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1、(10)申请公布号 CN 103943744 A (43)申请公布日 2014.07.23 CN 103943744 A (21)申请号 201310023352.4 (22)申请日 2013.01.23 H01L 33/14(2010.01) H01L 33/00(2010.01) (71)申请人 同方光电科技有限公司 地址 100083 北京市海淀区清华同方科技广 场 A 座 29 层 申请人 同方股份有限公司 (72)发明人 赖鸿章 (54) 发明名称 一种能提高 LED 光效的芯片加工方法 (57) 摘要 一种能提高 LED 光效的芯片加工方法， 涉及 光电技术领域。本发明芯片加工方法。
2、步骤为 ： 在器件上表面进行激光划片至衬底与外延片界 面附近， 形成沟槽 ； 采用高温酸液对沟槽进行 腐蚀， 获得期望的形貌 ； 采用隐形切割工艺在 器件内部正对沟槽的位置形成内划痕 ； 以内划 痕的位置进行裂片， 分为各独立的发光二级管芯 片。 同现有技术相比， 本发明方法同时采用高温侧 壁腐蚀工艺与隐形切割工艺， 能更大程度的提高 LED 芯片的亮度。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (10)申请公布号 CN 103943744 A CN 103943。
3、744 A 1/1 页 2 1. 一种能提高 LED 光效的芯片加工方法， 它包括衬底 （1） 和生长在衬底 （1） 上的外延 片 （2） ， 其方法步骤为 ： 在器件上表面进行激光划片至衬底 （1） 与外延片 （2） 界面附近， 形成沟槽 （3） ； 采用高温酸液对沟槽 （3） 进行腐蚀， 获得期望的形貌 ； 采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽 （3） 的位置形成内划痕 （4） ； 以内划痕 （4） 的位置进行裂片， 分为各独立的发光二级管芯片。 2. 根据权利要求 1 所述的能提高 LED 光效的芯片加工方法， 其特征在于， 所述沟槽 （3） 的深度在 5 至 20 微米之间。 3.根据权。
4、利要求1所述的能提高LED光效的芯片加工方法， 其特征在于， 所述高温酸液 腐蚀方法采用硫酸、 磷酸或者二者混合酸液在 100 摄氏度以上的温度下进行。 权 利 要 求 书 CN 103943744 A 2 1/2 页 3 一种能提高 LED 光效的芯片加工方法 技术领域 0001 本发明涉及光电技术领域， 特别是能提高 LED 光效的芯片加工方法。 背景技术 0002 近年， 随着蓝光 LED 的发展， LED 的应用领域迅速扩大， 背光， 照明等高端领域更是 被 LED 逐步渗透。但是， LED 的光效还不能满足应用的需求。各种提高光效的技术层出不 穷， 使得 LED 的光效逐年增加。 0。
5、003 目前， 电流阻挡层、 高温侧壁腐蚀、 隐形切割以及 ITO 等工艺逐渐成为 LED 的主流 工艺， 由此 LED 的光效也得到了大幅提升。其中高温侧壁腐蚀为正面激光划片， 划片深度一 般在 20 微米至 40 微米， 划片槽深入衬底材料， 然后再进行高温酸蚀， 后续利用此划片槽进 行裂片。 隐形切割工艺是将激光聚光于工件内部， 在工件内部形成改质层， 相对于表面激光 切割能够提高芯片亮度。但是， 在现有技术的 LED 生产中， 高温侧壁腐蚀工艺与隐形切割工 艺通常只采用其中的一种， 对提高光效效果不是很明显。 发明内容 0004 针对上述现有技术中的不足， 本发明的目的是提供一种能提高。
6、 LED 光效的芯片加 工方法。它同时采用高温侧壁腐蚀工艺与隐形切割工艺， 能更大程度的提高 LED 芯片的亮 度。 0005 为了达到上述发明目的， 本发明的技术方案以如下方式实现 ： 一种能提高 LED 光效的芯片加工方法， 它包括衬底和生长在衬底上的外延片。其方法 步骤为 ： 在器件上表面进行激光划片至衬底与外延片界面附近， 形成沟槽 ； 采用高温酸液对沟槽进行腐蚀， 获得期望的形貌 ； 采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽的位置形成内划痕 ； 以内划痕的位置进行裂片， 分为各独立的发光二级管芯片。 0006 在上述芯片加工方法中， 所述沟槽的深度在 5 至 20 微米之间。 0007 在。
7、上述芯片加工方法中， 所述高温酸液腐蚀方法采用硫酸、 磷酸或者二者混合酸 液在 100 摄氏度以上的温度下进行。 0008 本发明由于采用了上述方法， 将高温侧壁腐蚀与隐形切割相结合， 能更大程度的 提高 LED 芯片的亮度。 0009 下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。 附图说明 0010 图 1 至图 3 为本发明方法的步骤流程图。 具体实施方式 说 明 书 CN 103943744 A 3 2/2 页 4 0011 参看图 1 至图 3， 本发明方法使用的器件包括衬底 1 和生长在衬底 1 上的外延片 2， 其方法步骤为 ： 在器件上表面进行激光划片至衬底1与外延片2界面附。
8、近， 深度在5至20微米之间， 形成沟槽 3。 0012 采用高温酸液对沟槽 3 进行腐蚀， 获得期望的形貌 ； 高温酸液腐蚀方法采用硫 酸、 磷酸或者二者混合酸液在 100 摄氏度以上的温度下进行。 0013 采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽 3 的位置形成内划痕 4。 0014 以内划痕 4 的位置进行裂片， 分为各独立的发光二级管芯片。 0015 上述本发明方案中的外延片 2 可以是 GaN 外延片， 也可以是其他发光材料的外延 片。使用本发明方法划片前， 对外延片 2 表面可覆盖做其他介质层进行保护， 所述介质层可 以是 SiO2， Si3N4或者其他材料。本发明应用时， 划片深度可以至外延片 2 与衬底 1 界面附 近、 界面处、 未达界面处或者穿过界面直达衬底1。 本发明高温酸液腐蚀后， 沟槽3形成的形 貌可以是倒梯形、 与衬底 1 部分镂空形或者其他各种形貌。本发明方法中的隐形切割工艺 也可以换成其他方式的切割工艺， 如钻石划片、 普通激光划片等。 说 明 书 CN 103943744 A 4 1/1 页 5 图 1 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 103943744 A 5 。