊层 （13） ， 相邻的焊球 （12） 间通过下阻焊层 （13） 相隔离。 5.根据权利要求 1 所述的基于有源埋入的微波射频基板结构， 其特征是 ： 所述空气腔 （4） 的上方设有贯通介质层 （14） 并与所述空气腔 （4） 相连通的释放通孔 （5） 。 6.一种基于有源埋入的微波射频基板结构的制备方法， 其特征是， 所述微波射频基板 结构的制备方法包括如下步骤 ： （a） 、 提供下芯板 （1） ， 并在所述下芯板 （1） 上设置所需的微波射频芯片 （2） ； （b） 、 在上述的微波。

7、射频芯片 （2） 上设置释放材料层 （15） ； （c） 、 在上述下芯板 （1） 上层压有介质层 （14） ， 以通过所述介质层 （14） 将释放材料层 （15） 以及微波射频芯片 （2） 压紧在下芯板 （1） 上， 释放材料层 （15） 以及微波射频芯片 （2） 均位于介质层 （14） 内 ； （d） 、 在上述微波射频芯片 （2） 的上方设置导电柱盲孔 （17） ， 并在所述微波射频芯片 （2） 的外侧设置导电柱通孔 （16） ； 所述导电柱盲孔 （17） 位于释放材料层 （15） 的外侧， 且导 电柱盲孔 （17） 贯通介质层 （14） ； 导电柱通孔 （16） 贯通介质层 （14） 。

8、以及下芯板 （1） ； （e） 、 在上述导电柱通孔 （16） 内填充得到第二导电柱 （9） ， 所述第二导电柱 （9） 的下端 与微波射频芯片 （2） 电连接， 第二导电柱 （9） 的上端与介质层 （14） 上方的上导电层 （19） 电 连接 ； 在导电柱通孔 （16） 内填充得到第一导电柱 （8） ， 所述第一导电柱 （8） 的上端与上导电 层 （10） 电连接， 第一导电柱 （8） 的下端与覆盖下芯板 （1） 下表面的下导电层 （18） 电连接 ； （f） 、 在上述上导电层 （19） 上制作所需的上基板线路 （10） ， 在下导电层 （18） 上制作所 需的下基板线路 （7） ， 以使。

9、得微波射频芯片 （2） 通过第二导电柱 （9） 、 上基板线路 （10） 以及 第一导电柱 （8） 与下芯板 （1） 下表面上的下基板线路 （7） 电连接 ； （g） 、 在上述上基板线路 （10） 上设置所需的上阻焊层 （11） ， 在下基板线路 （7） 上设置所 需的下阻焊层 （13） ， 并在所述下阻焊层 （13） 上设置所需的焊球接触口， 以通过焊球接触口 权 利 要 求 书 CN 104465584 A 2 2/2 页 3 暴露所需的下基板线路 （7） ； （h） 、 在上述的释放材料层 （15） 上设置释放盲孔 （20） ， 所述释放盲孔 （20） 从上阻焊层 （11） 向下延伸至。

10、释放材料层 （15） 内 ； （i） 、 利用上述释放盲孔 （20） 将介质层 （14） 内的释放材料层 （15） 进行释放， 以在介质 层 （14） 内得到空气腔 （4） ， 并在所述空气腔 （4） 上方得到能与外部相连通的释放通孔 （5） ； （j） 、 在上述下芯板 （1） 的下方设置所需的焊球 （12） ， 所述焊球 （12） 通过焊球接触口与 下基板线路 （7） 电连接， 且相邻的焊球 （12） 间通过下阻焊层 （13） 相隔离。 7.根据权利要求 6 所述基于有源埋入的微波射频基板结构的制备方法， 其特征是 ： 所 述微波射频芯片 （2） 通过粘结胶 （3） 粘结在下芯板 （1） 。

11、上， 微波射频芯片 （2） 小于下芯板 （1） ， 释放材料层 （15） 小于微波射频芯片 （2） 。 8.根据权利要求 6 所述基于有源埋入的微波射频基板结构的制备方法， 其特征是 ： 所 述步骤 （c） 中， 在上述介质层 （14） 上设置有上芯板 （6） ； 上基板线路 （10） 支撑在上芯板 （6） 上。 9.根据权利要求 6 所述基于有源埋入的微波射频基板结构的制备方法， 其特征是 ： 在 所述介质层 （14） 上通过激光钻孔得到导电柱盲孔 （17） ； 在介质层 （14） 上通过机械钻孔或 激光钻孔得到导电柱通孔 （16） 。 权 利 要 求 书 CN 104465584 A 3 。

12、1/6 页 4 基于有源埋入的微波射频基板结构及其制备方法 技术领域 0001 本发明涉及一种微波射频基板结构及其制备方法， 尤其是一种基于有源埋入的微 波射频基板结构及其制备方法， 属于微电子先进封装的技术领域。 背景技术 0002 目前射频微波的芯片封装形式比较单一， 主要是应用其陶瓷基板通过引线键合方 式然后再陶瓷基板上进行盖帽从而形成可以使用的空气腔， 但是该技术应用比较成熟， 但 是由于通过引线键合线进行高频信号的传输带来很大的损耗， 另外线长的一致性也很难保 证， 所以会出现很多功能性的问题， 另外陶瓷封装的成本以及工艺均比较复杂， 所以要求有 一种新型的技术或封装形式进行代替也是。

13、行业内研究的热点问题。 发明内容 0003 本发明的目的是克服现有技术中存在的不足， 提供一种基于有源埋入的微波射频 基板结构及其制备方法， 其结构简单， 制备工艺简单， 与基板的制作工艺兼容， 提高微波射 频芯片的高频信号性能， 降低封装成本， 安全可靠。 0004 按照本发明提供的技术方案， 所述基于有源埋入的微波射频基板结构， 包括下芯 板以及位于所述下芯板上的微波射频芯片， 所述下芯板上层压有用于包覆微波射频芯片的 介质层， 在介质层内设有空气腔， 所述空气腔位于所述微波射频芯片射频区域的正上方 ； 在 下芯板的下方设有焊球， 所述焊球与所述微波射频芯片电连接。 0005 所述微波射频。

14、芯片上设有第二导电柱， 所述第二导电柱位于所述空气腔的外侧 ； 在微波射频芯片的外侧设有与焊球电连接的第一导电柱， 微波射频芯片通过第一导电柱以 及第二导电柱与焊球电连接。 0006 所述介质层上设有上芯板， 所述上芯板上设有上基板线路 ； 下芯板的下表面上设 有下基板线路 ； 第二导电柱的下端与微波射频芯片电连接， 第二导电柱的上端穿过介质层 以及上芯板后与上基板线路电连接 ； 第一导电柱的下端穿过下芯板后与下基板线路电连 接， 第一导电柱的上端穿过介质层以及上芯板后与上基板线路电连接。 0007 所述上基板线路上覆盖有上阻焊层 ； 下基板线路上覆盖有下阻焊层， 相邻的焊球 间通过下阻焊层相。

15、隔离。 0008 所述空气腔的上方设有贯通介质层并与所述空气腔相连通的释放通孔。 0009 一种基于有源埋入的微波射频基板结构的制备方法， 所述微波射频基板结构的制 备方法包括如下步骤 ： a、 提供下芯板， 并在所述下芯板上设置所需的微波射频芯片 ； b、 在上述的微波射频芯片上设置释放材料层 ； c、 在上述下芯板上层压有介质层， 以通过所述介质层将释放材料层以及微波射频芯片 压紧在下芯板上， 释放材料层以及微波射频芯片均位于介质层内 ； d、 在上述微波射频芯片的上方设置导电柱盲孔， 并在所述微波射频芯片的外侧设置导 说 明 书 CN 104465584 A 4 2/6 页 5 电柱通孔。

16、 ； 所述导电柱盲孔位于释放材料层的外侧， 且导电柱盲孔贯通介质层 ； 导电柱通 孔贯通介质层以及下芯板 ； e、 在上述导电柱通孔内填充得到第二导电柱， 所述第二导电柱的下端与微波射频芯片 电连接， 第二导电柱的上端与介质层上方的上导电层电连接 ； 在导电柱通孔内填充得到第 一导电柱， 所述第一导电柱的上端与上导电层电连接， 第一导电柱的下端与覆盖下芯板下 表面的下导电层电连接 ； f、 在上述上导电层上制作所需的上基板线路， 在下导电层上制作所需的下基板线路， 以使得微波射频芯片通过第二导电柱、 上基板线路以及第一导电柱与下芯板下表面上的下 基板线路电连接 ； g、 在上述上基板线路上设置。

17、所需的上阻焊层， 在下基板线路上设置所需的下阻焊层， 并在所述下阻焊层上设置所需的焊球接触口， 以通过焊球接触口暴露所需的下基板线路 ； h、 在上述的释放材料层上设置释放盲孔， 所述释放盲孔从上阻焊层向下延伸至释放材 料层内 ； i、 利用上述释放盲孔将介质层内的释放材料层进行释放， 以在介质层内得到空气腔， 并在所述空气腔上方得到能与外部相连通的释放通孔 ； j、 在上述下芯板的下方设置所需的焊球， 所述焊球通过焊球接触口与下基板线路电连 接， 且相邻的焊球间通过下阻焊层相隔离。 0010 所述微波射频芯片通过粘结胶粘结在下芯板上， 微波射频芯片小于下芯板， 释放 材料层小于微波射频芯片。。

18、 0011 所述步骤 c 中， 在上述介质层上设置有上芯板 ； 上基板线路支撑在上芯板上。 0012 在所述介质层上通过激光钻孔得到导电柱盲孔 ； 在介质层上通过机械钻孔或激光 钻孔得到导电柱通孔。 0013 与现有技术相比， 本发明具有如下优点 ： 1、 本发明微波射频芯片通过下芯板、 介质层以及上芯板形成有源埋入的封装基板结 构， 在微波射频芯片的射频区域设置空气腔， 微波射频芯片可以通过第一导电柱、 第二导电 柱与焊球电连接， 能提高微波射频芯片的高频性能。 0014 2、 直接将微波视频芯片集成在上芯板以及下芯板间， 然后通过第一导电柱、 第二 导电柱转接后与焊球进行连接， 只通过了基。

19、板制作将封装完成， 工艺简单， 而且还可以获得 较高的可靠性。通过在介质层内设置释放材料层并在将释放材料层释放后形成空气腔， 释 放材料层可以为固态也可以为粉末状的， 空气腔的制作工艺流程也与基板的制作工艺完全 兼容。 0015 3、 相比陶瓷基板的成本高以及较多的条件限制， 本发明极大程度的降低了封装的 成本， 推动了微波射频封装的发展。 附图说明 0016 图 1 为本发明的结构示意图。 0017 图 2 图 11 为本发明的具体实施工艺步骤剖视图， 其中 图 2 为本发明在下芯板上设置微波射频芯片后的剖视图。 0018 图 3 为本发明在微波射频芯片上设置释放材料层后的剖视图。 说 明 。

20、书 CN 104465584 A 5 3/6 页 6 0019 图 4 为本发明在下芯板上层压得到介质层以及上芯板后的剖视图。 0020 图 5 为本发明得到导电柱盲孔以及导电柱通孔后的剖视图。 0021 图 6 为本发明得到上导电层以及下导电层后的剖视图。 0022 图 7 为本发明得到上基板线路以及下基板线路后的剖视图。 0023 图 8 为本发明得到上阻焊层以及下阻焊层后的剖视图。 0024 图 9 为本发明得到释放盲孔后的剖视图。 0025 图 10 为本发明得到空气腔后的剖视图。 0026 图 11 为本发明设置焊球后的剖视图。 0027 附图标记说明 ： 1- 下芯板、 2- 微波。

21、射频芯片、 3- 粘结胶、 4- 空气腔、 5- 释放通孔、 6- 上芯板、 7- 下基板线路、 8- 第一导电柱、 9- 第二导电柱、 10- 上基板线路、 11- 上阻焊层、 12- 焊球、 13- 下阻焊层、 14- 介质层、 15- 释放材料层、 16- 导电柱通孔、 17- 导电柱盲孔、 18- 下导电层、 19- 上导电层以及 20- 释放盲孔。 具体实施方式 0028 下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。 0029 如图1和图11所示 ： 微波射频芯片2一般要求有一个空气腔体能够使其芯片的性 能达到要求， 但是在基板埋入中， 目前还没有很好制作空气腔体的方法的解决办法，。

22、 为了提 高微波射频芯片的高频信号性能， 降低封装成本， 本发明包括下芯板 1 以及位于所述下芯 板 1 上的微波射频芯片 2， 所述下芯板 1 上层压有用于包覆微波射频芯片 2 的介质层 14， 在 介质层 14 内设有空气腔 4， 所述空气腔 4 位于所述微波射频芯片 2 射频区域的正上方 ； 在 下芯板 1 的下方设有焊球 12， 所述焊球 12 与所述微波射频芯片 2 电连接。 0030 具体地， 微波射频芯片 2 位于介质层 14 与下芯板 1 之间， 在介质层 14 内形成微波 射频芯片2所需的空气腔4， 从而在封装后得到微波射频芯片2的有源埋入封装结构。 微波 射频芯片 2 通过。

23、与下芯板 1 下方的焊球 12 连接， 从而能够实现微波射频芯片 2 与外部信号 以及电源的连接。 0031 为了实现微波射频芯片 2 与焊球 12 之间的电连接， 所述微波射频芯片 2 上设有第 二导电柱 9， 所述第二导电柱 9 位于所述空气腔 4 的外侧 ； 在微波射频芯片 2 的外侧设有与 焊球 12 电连接的第一导电柱 8， 微波射频芯片 2 通过第一导电柱 8 以及第二导电柱 9 与焊 球 12 电连接。 0032 本发明实施中， 空气腔 4 的长度小于微波射频芯片 2 的长度， 空气腔 4 主要与微波 射频芯片 2 的射频区域域相对应， 在微波射频芯片 2 的外圈由介质层 14 。

24、覆盖。第二导电柱 9 垂直于微波射频芯片 2 的表面， 第二导电柱 9 位于空气腔 4 的外侧， 从而不会影响空气腔 4 的设置。第一导电柱 8 位于第二导电柱 9 的外侧， 通过第一导电柱 8 以及第二导电柱 9 的 转接， 能够使得微波射频芯片 2 与焊球 12 之间的电连接。 0033 所述介质层 14 上设有上芯板 6， 所述上芯板 6 上设有上基板线路 10 ； 下芯板 1 的 下表面上设有下基板线路 7 ； 第二导电柱 9 的下端与微波射频芯片 2 电连接， 第二导电柱 9 的上端穿过介质层 14 以及上芯板 6 后与上基板线路 10 电连接 ； 第一导电柱 8 的下端穿过 下芯板。

25、 1 后与下基板线路 7 电连接， 第一导电柱 8 的上端穿过介质层 14 以及上芯板 6 后与 上基板线路 10 电连接。 说 明 书 CN 104465584 A 6 4/6 页 7 0034 在具体实施时， 还可以在介质层14上设置上芯板6， 上芯板6与下芯板1采用对称 结构， 通过上芯板6与下芯板1之间的对称结构， 能够避免得到微波射频基板结构产生的翘 曲。上基板线路 10 以及下基板线路 7 的具体结构可以根据微波射频芯片 2 与焊球 12 之间 的连接需要进行选择， 具体为本技术领域人员所熟知， 此处不再赘述。当介质层 14 上不设 置上芯板 6 时， 上基板线路 10 直接支撑在。

26、介质层 14 的上表面。 0035 所述上基板线路10上覆盖有上阻焊层11 ； 下基板线路7上覆盖有下阻焊层13， 相 邻的焊球 12 间通过下阻焊层 13 相隔离。为了能够对线路的氧化进行保护等作用， 上阻焊 层 11 覆盖在上基板线路 10 上切上阻焊层 11 还能填充上基板线路 11， 即部分的上阻焊层 11 覆盖在上基板线路 10 上， 部分的上阻焊层 11 支撑在上芯板 6 或介质层 14 上。与上阻焊 层 11 类似， 下阻焊层 13 覆盖下基板线路 7 或填充在下基板线路 7 内， 下阻焊层 13 还可以 将相邻的焊球 12 进行绝缘隔离。 0036 所述空气腔 4 的上方设有贯。

27、通介质层 14 并与所述空气腔 4 相连通的释放通孔 5。 通过释放通孔 5 在介质层 14 内形成空气腔 4， 形成的空气腔 4 通过释放通孔 5 能与外部相 连通。当下芯板 1 上设置上芯板 6 时， 释放通孔 5 要贯通介质层 14、 上芯板 6、 上基板线路 10 以及上阻焊层 11。 0037 如图2图11所示， 上述的微波射频基板结构的可以通过下述的制备方法得到， 所 述微波射频基板结构的制备方法包括如下步骤 ： a、 提供下芯板 1， 并在所述下芯板 1 上设置所需的微波射频芯片 2 ； 如图 2 所示， 所述微波射频芯片 2 通过粘结胶 3 粘结在下芯板 1 上， 微波射频芯片。

28、 2 小 于下芯板 1， 释放材料层 15 小于微波射频芯片 2。此外， 微波射频芯片 2 还可以通过下芯板 1 中的塞孔树脂胶进行黏贴 ； 具体实施时， 下芯板 1 可以选用有机封装基板或 PCB 的双面覆 铜板， 下芯板1材料主要是BT树脂、 FR-4、 高频的板材等， 即为双面的覆铜板 ； 另外一种是通 过半固化片 PP 或半固化的树脂 ABF、 RCC 等通过高温或真空压合的方法在其两面结合上铜 箔形成的芯板。微波射频芯片 2 可以选用现有常用的结构， 下芯板 1 以及粘结胶 3 的材料 选择为本技术领域人员所熟知， 此处不再赘述。 0038 b、 在上述的微波射频芯片 2 上设置释放。

29、材料层 15 ； 如图 3 所示， 放放材料层 15 贴装到微波射频芯片 2 的射频区域的上方， 释放材料层 15 可以选用能通过高温或激光等气化释放的材料， 如氢化钛材料等， 释放材料层 15 可以为片 状的固态材料， 也可以为片状的通过压合的粉末材料。 本发明实施例中， 主要通过释放材料 层 15 来形成所需的空气腔 4， 释放材料层 15 的具体材料选择为本技术领域人员所熟知， 此 处不再赘述。 0039 c、 在上述下芯板 1 上层压有介质层 14， 以通过所述介质层 14 将释放材料层 15 以 及微波射频芯片2压紧在下芯板1上， 释放材料层15以及微波射频芯片2均位于介质层14 内。

30、 ； 如图 4 所示， 通过高温或真空层压方式将介质层 14 压盖在下芯板 1 上， 以将释放材料 层15以及微波射频芯片2包围在介质层14内。 在通过高温层压时， 所述温度要低于释放材 料层 15 的释放临界温度值。进一步， 还可以在介质层 14 上设置上芯板 6， 上芯板 6 与下芯 板 1 间形成对称结构， 从而能避免整个微波射频基板结构在加工制备过程中产生翘曲。在 具体实施时， 介质层14可以选用的材料主要有两种一种是纯胶体的ABF材料或带有玻纤的 说 明 书 CN 104465584 A 7 5/6 页 8 半固化片 （PP） 材料 ； 上芯板 6 和下芯板 1 一般都是相同的材料和。

31、厚度。 0040 d、 在上述微波射频芯片 2 的上方设置导电柱盲孔 17， 并在所述微波射频芯片 2 的 外侧设置导电柱通孔 16 ； 所述导电柱盲孔 17 位于释放材料层 15 的外侧， 且导电柱盲孔 17 贯通介质层 14 ； 导电柱通孔 16 贯通介质层 14 以及下芯板 1 ； 如图 5 所示， 在所述介质层 14 上通过激光钻孔得到导电柱盲孔 17 ； 在介质层 14 上通 过机械钻孔或激光钻孔得到导电柱通孔 16。在得到导电柱盲孔 17 以及导电柱通孔 16 后， 并对所述导电柱盲孔17以及导电柱通孔16的内壁进行处理， 从而获得比较光滑的孔内壁。 导电柱盲孔 17 位于微波射频。

32、芯片 2 的焊盘区域正上方， 可以根据微波射频芯片 2 的焊盘区 域来获得导电柱盲孔 17 的位置。 0041 当介质层 14 上设置上芯板 6 时， 导电柱盲孔 17 从上芯板 6 向下延伸并贯通介质 层 14 ； 此外， 导电柱通孔 16 从上芯板 6 向下延伸， 贯通介质层 14 以及下芯板 1。导电柱盲 孔17以及导电柱通孔16相对应的孔径根据需要进行选择， 具体为本技术领域人员所熟知， 此处不再赘述。 0042 e、 在上述导电柱通孔 16 内填充得到第二导电柱 9， 所述第二导电柱 9 的下端与微 波射频芯片 2 电连接， 第二导电柱 9 的上端与介质层 14 上方的上导电层 19。

33、 电连接 ； 在导电 柱通孔 16 内填充得到第一导电柱 8， 所述第一导电柱 8 的上端与上导电层 10 电连接， 第一 导电柱 8 的下端与覆盖下芯板 1 下表面的下导电层 18 电连接 ； 如图 6 所示， 第一导电柱 8 以及第二导电柱 9 通过电镀铜得到。在电镀前， 在导电柱盲 孔17以及导电柱盲孔16内制作种子层， 所述种子层主要通过化铜的方式得到， 也可以通过 溅射蒸发的方式进行种子层的制作。在制作种子层后， 通过电镀的方式， 在导电柱盲孔 16 内填充得到第二导电柱9， 在导电柱通孔17内得到第一导电柱8， 从而能够获得传输性能良 好的导电结构。 0043 在电镀得到第一导电柱。

34、 8 以及第二导电柱 9 的同时， 在下芯板 1 的上方得到上导 电层 19， 并在下芯板 1 的小表面得到下导电层 18， 下导电层 18 直接覆盖在下芯板 1 的下表 面。当介质层 14 上设置有上芯板 6 时， 上导电层 19 直接支撑在上芯板 6 上， 否则， 上导电 层 19 位于介质层 14 上。 0044 f、 在上述上导电层 19 上制作所需的上基板线路 10， 在下导电层 18 上制作所需的 下基板线路 7， 以使得微波射频芯片 2 通过第二导电柱 9、 上基板线路 10 以及第一导电柱 8 与下芯板 1 下表面上的下基板线路 7 电连接 ； 如图 7 所示， 根据微波射频芯。

35、片 2 的连接需要， 对上导电层 19 上制作导电图形， 以得到 上基板线路10， 同理， 在下导电层18上制作导电图形， 以得到下基板线路7 ； 上导电层19以 及下导电层 18 上上导电图形的制作可以采用本技术领域常用的技术手段， 具体为本技术 领域人员所熟知， 此处不再赘述。 0045 g、 在上述上基板线路10上设置所需的上阻焊层11， 在下基板线路7上设置所需的 下阻焊层 13， 并在所述下阻焊层 13 上设置所需的焊球接触口， 以通过焊球接触口暴露所需 的下基板线路 7 ； 如图 8 所示， 为了能够对线路进行保护以及工艺的阻挡， 在上基板线路 10 上设置上阻 焊层 11， 在下。

36、基板线路 7 上设置下阻焊层 13。上阻焊层 11 覆盖在上基板线路 10 并能填充 导电图形， 下阻焊层 13 覆盖在下基板线路 7 并能填充相应的导电图形。为了便于后续的焊 说 明 书 CN 104465584 A 8 6/6 页 9 球 12 连接， 在下阻焊层 13 上设置焊球接触口， 以暴露相应的下基板线路 7 的区域。上阻焊 层 11 以及下阻焊层 13 可以采用本技术领域常用的材料， 只要能实现线路的保护即可。 0046 h、 在上述的释放材料层15上设置释放盲孔20， 所述释放盲孔20从上阻焊层11向 下延伸至释放材料层 15 内 ； 如图 9 所示， 为了要将释放材料层 15。

37、 释放掉， 得到空气腔 4， 因此， 需要在释放材料层 15 的正上方设置释放盲孔 20， 释放盲孔 20 可以根据释放材料层 15 的材料特性以及微波射 频芯片2的射频区域大小、 位置进行选择， 释放盲孔20的孔径可以根据选择， 只要通过释放 盲孔 20 能将释放材料层 15 能与外部环境接触即可。 0047 i、 利用上述释放盲孔20将介质层14内的释放材料层15进行释放， 以在介质层14 内得到空气腔 4， 并在所述空气腔 4 上方得到能与外部相连通的释放通孔 5 ； 如图 10 所示， 根据释放材料层 15 的特性， 选择合适的条件将所述释放材料层 15 进行 气化释放， 并通过释放盲。

38、孔 20 进行排出。在释放材料层 5 释放排出后， 在介质层 14 内形成 空气腔 4， 释放盲孔 20 形成于空气腔 4 相连通的释放通孔 5。 0048 j、 在上述下芯板1的下方设置所需的焊球12， 所述焊球12通过焊球接触口与下基 板线路 7 电连接， 且相邻的焊球 12 间通过下阻焊层 13 相隔离。 0049 如图 11 所示， 为了形成完整的封装结构， 在下芯板 1 的下方设置焊球 12， 焊球 12 的数量以及位置可以根据实施需要进行选择， 此处不再赘述。 0050 本发明微波射频芯片 2 通过下芯板 1、 介质层 14 以及上芯板 6 形成有源埋入的封 装基板结构， 在微波射。

39、频芯片 2 的射频区域设置空气腔 4， 微波射频芯片 2 可以通过第一导 电柱 8、 第二导电柱 9 与焊球 12 电连接， 能提高微波射频芯片 2 的高频性能。 0051 直接将微波视频芯片 2 集成在上芯板 1 以及下芯板 6 间， 然后通过第一导电柱 8、 第二导电柱9转接后与焊球12进行连接， 只通过了基板制作将封装完成， 工艺简单， 而且还 可以获得较高的可靠性。通过在介质层 14 内设置释放材料层 15 并在将释放材料层 15 释 放后形成空气腔4， 释放材料层15可以为固态也可以为粉末状的， 空气腔4的制作工艺流程 也与基板的制作工艺完全兼容。 0052 相比陶瓷基板的成本高以及较多的条件限制， 本发明极大程度的降低了封装的成 本， 推动了微波射频封装的发展。 说 明 书 CN 104465584 A 9 1/3 页 10 图 1 图 2 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 104465584 A 10 2/3 页 11 图 5 图 6 图 7 图 8 说 明 书 附 图 CN 104465584 A 11 3/3 页 12 图 9 图 10 图 11 说 明 书 附 图 CN 104465584 A 12 。