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1、(10)申请公布号 CN 104241484 A (43)申请公布日 2014.12.24 CN 104241484 A (21)申请号 201410468589.8 (22)申请日 2010.12.09 10-2009-0121740 2009.12.09 KR 10-2009-0121739 2009.12.09 KR 10-2010-0010048 2010.02.03 KR 201010591857.7 2010.12.09 H01L 33/36(2010.01) H01L 33/02(2010.01) H01L 33/62(2010.01) (71)申请人 LG 伊诺特有限公司 地址。
2、 韩国首尔 (72)发明人 丁焕熙 李尚烈 宋俊午 崔光基 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 顾晋伟 郑斌 (54) 发明名称 发光器件、 发光器件制造方法、 发光器件封装 和照明系统 (57) 摘要 根据一个实施方案的发光器件包括 ： 导电支 撑衬底 ； 在所述导电支撑衬底上接合层 ； 在所述 接合层上的反射层 ； 在所述反射层上的欧姆接触 层 ； 在所述欧姆接触层上的电流阻挡层 ； 在所述 接合层上的周边部分处的保护层 ； 在所述电流阻 挡层、 所述欧姆接触层和所述保护层上的发光结 构层 ； 以及在所述发光结构层上与所述电流阻挡 层和所述保护层至少部。
3、分交叠的电极， 其中所述 保护层由导电率低于所述欧姆接触层或所述反射 层的材料、 电绝缘材料或与所述发光结构层肖特 基接触的材料制成。 (30)优先权数据 (62)分案原申请数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 19 页 附图 14 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书19页 附图14页 (10)申请公布号 CN 104241484 A CN 104241484 A 1/2 页 2 1. 一种发光器件， 包括 ： 导电支撑衬底 ； 在所述导电支撑衬底上的发光结构层 ； 设置在所述导电支撑衬底上的外周部分上的保护层， 所述保护。
4、层的至少一部分插入在 所述导电支撑衬底和所述发光结构层之间 ； 和 与所述保护层至少部分交叠并设置在所述发光结构层上的电极结构， 其中所述电极结构包括包含第一部分和第二部分的外部电极、 设置在所述外部电极的 所述第一部分和所述第二部分之间的区域中并延伸以使所述外部电极的所述第一部分电 连接所述外部电极的所述第二部分的内部电极、 以及电连接到所述外部电极的所述第一部 分和所述第二部分中至少之一的垫， 其中所述外部电极的所述第一部分和所述第二部分中至少之一包括从所述垫延伸的 第一段和从所述第一段延伸的第二段， 其中所述第一段的宽度大于所述第二段的宽度， 并且 其中所述第一段沿所述第一段的长度方向具。
5、有相同的宽度。 2. 根据权利要求 1 所述的发光器件， 其中所述外部电极的至少一部分的宽度大于所述 内部电极的宽度。 3. 根据权利要求 1 所述的发光器件， 其中所述电极结构的至少一部分设置在距所述发 光结构层的上侧面的 50 微米距离内。 4. 根据权利要求 1 所述的发光器件， 还包括 形成在所述发光结构层的顶表面的一部分和侧面上的钝化层， 其中所述电极的至少一 部分接触所述钝化层。 5. 根据权利要求 1 所述的发光器件， 其中所述外部电极包括沿第一方向延伸的第一外 部电极和第二外部电极， 以及沿第二方向延伸以连接到所述第一外部电极和所述第二外部 电极的第三外部电极和第四外部电极， 。
6、并且其中所述内部电极包括插入在所述第三外部电 极和所述第四外部电极之间并且沿所述第二方向形成以将所述第一外部电极连接到所述 第二外部电极的第一内部电极。 6. 根据权利要求 1 所述的发光器件， 其中所述外部电极包括沿第一方向延伸的第一外 部电极和第二外部电极， 以及沿第二方向延伸以连接到所述第一外部电极和所述第二外部 电极的第三外部电极和第四外部电极， 并且其中所述内部电极包括插入在所述第三外部电 极和所述第四外部电极之间并且沿所述第二方向形成以将所述第一外部电极连接到所述 第二外部电极的第一内部电极， 以及插入在所述第一外部电极和所述第二外部电极之间并 且沿所述第一方向形成以将所述第三外部。
7、电极连接到所述第四外部电极的第二内部电极。 7. 根据权利要求 6 所述的发光器件， 其中所述第一外部电极和所述第二内部电极之间 的距离大于所述第二外部电极和所述第二内部电极之间的距离。 8. 根据权利要求 1 所述的发光器件， 其中所述外部电极包括沿第一方向延伸的第一外 部电极和第二外部电极， 以及沿第二方向延伸以连接到所述第一外部电极和所述第二外部 电极的第三外部电极和第四外部电极， 并且其中所述内部电极包括插入在所述第三外部电 极和所述第四外部电极之间并且沿所述第二方向形成以将所述第一外部电极连接到所述 第二外部电极的第一内部电极和第二内部电极。 权 利 要 求 书 CN 1042414。
8、84 A 2 2/2 页 3 9. 根据权利要求 1 所述的发光器件， 其中所述外部电极包括沿第一方向延伸的第一外 部电极和第二外部电极， 以及沿第二方向延伸以连接到所述第一外部电极和所述第二外部 电极的第三外部电极和第四外部电极， 并且其中所述内部电极包括插入在所述第三外部电 极和所述第四外部电极之间并且沿所述第二方向形成以将所述第一外部电极连接到所述 第二外部电极的第一内部电极和第二内部电极， 以及插入在所述第一外部电极和所述第二 外部电极之间并且沿所述第一方向形成以将所述第三外部电极连接到所述第四外部电极 的第三内部电极。 10. 一种发光器件封装件， 包括 ： 封装体 ； 设置在所述封。
9、装体上的第一电极层和第二电极层 ； 和 根据权利要求 1 至 9 中任一项所述的发光器件， 所述发光器件设置在所述封装体上。 权 利 要 求 书 CN 104241484 A 3 1/19 页 4 发光器件、 发光器件制造方法、 发光器件封装和照明系统 0001 本申请是申请日为2010年12月09日、 申请号为201010591857.7、 发明名称为 “发 光器件、 发光器件制造方法、 发光器件封装和照明系统” 之申请的分案申请。 0002 本 申 请 要 求 2009 年 12 月 9 日 提 交 的 韩 国 专 利 申 请 10-2009-0121739、 10-2009-012174。
10、0 以及 2010 年 2 月 3 日提交的韩国专利申请 10-2010-0010048 的优先权。 在此通过引用将其全部内容并入本文。 技术领域 0003 实施方案涉及发光器件、 发光器件制造方法、 发光器件封装和照明系统。 背景技术 0004 发光二极管 (LED) 是一种将电能转化为光的半导体器件。与相关技术的诸如荧 光灯和白炽电灯的光源相比， 发光二极管的优势在于低电耗、 半永久性的寿命、 高的响应速 度、 安全和环境友好的特征。 0005 已经进行了许多研究来利用发光二极管替代相关技术的光源， 发光二极管越来越 多地用作建筑物内外使用的各种灯、 液晶显示器、 电子布告牌、 路灯等的光。
11、源。 发明内容 0006 实施方案提供具有新结构的发光器件、 发光器件制造方法、 发光器件封装和照明 系统。 0007 实施方案提供具有降低的操作电压的发光器件、 发光器件制造方法、 发光器件封 装和照明系统。 0008 实施方案提供具有改善的发光效率的发光器件、 发光器件制造方法、 发光器件封 装和照明系统。 0009 根据一个实施方案的发光器件包括 ： 导电支撑衬底 ； 在导电支撑衬底上的接合 层 ； 在接合层上的反射层 ； 在反射层上的欧姆接触层 ； 在欧姆接触层上的电流阻挡层 ； 在接 合层上的周边部分处的保护层 ； 在电流阻挡层、 欧姆接触层和保护层上的发光结构层 ； 和 在发光结构。
12、层上的电极， 所述电极与电流阻挡层和保护层至少部分交叠， 其中所述保护层 由导电率低于反射层或欧姆接触层的材料、 电绝缘材料或与发光结构层肖特基接触的材料 制成。 0010 根据另一实施方案的发光器件包括 ： 导电支撑衬底 ； 在导电支撑衬底上的发光结 构层 ； 设置在导电支撑衬底上的周边部分处以及部分设置在导电支撑衬底和发光结构层之 间的导电保护层 ； 和设置在发光结构层上并与导电保护层至少部分交叠的电极， 其中发光 结构层具有倾斜的侧面， 并且所述倾斜的侧面与导电保护层交叠。 0011 根据另一实施方案的发光器件包括 ： 导电支撑衬底 ； 在导电支撑衬底上的发光结 构层 ； 设置在导电支撑。
13、衬底上的周边部分处以及部分设置在导电支撑衬底和发光结构层之 间的保护层 ； 和在发光结构层上的与保护层部分交叠的电极， 其中所述电极包括外电极、 说 明 书 CN 104241484 A 4 2/19 页 5 设置在外电极内部并将外电极的第一部和第二部连接的内电极、 以及与外电极连接的垫单 元。 附图说明 0012 图 1 为说明根据第一实施方案的发光器件的视图 ； 0013 图 2 10 为说明制造根据本发明实施方案的发光器件的方法的视图 ； 0014 图 11 为说明根据第二实施方案的发光器件的视图 ； 0015 图 12 为说明根据第三实施方案的发光器件的视图 ； 0016 图 13 是。
14、显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的视图 ； 0017 图 14 是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图 ； 0018 图 15 是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图 ； 0019 图 16 是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图 ； 0020 图 17 是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图 ； 0021 图 18 是显示根据本发明一个对比实施方案的电极的视图 ； 0022 图 19 是显示图 15 中说明的电极的视图 ； 0023 图 。
15、20 是包括图 13 中所示实施方案电极的发光器件与包括图 18 中所示对比实施 方案电极的发光器件的光输出比较图 ； 0024 图 21 为包括根据本发明一个实施方案的发光器件的发光器件封装的横截面图 ； 0025 图 22 为说明包括根据本发明一个实施方案的发光器件或发光器件封装的背光单 元的视图 ； 0026 图 23 为说明包括根据本发明一个实施方案的发光器件或发光器件封装的照明单 元的视图。 具体实施方式 0027 应理解 ： 在本发明实施方案的描述中， 当要素例如层 ( 膜 )、 区域、 图案或结构称为 在另一衬底、 层 ( 膜 )、 区域或图案 “上” 或 “下” 时， 其可 “。
16、直接地” 在其它要素 “上” 或 “下” ， 或者可 “间接地” 在其它要素 “上” 或 “下” ( 中间存在其它要素 )。可参考附图限定各层的 “上” 或 “下” 。 0028 为了描述方便和清楚， 在附图中， 可将各层的厚度或尺寸进行放大、 省略或示意性 地显示。此外， 各构件的尺寸未完全表示实际尺寸。 0029 以下将参考附图描述根据本发明实施方案的发光器件、 发光器件制造方法、 发光 器件封装和照明系统。 0030 图 1 为说明根据第一实施方案的发光器件的视图 ； 0031 参考图1， 根据本发明第一实施方案的发光器件100包括 ： 导电支撑衬底175、 在导 电支撑衬底 175 上。
17、的接合层 170、 在接合层 170 上的反射层 160、 在反射层 160 上的欧姆接 说 明 书 CN 104241484 A 5 3/19 页 6 触层 150、 在接合层 170 上的周边部分处的保护层 140、 在欧姆接触层 150 和保护层 140 上 的产生光的发光结构层 135、 以及在发光结构层 135 上的电极 115。 0032 导电支撑衬底175支撑发光结构层135和与电极115一起对发光结构层135供电。 0033 例如， 导电支撑衬底 175 可包括 Cu、 Au、 Ni、 Mo、 Cu-W 和载体晶片 ( 例如 Si、 Ge、 GaAs、 ZnO、 SiC、 Ga。
18、N、 Ga2O3) 中的至少之一。 0034 在导电支撑衬底 175 上可形成接合层 170。 0035 接合层 170 在反射层 160 和保护层 140 下形成。接合层 170 与反射层 160、 欧姆接 触层 150 和保护层 140 接触， 使得反射层 160、 欧姆接触层 150 和保护层 140 与导电支撑衬 底 175 接合。 0036 形成接合层 170 以与导电支撑衬底 175 接合。 0037 因此， 当镀覆或者沉积导电支撑衬底 175 时， 不是必须形成接合层 170， 这样接合 层 170 可选择性地形成。 0038 接合层 170 包括阻挡金属或接合金属， 例如可包括。
19、 Ti、 Au、 Sn、 Ni、 Cr、 Ga、 In、 Bi、 Cu、 Ag 和 Ta 中的至少之一。 0039 在接合层 170 上可形成反射层 160。反射层 160 可通过将来自发光结构层 135 的 入射光反射来改善光提取效率。 0040 反射层 160 可例如由包括 Ag、 Ni、 Al、 Rh、 Pd、 Ir、 Ru、 Mg、 Zn、 Pt、 Au 和 Hf 中的至 少之一的金属或合金制成。此外， 反射层 160 可使用金属或合金和透光导电材料例如 IZO、 IZTO、 IAZO、 IGZO、 IGTO、 AZO 和 ATO 形成为多层， 提供反射层 160 以提高发光效率， 反。
20、射层 160 并非必须形成。 0041 在反射层 160 上可形成欧姆接触层 150。欧姆接触层 150 与第二导电的半导体层 130 欧姆接触， 使得对发光结构层 135 平稳供电， 并且可包括 ITO、 IZO、 IZTO、 IAZO、 IGZO、 IGTO、 AZO 和 ATO 中的至少任意一种。 0042 即， 欧姆接触层 150 可由透光层和金属选择性地制成， 并且可由 ITO( 氧化铟锡 )、 IZO( 氧化铟锌 )、 IZTO( 氧化铟锌锡 )、 IAZO( 氧化铟铝锌 )、 IGZO( 氧化铟镓锌 )、 IGTO( 氧 化铟镓锡 )、 AZO( 氧化铝锌 )、 ATO( 氧化锑。
21、锡 )、 GZO( 氧化镓锌 )、 IrOx、 RuOx、 RuOx/ITO、 Ni、 Ag、 Ni/IrOx/Au 和 Ni/IrOx/Au/ITO 中的一种或更多种实现为一层或多层。 0043 提供欧姆接触层 150 以将载流子平稳地注入第二导电的半导体层 130 中， 欧姆接 触层 150 并非必须形成。 0044 例如， 用于反射层160材料可为与第二导电的半导体层130欧姆接触的材料， 其中 注入第二导电的半导体层 130 中的载流子可与当形成欧姆接触层 150 时没有显著不同。 0045 在欧姆接触层 150 和第二导电的半导体层 130 之间可形成电流阻挡层 (CBL)145。 。
22、电流阻挡层 145 的顶部与第二导电的半导体层 130 接触， 电流阻挡层 145 的底部和侧面与 欧姆接触层 150 接触。 0046 电流阻挡层 145 可与电极 115 至少部分交叠， 因此， 改善由于电极 115 和导电支撑 衬底 175 之间的最短距离而产生的电流集中， 由此改善发光器件 100 的发光效率。 0047 电流阻挡层 145 的宽度为电极 115 的宽度的 0.9 1.3 倍。例如， 电流阻挡层 145 的宽度可为电极 115 的宽度的 1.1 1.3 倍。 0048 电流阻挡层 145 可由导电率小于反射层 160 或欧姆接触层 150 的材料、 与第二导 说 明 书。
23、 CN 104241484 A 6 4/19 页 7 电的半导体层 130 肖特基接触的材料或电绝缘材料制成。 0049 例如， 电流阻挡层 145 可包括 ZnO、 SiO2、 SiON、 Si3N4、 Al2O3、 TiO2、 Ti、 Al 和 Cr 中的 至少之一。 0050 同时， 电流阻挡层 145 可在欧姆接触层 150 和第二导电的半导体层 130 之间或在 反射层 160 和欧姆接触层 150 之间形成， 但是不限于此。此外， 可通过对第二导电的半导体 层 130 施加等离子体处理形成其中电流难以流动的区域而不形成电流阻挡层 145， 所述区 域可用作电流阻挡区域， 如同电流阻。
24、挡层 145 一样。 0051 此外， 提供电流阻挡层 145 以允许电流宽泛地流入发光结构层 135， 但是电流阻挡 层 145 不是必需形成。 0052 在接合层170上的周边部分处可形成保护层140。 当不形成接合层170时， 可在导 电支撑衬底上的周边部分处形成保护层 140。 0053 保护层 140 可减少由于发光结构层 145 和接合层 170 之间界面的分离而导致的发 光器件 100 可靠性的劣化。 0054 保护层 140 可为由导电材料制成的导电保护层或由非导电材料制成的非导电保 护层。 0055 导电保护层可由透明导电氧化物膜制成或可包括 Ti、 Ni、 Pt、 Pd、 。
25、Rh、 Ir 和 W 中的 至少之一。 0056 例如， 透明导电氧化物膜可为 ITO( 氧化铟锡 )、 IZO( 氧化铟锌 )、 IZTO( 氧化铟 锌锡 )、 IAZO( 氧化铟铝锌 )、 IGZO( 氧化铟镓锌 )、 IGTO( 氧化铟镓锡 )、 AZO( 氧化铝锌 )、 ATO( 氧化锑锡 )、 GZO( 氧化镓锌 ) 中的任何一种。 0057 此外， 当在芯片分离过程中施加隔离蚀刻以将发光结构层 145 分为单元芯片时， 导电保护层防止由接合层 170 产生碎片并防止在第二导电半导体层 130 和有源层 120 之 间、 或在有源层 120 和第一导电半导体层 110 之间粘合和导致。
26、电短路。 0058 因此， 导电保护层由不会破裂或产生碎片的材料制成。 0059 因为导电保护层具有导电性， 所以电流可通过导电保护层注入发光结构层 135 中。 0060 因此， 在发光结构层 135 周围的导电保护层上， 可由有源层 120 有效地产生光。 0061 此外， 导电保护层可通过减小由于电流阻挡层 145 导致的操作电压增加来使得发 光器件的操作电压降低。 0062 导电保护层可由与欧姆接触层 150 相同的材料制成。 0063 非导电层的导电性非常低， 其可基本上由非导电材料制成。非导电保护层 145 可 由材料导电率显著小于反射层 160 或欧姆接触层 150 的材料、 与。
27、第二导电的半导体层 130 肖特基接触的材料或电绝缘材料制成。 0064 例如， 非导电保护层可由 ZnO 或 SiO2制成。 0065 非导电保护层使接合层 170 和有源层 120 之间的距离增加。因此， 能够减小接合 层 170 和有源层 120 之间电短路的可能性。 0066 此外， 当在芯片分离过程中施加隔离蚀刻以将发光结构层 145 分为单元芯片时， 非导电保护层防止由接合层 170 产生碎片并防止在第二导电半导体层 130 和有源层 120 之 间、 或在有源层 120 和第一导电半导体层 110 之间粘合和导致电短路。 说 明 书 CN 104241484 A 7 5/19 页。
28、 8 0067 非导电保护层由不会破裂为碎片的材料或具有不会引起电短路 ( 即使其在隔离 蚀刻中稍微破裂为少量碎片 ) 的导电性的材料制成。 0068 在欧姆接触层 150 和保护层 140 上可形成发光结构层 135。 0069 在进行隔离蚀刻以分离为单元芯片中， 发光结构层 135 的侧面可倾斜， 并且该倾 斜的表面与保护层 140 至少部分交叠。 0070 保护层 140 顶部的一部分可通过隔离蚀刻暴露出。 0071 因此， 保护层 140 可形成为在预定区域处与发光结构层 135 交叠而在其它区域处 不与发光结构层 135 交叠。 0072 第一导电半导体层 110 可包括例如 N 型。
29、半导体层。第一导电半导体层 110 可选自 组成式为 InxAlyGa1-x-yN(0 x 1， 0 y 1， 0 x+y 1) 的半导体材料， 例如 InAlGaN、 GaN、 AlGaN、 AlInN、 InGaN、 AlN 和 InN。 0073 有源层 120 为利用根据有源层 120 材料能带的带隙差异发光的层， 当通过第一导 电半导体层 110 注入的电子 ( 或空穴 ) 与通过第二导电的半导体层 130 注入的空穴 ( 或电 子 ) 复合时发光。 0074 有源层 120 可形成为单量子阱、 多量子阱 (MQW)、 量子点和量子线中的任意一种， 但是不限于此。 0075 有源层可。
30、由组成式为 InxAlyGa1-x-yN(0 x 1， 0 y 1， 0 x+y 1) 的半导 体材料制成。当有源层 120 形成为多量子阱时， 有源层 120 可通过堆叠多个阱层和多个势 垒层例如以 InGaN 阱层 /GaN 势垒层的次序形成。 0076 掺杂有 n 型或 p 型掺杂剂的覆层 ( 未显示 ) 可在有源层 120 上和 / 或下形成， 并 可通过 AlGaN 层或 InAlGaN 层实现。 0077 第二导电的半导体层 130 可通过例如 p 型半导体层实现。第二导电半导体层 130 可选自组成式为 InxAlyGa1-x-yN(0 x 1， 0 y 1， 0 x+y 1) 。
31、的半导体材料， 例如 InAlGaN、 GaN、 AlGaN、 InGaN、 AlInN、 AlN 和 InN， 并且可掺杂有 p 型掺杂剂例如 Mg、 Zn、 Ca、 Sr 和 Ba。 0078 同时， 第一导电半导体层 110 可包括 p 型半导体层， 第二导电半导体层 130 可包括 n 型半导体层。此外， 包括 n 型或 p 型半导体层的第三导电半导体层 ( 未显示 ) 可在第二导 电半导体层 130 上形成， 因此发光结构层 135 可包括 np 结、 pn 结、 npn 结和 pnp 结结构中的 至少之一。此外， 第一导电半导体层 110 和第二导电半导体层 130 中的掺杂浓度可。
32、均匀或 不均匀。即， 发光结构层 130 的结构可进行各种方式的改变而不限于本文所述。 0079 包括第一导电半导体层 110、 有源层 120 和第二导电半导体层 130 的发光结构层 135 可形成为各种改变的结构， 而不限于在实施方案中示例性的发光结构层 135 的结构。 0080 在发光结构层135的顶部上形成电极115。 电极115可分成预定图案， 但是不限于 此。 0081 在第一导电半导体层100的顶部上可形成粗糙图案112以提高光提取效率。 因此， 在电极 115 的顶部上可形成粗糙图案， 但是不限于此。 0082 电极 115 可与第一导电半导体层 110 的顶部接触。此外，。
33、 电极 115 可通过堆叠至 少一个垫单元和至少一个分支形电极单元形成为相同或不同的结构， 但是不限于此。 0083 电极115可包括 ： 外部电极115a、 内部电极115b和垫单元(图13中的115c)。 即， 说 明 书 CN 104241484 A 8 6/19 页 9 电极单元可由外部电极 115a 和内部电极 115b 构成。 0084 电极 115 可与保护层 140 和电流阻挡层 145 至少在预定部分处交叠。 0085 例如， 外部电极 115a 可与保护层 140 垂直交叠， 内部电极 115b 可与电流阻挡层 145 垂直交叠。显然， 当不形成电流阻挡层 145 时， 外。
34、部电极 115a 可与保护层 140 垂直交 叠。 0086 因为导电保护层与电极 115 交叠， 当保护层为导电保护层时， 可使得大量电流流 入导电保护层上的有源层 120 中。因此， 由有源层 120 通过较大的区域发射光， 使得发光器 件的发光效率可提高。此外， 发光器件 100 的操作电压可降低。 0087 当保护层 140 为非导电保护层时， 在非导电保护层上的有源层 120 中流动少量电 流， 这样可不产生光， 因此发光器件 100 的发光效率可降低。然而， 因为电极 115 位于与非 导电保护层交叠的位置处， 所以可使得更多电流流入非导电保护层上的有源层 120 中。因 此， 由。
35、有源层 120 通过较大的区域发射光， 使得发光器件的发光效率可提高。 0088 在发光结构层135的至少侧面上可形成钝化层180。 此外， 钝化层180可在第一导 电半导体层 110 顶部上和保护层 140 的顶部上形成， 但是不限于此。 0089 钝化层 180 可由例如 SiO2、 SiOx、 SiOxNy、 Si3N4、 Al2O3制成以对发光结构层 135 进 行电保护， 但是不限于此。 0090 图 13 是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的视图。图 1 中示出了沿着线 I-I 截取的横截面形状。 0091 参考图 1 和 13， 电极 115 在第一导电半导体。
36、层 110 上形成并且可包括 ： 沿第一导 电半导体层 110 的顶部上的边缘延伸的外部电极 115a 以及将外部电极 115a 的第一部与外 部电极 115a 的第二部连接的内部电极 115b。内部电极 115b 可设置在由外部电极 115a 包 围的区域内部。 0092 外部电极 115a 包括 ： 第一外部电极 115a1、 第二外部电极 115a2、 第三外部电极 115a3 和第四外部电极 115a4。此外， 内部电极 115b 可包括 ： 第一内部电极 115b1、 第二内 部电极 115b2、 第三内部电极 115b3 和第四内部电极 115b4。 0093 外部电极 115a 。
37、可至少部分地形成在从第一导电半导体层 110 顶部最外侧的 50 微 米内， 并可与钝化层 180 接触。例如， 第一外部电极 115a1、 第二外部电极 115a2、 第三外部 电极 115a3 和第四外部电极 115a4 各自可至少部分地设置在从第一导电半导体层 110 顶部 的最外侧的 50 微米内。 0094 外部电极 115a 可设置为具有四边和四角的矩形， 并且包括 ： 沿第一方向延伸的第 一外部电极 115a1 和第二外部电极 115a2、 以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三 外部电极 115a3 和第四外部电极 115a4。 0095 垫单元 115c 可包括 ： 第一垫。
38、单元 115c1 和第二垫单元 115c2， 其中第一垫单元 115c1可位于第一外部电极115a1和第三外部电极115a3的连接处， 第二垫单元115c2可位 于第一外部电极 115a1 和第四外部电极 115a4 的连接处。 0096 内部电极115b包括 ： 沿第二方向延伸的并将第一外部电极115a1和第二外部电极 115a2 连接的第一内部电极 115b1、 第二内部电极 115b2、 第三内部电极 115b3， 以及沿第一 方向延伸的并将沿第二方向延伸的第三外部电极115a3与第四外部电极115a4连接的第四 内部电极 115b4。 说 明 书 CN 104241484 A 9 7/。
39、19 页 10 0097 第一外部电极 115a1 和第四内部电极 115b4 之间的距离 A 可大于第二外部电极 115a2 和第四内部电极 115b4 之间的距离 B。 0098 此外， 第三外部电极 115a3 和第一内部电极 115b1 之间的距离 C、 第一内部电极 115b1 和第二内部电极 115b2 之间的距离 D、 第二内部电极 115b2 和第三内部电极 115b3 之 间的距离 E、 以及第三内部电极 115b3 和第四外部电极 115a4 之间的距离 F 可基本相同。 0099 此外， 外部电极 115a 的至少一部分的宽度可大于内部电极 115b 的宽度。此外， 外 。
40、部电极 115a 的至少一部分的宽度可大于外部电极 115a 的其它部分的宽度。 0100 例如， 第一外部电极 115a1 可形成为在宽度上大于内部电极 115b， 第一外部电极 115a1 可形成为在宽度上大于第二外部电极 115a2。 0101 此外， 第三外部电极 115a3 和第四外部电极 115a4 的宽度中的靠近第一外部电极 115a1 的宽度可大于靠近第二外部电极 115a2 的宽度。例如， 外部电极 115a 和内部电极 115b 限定窗形开口， 其中位于所述开口的宽部的外部电极 115a 的宽度可大于位于所述开 口的窄部的外部电极的宽度。 0102 内部电极 115b 将由。
41、外部电极 115a 包围的内部区域分为多个区域。靠近具有最大 宽度的第一外部电极 115a1 的区域在所述区域中在面积上大于靠近具有较小宽度的第二 外部电极 115a2 的区域。 0103 此外， 内部电极 115b 可形成为在宽度上小于外部电极 115a。 0104 例如， 第一外部电极115a1、 以及第三外部电极115ta3和第四外部电极115a4的靠 近第一外部电极 115a1 的部分可形成为具有 25 35 微米的宽度， 第二外部电极 115a2、 以 及第三外部电极 115a3 和第四外部电极 115a4 的靠近第二外部电极 115a2 的部分可形成为 具有 15 25 微米的宽度。
42、， 内部电极 115b 可形成为具有 5 15 微米的宽度。 0105 根据图 13 所示实施方案的发光器件的电极 115 可应用于其中一侧为 800 1200 微米长的发光结构层135。 当至少一侧的长度小于800微米时， 发光面积可通过电极115而 减小， 而当至少一侧的长度小于 1200 微米时， 则可无法通过电极 115 有效地供给电流。例 如， 图 13 所示的电极 115 可应用于长度和宽度为 1000 微米的发光结构层 135。 0106 与电极 115 占据的面积相比， 如上所述的电极 115 可降低电阻和使得电流有效分 布。 0107 图 14 是显示在根据本发明一个实施方案。
43、的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图。 0108 参考图1和14， 电极115在第一导电半导体层110上形成并可包括 ： 沿第一导电半 导体层 110 顶部上的边缘延伸的外部电极 115a 以及将外部电极 115a 与外部电极 115a 连 接的内部电极 115b。 0109 外部电极 115a 包括 ： 第一外部电极 115a1、 第二外部电极 115a2、 第三外部电极 115a3 和第四外部电极 115a4。此外， 内部电极 115b 可包括第一内部电极 115b1、 第二内部 电极 115b2 和第三内部电极 115b3。 0110 外部电极 115a 可至少部分地形成在从第一导。
44、电半导体层 110 的最外侧的 50 微米 内， 并可与钝化层 180 接触。 0111 外部电极 115a 可设置为具有四边和四角的矩形， 并包括 ： 沿第一方向延伸的第一 外部电极 115a1 和第二外部电极 115a2、 以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三外 说 明 书 CN 104241484 A 10 8/19 页 11 部电极 115a3 和第四外部电极 115a4。 0112 垫单元 115c 可包括 ： 第一垫单元 115c1 和第二垫单元 115c2， 其中第一垫单元 115c1可位于第一外部电极115a1和第三外部电极115a3的连接处， 第二垫单元115c2可位 于。
45、第一外部电极 115a1 和第四外部电极 115a4 的连接处。 0113 内部电极115b包括 ： 沿第二方向延伸的并将第一外部电极115a1与第二外部电极 115a2连接的第一内部电极115b1和第二内部电极115b2、 以及沿第一方向延伸的并将沿第 二方向延伸的第三外部电极 115a3 与第四外部电极 115a4 连接的第三内部电极 115b3。 0114 第一外部电极 115a1 和第三内部电极 115b3 之间的距离 A 可大于第二外部电极 115a2 和第三内部电极 115b3 之间的距离 B。 0115 此外， 第三外部电极 115a3 和第一内部电极 115b1 之间的距离 C。
46、、 第一内部电极 115b1 和第二内部电极 115b2 之间的距离 D、 第二内部电极 115b2 和第四外部电极 115a4 之 间的距离 E 可基本相同。 0116 此外， 外部电极 115a 的至少一部分的宽度可大于内部电极 115b 的宽度。此外， 外 部电极 115a 的至少一部分的宽度可大于外部电极 115a 的其它部分的宽度。 0117 例如， 第一外部电极 115a1 可形成为在宽度上大于内部电极 115b， 第一外部电极 115a1 可形成为在宽度上大于第二外部电极 115a2。 0118 此外， 第三外部电极 115a3 和第四外部电极 115a4 的宽度中的靠近第一外部。
47、电极 115a1 的宽度可大于靠近第二外部电极 115a2 的宽度。 0119 内部电极 115b 将由外部电极 115a 包围的内部区域分为多个区域。靠近具有最大 宽度的第一外部电极115a1的区域在所述区域中在面积上大于靠近第二外部电极115a2的 区域。 0120 根据图 14 所示实施方案的发光器件的电极 115 可应用于其中一侧为 800 1200 微米长的发光结构层135。 当至少一侧的长度小于800微米时， 发光面积可通过电极115而 减小， 而当至少一侧的长度小于 1200 微米时， 则可无法通过电极 115 有效地供给电流。例 如， 图 14 所示的电极 115 可应用于长度。
48、和宽度为 1000 微米的发光结构层 135。 0121 与电极 115 占据的面积相比， 如上所述的电极 115 可降低电阻和使得电流有效分 布。 0122 图 15 是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图。 0123 参考图1和15， 电极115在第一导电半导体层110上形成并可包括 ： 沿第一导电半 导体层 110 顶部上的边缘延伸的外部电极 115a 以及将外部电极 115a 与外部电极 115a 连 接的内部电极 115b。 0124 外部电极 115a 包括 ： 第一外部电极 115a1、 第二外部电极 115a2、 第三外部电极 115a3 和第四外部电极 115a4。此外， 内部电极 115b 可包括第一内部电极 115b1 和第二内 部电极 115b2。 0125 外部电极 115a 可至少部分地形成在从第一导电半导体层 110 的最外侧的 50 微米 内， 并可与钝化层 180 接触。 0126 外部电极 115a 可设置为具有四边和四角的矩形， 并可包括 ： 沿第一方向延伸的第 一外部电极 115a1 和第二外部电极 115a2、 以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三 说 明 书 CN 104241484 A 11 9/19 页 12 外部电极 115a3 和第四外部电极 115a4。 0127 垫单元 11。