复合基板及其制法.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 103999366 A (43)申请公布日 2014.08.20 CN 103999366 A (21)申请号 201380003307.0 (22)申请日 2013.11.11 2012-250070 2012.11.14 JP H03H 9/25(2006.01) H03H 3/08(2006.01) (71)申请人 日本碍子株式会社 地址 日本国爱知县名古屋市瑞穗区须田町 2 番 56 号 申请人 NGK 陶瓷设备株式会社 (72)发明人 堀裕二 多井知义 岩崎康范 山寺乔纮 服部良祐 铃木健吾 (74)专利代理机构 上海市华诚律师事务所 31210 代理人 李。

2、晓 (54) 发明名称 复合基板及其制法 (57) 摘要 本发明的复合基板是压电基板与支承基板介 由含 Ar 的非晶层接合而成的复合基板， 所述压电 基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板， 所述支承基 板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合 基板， 具有第 1 层、 第 2 层及第 3 层。其中， 第 1 层 比第 2 层及第 3 层含有更多的构成压电基板的元 素 （Ta 等） ， 第 3 层比第 1 层及第 2 层含有更多的 构成支承基板的元素 （Si） ， 第2层比第1层及第3 层含有更多的 Ar。 (30)优先权数据 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2014.03.31 (86)PC。

3、T国际申请的申请数据 PCT/JP2013/080398 2013.11.11 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2014/077212 JA 2014.05.22 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 7 页 附图 7 页 按照条约第 19 条修改的权利要求书 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书7页 附图7页 按照条约第19条修改的权利要求书1页 (10)申请公布号 CN 103999366 A CN 103999366 A 1/1 页 2 1. 一种复合基板， 是压电基板与支承基板介由含 Ar 的非晶层接合而成的复合。

4、基板， 所 述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板， 所述支承基板为硅的单晶基板， 所述非晶层从所述压电基板向着所述复合基板， 具有第 1 层、 第 2 层及第 3 层， 所述第 1 层比所述第 2 层及所述第 3 层含有更多的构成所述压电基板的元素， 所述第 3 层比所述 第 1 层及所述第 2 层含有更多的构成所述支承基板的元素， 所述第 2 层比所述第 1 层及所 述第 3 层含有更多的 Ar。 2. 根据权利要求 1 所述的复合基板， 其中， 所述非晶层的厚度为 4nm 12nm。 3.根据权利要求1或2所述的复合基板， 其中， 所述第3层的厚度比所述第1层及所述 第 2 层厚。 4. 。

5、根据权利要求 1 3 任意一项所述的复合基板， 其中， Fe 的含有率在检测限以下。 5. 一种复合基板的制法， 包括 ： （a） 准备钽酸锂或铌酸锂的单晶基板即压电基板、 硅的单晶基板即支承基板的工序， （b） 在真空中向所述压电基板的接合面及所述支承基板的接合面照射 Ar 中性原子束 的工序， （c） 冷却所述压电基板及所述支承基板的工序， （d） 令所述压电基板的束照射面与所述支承基板的束照射面接触， 加压而接合两基板 的工序， （e） 接合后， 将所述压电基板研磨加工至规定厚度， 然后以超过 200的温度进行退火 的工序。 6. 根据权利要求 5 所述的复合基板的制法， 其中， 所述工。

6、序 （e） 中， 在接合后研磨加工 前， 以 80以上的温度进行退火。 权 利 要 求 书 CN 103999366 A 2 1/7 页 3 复合基板及其制法 技术领域 0001 本发明关于复合基板及其制法。 背景技术 0002 弹性表面波元件 （SAW 元件） 被广泛用作手机等通信机器中的带通滤波器。此种 SAW 元件， 使用例如， 钽酸锂 （LT） 和铌酸锂 （LN） 等的压电基板与蓝宝石和硅等的支承基板 相接合而成的复合基板而制作。LT 和 LN 等的压电基板， 由于机电耦合系数大， 因此对实现 宽带的滤波器特性是有利的， 但存在温度稳定性差的缺点。 另一方面， 蓝宝石和硅等的支承 基板。

7、， 虽然温度稳定性良好， 但存在机电耦合系数小的缺点。 对此， 将两者接合的复合基板， 具有较大的机电耦合系数和良好的温度稳定性的优点。 0003 专利文献 1 中， 作为此种复合基板， 公开了通过惰性气体或氧离子束、 中和束或等 离子体令压电基板与支承基板的接合面活性化后， 将两基板在常温下或 100以下的加热 处理下接合而成的复合基板。此外也公开有， 接合后， 通过实施 200以下的较低温的退 火处理， 令两基板间的接合强度进一步提升。另外还公开有， 通过 Ar 原子的照射束令两基 板的接合面活性化后将两基板的接合面相互贴合的话， 则形成基板间具有非晶层的复合基 板。此种基板间具有非晶层的。

8、复合基板， 在专利文献 2 中也有公开。 现有技术文献 专利文献 0004 【专利文献 1】 日本专利特开 2004-343359 号公报 【专利文献 2】 日本专利特开 2005-252550 号公报 发明内容 0005 但是， 上述的专利文献 1、 2 的复合基板中， 非晶层仅由 1 层形成或最多由 2 层形 成， 因此存在两基板间的接合强度不充分的问题。 0006 本发明为解决此种课题而作， 主要目的是充分提高压电基板与支承基板相接合而 成的复合基板中的两基板间的接合强度。 0007 本发明的复合基板， 是压电基板与支承基板介由含 Ar 的非晶层接合而成的复合基板， 所述压电基板为钽 酸。

9、锂或铌酸锂的单晶基板， 所述支承基板为硅的单晶基板， 所述非晶层从所述压电基板向着所述复合基板， 具有第 1 层、 第 2 层及第 3 层， 所述第 1 层比所述第 2 层及所述第 3 层含有更多的构成所述压电基板的元素， 所述第 3 层比所述 第 1 层及所述第 2 层含有更多的构成所述支承基板的元素， 所述第 2 层比所述第 1 层及所 述第 3 层含有更多的 Ar。 0008 根据该复合基板， 较之于例如， 含有Ar的非晶层由2层构成的情况， 可以充分提高 两基板间的接合强度。其原因目前尚不确定， 但可认为是含有 Ar 的非晶层的 3 层结构对接 合强度有帮助。 说 明 书 CN 103。

10、999366 A 3 2/7 页 4 0009 本发明的复合基板中， 所述非晶层的厚度优选为4nm12nm。 这样的话， 可以确保 400以上的耐热性。此时， 非晶层所含的 Ar 优选为 3atm% 14atm%。 0010 本发明的复合基板中， 优选所述第3层比所述第1层及所述第2层的厚度厚。 实际 制作的复合基板为第 3 层比第 1 层及第 2 层厚的结构， 被认为有助于接合强度的提升。此 时， 第 3 层也可以厚于第 1 层厚度与第 2 层厚度之和。 0011 本发明的复合基板， 优选Fe的含有率在检测限以下 （不足0.1atm%） 。 Fe混入的话， 有时会对使用复合基板制作的 SAW。

11、 元件等设备产生坏的影响， 因此不理想。例如， Fe 混入 的话， 有时电场会泄漏， 能量会扩散。 0012 本发明的复合基板中， 作为压电基板， 使用钽酸锂或铌酸锂的单晶基板。此外， 压 电基板的大小并无特别限定， 例如， 直径为 50mm 150mm， 厚度为 10m 50m。作为支 承基板， 使用硅的单晶基板。此外， 支承基板的大小并无特别限定， 例如， 直径为 50mm 150mm， 厚度为 100m 500m。非晶层优选从压电基板向着复合基板， 具有第 1 层、 第 2 层及第 3 层。第 1 第 3 层均含有 Ar。第 1 层比第 2 层及第 3 层含有更多的构成压电基 板的元素 。

12、（Ta、 Nb 等） ， 第 3 层比第 1 层及第 2 层含有更多的构成支承基板的元素 （Si） ， 第 2 层比第 1 层及第 3 层含有更多的 Ar。 0013 本发明的复合基板的制法， 包括 ： （a） 准备钽酸锂或铌酸锂的单晶基板即压电基板、 硅的单晶基板即支承基板的工序， （b） 在真空中向所述压电基板的接合面及所述支承基板的接合面照射 Ar 中性原子束 的工序， （c） 冷却所述压电基板及所述支承基板的工序， （d） 令所述压电基板的束照射面与所述支承基板的束照射面接触， 加压而接合两基板 的工序， （e） 接合后， 将所述压电基板研磨加工至规定厚度， 然后以超过 200的温度进。

13、行退火 的工序。 0014 根据该复合基板的制法， 可以比较容易地制作上述的本发明的复合基板。 0015 工序 （a） 中， 作为压电基板， 准备例如， 36旋转 Y 切割 X 传播 LT 基板， 42旋转 Y 切割 X 传播 LT 基板， X 切割 112.2旋转 Y 传播 LT 基板， 127.86旋转 Y 切割 X 传播 LN 基板， Y 切割 Z 传播 LN 基板， 64旋转 Y 切割 X 传播 LN 基板等。此外， 作为支承基板， 准备 例如， 通过提拉法或浮区法制作的单晶 Si 基板。 0016 工序 （b） 中， 使用 Ar 中性原子束。使用 Ar 离子束的话， 存在真空腔的材料。

14、 （例如 Fe 和 Cr 等） 混入接合面、 非晶层无法成为 3 层结构的担忧， 因此不理想。 0017 工序 （c） 中， 冷却压电基板及支承基板。不冷却而接合时， 由于两基板是在热膨 胀差较大的状态下接合， 因此接合后容易剥离。优选将压电基板及支承基板冷却到 20 50， 更优选冷却到 20 30。 0018 工序 （d） 中， 令压电基板的束照射面与支承基板的束照射面接触， 加压而使两基板 接合。加压时的压力， 考虑基板的大小等适当设定即可。 0019 工序 （e）中， 将压电基板研磨加工至规定厚度 （例如 10 50m） ， 然后以超过 200的温度进行退火。这样可以降低热应力的发生。。

15、此外， 两基板的接合强度也会提升。 退火温度优选为 240 280， 更优选 250 270。该工序 （e） 中， 优选在接合后研磨加 说 明 书 CN 103999366 A 4 3/7 页 5 工前， 以 80以上的温度 （优选 80 110的温度） 进行退火。这样的话， 接合强度进一步 提升。 附图说明 0020 【图 1】 实施例 1 的复合基板的 TEM 的截面照片。 【图 2】 构成实施例 1 的复合基板的 LT 基板的 EDX 的图表。 【图 3】 构成实施例 1 的复合基板的非晶层第 1 层的 EDX 的图表。 【图 4】 构成实施例 1 的复合基板的非晶层第 2 层的 EDX。

16、 的图表。 【图 5】 构成实施例 1 的复合基板的非晶层第 3 层的 EDX 的图表。 【图 6】 构成实施例 1 的复合基板的 Si 基板的 EDX 的图表。 【图 7】 比较例 1 的复合基板的 TEM 的截面照片。 【图 8】 构成比较例 1 的复合基板的 LT 基板的 EDX 的图表。 【图 9】 构成比较例 1 的复合基板的非晶层第 1 层的 EDX 的图表。 【图 10】 构成比较例 1 的复合基板的非晶层第 2 层的 EDX 的图表。 【图 11】 构成比较例 1 的复合基板的 Si 基板的 EDX 的图表。 【图 12】 裂纹张开法的说明图。 具体实施方式 【实施例】 002。

17、1 实施例 1 准备两面为镜面的厚度230m的LT基板、 和两面为镜面的厚度250m的Si基板。 作 为 LT 基板， 使用以弹性表面波的传播方向的 X 轴为中心、 从 Y 轴向 Z 轴旋转 42的 42旋 转Y切割X传播LT基板 （42Y-X LT） 。 将各个基板的接合面洗净去除表面脏污后， 导入真 空腔。在 10-6Pa 左右的真空中， 向各个基板的接合面照射 70sec 的高速 Ar 中性原子束 （加 速电压 1kV， Ar 流量 60sccm） 。照射后， 直接放置 10 分钟， 将各基板冷却到 26 28。然 后令 LT 基板的束照射面与 Si 基板的束照射面接触后， 以 4.90。

18、kN 加压 2 分钟， 接合两基板。 接合后， 将 LT 基板研磨加工至厚度为 30m， 然后以 260进行退火， 得到复合基板。 0022 切断该复合基板， 用 TEM（透射电子显微镜） 观察截面。其结果如图 1 所示。图 1 中非晶层的厚度为 7nm。非晶层从 LT 基板向着 Si 基板， 具有第 1 层、 第 2 层、 第 3 层。此 外， 第 3 层比第 1 层及第 2 层厚。对于 LT 基板、 构成非晶层的第 1 第 3 层及 Si 基板， 以 EDX 进行组成分析、 元素分析。组成分析的结果如图 2 图 6 所示。图 2 图 6 中，“点 n” （n 为 1 5 的整数） 表示图 。

19、1 的 “*n” 的位置。在这点上后述的表 1 也相同。从组成分析 的结果可明确， 第 1 第 3 层均检出了 Ar。另外， 图 2 图 6 中的 Mo 的峰值来自于试样架。 此外， 元素分析的结果如表 1 所示。从表 1 可以明确， Ar 原子在第 1 层中含有 5atm%， 第 2 层中含有 9atm%， 第 3 层中含有 3atm%。此外， Fe 原子均未检出。另外， 非晶层整体中含有 8atm% 的 Ar 原子。此外， 将从复合基板切下的 2mm 见方的小片在热板上加热。从室温开始 徐徐加热， 加热至超过300， 也没有发现裂纹、 剥落等破损。 由于热板难以再加热至更高的 温度， 因此。

20、将小片投入急速退火炉内急速加热至 400。从炉中取出时， 没有发现小片有任 何破损。 说 明 书 CN 103999366 A 5 4/7 页 6 0023 【表 1】 0024 实施例 2 除了照射 15sec 的高速 Ar 中性原子束以外， 与实施例 1 同样地制作复合基板， 将其部 分切断， 用 TEM 观察截面。其结果是， 非晶层的厚度为约 2.5nm。非晶层从 LT 基板向着 Si 基板， 具有第 1 层、 第 2 层、 第 3 层。第 3 层比第 1 层和第 2 层厚。对于 LT 基板、 构成非晶 层的第 1 第 3 层及 Si 基板， 以 EDX 进行组成分析、 元素分析。组成分。

21、析的结果是， 第 1 第 3 层均检出了 Ar。此外， 元素分析的结果是， Ar 原子在第 1 层中含有 1atm%， 第 2 层中含 有 3atm%， 第 3 层中含有 0.4atm%。此外， Fe 原子均未检出。另外， 非晶层整体中含有 2atm% 的 Ar 原子。第 1 层比第 2 层及第 3 层含有更多的构成压电基板的元素 （Ta） ， 第 3 层比第 1 层及第 2 层含有更多的构成支承基板的元素 （Si） 。此外， 与实施例 1 同样地将 2mm 见方的 小片在热板上徐徐加热， 300后不久 LT 基板剥离。 0025 实施例 3 除了照射 600sec 的高速 Ar 中性原子束以。

22、外， 与实施例 1 同样地制作复合基板， 将其部 分切断， 用 TEM 观察截面。其结果是， 非晶层的厚度为约 15nm。非晶层从 LT 基板向着 Si 基 板， 具有第 1 层、 第 2 层、 第 3 层。第 3 层比第 1 层和第 2 层厚。对于 LT 基板、 构成非晶层 的第 1 第 3 层及 Si 基板， 以 EDX 进行组成分析、 元素分析。组成分析的结果是， 第 1 第 3 层均检出了 Ar。此外， 元素分析的结果是， Ar 原子在第 1 层中含有 15atm%， 第 2 层中含有 21atm%， 第 3 层中含有 13atm%。此外， Fe 原子均未检出。另外， 非晶层整体中含有。

23、 18atm% 的 Ar 原子。第 1 层比第 2 层及第 3 层含有更多的构成压电基板的元素 （Ta） ， 第 3 层比第 1 层及第 2 层含有更多的构成支承基板的元素 （Si） 。此外， 与实施例 1 同样地将 2mm 见方的 小片在热板上加热， 300后不久 LT 基板剥离。 0026 实施例 4 除了照射 25sec 的高速 Ar 中性原子束以外， 与实施例 1 同样地制作复合基板， 将其部 分切断， 用 TEM 观察截面。其结果是， 非晶层的厚度为约 4nm。非晶层从 LT 基板向着 Si 基 板， 具有第 1 层、 第 2 层、 第 3 层。第 3 层比第 1 层和第 2 层厚。。

24、对于 LT 基板、 构成非晶层 的第 1 第 3 层及 Si 基板， 以 EDX 进行组成分析、 元素分析。组成分析的结果是， 第 1 第 3 层均检出了 Ar。此外， 元素分析的结果是， Ar 原子， 在第 1 层中含有 2.2atm%， 第 2 层中 含有 4.9atm%， 第 3 层中含有 1.0atm%。此外， Fe 原子均未检出。另外， 非晶层整体中含有 4.0atm% 的 Ar 原子。第 1 层比第 2 层及第 3 层含有更多的构成压电基板的元素 （Ta） ， 第 3 说 明 书 CN 103999366 A 6 5/7 页 7 层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素 （S。

25、i） 。 此外， 与实施例1同样地将2mm 见方的小片在热板上加热， 400后不久 LT 基板剥离。 0027 实施例 5 除了照射 265sec 的高速 Ar 中性原子束以外， 与实施例 1 同样地制作复合基板， 将其 部分切断， 用 TEM 观察截面。其结果是， 非晶层的厚度为约 12nm。非晶层从 LT 基板向着 Si 基板， 具有第 1 层、 第 2 层、 第 3 层。第 3 层比第 1 层和第 2 层厚。对于 LT 基板、 构成非晶 层的第 1 第 3 层及 Si 基板， 以 EDX 进行组成分析、 元素分析。组成分析的结果是， 第 1 第 3 层均检出了 Ar。此外， 元素分析的结。

26、果是， Ar 原子在第 1 层中含有 10.8atm%， 第 2 层 中含有 16.3atm%， 第 3 层中含有 8.4atm%。此外， Fe 原子均未检出。另外， 非晶层整体中含 有 14.3atm% 的 Ar 原子。第 1 层比第 2 层及第 3 层含有更多的构成压电基板的元素 （Ta） ， 第 3 层比第 1 层及第 2 层含有更多的构成支承基板的元素 （Si） 。此外， 与实施例 1 同样地 将 2mm 见方的小片在热板上加热， 400后不久 LT 基板剥离。 0028 实施例 6 除了用 LN 基板代替 LT 基板以外， 与实施例 1 同样地制作复合基板， 将其部分切断， 用 TE。

27、M 观察截面。其结果是， 非晶层的厚度为约 5nm。非晶层从 LN 基板向着 Si 基板， 具有第 1 层、 第 2 层、 第 3 层。第 3 层比第 1 层和第 2 层厚。对于 LN 基板、 构成非晶层的第 1 第 3 层及 Si 基板， 以 EDX 进行组成分析、 元素分析。组成分析的结果是， 第 1 第 3 层均检出 了 Ar。此外， 元素分析的结果是， Ar 原子在第 1 层中含有 3.1atm%， 第 2 层中含有 6.3atm%， 第 3 层中含有 1.6atm%。此外， Fe 原子均未检出。另外， 非晶层整体中含有 5.4atm% 的 Ar 原子。第 1 层比第 2 层及第 3 。

28、层含有更多的构成压电基板的元素 （Nb） ， 第 3 层比第 1 层及 第 2 层含有更多的构成支承基板的元素 （Si） 。此外， 与实施例 1 同样地将 2mm 见方的小片 在热板上加热， 400后不久 LN 基板剥离。 0029 另外， 对 Ar 中性原子束的照射时间进行种种变更， 制作复合基板， 从制作的复合 基板切下2mm见方的小片， 在热板上加热可知， 为了确保300以上的耐热性， 使非晶层为3 层是有效的， 另外， 厚度为 4nm 12nm 的话耐热性提升。另外， 具有 300以上的耐热性是 实用规格， 其意义重大。此时的非晶层整体中的 Ar 量为 3atm% 14atm%。此外，。

29、 任一复合 基板的非晶层， 均为从 LT 基板向着 Si 基板具有第 1 层、 第 2 层、 第 3 层， 第 3 层比第 1 层和 第 2 层厚。此外， Ar 原子的 atm%， 第 2 层比第 1 层和第 3 层高。另外， 使用 Ar 离子束代替 Ar 中性原子束时， 来自真空腔的 Fe 在非晶层中混入了 30atm% 以上。此外， 非晶层分 2 层形 成。 0030 比较例 1 获取 LT 基板与 Si 基板介由 2 层的非晶层接合而成的复合基板， 与实施例 1 同样地将 其部分切断， 用 TEM 观察截面。其结果如图 7 所示。图 7 中非晶层的厚度为 5nm。非晶层 从 LT 基板向。

30、着 Si 基板， 具有第 1 层、 第 2 层。对于 LT 基板、 构成非晶层的第 1 层、 第 2 层 及 Si 基板， 以 EDX 进行组成分析、 元素分析。组成分析的结果如图 8 图 11 所示。如组成 分析的结果所明确的， 第 1 层、 第 2 层均检出了 Ar。此外， 元素分析的结果如表 2 所示。如 表 2 所明确， Ar 原子在第 1 层中含有 1atm%， 第 2 层中含有 3atm%。此外， Fe 原子均未检出。 另外， 非晶层整体中含有 2atm% 的 Ar 原子。此外， 将从该复合基板切下的 2mm 见方的小片 在热板上加热， 280下 LT 基板剥离。 说 明 书 CN。

31、 103999366 A 7 6/7 页 8 0031 【表 2】 0032 接合强度的评价 评价实施例 1 6 及比较例 1 中， 压电基板与支承基板接合而成的贴合基板 （研磨加工 前的） 的接合强度。接合强度根据以下所示裂纹张开法 （参照图 12） 评价。在贴合基板的 压电基板与支承基板的接合界面， 插入厚度 （tb） 为 100m 的刀片， 令两基板的外周部机械 剥离。测定从刀片尖端至最远剥离处为止的距离 （L） ， 使用下式算出表面能 （） ， 以此作为 接合强度。此外， 将实施例 1 中的研磨加工前的贴合基板进行 80、 72 小时加热 （退火） ， 以 此作为实施例 7 的贴合基板。

32、。该实施例 7 的贴合基板的接合强度也用相同的方法评价。另 外， 对于 1 个贴合基板， 在多处测定接合强度。其结果如表 3 所示。如表 3 明确可知， 实施 例 1 6 较之于比较例 1 的接合强度高， 特别是实施例 1、 4 6 的接合强度高。此外可知， 实施例 7 的接合强度比实施例 1 更高。 0033 【化 1】 0034 ： 表面能 L ： 从刀片尖端至最远剥离处为止的距离 tw1： 压电基板的厚度 tw2： 支承基板的厚度 E1： 压电基板的杨氏模量 E2： 支承基板的杨氏模量 tb： 刀片的厚度 0035 【表 3】 贴合基板接合强度 （J/m2） 实施例 10.9 以上、 不。

33、足 1.5 实施例 20.5 以上、 不足 0.9 实施例 30.5 以上、 不足 0.9 说 明 书 CN 103999366 A 8 7/7 页 9 实施例 40.9 以上、 不足 1.5 实施例 50.9 以上、 不足 1.5 实施例 60.9 以上、 不足 1.5 实施例 71.5 以上 比较例 1不足 0.5 0036 本申请以 2012 年 11 月 14 日申请的日本国专利申请第 2012-250070 号为优先权 主张的基础， 通过引用， 其内容全部包含于本说明书。 工业可利用性 0037 本发明可利用于 SAW 元件等弹性波设备。 说 明 书 CN 103999366 A 9。

34、 1/7 页 10 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 103999366 A 10 2/7 页 11 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 103999366 A 11 3/7 页 12 图 5 图 6 说 明 书 附 图 CN 103999366 A 12 4/7 页 13 图 7 说 明 书 附 图 CN 103999366 A 13 5/7 页 14 图 8 图 9 说 明 书 附 图 CN 103999366 A 14 6/7 页 15 图 10 图 11 说 明 书 附 图 CN 103999366 A 15 7/7 页 16 图 12 说 明 书 附 图 CN 1039。

35、99366 A 16 1/1 页 17 1.（修改） 一种复合基板， 是压电基板与支承基板介由含 Ar 的非晶层接合而成的复合 基板， 所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板， 所述支承基板为硅的单晶基板， 所述非晶层从所述压电基板向着所述支承基板， 具有第 1 层、 第 2 层及第 3 层， 所述第 1 层比所述第 2 层及所述第 3 层含有更多的构成所述压电基板的元素， 所述第 3 层比所述 第 1 层及所述第 2 层含有更多的构成所述支承基板的元素， 所述第 2 层比所述第 1 层及所 述第 3 层含有更多的 Ar。 2. 根据权利要求 1 所述的复合基板， 其中， 所述非晶层的厚度为 4nm 12nm。 3.根据权利要求1或2所述的复合基板， 其中， 所述第3层的厚度比所述第1层及所述 第 2 层厚。 4.（修改）根据权利要求 1 3 任意一项所述的复合基板， 其中， Fe 的含有率不足 0.1atm%。 5.（删除） 6.（删除） 按照条约第19条修改的权利要求书 CN 103999366 A 17 。