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1、(10)申请公布号 CN 104051665 A (43)申请公布日 2014.09.17 CN 104051665 A (21)申请号 201310078483.2 (22)申请日 2013.03.12 H01L 51/52(2006.01) H01L 51/54(2006.01) H01L 51/50(2006.01) H01L 51/56(2006.01) (71)申请人 海洋王照明科技股份有限公司 地址 518000 广东省深圳市南山区南海大道 海王大厦 A 座 22 层 申请人 深圳市海洋王照明技术有限公司 深圳市海洋王照明工程有限公司 (72)发明人 周明杰 王平 黄辉 (74)专。
2、利代理机构 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人 郝传鑫 熊永强 (54) 发明名称 一种复合阳极及其制备方法和有机电致发光 器件及其制备方法 (57) 摘要 本发明公开了一种复合阳极及其制备方法, 所述复合阳极由依次层叠的玻璃基底、 酞菁类化 合物层、 导电金属单质层和掺杂层组成 ; 本发明 酞菁类化合物层中的酞菁类小分子熔点较低, 很 容易蒸发, 适合采用真空蒸镀的方法制备, 且酞菁 类小分子容易结晶, 结晶后形成有序的结构, 对光 有强烈的散射作用, 有利于提高器件的出光效率, 而导电金属单质层主要是提高阳极的导电性, 掺 杂层材质为金属硫化物与空穴传输材料形成的混 合材料, 可。
3、以提高阳极的空穴注入能力与传输能 力, 提高发光效率。 本发明还公开了一种包含上述 复合阳极有机电致发光器件及其制备方法。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 8 页 附图 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书8页 附图2页 (10)申请公布号 CN 104051665 A CN 104051665 A 1/2 页 2 1. 一种复合阳极, 其特征在于, 所述复合阳极由依次层叠的玻璃基底、 酞菁类化合物 层、 导电金属单质层和掺杂层组成 ; 所述酞菁类化合物层材质为酞菁铜、 酞菁锌和酞菁钒中 的一种, 所述掺杂层材质为空穴传。
4、输材料和金属硫化物按质量比为 0.1:1 0.3:1 的比例 形成的混合材料, 所述金属硫化物为硫化锌、 硫化镉和硫化镁中的一种, 所述空穴传输材料 为 1,1- 二 4-N,N - 二 (p- 甲苯基 ) 氨基 苯基 环己烷、 4,4,4- 三 ( 咔唑 -9- 基 ) 三苯胺和 N,N -(1- 萘基) -N,N - 二苯基 -4,4 - 联苯二胺中的一种。 2. 如权利要求 1 所述的复合阳极, 其特征在于, 所述酞菁类化合物层的厚度为 2 20nm。 3. 如权利要求 1 所述的复合阳极, 其特征在于, 所述导电金属单质层材质为银、 铝、 铂 和金中的一种, 所述导电金属单质层的厚度为。
5、 2 20nm。 4. 如权利要求 1 所述的复合阳极, 其特征在于, 所述掺杂层的厚度为 2 30nm。 5. 一种复合阳极的制备方法, 其特征在于, 包括以下操作步骤 : 提供所需尺寸的玻璃基底, 清洗后干燥 ; 在玻璃基底出光面上采用真空蒸镀的方法依次制备酞菁类化合物层、 导电金属单质 层和掺杂层, 其中, 所述酞菁类化合物层材质为酞菁铜、 酞菁锌和酞菁钒中的一种, 所述掺 杂层材质为空穴传输材料和金属硫化物按质量比为 0.1:1 0.3:1 的比例形成的混合材 料, 所述金属硫化物为硫化锌、 硫化镉和硫化镁中的一种, 所述空穴传输材料为 1,1- 二 4-N,N - 二 (p- 甲苯基。
6、 ) 氨基 苯基 环己烷、 4,4,4- 三 ( 咔唑 -9- 基 ) 三苯胺和 N,N -(1- 萘基) -N,N - 二苯基 -4,4 - 联苯二胺中的一种 ; 所述酞菁类化合物层和掺杂 层的蒸镀条件均为 : 蒸镀压强为 210-4Pa 310-3Pa, 蒸镀速率为 0.1 1nm/s ; 所述导 电金属单质层蒸镀压强为 210-4Pa 310-3Pa, 蒸镀速率为 1 10nm/s。 6. 如权利要求 5 所述的复合阳极的制备方法, 其特征在于, 所述酞菁类化合物层的厚 度为 2 20nm。 7. 如权利要求 5 所述的复合阳极的制备方法, 其特征在于, 所述导电金属单质层材质 为银、 。
7、铝、 铂和金中的一种, 所述导电金属单质层的厚度为 2 20nm。 8. 如权利要求 5 所述的复合阳极的制备方法, 其特征在于, 所述掺杂层的厚度为 2 30nm。 9. 一种有机电致发光器件, 其特征在于, 包括依次层叠的复合阳极、 空穴注入层、 空穴 传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层和阴极, 所述复合阳极由依次层叠的玻璃基底、 酞 菁类化合物层、 导电金属单质层和掺杂层组成 ; 所述酞菁类化合物层材质为酞菁铜、 酞菁 锌和酞菁钒中的一种, 所述掺杂层材质为空穴传输材料和金属硫化物按质量比为 0.1:1 0.3:1 的比例形成的混合材料, 所述金属硫化物为硫化锌、 硫化镉和硫化。
8、镁中的一种, 所述 空穴传输材料为 1,1- 二 4-N,N - 二 (p- 甲苯基 ) 氨基 苯基 环己烷、 4,4,4- 三 ( 咔唑 -9- 基 ) 三苯胺和 N,N -(1- 萘基) -N,N - 二苯基 -4,4 - 联苯二胺中的一种。 10. 一种有机电致发光器件的制备方法, 其特征在于, 包括以下操作步骤 : 提供所需尺寸的玻璃基底, 清洗后干燥 ; 在玻璃基底出光面上采用真空蒸镀的方法依次制备酞菁类化合物层、 金属单质层和 掺杂层, 其中, 所述酞菁类化合物层材质为酞菁铜、 酞菁锌和酞菁钒中的一种, 所述掺杂层 材质为空穴传输材料和金属硫化物按质量比为 0.1:1 0.3:1 。
9、的比例形成的混合材料, 所 权 利 要 求 书 CN 104051665 A 2 2/2 页 3 述金属硫化物为硫化锌、 硫化镉和硫化镁中的一种, 所述空穴传输材料为 1,1- 二 4-N, N - 二 (p- 甲苯基 ) 氨基 苯基 环己烷、 4,4,4- 三 ( 咔唑 -9- 基 ) 三苯胺和 N, N -(1- 萘基) -N,N - 二苯基 -4,4 - 联苯二胺中的一种 ; 所述酞菁类化合物层和掺杂层 的蒸镀条件均为 : 蒸镀压强为 210-4Pa 310-3Pa, 蒸镀速率为 0.1 1nm/s ; 所述导电 金属单质层蒸镀压强为 210-4Pa 310-3Pa, 蒸镀速率为 1 1。
10、0nm/s ; 在掺杂层上依次蒸镀制备空穴注入层、 空穴传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层 和阴极, 最终得到所述有机电致发光器件。 权 利 要 求 书 CN 104051665 A 3 1/8 页 4 一种复合阳极及其制备方法和有机电致发光器件及其制备 方法 技术领域 0001 本发明涉及有机电致发光领域, 特别涉及一种复合阳极及其制备方法和有机电致 发光器件及其制备方法。 背景技术 0002 1987 年, 美国 Eastman Kodak 公司的 C.W.Tang 和 VanSlyke 报道了有机电致发光 研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度, 高效率的双层有机电。
11、致发光器 件 (OLED) 。10V 下亮度达到 1000cd/m2, 其发光效率为 1.51lm/W, 寿命大于 100 小时。 0003 OLED 的发光原理是基于在外加电场的作用下, 电子从阴极注入到有机物的最低未 占有分子轨道 (LUMO) , 而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道 (HOMO) 。电子和空穴在 发光层相遇、 复合、 形成激子, 激子在电场作用下迁移, 将能量传递给发光材料, 并激发电子 从基态跃迁到激发态, 激发态能量通过辐射失活, 产生光子, 释放光能。 0004 在传统的发光器件中, 器件内部的光只有 18% 左右是可以发射到外部去的, 而其 他的部分会以其他形。
12、式消耗在器件外部, 界面之间存在折射率的差 (如玻璃与 ITO 之间的 折射率之差, 玻璃折射率为 1.5, ITO 为 1.8, 光从 ITO 到达玻璃, 就会发生全反射) , 引起了 全反射的损失, 从而导致整体出光性能较低。因此, 有必要提高 OLED 的发光效率。 发明内容 0005 为解决上述技术问题, 本发明提供了一种复合阳极及其制备方法, 所述复合阳极 由依次层叠的玻璃基底、 酞菁类化合物层、 导电金属单质层和掺杂层组成 ; 该复合阳极可应 用于聚合物太阳能电池和有机电致发光器件, 应用于有机电致发光器件时, 可以提高器件 的导电性、 空穴注入能力和空穴传输能力, 提高了器件的发。
13、光效率。 本发明还提供了包含上 述复合阳极的有机电致发光器件及其制备方法。 0006 第一方面, 本发明提供了一种复合阳极, 所述复合阳极由依次层叠的玻璃基底、 酞菁类化合物层、 导电金属单质层和掺杂层组成 ; 所述酞菁类化合物层材质为酞菁铜 (CuPc) 、 酞菁锌 (ZnPc)和酞菁钒 (VPc)中的一种, 所述掺杂层材质为空穴传输材料和金 属硫化物按质量比为 0.1:1 0.3:1 的比例形成的混合材料, 所述金属硫化物为硫化锌 (ZnS) 、 硫化镉 (CdS) 和硫化镁 (MgS) 中的一种, 所述空穴传输材料为1,1-二4-N, N-二 (p- 甲苯基 ) 氨基 苯基 环己烷 (T。
14、APC) 、 4,4,4- 三 ( 咔唑 -9- 基 ) 三苯胺 (TCTA) 和 N,N -(1- 萘基) -N,N - 二苯基 -4,4 - 联苯二胺 (NPB) 中的一种。 0007 优选地, 所述酞菁类化合物层的厚度为 2 20nm。 0008 优选地, 所述导电金属单质层材质为银 (Ag) 、 铝 (Al) 、 铂 (Pt) 和金 (Au) 中的一种, 所述导电金属单质层的厚度为 2 20nm。 0009 优选地, 所述掺杂层的厚度为 2 30nm。 0010 优选地, 所述玻璃基底为市售普通玻璃。 说 明 书 CN 104051665 A 4 2/8 页 5 0011 第二方面, 。
15、本发明提供了一种复合阳极的制备方法, 包括以下步骤 : 0012 提供所需尺寸的玻璃基底, 清洗后干燥 ; 0013 在玻璃基底出光面上采用真空蒸镀的方法依次制备酞菁类化合物层、 导电金属单 质层和掺杂层, 其中, 所述酞菁类化合物层材质为 CuPc、 ZnPc 和 VPc 中的一种, 所述掺杂层 为空穴传输材料和金属硫化物按质量比为 0.1:1 0.3:1 的比例形成的混合材料, 所述金 属硫化物为 ZnS、 CdS 和 MgS 中的一种, 所述空穴传输材料为 TAPC、 TCTA 和 NPB 中的一种 ; 所 述酞菁类化合物层和掺杂层的蒸镀条件均为 : 蒸镀压强为210-4Pa310-3P。
16、a, 蒸镀速率 为 0.1 1nm/s ; 所述导电金属单质层蒸镀压强为 210-4Pa 310-3Pa, 蒸镀速率为 1 10nm/s。 0014 优选地, 所述酞菁类化合物层的厚度为 2 20nm。 0015 优选地, 所述导电金属单质层材质为Ag、 Al、 Pt和Au中的一种, 所述导电金属单质 层的厚度为 2 20nm。 0016 优选地, 所述掺杂层的厚度为 2 30nm。 0017 优选地, 所述玻璃基底为市售普通玻璃。 0018 优选地, 所述提供所需尺寸的玻璃基底, 具体操作为 : 将玻璃基底进行光刻处理, 然后剪裁成所需要的大小。 0019 优选地, 所述清洗后干燥的操作为将。
17、玻璃基底依次用洗洁精, 去离子水, 丙酮, 乙 醇, 异丙醇各超声 15min, 去除玻璃表面的有机污染物, 清洗干净后风干。 0020 本发明复合阳极由依次层叠的玻璃基底、 酞菁类化合物层、 导电金属单质层和掺 杂层组成。 本发明酞菁类化合物层中的酞菁类小分子熔点较低, 很容易蒸发, 适合采用真空 蒸镀的方法制备, 且酞菁类小分子容易结晶, 结晶后形成有序的结构, 对光有强烈的散射作 用, 有利于提高器件的出光效率 ; 导电金属单质层主要是提高阳极的导电性 ; 掺杂层利用 金属硫化物与空穴传输材料进行掺杂, 可以提高阳极的空穴注入能力与传输能力, 提高器 件的发光效率。 0021 第三方面,。
18、 本发明提供了一种有机电致发光器件, 包括依次层叠的复合阳极、 空穴 注入层、 空穴传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层和阴极, 所述复合阳极由依次层叠 的玻璃基底、 酞菁类化合物层、 导电金属单质层和掺杂层组成 ; 所述酞菁类化合物层材质 为 CuPc、 ZnPc 和 VPc 中的一种, 所述掺杂层材质为空穴传输材料和金属硫化物按质量比为 0.1:1 0.3:1 的比例形成的混合材料, 所述金属硫化物为 ZnS、 CdS 和 MgS 中的一种, 所述 空穴传输材料为 TAPC、 TCTA 和 NPB 中的一种。 0022 优选地, 所述酞菁类化合物层的厚度为 2 20nm。 0023。
19、 优选地, 所述导电金属单质层材质为Ag、 Al、 Pt和Au中的一种, 所述导电金属单质 层的厚度为 2 20nm。 0024 优选地, 所述掺杂层的厚度为 2 30nm。 0025 优选地, 所述玻璃基底为市售普通玻璃。 0026 优选地, 所述空穴注入层材质为三氧化钼 (MoO3) 、 三氧化钨 (WO3) 或五氧化二钒 (V2O5) , 厚度为 20 80nm。更优选地, 所述空穴注入层材质为 MoO3, 厚度为 30nm。 0027 优选地, 所述空穴传输层材质为1,1-二4-N,N-二(p-甲苯基)氨基苯基 环己烷 (TAPC) 、 4,4,4- 三 ( 咔唑 -9- 基 ) 三苯。
20、胺 (TCTA) 或 N,N -(1- 萘基) -N,N - 二 说 明 书 CN 104051665 A 5 3/8 页 6 苯基 -4,4 - 联苯二胺 (NPB) , 所述空穴传输层材质厚度为 20 60nm, 更优选地, 所述空穴 传输层材质为 NPB, 厚度为 45nm。 0028 优选地, 所述发光层材质为 4-(二腈甲基) -2- 丁基 -6-(1,1,7,7- 四甲基久洛呢 啶 -9- 乙烯基) -4H- 吡喃 (DCJTB) 、 9,10- 二 - 亚萘基蒽 (ADN) 、 4,4- 双 (9- 乙基 -3- 咔 唑乙烯基 )-1,1- 联苯 (BCzVBi) 或 8- 羟基。
21、喹啉铝 (Alq3) , 厚度为 5 40nm, 更优选地, 所 述发光层材质为 BCzVBi, 厚度优选为 30nm。 0029 优选地, 所述的电子传输层材质为 4,7- 二苯基 -1,10- 菲罗啉 (Bphen) 、 3-( 联 苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑 (TAZ) 或N-芳基苯并咪唑 (TPBI) , 厚度为 40 80nm, 更优选地, 所述电子传输层材质为 TPBI, 厚度为 45nm。 0030 优选地, 所述电子注入层材质为碳酸铯 (Cs2CO3) 、 氟化铯 (CsF) 、 叠氮铯 (CsN3) 或 氟化锂 (LiF) , 厚度。
22、为 0.5 10nm, 更优选地, 所述电子注入层材质为 Cs2CO3, 厚度为 1nm。 0031 优选地, 所述阴极材质为Ag、 Al、 Pt和Au中的一种, 厚度为80250nm, 更优选地, 所述阴极为 Al, 厚度为 100nm。 0032 第四方面, 本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法, 包括以下操作步 骤 : 0033 提供所需尺寸的玻璃基底, 清洗后干燥 ; 0034 在玻璃基底出光面上采用真空蒸镀的方法依次制备酞菁类化合物层、 导电金属单 质层和掺杂层, 其中, 所述酞菁类化合物层材质为 CuPc、 ZnPc 和 VPc 中的一种, 所述掺杂层 材质为空穴传输材料和金。
23、属硫化物按质量比为 0.1:1 0.3:1 的比例形成的混合材料, 所 述金属硫化物为 ZnS、 CdS 和 MgS 中的一种, 所述空穴传输材料为 TAPC、 TCTA 和 NPB 中的一 种 ; 所述酞菁类化合物层和掺杂层的蒸镀条件均为 : 蒸镀压强为 210-4Pa 310-3Pa, 蒸 镀速率为 0.1 1nm/s ; 所述导电金属单质层蒸镀压强为 210-4Pa 310-3Pa, 蒸镀速率 为 1 10nm/s ; 0035 在掺杂层上依次蒸镀制备空穴注入层、 空穴传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注 入层和阴极, 最终得到所述有机电致发光器件。 0036 优选地, 所述空穴注入。
24、层和阴极的蒸镀条件均为 : 蒸镀压强为 210-4Pa 310-3Pa, 蒸镀速率为 1 10nm/s。 0037 优选地, 所述空穴传输层、 发光层、 电子传输层和电子注入层蒸镀条件均为 : 蒸镀 压强为 210-4Pa 310-3Pa, 蒸镀速率为 0.1 1nm/s。 0038 优选地, 所述酞菁类化合物层的厚度为 2 20nm。 0039 优选地, 所述导电金属单质层材质为Ag、 Al、 Pt和Au中的一种, 所述导电金属单质 层的厚度为 2 20nm。 0040 优选地, 所述掺杂层的厚度为 2 30nm。 0041 优选地, 所述玻璃基底为市售普通玻璃。 0042 优选地, 所述提。
25、供所需尺寸的玻璃基底, 具体操作为 : 将玻璃基底进行光刻处理, 然后剪裁成所需要的大小。 0043 优选地, 所述清洗后干燥的操作为将玻璃基底依次用洗洁精, 去离子水, 丙酮, 乙 醇, 异丙醇各超声 15min, 去除玻璃表面的有机污染物, 清洗干净后风干。 0044 优选地, 所述空穴注入层材质为 MoO3、 WO3或 V2O5, 厚度为 20 80nm。更优选地, 说 明 书 CN 104051665 A 6 4/8 页 7 所述空穴注入层材质为 MoO3, 厚度为 30nm。 0045 优选地, 所述空穴传输层材质为 TAPC、 TCTA 或 NPB, 所述空穴传输层材质厚度为 20。
26、 60nm, 更优选地, 所述空穴传输层材质为 NPB, 厚度为 45nm。 0046 优选地, 所述发光层材质为 DCJTB、 ADN、 BCzVBi 或 Alq3, 厚度为 5 40nm, 更优选 地, 所述发光层材质为 BCzVBi, 厚度为 30nm。 0047 优选地, 所述的电子传输层材质为 Bphen、 TAZ 或 TPBI, 厚度为 40 80nm, 更优选 地, 所述电子传输层材质为 TPBI, 厚度为 45nm。 0048 优选地, 所述电子注入层材质为 Cs2CO3、 CsF、 CsN3或 LiF, 厚度为 0.5 10nm, 更优 选地, 所述电子注入层材质为 Cs2C。
27、O3, 厚度为 1nm。 0049 优选地, 所述阴极为 Ag、 Al、 Pt 或 Au, 厚度为 80 250nm, 更优选地, 所述阴极为 Al, 厚度为 100nm。 0050 本发明复合阳极由依次层叠的玻璃基底、 酞菁类化合物层、 导电金属单质层和掺 杂层组成。本发明酞菁类化合物中的酞菁类小分子熔点较低, 很容易蒸发, 适合采用真空 蒸镀的方法制备, 且酞菁类小分子容易结晶, 结晶后形成有序的结构, 对光有强烈的散射作 用, 有利于提高器件的出光效率 ; 导电金属单质层主要是提高阳极的导电性 ; 掺杂层利用 金属硫化物与空穴传输材料进行掺杂, 可以提高阳极的空穴注入能力与传输能力, 提。
28、高器 件发光效率。 0051 实施本发明实施例, 具有以下有益效果 : 0052 (1) 本发明提供的复合阳极由依次层叠的玻璃基底、 酞菁类化合物层、 导电金属单 质层和掺杂层组成, 提高了阳极的导电性能以及空穴注入和空穴传输能力 ; 0053 (2) 本发明提供的复合阳极的制备方法, 工艺简单, 成本低 ; 0054 (3) 本发明提供的复合阳极可应用于有机电致发光器件和有机太阳能电池中, 应 用于有机电致发光器件时, 有利于光的散射, 可提高器件的发光效率。 附图说明 0055 为了更清楚地说明本发明的技术方案, 下面将对实施方式中所需要使用的附图作 简单地介绍, 显而易见地, 下面描述中。
29、的附图仅仅是本发明的一些实施方式, 对于本领域普 通技术人员来讲, 在不付出创造性劳动的前提下, 还可以根据这些附图获得其他的附图。 0056 图 1 是本发明实施例 5 提供的有机电致发光器件的结构示意图 ; 0057 图2是本发明实施例5与对比实施例有机电致发光器件的电流密度与流明效率关 系图。 具体实施方式 0058 下面将结合本发明实施方式中的附图, 对本发明实施方式中的技术方案进行清 楚、 完整地描述。 0059 实施例 1 0060 一种复合阳极的制备方法, 包括以下操作步骤 : 0061 (1) 先将玻璃基底进行光刻处理, 然后剪裁成 22cm2的正方形尺寸, 然后依次用 洗洁精。
30、, 去离子水, 丙酮, 乙醇, 异丙醇各超声 15min, 去除玻璃表面的有机污染物, 清洗干净 说 明 书 CN 104051665 A 7 5/8 页 8 后风干 ; 0062 (2) 在玻璃基底出光面上依次蒸镀制备酞菁类化合物层、 导电金属单质层和掺杂 层, 其中, 酞菁类化合物层的材质为 CuPc, 蒸镀压强为 210-4Pa, 蒸镀速率为 0.1nm/s, 蒸镀 厚度为 10nm ; 0063 导电金属单质层的材质为 Ag, 蒸镀压强为 210-4Pa, 蒸镀速率为 1nm/s, 蒸镀厚度 为 5nm ; 0064 掺杂层材质为 NPB 和 ZnS 按质量比为 0.2:1 的比例形成。
31、的混合材料 (表示为 NPB:ZnS) , 蒸镀压强为 210-4Pa, 蒸镀速率为 0.1nm/s, 蒸镀厚度为 8nm。 0065 实施例 2 0066 一种复合阳极的制备方法, 包括以下操作步骤 : 0067 (1) 先将玻璃基底进行光刻处理, 然后剪裁成 22cm2的正方形尺寸, 然后依次用 洗洁精, 去离子水, 丙酮, 乙醇, 异丙醇各超声 15min, 去除玻璃表面的有机污染物, 清洗干净 后风干 ; 0068 (2) 在玻璃基底出光面上依次蒸镀制备酞菁类化合物层、 导电金属单质层和掺杂 层, 其中, 酞菁类化合物层的材质为 ZnPc, 蒸镀压强为 310-3Pa, 蒸镀速率为 0。
32、.5nm/s, 蒸镀 厚度为 2nm ; 0069 金属单质层的材质为 Al, 蒸镀压强为 310-3Pa, 蒸镀速率为 6nm/s, 蒸镀厚度为 20nm ; 0070 掺杂层材质为 TAPC 和 CdS 按质量比为 0.1:1 的比例形成的混合材料 (表示为 TAPC:CdS) , 蒸镀压强为 310-3Pa, 蒸镀速率为 0.5nm/s, 蒸镀厚度为 30nm。实施例 3 0071 一种复合阳极的制备方法, 包括以下操作步骤 : 0072 (1) 先将玻璃基底进行光刻处理, 然后剪裁成 22cm2的正方形尺寸, 然后依次用 洗洁精, 去离子水, 丙酮, 乙醇, 异丙醇各超声 15min,。
33、 去除玻璃表面的有机污染物, 清洗干净 后风干 ; 0073 (2) 在玻璃基底出光面上依次蒸镀制备酞菁类化合物层、 导电金属单质层和掺杂 层, 其中, 酞菁类化合物层的材质为 VPc, 蒸镀压强为 110-3Pa, 蒸镀速率为 1nm/s, 蒸镀厚 度为 20nm ; 0074 金属单质层的材质为 Pt, 蒸镀压强为 110-3Pa, 蒸镀速率为 10nm/s, 蒸镀厚度为 2nm ; 0075 掺杂层材质为TCTA和MgS以质量比为0.3:1形成的混合材料(表示为TCTA:MgS), 蒸镀压强为 110-3Pa, 蒸镀速率为 1nm/s, 蒸镀厚度为 2nm。 0076 实施例 4 007。
34、7 一种复合阳极的制备方法, 包括以下操作步骤 : 0078 (1) 先将玻璃基底进行光刻处理, 然后剪裁成 22cm2的正方形尺寸, 然后依次用 洗洁精, 去离子水, 丙酮, 乙醇, 异丙醇各超声 15min, 去除玻璃表面的有机污染物, 清洗干净 后风干 ; 0079 (2) 在玻璃基底出光面上依次蒸镀制备酞菁类化合物层、 金属单质层和掺杂层, 其 中, 酞菁类化合物层的材质为 CuPc, 蒸镀压强为 510-4Pa, 蒸镀速率为 5nm/s, 蒸镀厚度为 10nm ; 说 明 书 CN 104051665 A 8 6/8 页 9 0080 金属单质层的材质为 Au, 蒸镀压强为 510-。
35、4Pa, 蒸镀速率为 5nm/s, 蒸镀厚度为 15nm ; 0081 掺 杂 层 材 质 为 TAPC 和 ZnS 按 质 量 比 为 0.25:1 形 成 的 混 合 材 料 (表 示 为 TAPC:ZnS) , 蒸镀压强为 510-4Pa, 蒸镀速率为 0.4nm/s, 蒸镀厚度为 20nm。 0082 实施例 5 0083 一种有机电致发光器件, 包括依次层叠复合阳极、 空穴注入层、 空穴传输层、 发光 层、 电子传输层、 电子注入层和阴极, 复合阳极为本发明实施例 1 制备的阳极。 0084 具体制备过程中, 在复合阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、 空穴传输层、 发光层、 电子传输层、。
36、 电子注入层和阴极, 得到有机电致发光器件, 其中, 0085 空穴注入层材质为 MoO3, 蒸镀时采用的压强为 210-4Pa, 蒸镀速率为 1nm/s, 蒸镀 厚度为 30nm ; 0086 空穴传输层材质为 NPB, 蒸镀时采用的压强为 210-4Pa, 蒸镀速率为 0.1nm/s, 蒸 镀厚度为 45nm ; 0087 发光层材质为 BCzVBi, 蒸镀时采用的压强为 210-4Pa, 蒸镀速率为 0.1nm/s, 蒸镀 厚度为 30nm ; 0088 电子传输层的材质为 TPBI, 蒸镀时采用的压强为 210-4Pa, 蒸镀速率为 0.1nm/s, 蒸镀厚度为 45nm ; 0089。
37、 电子注入层的材质为 Cs2CO3, 蒸镀时采用的压强为 210-4Pa, 蒸镀速率为 0.1nm/ s, 蒸镀厚度为 1nm ; 0090 阴极的材质为 Al, 蒸镀时采用的压强为 210-4Pa, 蒸镀速率为 1nm/s, 蒸镀厚度为 100nm。 0091 图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图, 如图1所示, 本实施例制 备的有机电致发光器件, 包括依次层叠的复合阳极 1、 空穴注入层 2、 空穴传输层 3、 发光层 4、 电子传输层5、 电子注入层6和阴极7, 复合阳极1包括依次层叠的玻璃基底11、 酞菁类化 合物层 12、 导电金属单质层 13 和掺杂层 14。具体结构表。
38、示为 : 0092 玻璃基底 /CuPc-Ag-NPB:ZnS/MoO3/NPB/BCzVBi/TPBI/Cs2CO3/Al。 0093 实施例 6 0094 一种有机电致发光器件, 包括依次层叠复合阳极、 空穴注入层、 空穴传输层、 发光 层、 电子传输层、 电子注入层和阴极, 复合阳极为本发明实施例 2 制备的阳极。 0095 具体制备过程中, 在复合阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、 空穴传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层和阴极, 得到有机电致发光器件, 其中, 0096 空穴注入层材质为 WO3, 蒸镀时采用的压强为 310-3Pa, 蒸镀速率为 6nm/s, 蒸镀 厚度为 20。
39、nm ; 0097 空穴传输层材质为 TCTA, 蒸镀时采用的压强为 310-3Pa, 蒸镀速率为 0.5nm/s, 蒸 镀厚度为 60nm ; 0098 发光层材质为 Alq3, 蒸镀时采用的压强为 310-3Pa, 蒸镀速率为 0.5nm/s, 蒸镀厚 度为 40nm ; 0099 电子传输层的材质为 TPBI, 蒸镀时采用的压强为 310-3Pa, 蒸镀速率为 0.5nm/s, 蒸镀厚度为 75nm ; 说 明 书 CN 104051665 A 9 7/8 页 10 0100 电子注入层的材质为 LiF, 蒸镀时采用的压强为 310-3Pa, 蒸镀速率为 0.5nm/s, 蒸镀厚度为 0。
40、.5nm ; 0101 阴极的材质为 Pt, 蒸镀时采用的压强为 310-3Pa, 蒸镀速率为 6nm/s, 蒸镀厚度为 80nm。 0102 本实施例制备的有机电致发光器件, 包括依次层叠的复合阳极、 空穴注入层、 空穴 传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层和阴极, 复合阳极包括依次层叠的玻璃基底、 酞菁 类化合物层、 金属单质层和掺杂层。具体结构表示为 : 0103 玻璃基底 /ZnPc-Al-TAPC:CdS/WO3/TCTA/Alq3/TPBI/LiF/Pt。 0104 实施例 7 0105 一种有机电致发光器件, 包括依次层叠复合阳极、 空穴注入层、 空穴传输层、 发光 层、。
41、 电子传输层、 电子注入层和阴极, 复合阳极为本发明实施例 3 制备的阳极。 0106 具体制备过程中, 在复合阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、 空穴传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层和阴极, 得到有机电致发光器件, 其中, 0107 空穴注入层材质为V2O5, 蒸镀时采用的压强为110-3Pa, 蒸镀速率为10nm/s, 蒸镀 厚度为 80nm ; 0108 空穴传输层材质为 NPB, 蒸镀时采用的压强为 110-3Pa, 蒸镀速率为 1nm/s, 蒸镀 厚度为 55nm ; 0109 发光层材质为 DCJTB, 蒸镀时采用的压强为 110-3Pa, 蒸镀速率为 1nm/s, 蒸镀厚。
42、 度为 5nm ; 0110 电子传输层的材质为 Bphen, 蒸镀时采用的压强为 110-3Pa, 蒸镀速率为 1nm/s, 蒸镀厚度为 60nm ; 0111 电子注入层的材质为 CsF, 蒸镀时采用的压强为 110-3Pa, 蒸镀速率为 1nm/s, 蒸 镀厚度为 10nm ; 0112 阴极的材质为 Au, 蒸镀时采用的压强为 110-3Pa, 蒸镀速率为 10nm/s, 蒸镀厚度 为 100nm。 0113 本实施例制备的有机电致发光器件, 包括依次层叠的复合阳极、 空穴注入层、 空穴 传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层和阴极, 复合阳极包括依次层叠的玻璃基底、 酞菁 类化。
43、合物层、 金属单质层和掺杂层。具体结构表示为 : 0114 玻璃基底 /VPc-Pt-TCTA:MgS/V2O5/NPB/DCJTB/Bphen/CsF/Au。 0115 实施例 8 0116 一种有机电致发光器件, 包括依次层叠的复合阳极、 空穴注入层、 空穴传输层、 发 光层、 电子传输层、 电子注入层和阴极, 所述复合阳极为本发明实施例 4 制备的阳极。 0117 具体制备过程中, 在复合阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、 空穴传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层和阴极, 得到有机电致发光器件, 其中, 0118 空穴注入层材质为 MoO3, 蒸镀时采用的压强为 510-4Pa, 蒸。
44、镀速率为 5nm/s, 蒸镀 厚度为 40nm ; 0119 空穴传输层材质为 TCTA, 蒸镀时采用的压强为 510-4Pa, 蒸镀速率为 0.4nm/s, 蒸 镀厚度为 60nm ; 0120 发光层材质为 ADN, 蒸镀时采用的压强为 510-4Pa, 蒸镀速率为 0.4nm/s, 蒸镀厚 说 明 书 CN 104051665 A 10 8/8 页 11 度为 8nm ; 0121 电子传输层的材质为 TAZ, 蒸镀时采用的压强为 510-4Pa, 蒸镀速率为 0.4nm/s, 蒸镀厚度为 35nm ; 0122 电子注入层的材质为 CsN3, 蒸镀时采用的压强为 510-4Pa, 蒸镀。
45、速率为 0.4nm/s, 蒸镀厚度为 2nm ; 0123 阴极的材质为 Ag, 蒸镀时采用的压强为 510-4Pa, 蒸镀速率为 5nm/s, 蒸镀厚度为 250nm。 0124 本实施例制备的有机电致发光器件, 包括依次层叠的复合阳极、 空穴注入层、 空穴 传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层和阴极, 复合阳极包括依次层叠的玻璃基底、 酞菁 类化合物层、 金属单质层和掺杂层。具体结构表示为 : 0125 玻璃基底 /CuPc-Au-TAPC:ZnS/MoO3/TCTA/ADN/TAZ/CsN3/Ag。 0126 对比实施例 0127 为体现为本发明的创造性, 本发明还设置了对比实施。
46、例, 对比实施例与实施例 5 的区别在于对比实施例中的阳极为铟锡氧化物玻璃 (ITO) , 厚度为 120nm。对比实施例有机 电致发光器件的具体结构为 : 玻璃基底 /ITO/MoO3/NPB/BCzVBi/TPBI/Cs2CO3/Al, 分别对应 玻璃基底、 阳极、 空穴注入层、 空穴传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层和阴极。 0128 效果实施例 0129 采用光纤光谱仪 (美国海洋光学 Ocean Optics 公司, 型号 : USB4000) , 电流 - 电压 测试仪 (美国 Keithly 公司, 型号 : 2400) 、 色度计 (日本柯尼卡美能达公司, 型号 : 。
47、CS-100A) 测试有机电致发光器件的流明效率随电流密度变化曲线, 以考察器件的发光效率, 测试对 象为实施例 5 与对比实施例有机电致发光器件。测试结果如图 2 所示。图 2 是本发明实施 例 5 与对比实施例有机电致发光器件的流明效率与电流密度的关系图。 0130 从图 2 可以看出, 在不同电流密度下, 实施例 5 的流明效率都比对比例的要大, 实 施例 5 的最大流明效率为 9.5lm/W, 而对比实施例的仅为 7.8lm/W, 而且对比实施例的流明 效率随着电流密度的增大而快速下降, 这说明, 本发明制备的复合阳极有效提高光的散射 作用, 提高了阳极的导电性, 并且增强器件的空穴注入能力和传输能力, 提高了器件的出光 效率。 0131 以上所述是本发明的优选实施方式, 应当指出, 对于本技术领域的普通技术人员 来说, 在不脱离本发明原理的前提下, 还可以做出若干改进和润饰, 这些改进和润饰也视为 本发明的保护范围。 说 明 书 CN 104051665 A 11 1/2 页 12 图 1 说 明 书 附 图 CN 104051665 A 12 2/2 页 13 图 2 说 明 书 附 图 CN 104051665 A 13 。