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NORFLASH掉电保护方法及装置.pdf

  • 上传人：a1
  • 文档编号：4755323
  • 上传时间：2018-11-07
  • 格式：PDF
  • 页数：17
  • 大小：5.20MB
    • 摘要
    申请专利号：

    CN201310099627.2

    		 申请日：

    2013.03.26
    公开号：

    CN103176920A

    		 公开日：

    2013.06.26
    当前法律状态：

    驳回

    		 有效性：

    无权
    法律详情：

    发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G06F 12/16申请公布日:20130626|||实质审查的生效IPC(主分类):G06F 12/16申请日:20130326|||公开
    IPC分类号：

    G06F12/16

    		 主分类号：

    G06F12/16
    申请人：

    杭州华三通信技术有限公司
    发明人：

    李华生
    地址：

    310053 浙江省杭州市高新技术产业开发区之江科技工业园六和路310号华为杭州生产基地
    优先权：

    专利代理机构：

    北京德琦知识产权代理有限公司 11018

    		 代理人：

    谢安昆;宋志强
    PDF完整版下载： PDF下载
    内容摘要

    本申请公开了一种Nor flash掉电保护方法，包括：在针对Nor flash的类文件配置表FAT文件系统结构中增加写时备份区；进行写操作时，将待写入数据写到从写时备份区选择的备份物理块block上，记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到非易失性随机访问存储器Nvram；设备重启时，如果正在写入标记已置位，则禁止对flash进行写操作，从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引，拷贝所述备份block的数据到所述目标block。本申请还公开了一种Nor flash掉电保护装置。本申请可实现对flash文件系统的有效保护。

    权利要求书

    权利要求书
    1.   一种Nor flash掉电保护方法，其特征在于，包括以下步骤：
    在针对Nor flash的类文件配置表FAT文件系统结构中增加写时备份区；
    进行写操作时，将待写入数据写到从写时备份区选择的备份物理块block上，记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到非易失性随机访问存储器Nvram；
    设备重启时，如果正在写入标记已置位，则禁止对flash进行写操作，从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引，拷贝所述备份block的数据到所述目标block。

    2.   根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从写时备份区选择备份block的方法为：
    写时备份区的block数量记为N，N为正整数，其中按顺序第一个block的全局位置索引记为M，上一次使用的备份block的全局位置索引记为K，判断K+1是否小于M+N，如果是，从写时备份区选择全局位置索引为K+1的block作为备份block，否则，从写时备份区选择全局位置索引为M的block作为备份block。

    3.   根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述写操作是在已存储有数据的所述目标block上改写数据时，
    所述将待写入数据写到从写时备份区选择的备份block上，包括：将所述目标block上已存储的数据写入随机存储器Ram，在所述Ram中对所述数据进行改写，将所述Ram中改写后的数据写到所述备份block上；
    所述记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到Nvram之后，进一步包括：擦除所述目标block，将所述备份block上的数据写到所述目标block上。

    4.   根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述写操作是在内容为空的所述目标block上写入数据时，
    所述将待写入数据写到从写时备份区选择的备份block上，包括：将待写入数据写入随机存储器Ram，将所述Ram中的数据写到所述备份block上；
    所述记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到Nvram之后，进一步包括：将所述备份block上的数据写到所述目标block上。

    5.   根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述将所述备份block上的数据写到所述目标block上之后进一步包括：清除Nvram中的正在写入标记、以及所述目标block和备份block的全局位置索引，擦除所述备份block。

    6.   根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设备重启时，如果正在写入标记没有置位，则擦除写时备份区的所有数据。

    7.   根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引之后和拷贝所述备份block的数据到所述目标block之前，进一步包括：如果所述目标block没有被擦除，则擦除所述目标block；如果所述目标block已被擦除，则直接拷贝所述备份block的数据到所述目标block。

    8.   根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述拷贝所述备份block的数据到所述目标block之后进一步包括：
    清除Nvram中的正在写入标记、以及所述目标block和备份block的全局位置索引，擦除写时备份区的全部数据。

    9.   一种Nor flash掉电保护装置，其特征在于，所述装置包括：写时备份区添加模块、数据备份模块、标记存储模块、标记获取模块和数据恢复模块，其中：
    写时备份区添加模块，用于在针对Nor flash的类文件配置表FAT文件系统结构中增加写时备份区；
    数据备份模块，用于进行写操作时，将待写入数据写到从写时备份区选择的备份物理块block上；
    标记存储模块，用于在将待写入数据写到从写时备份区选择的备份block上之后，记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到非易失性随机访问存储器Nvram；
    标记获取模块，用于设备重启时，如果正在写入标记已置位，则禁止对flash进行写操作，从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引；
    数据恢复模块，用于在取出所述备份block和目标block的全局位置索引后，拷贝所述备份block的数据到所述目标block。

    10.   根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述数据备份模块在将待写入数据写到从写时备份区选择的备份block上时，所述从写时备份区选择备份block，包括：
    写时备份区的block数量记为N，N为正整数，其中按顺序第一个block的全局位置索引记为M，上一次使用的备份block的全局位置索引记为K，判断K+1是否小于M+N，如果是，从写时备份区选择全局位置索引为K+1的block作为备份block，否则，从写时备份区选择全局位置索引为M的block作为备份block。

    11.   根据权利要求9所述的装置，其特征在于，当所述写操作是在已存储有数据的所述目标block上改写数据时，
    所述数据备份模块，具体用于：将所述目标block上已存储的数据写入随机存储器Ram，在所述Ram中对所述数据进行改写，将所述Ram中改写后的数据写到所述备份block上；
    所述装置进一步包括：
    数据改写模块，用于在所述记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到Nvram之后，擦除所述目标block，将所述备份block上的数据写到所述目标block上。

    12.   根据权利要求9所述的装置，其特征在于，当所述写操作是在内容为空的所述目标block写入数据时，
    所述数据备份模块，具体用于：将待写入数据写入随机存储器Ram，将所述Ram中的数据写到所述备份block上；
    所述装置进一步包括：
    数据写入模块，用于在所述记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到Nvram之后，将所述备份block上的数据写到所述目标block上。

    13.   根据权利要求11或12所述的装置，其特征在于，所述数据恢复模块，还用于在将所述备份block上的数据写到所述目标block上之后，清除Nvram中的正在写入标记、以及所述目标block和备份block的全局位置索引，擦除所述备份block。

    14.   根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述标记获取模块，还用于在所述设备重启时，如果正在写入标记没有置位，则擦除写时备份区的所有数据；
    所述数据恢复模块，还用于在所述从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引之后和拷贝所述备份block的数据到所述目标block之前，如果所述目标block没有被擦除，则擦除所述目标block；如果所述目标block已被擦除，则直接拷贝所述备份block的数据到所述目标block；
    所述数据恢复模块，还用于在拷贝所述备份block的数据到所述目标block之后，清除Nvram中的正在写入标记、以及所述目标block和备份block的全局位置索引，擦除写时备份区的全部数据。

    说明书

    说明书Nor flash掉电保护方法及装置
    技术领域
    本申请涉及Nor flash处理技术领域，尤其涉及Nor flash掉电保护方法及装置。
    背景技术
    Nor Flash是采用或非电路作为存储载体的一种闪存介质，是嵌入式系统的主要存储媒介。这种类型的flash介质写入速度慢、读取速度快，位交换几率低，支持随机寻址和片内执行，多应用在存储可执行文件等访问次数少但可靠性要求高的场所。Nor Flash写入操作具有以下两个特点：
    1）在已存储有内容的物理块block上修改目标位置的内容时，只能把目标比特bit的1（表示内容为空）修改为0（表示有内容），而不能把0修改为1。要想把目标位置的0改写为1，只能擦除该目标位置所对应的block（一般为64k或者128k），也就是说，要擦除包含有该目标位置的整个block。因此，一般情况下，向flash指定的目标位置改写内容时，需要先保存所述目标位置对应的block上的内容到随机存储器RAM，然后对所述block执行擦除动作，再从RAM写更新后的内容到flash上。
    2）在内容为空的block上写入时，flash介质的写入速度大约为5k/s，如果写入过程中掉电，本次实际写入的内容与期望写入的内容可能不一致，导致本次写入的内容不可预测。
    现有的类文件配置表FAT文件系统是一种针对Nor flash的文件系统，该类型文件系统的元数据和文件数据有相对固定的位置，并分开存储，所有的修改操作均原地执行。类FAT文件系统整体结构示意图如图1所示，其中，元数据区固定位于flash介质的前面区域，主要存储管理文件存储位置和目录关系的管理性数据；用户数据区，主要存储各个文件的实际内容。对于类FAT文件系统的写入操作也包括以下两方面：
    A、对已存储的数据进行修改，所述修改过程如图2所示，步骤如下：
    步骤1：把准备改写的目标block上的数据内容读取到RAM，并且在RAM中对准备改写的目标位置的内容进行更新；
    步骤2：擦除flash上的所述目标block的内容；
    步骤3：把RAM中更新后的内容写到所述目标block上。
    分析上述过程，如果改写过程中发生掉电，不仅更新的内容未写入目标block，还可能会破坏目标block上原有的内容，因为进行擦除操作时，会将所述目标位置对应的整个目标block的内容都擦除，因此，所述目标block上原有的有效内容也被擦除了，从而会破坏目标block上原有的内容，引起文件系统崩溃。
    B、在内容为空的block上写入，此时，如果掉电，实际写入的内容与期望写入的内容可能不一致，实际已写入多少内容以及写入的是什么内容，都是不确定的，即，对于写入数据的完整性和有效性均无法预测。
    上述无论是在对已存储的数据改写的过程中发生掉电，还是在内容为空的block上写入的过程中发生掉电，掉电重启后，对于之前掉电产生的结果也没有任何处理，无法继续完成因为掉电而中断的数据写入过程。
    综上所述，现有针对Nor flash的类FAT文件系统对掉电管理支持较差，如果改写过程发生掉电，不仅更新的内容未写入，还可能破坏原有的内容，引起文件系统崩溃；如果在内容为空的block上写入的过程中发生掉电，对于写入数据的有效性和完整性均无法预测。此外，掉电重启后，对于因为掉电而产生的上述问题也没有任何恢复处理。从而无法实现对flash文件系统的有效保护。
    发明内容
    有鉴于此，本申请提出一种Nor flash掉电保护方法，可实现对flash文件系统的有效保护。
    本申请还提出一种Nor flash掉电保护装置，可实现对flash文件系统的有效保护。
    为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：
    一种Nor flash掉电保护方法，包括以下步骤：
    在针对Nor flash的类文件配置表FAT文件系统结构中增加写时备份区；
    进行写操作时，将待写入数据写到从写时备份区选择的备份物理块block上，记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到非易失性随机访问存储器Nvram；
    设备重启时，如果正在写入标记已置位，则禁止对flash进行写操作，从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引，拷贝所述备份block的数据到所述目标block。
    一种Nor flash掉电保护装置，包括：写时备份区添加模块、数据备份模块、标记存储模块、标记获取模块和数据恢复模块，其中：
    写时备份区添加模块，用于在针对Nor flash的类文件配置表FAT文件系统结构中增加写时备份区；
    数据备份模块，用于进行写操作时，将待写入数据写到从写时备份区选择的备份物理块block上；
    标记存储模块，用于在将待写入数据写到从写时备份区选择的备份block上之后，记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到非易失性随机访问存储器Nvram；
    标记获取模块，用于设备重启时，如果正在写入标记已置位，则禁止对flash进行写操作，从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引；
    数据恢复模块，用于在取出所述备份block和目标block的全局位置索引后，拷贝所述备份block的数据到所述目标block。
    本申请的有益效果为，通过在针对Nor flash的类FAT文件系统结构中增加写时备份区，从写时备份区选择一个block作为备份block，将待写入flash的数据写入Ram，将所述Ram中的数据写到备份block，然后记录正在写入标记及备份block和待写入的目标block的位置索引到Nvram；当发生异常掉电并重启时，如果正在写入标记已置位，表明重启前是异常掉电，需要对因为异常掉电而受到影响的flash文件系统进行恢复，此时，首先禁止其他用户对flash进行写操作，然后根据Nvram记录的block位置索引，找到备份block和目标block，将备份block的数据写到目标block。从而可以实现：当类FAT文件系统数据改写过程中发生掉电、或在内容为空的block上写入数据过程中发生掉电而引起文件系统数据紊乱时，在下次设备重启时可以继续完成掉电前的写操作过程，实现对flash文件系统的有效保护。
    附图说明
    图1为现有技术的类FAT文件系统整体结构示意图；
    图2为现有技术的数据改写流程示意图；
    图3为本申请实施例的方法流程图；
    图4为本申请实施例的类FAT文件系统结构示意图；
    图5为本申请实施例的在已存储有数据的目标block改写数据的流程示意图；
    图6为本申请实施例的在内容为空的目标block写入数据的流程示意图；
    图7为本申请实施例的装置功能模块结构示意图。
    具体实施方式
    为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过具体实施例并参见附图，对本申请进行详细说明。
    本申请提出一种Nor flash掉电保护方法，在针对Nor flash的类文件配置表FAT文件系统结构中增加写时备份区；进行写操作时，将待写入数据写到随机存储器Ram，将所述Ram中的数据写到从写时备份区选择的备份物理块block上，记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到非易失性随机访问存储器Nvram；
    设备重启时，如果正在写入标记已置位，则禁止对flash进行写操作，从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引，拷贝所述备份block的数据到所述目标block。
    本申请中，通过在类FAT文件系统结构中增加写时备份区，用于备份进行写操作时待写入flash的数据，记录正在写入标记（正在写入标记置位）及备份block和待写入的目标block的位置索引到掉电不易失位置，当发生掉电并重启时，如果正在写入标记已置位，则禁止对flash进行写操作，根据掉电不易失位置记录的block位置索引，找到备份block和目标block，拷贝备份block的数据到目标block。本申请方案以较小的开销，实现了类FAT文件系统上数据写操作过程的完整性和有效性，避免了异常掉电对于文件系统的破坏，可实现对flash文件系统的有效保护。
    本申请实施例的方法流程如图3所示，一种Nor flash掉电保护方法，包括以下步骤：
    步骤301：在针对Nor flash的类文件配置表FAT文件系统结构中增加写时备份区。
    参照图1可知，类FAT文件系统结构包括元数据区和用户数据区，本申请实施例对现有的类FAT文件系统结构进行了扩展，即在类FAT文件系统结构中增加了一个写时备份区，如图4所示，所述写时备份区由一个物理块block或一个以上连续的block组成。
    写时备份区用于备份进行写操作时待写入flash的数据，写时备份区如果由一个block组成，则每次备份都使用这一个block，使用频率过多时容易损坏。写时备份区如果由一个以上block组成，则可以轮流使用各个block作为备份block，可延长使用寿命，此外，这些block可以是连续的，如此，可以更方便按全局位置索引顺序轮流选用这些block作为备份block。写时备份区位于整个flash介质的什么位置不重要，只要其包含的block是连续的即可。
    例如，如图4所示，写时备份区位于整个flash介质的尾部区域，由10个擦除单位的连续的block组成。正常写入过程需要从这10个Block中找到一个作为备份block，数据首先写到该block，然后拷贝到目标block。
    写时备份区中block的数量可以根据整个磁盘大小和使用频繁程度决定。例如，使用频率越大，block的数量也应越多。磁盘较小时，为保证用户数据的存储，block的数量可少一些。
    步骤302：进行写操作时，将待写入数据写到从写时备份区选择的备份物理块block上，记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到非易失性随机访问存储器Nvram。
    这里的写操作分两种情况，第一种情况：所述目标block不为空，之前已存储有数据，需要在已存储有数据的所述目标block上改写数据；第二种情况：所述目标block的内容为空，需要在内容为空的所述目标block上写入数据。下面分别进行具体描述。
    当所述写操作是在已存储有数据的所述目标block改写数据时，如图5所示，包括以下步骤：
    S1、找到待改写的目标block。
    S2、将所述目标block上已存储的数据写入随机存储器Ram，在所述Ram中对所述数据进行改写。
    根据nor flash的特性，改写数据不能直接在nor flash上进行，因此，此处，先将目标block上的数据写入Ram，然后在Ram中对数据进行改写。
    S3、从写时备份区选择一个block作为备份block，将所述Ram中改写后的数据写到所述备份block上。
    从写时备份区选择block时可以根据实际需要来进行选择，选择方式可以有多种，例如可随机选择，也可采用如下方法：写时备份区的block数量记为N，N为正整数，其中按顺序第一个block的全局位置索引记为M，上一次使用的备份block的全局位置索引记为K，判断K+1是否小于M+N，如果是，从写时备份区选择全局位置索引为K+1的block作为备份block，否则，从写时备份区选择全局位置索引为M的block作为备份block。如此，可保证写时备份区的各个block被轮流使用，使用频率相当，保持负载均衡，延长使用寿命。
    例如，假设写时备份区由10个连续的block组成，第一个block的全局位置索引为990，上一次使用的备份block的全局位置索引为993，则判断994是否小于990+10=1000，显然是，因此，从写时备份区选择全局位置索引为994的block作为当前的备份block。
    S4、记录正在写入标记到非易失性随机访问存储器Nvram，同时记录所述备份block和目标block的全局位置索引到Nvram。
    即记录正在写入标记、所述备份block和目标block的全局位置索引到掉电不易失位置，所述正在写入标记通过使用一个比特位进行0、1赋值就可简单实现，保证即使发生异常掉电，也能从Nvram中找到上述记录。后续如果发生异常掉电，设备重启时可以根据Nvram中的正在写入标记及所述全局位置索引，继续完成对flash的写操作过程。
    S5、擦除所述目标block。
    所述目标block上已存储有数据，对其进行改写时就需要先擦除目标block上原有的数据，否则无法写入。
    S6、将所述备份block上的数据写到所述目标block上。
    所述将所述备份block上的数据写到所述目标block上时，需要先将所述备份block上的数据写入随机存储器Ram，再将所述Ram中的数据写到所述目标block。
    S7、清除Nvram中的正在写入标记、以及所述目标block和备份block的全局位置索引。
    S8、擦除所述备份block。
    步骤S7、S8是为了保证下次写操作的正常进行。
    当所述写操作是在内容为空的所述目标block写入数据时，如图6所示，包括以下步骤：
    T1、找到待写入的目标block。
    T2、将待写入flash的数据写入随机存储器Ram。
    T3、从写时备份区选择一个block作为备份block，将步骤T2所述Ram中的数据写到所述备份block上。
    需要先写入Ram，再将所述Ram中的数据写入备份block。
    T4、记录正在写入标记到非易失性随机访问存储器Nvram，同时记录所述备份block和目标block的全局位置索引到Nvram。
    T5、将所述备份block上的数据写到所述目标block上。
    T6、清除Nvram中的正在写入标记、以及所述目标block和备份block的全局位置索引。
    T7、擦除所述备份block。
    相对于现有写操作过程，本申请实施例在写操作过程中增加了正在写入标记，引入了写时备份区，并且将备份block和待写入的目标block的全局位置索引记录在了非易失性随机访问存储器Nvram中，以实现在异常掉电重启时可以继续完成写操作过程，实现对flash文件系统的有效保护。设备重启时的步骤如下步骤303.
    步骤303：设备重启时，如果正在写入标记已置位，则禁止对flash进行写操作，从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引，拷贝所述备份block的数据到所述目标block。
    当正在执行写操作时，设备由于电源故障等原因可能会引起异常掉电，当设备掉电后重启时，判断正在写入标记是否已置位：
    如果正在写入标记已置位，表明重启前是异常掉电，需要继续上次未完成的写操作过程，具体执行步骤如下：
    首先，禁止对flash进行写操作，即禁止其他用户对flash进行写操作（本地可以对flash进行操作），然后从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引，根据所述全局位置索引找到所述备份block和目标block，判断所述目标block是否已被擦除，即通过读取所述目标Block的内容，检查是否每个字节都为0xff来判断。如果所述目标block已被擦除，即内容为空，每个字节均为0xff，则拷贝所述备份block的数据到所述目标block；如果所述目标block没有被擦除，还存储有数据，则擦除所述目标block，也就是把所述目标Block的内容全部写为0xff，再拷贝所述备份block的数据到所述目标block，完成异常掉电未完成的写入过程。
    最后，清除Nvram中的正在写入标记、以及所述目标block和备份block的全局位置索引，擦除写时备份区的全部数据，以便于投入下一次的正常使用。因为有可能在上一次执行完写操作后，擦除备份block时发生异常掉电，使得备份block中还存储有数据。
    如果正在写入标记没有置位，表明不需要启动数据继续写入流程，此时，需要擦除写时备份区的所有数据，准备投入下一次使用。因为有可能在上一次执行写操作时，将待写入数据写到备份block后和记录正在写入标记前发生异常掉电了，使得备份block中还存储有数据。
    本申请实施例的装置功能模块结构如图7所示，一种Nor flash掉电保护装置，包括：写时备份区添加模块、数据备份模块、标记存储模块、标记获取模块和数据恢复模块，其中：
    写时备份区添加模块，用于在针对Nor flash的类文件配置表FAT文件系统结构中增加写时备份区；
    数据备份模块，用于进行写操作时，将待写入数据写到从写时备份区选择的备份物理块block上；
    标记存储模块，用于在将待写入数据写到从写时备份区选择的备份block上之后，记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到非易失性随机访问存储器Nvram；
    标记获取模块，用于设备重启时，如果正在写入标记已置位，则禁止对flash进行写操作，从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引；
    数据恢复模块，用于在取出所述备份block和目标block的全局位置索引后，拷贝所述备份block的数据到所述目标block。
    较佳地，所述写时备份区由一个block或一个以上连续的block组成。
    较佳地，所述数据备份模块在将待写入数据写到从写时备份区选择的备份block上时，所述从写时备份区选择备份block，包括：
    写时备份区的block数量记为N，N为正整数，其中按顺序第一个block的全局位置索引记为M，上一次使用的备份block的全局位置索引记为K，判断K+1是否小于M+N，如果是，从写时备份区选择全局位置索引为K+1的block作为备份block，否则，从写时备份区选择全局位置索引为M的block作为备份block。
    当所述写操作是在已存储有数据的所述目标block上改写数据时，
    所述数据备份模块，具体用于：将所述目标block上已存储的数据写入随机存储器Ram，在所述Ram中对所述数据进行改写，将所述Ram中改写后的数据写到所述备份block上；
    所述装置进一步包括：
    数据改写模块，用于在所述记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到Nvram之后，擦除所述目标block，将所述备份block上的数据写到所述目标block上。
    当所述写操作是在内容为空的所述目标block写入数据时，
    所述数据备份模块，具体用于：将待写入数据写入随机存储器Ram，将所述Ram中的数据写到所述备份block上；
    所述装置进一步包括：
    数据写入模块，用于在所述记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到Nvram之后，将所述备份block上的数据写到所述目标block上
    较佳地，所述数据恢复模块，还用于在将所述备份block上的数据写到所述目标block上之后，清除Nvram中的正在写入标记、以及所述目标block和备份block的全局位置索引，擦除所述备份block。
    较佳地，所述标记获取模块，还用于在所述设备重启时，如果正在写入标记没有置位，则擦除写时备份区的所有数据。
    较佳地，所述数据恢复模块，还用于在所述从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引之后和拷贝所述备份block的数据到所述目标block之前，如果所述目标block没有被擦除，则擦除所述目标block；如果所述目标block已被擦除，则直接拷贝所述备份block的数据到所述目标block。
    较佳地，所述数据恢复模块，还用于在拷贝所述备份block的数据到所述目标block之后，清除Nvram中的正在写入标记、以及所述目标block和备份block的全局位置索引，擦除写时备份区的全部数据。
    本申请中，通过引入写时备份区和正在写入标记，写操作过程中如果异常掉电，待写入的数据可以在下次重启时继续写入，可保证写入数据的有效性和完整性，也可以使因为掉电而出现数据紊乱的文件系统得到恢复，从而实现对flash文件系统的有效保护。
    以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。

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