光电子器件.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 103038880 A (43)申请公布日 2013.04.10 CN 103038880 A *CN103038880A* (21)申请号 201180037026.8 (22)申请日 2011.07.22 102010038396.1 2010.07.26 DE H01L 25/075(2006.01) H01L 33/50(2006.01) H01L 33/58(2006.01) (71)申请人 欧司朗光电半导体有限公司 地址 德国雷根斯堡 (72)发明人 亚历山大林科夫 拉尔夫维尔特 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 张。

2、春水 田军锋 (54) 发明名称 光电子器件 (57) 摘要 本发明涉及一种光电子器件 （1） ， 其用于特别 是在远场中混合具有不同波长的电磁辐射。所述 光电子器件 （1） 包括载体 （2） 。在所述载体 （2） 上 设有至少一个第一半导体芯片 （3） ， 所述第一半 导体芯片 （3） 具有第一辐射出射面 （13） ， 以用于 发射在第一光谱范围 （14） 中的电磁辐射。在所 述载体 （2） 上设有至少一个第二半导体芯片 （4） ， 所述第二半导体芯片 （4）具有第二辐射出射面 （17） ， 以用于发射在第二光谱范围 （15） 中的电磁 辐射。在所述半导体芯片 （3、 4） 的背离载体 （2。

3、） 的 辐射出射面 （13、 17） 上设有散射层 （8） 。 (30)优先权数据 (85)PCT申请进入国家阶段日 2013.01.28 (86)PCT申请的申请数据 PCT/EP2011/062598 2011.07.22 (87)PCT申请的公布数据 WO2012/016850 DE 2012.02.09 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 12 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 12 页 1/2 页 2 1. 光电子器件 （1） ， 用于特别是在远场中混合不同波长的电磁辐射， 所述光电。

4、子器件 具有 ： - 载体 （2） ； - 至少一个设置在所述载体 （2） 上的第一半导体芯片 （3） ， 所述第一半导体芯片 （3） 具 有第一辐射出射面 （13） ， 以用于发射在第一光谱范围中的电磁辐射 （14） ； - 至少一个设置在所述载体 （2） 上的第二半导体芯片 （4） ， 所述第二半导体芯片 （4） 具 有第二辐射出射面 （17） ， 以用于发射在第二光谱范围中的电磁辐射 （15） ； - 其中， 在所述半导体芯片 （3、 4） 的背离所述载体 （2） 的所述辐射出射面 （13、 17） 上设 有散射层 （8） 。 2. 根据权利要求 1 所述的光电子器件， 其中， 在所述半。

5、导体芯片 （3、 4） 的背离所述载体 （2） 的所述辐射出射面 （13、 17） 和所述散射层 （8） 之间设有转换层 （7） 。 3. 根据权利要求 1 或 2 所述的光电子器件， 其中， 所述第一半导体芯片 （3）构造为 AlGaInP半导体芯片， 所述AlGaInP半导体芯片发射在红光光谱范围和/或黄光光谱范围中 的电磁辐射。 4. 根据上述权利要求之一所述的光电子器件， 其中， 所述第二半导体芯片 （4） 构造为 InGaN半导体芯片， 所述InGaN半导体芯片发射在蓝光光谱范围和/或绿光光谱范围中的电 磁辐射。 5. 根据上述权利要求之一所述的光电子器件， 其中， 所述第一半导体芯。

6、片 （3） 和所述 第二半导体芯片 （4） 被浇注在唯一的浇注件中， 特别是以平坦的体积浇注的形式来进行浇 注。 6. 根据权利要求 2 至 5 之一所述的光电子器件， 其中， 在所述转换层 （7） 中， 设有磷光 材料 （11） ， 特别是钇铝镓石榴石或镥铝石榴石作为转换剂， 所述磷光材料 （11） 具有 5 重量 百分比至 25 重量百分比的浓度。 7. 根据上述权利要求之一所述的光电子器件， 其中， 在所述散射层 （8） 中设有散射颗 粒 （12） ， 特别是二氧化铝， 二氧化硅或二氧化钛作为散射剂， 所述散射颗粒的浓度为 0.05 重量百分比至 50 重量百分比。 8. 根据权利要求 。

7、2 至 7 之一所述的光电子器件， 其中， 在所述转换层 （7） 中， 在所述第 一半导体芯片 （3） 之上设置有特别是具有 “芯片上的透镜” （18） 的形式的、 透明的浇注材料 （22） 。 9. 根据权利要求 2 至 7 之一所述的光电子器件， 其中， 在所述转换层 （7） 中， 在所述第 一半导体芯片 （3） 之上设置有模制玻璃 （19a） 或硅酮小板 （19b） 。 10. 根据上述权利要求之一所述的光电子器件， 其中， 在所述散射层 （8） 的朝向所述载 体 （2） 的侧上设有自由混光层 （10） ， 所述自由混光层尤其不具有散射剂和转换剂。 11. 根据上述权利要求之一所述的光电。

8、子器件， 其中， 以反射率大于 95% 的、 填充有二 氧化钛的硅酮来浇注所述半导体芯片 （3、 4） 直至所述半导体芯片的有源层的高度。 12. 根据上述权利要求之一所述的光电子器件， 其中， 所述散射层 （8） 具有透镜的形 状。 13. 根据上述权利要求之一所述的光电子器件， 其中， 设有侧反射壁 （5） ， 所述侧反射 壁 （5） 安置在所述载体 （2） 上。 权 利 要 求 书 CN 103038880 A 2 2/2 页 3 14. 发光装置 （100） ， 具有根据上述权利要求之一所述的光电子器件 （1） ， 其中， 所述光 电子器件 （1） 耦联到具有反射器 （101） 的形式。

9、的次级光学系统上。 15. 根据权利要求 14 所述的发光装置， 其中， 所述反射器 （101） 至少局部地具有抛物线 的形状。 权 利 要 求 书 CN 103038880 A 3 1/7 页 4 光电子器件 技术领域 0001 本发明涉及一种用于混合不同波长的电磁辐射的光电子器件。 背景技术 0002 为了产生来自不同半导体芯片的电磁辐射的混合光， 迄今为止所使用的是光箱。 借助于光箱仅能产生具有强度的相对窄的角分布的远场。 提供在其输出面上就已经最大程 度混合的光的光电子器件尤其不是已知的。 发明内容 0003 本发明的目的在于， 提供一种具有半导体芯片的光电子器件， 所述半导体芯片发 。

10、射在不同光谱范围中的电磁辐射， 所述光电子器件提供在其输出面上就已经最大程度混合 的光。 0004 所述目的通过根据独立权利要求 1 所述的光电子器件且通过根据独立权利要求 14 所述的发光装置得以实现。 0005 在从属权利要求中说明了光电子器件的改进方案和有利的设计方案。 0006 示例的实施形式 0007 不同的实施形式具有用于特别是在远场中混合具有不同波长的电磁辐射的光电 子器件。 0008 在载体上设有带有第一辐射出射面的第一半导体芯片。 所述第一半导体芯片发射 在第一光谱范围中的电磁辐射。在载体上设有带有第二辐射出射面的第二半导体芯片。所 述第二半导体芯片发射在第二光谱范围中的电磁。

11、辐射。 在半导体芯片的背离载体的辐射出 射面上设有散射层。 这是有利的， 因为由于散射层， 由不同的半导体芯片所发射出的电磁辐 射的混合在光电子器件的平面上就已经进行。 0009 换句话说， 本发明的中心思想是， 散射层位于半导体芯片平面之上， 所述散射层散 射并且部分地反射可能已经直接耦合输出的光。 这显然违背了本领域技术人员的在辐射出 射面上提供尽可能高的透明度的原本的努力。 在这里示出的解决方案中提出一种尽可能少 吸收地成型的载体， 在所述载体上安装有半导体芯片， 以便减少通过半导体芯片和 / 或载 体的光的吸收。因此散射层主要有助于充分混合由半导体芯片发射的辐射。尽管有散射， 但辐射仅。

12、最低限度地被吸收， 并且来自于光电子器件的很大一部分 （充分混合的） 辐射被耦 合输出。散射颗粒作用为光学混合元素。 0010 在一个优选的实施形式中， 半导体芯片基于 III-V- 化合物半导体材料。所述半导 体芯片具有至少一个发射电磁辐射的有源区。所述有源区能够是 PN 结、 双异质结构、 多量 子阱结构 （MQW） 、 单量子阱结构 （SQW） 。量子阱结构意味着 ： 量子阱 （三维） ， 量子线 （二维） 和 量子点 （一维） 。 0011 在一个优选的实施形式中， 在半导体芯片的背离载体的辐射出射面和散射层之间 设有转换层。所述转换层优选将短波电磁辐射转换为长波电磁辐射。因为所述转换。

13、层设置 说 明 书 CN 103038880 A 4 2/7 页 5 在半导体芯片和散射层之间， 所以产生了另一辐射份额， 所述另一辐射份额在散射层中与 其它辐射份额充分混合。由此实现了已发射的辐射的光谱的扩大。 0012 在一个优选的实施形式中， 第一半导体芯片构造为 AlGaInP 半导体芯片。AlGaInP 半导体芯片发射在红光光谱范围和 / 或黄光光谱范围中的电磁辐射。AlGaInP 半导体芯片 与蓝光发射的半导体芯片的组合的使用是特别有利的， 蓝光发射的半导体芯片的光谱通过 转换剂部分地转换到黄光光谱范围中。在这样的组合中， 能够通过 AlGaInP 半导体芯片产 生暖白色的色彩印象。

14、。 0013 在一个优选的实施形式中， 第二半导体芯片构造为InGaN半导体芯片。 InGaN半导 体芯片发射在蓝光光谱范围和 / 或绿光光谱范围中的电磁辐射。用于发射在蓝光光谱范围 中的辐射的 InGaN 半导体芯片的使用是特别有利的， 以便借助于转换剂产生白光。 0014 优选能够设有多个 AlGaInP 半导体芯片和 / 或 InGaN 半导体芯片。这是特别有利 的， 因为由此能够实现高的光输出功率。 0015 在一个优选的实施形式中， AlGaInP 半导体芯片设置在光电子器件的中央。InGaN 半导体芯片能够围绕 AlGaInP 半导体芯片环形地和 / 或以均匀的芯片密度设置。这是有。

15、利 的， 因为由此能够实现均匀的亮度。 0016 在一个优选的实施形式中， 第一半导体芯片和第二半导体芯片被浇注在唯一的浇 注件中， 特别是以平坦的体积浇注的形式来进行浇注。 所述半导体芯片设置在一个平面中。 这是有利的， 因为由此能够实现半导体芯片在载体上的高的充填密度。特别是能够使用硅 酮、 环氧树脂或混合材料作为浇注材料。 0017 在一个优选的实施形式中， 在转换层中设有磷光材料作为转换剂。磷光材料优选 是由钇铝镓石榴石和 / 或镥铝石榴石构成的发光材料颗粒。在均匀分布的情况下， 所述磷 光材料在转换层中具有 5 重量百分比至 25 重量百分比的浓度。使用上述磷光体是特别有 利的， 因。

16、为所述磷光体能够将在蓝光光谱范围中的光有效地转换为在绿光至黄光光谱范围 中的光。 0018 在一个优选的实施形式中， 在散射层中设有散射颗粒作为散射剂。优选使用具有 0.05重量百分比至50重量百分比的浓度的二氧化铝， 二氧化硅或者二氧化钛。 所述颗粒均 匀地反射可见光范围中的辐射。 这是特别有利的， 因为散射颗粒弹性地散射入射光， 并且有 助于将具有不同波长的光充分混合。特别是， 所述散射颗粒不因对一些波长的吸收而造成 对色彩印象的扭曲。 0019 在一个优选的实施形式中， 在第一半导体芯片上的转换层具有透明的浇注材料。 这种透明的浇注材料能够以所谓的 “芯片上的透镜 （Lense on c。

17、hip） ” 的形式施加到第一半 导体芯片上。 “芯片上的透镜” 是透明的浇注材料的滴状物， 所述滴状物在施加到第一半导 体芯片上后固化。在第一半导体芯片上的透明的浇注材料是特别有利的， 因为由此阻碍了 光被在第一半导体芯片上的转换层中的磷光材料所不希望的吸收。 如果第一半导体芯片是 AlGaInP 半导体芯片， 那么红光能够在没有吸收损耗的情况下穿过转换层。 0020 在一个优选的实施形式中， 在第一半导体芯片上的、 特别是在 AlGaInP 半导体 芯片上的转换层具有模制玻璃或硅酮小板。这是特别有利的， 因为由此阻碍了红光被在 AlGaInP 半导体芯片上的转换层中的磷光材料所不希望的吸收。

18、。 0021 在一个优选的实施形式中， 在散射层的朝向载体的侧上设有自由混光层， 所述自 说 明 书 CN 103038880 A 5 3/7 页 6 由混光层不具有散射剂和转换剂。这是特别有利的， 因为光在射到散射层上之前就已经能 够至少部分地充分混合。自由混光层具有硅酮， 环氧树脂或者混合材料。 0022 在一个优选的实施形式中， 将半导体芯片构造为表面发射器， 特别是薄膜芯片。 以 反射率大于 95% 的、 填充有二氧化钛 （TiO2） 的硅酮来浇注半导体芯片直至所述半导体芯片 的有源层的高度。 替选地， 也能够用ZrO2、 Al2O3或者ZnO来填充硅酮。 使用高反射率填充的 硅酮是特。

19、别有利的， 因为由此防止了通过载体的露出区域的吸收损耗。 替选地， 朝向半导体 芯片的载体面能够用反射层， 特别是由银构成的反射层进行覆层， 这同样减少了吸收损耗。 0023 在一个优选的实施形式中， 散射层具有透镜的形状。 这是特别有利的， 因为与具有 均匀厚度的散射层， 意即不具有透镜形状的散射层相比， 产生更宽广的辐射特性。换句话 说， 更多的光以更大的角， 优选在大于 60 度的角的情况下， 特别优选以大于 90 度的角离开 光电子器件。光电子器件辐射出光的角度越大， 设置在下游的反射器就能够越有效地沿向 前的方向辐射出混合光。 0024 在一个优选的实施形式中， 设有侧反射壁， 所述。

20、侧反射壁安置在载体上。一方面， 所述壁是有利的， 因为其在浇注半导体芯片时用作为侧边界。 另一方面， 所述壁能够被设计 为高反射的， 并且由此在朝向光电子器件的光输出面的方向上反射更多的由半导体芯片发 射的电磁辐射。侧壁能够垂直于载体。替选地， 侧壁能够倾斜于载体。这能够是有利的， 因 为由此能够在朝向光电子器件的光输出面的方向上反射更多的光。 通过倾斜的壁能够实现 更大的光直径， 或者换句话说， 能够实现更大的光输出面。 0025 不同的实施形式具有发光装置， 所述发光装置具有光电子器件和次级光学系统。 优选的是， 所述次级光学系统是反射器。 这是特别有利的， 因为通过设置在下游的反射器能 。

21、够特别简单地且有效地沿向前的方向辐射在光电子器件中混合的光。 0026 在一个优选的实施形式中， 反射器至少局部地具有抛物线的形状。这种反射器形 状是特别有利的， 因为由此能够沿向前的方向辐射光电子器件所辐射出的混合的光的大部 分。 附图说明 0027 下面借助于附图详细阐述依照本发明的解决方案的不同的实施例。 0028 图 1 示出穿过光电子器件的剖面图 ； 0029 图 1a 示出图 1 中的光电子器件的辐射曲线 ； 0030 图 2 示出穿过光电子器件的剖面图 ； 0031 图 3 示出穿过光电子器件的剖面图 ； 0032 图 4 示出穿过光电子器件的剖面图 ； 0033 图 5 示出穿。

22、过光电子器件的剖面图 ； 0034 图 6 示出穿过光电子器件的剖面图 ； 0035 图 6a 示出图 6 中的光电子器件的辐射曲线 ； 0036 图 7 示出穿过光电子器件的剖面图 ； 0037 图 8 示出穿过光电子器件的剖面图 ； 0038 图 9 示出光电子器件的不同实施形式的与角度相关的强度分布。 0039 图 10 示出穿过发光装置的剖面图。 说 明 书 CN 103038880 A 6 4/7 页 7 0040 具体实施形式 0041 在附图中， 相同的、 同类的或起相同作用的元件设有相同的附图标记。 附图和在附 图中所示出的元件彼此间的尺寸比例不视为是按比例的。相反， 为了更好。

23、的可示出性和更 好的理解， 能够过大地示出各个元件。 0042 图 1 示出穿过光电子器件 1 的剖视图。所述光电子器件 1 用于特别是在远场中混 合具有不同波长的电磁辐射。在载体 2 上设有第一半导体芯片 3， 所述第一半导体芯片具 有第一辐射出射面 13， 以用于发射在第一光谱范围 14 中的电磁辐射。在载体 2 上设有另 两个半导体芯片 4， 所述另两个半导体芯片具有第二辐射出射面 17， 以用于发射在第二光 谱范围 15 中的电磁辐射。半导体芯片 3、 4 位于一个平面中， 即半导体芯片平面 6。所述半 导体芯片平面 6 的高度在 0.05mm 和 0.3mm 之间， 优选约 0.2m。

24、m。在半导体芯片 3、 4 的背离 载体 2 的辐射出射面 13、 17 上设有散射层 8。在散射层 8 中， 在浇注材料 23 中设有散射颗 粒 12， 特别是具有 0.05 重量百分比至 50 重量百分比的浓度的二氧化铝、 二氧化硅或者二 氧化钛作为散射剂。散射层 8 的高度相当于在第一半导体芯片 3 和第二半导体芯片 4 之间 的平均横向间距。在具有 1mm2面积的半导体芯片中， 散射层 8 的高度优选在 1mm 和 8mm 之 间， 特别优选为 2mm。所述半导体芯片设计为表面发射器， 特别是设计为薄膜芯片。第一半 导体芯片 3 构造为 AlGaInP 半导体芯片， 所述 AlGaIn。

25、P 半导体芯片发射在红光光谱范围和 / 或黄光光谱范围中的电磁辐射。第二半导体芯片 4 构造为 InGaN 半导体芯片， 所述 InGaN 半导体芯片发射在蓝光光谱范围和 / 或绿光光谱范围中的电磁辐射。在半导体芯片 3、 4 的 背离载体 2 的辐射出射面 13、 17 和散射层 8 之间设置有转换层 7。所述转换层 7 将在蓝光 光谱范围 15 中的电磁辐射转换为在绿光至黄光光谱范围中的电磁辐射。转换层 7 优选具 有在 0.1mm 和 0.8mm 之间的， 特别优选为 0.3mm 的高度。作为转换剂设有磷光材料 11， 特 别是由钇铝镓石榴石和 / 或镥铝石榴石构成的发光材料颗粒。在均匀。

26、分布的情况下， 转换 剂 11 在浇注材料 22 中具有 5 重量百分比到 25 重量百分比的浓度。InGaAlP 半导体芯片 和 InGaN 半导体芯片 3、 4 被浇注在唯一的浇注件中， 特别是以平坦的体积浇注的形式来进 行浇注。以填充有二氧化钛的硅酮 16 侧向浇注半导体芯片 3、 4 直至所述半导体芯片的有 源层的高度。填充有二氧化钛的硅酮的反射率能够大于 95%。设有侧反射壁 5， 所述侧反射 壁 5 垂直于载体 2 地安置。在一个未示出的替选方案中， 侧壁 5 倾斜于载体 2， 并且与载体 2 成不等于 90 度的角。光直径 9， 也就是光输出面的横向延展能够位于 3mm 和 50。

27、mm 之间。 典型地， 光直径 9 位于 10mm 和 20mm 之间。在要求保护的本实施例中， 光通量在 1000 流明 和 4000 流明之间变化。 0043 图 1a 示意性地示出属于图 1 中的光电子器件的辐射曲线图。所述光电子器件具 有朗伯特 （Lambertsch） 辐射曲线 20。在不同的空间方向上的辐射强度与辐射角的余弦成 正比。这意味着， 在从法线 （0 度） 偏转 60 度的情况下， 光强度衰减到最大值的 50%， 并且在 90度的情况下， 衰减到0%。 “半峰全宽 （full width at half maximum） ” 为120度， 即从-60 度至 +60 度。 。

28、0044 在图 2 所示出的实施例中， 与图 1 相比， 磷光材料 11 不均匀地分布在转换层 7 中。 磷光材料 11 以小板的形式存在， 所述小板设置在 InGaN 半导体芯片 4 的辐 射出射面 17 上。所述小板至少局部地嵌入浇注材料 22 中。在 InGaAlP 半导体芯片 3 的辐 射出射面 13 上不设有磷光材料 11。因此由 AlGaInP 半导体芯片 3 发射的红光不在转换层 说 明 书 CN 103038880 A 7 5/7 页 8 7 中被吸收。此外， 对图 1 的说明也适用于图 2。 0045 与图 1 相比， 图 3 示出一个实施例， 其中磷光材料 11 是不均匀地。

29、分布的。在图 1 所示出的实施例中， 通过在 AlGaInP 半导体芯片 3 上的发光材料颗粒 11 通过散射和 / 或吸 收而损失红光的一定百分比的光强度。为了减少这种效应， 在图 3 所示出的实施例中， 将透 明的浇注材料的滴状物 18 施加到 InGaAlP 半导体芯片 3 的辐射出射面 13 上。这也称为芯 片上的透镜 （LOC） 。此外， 对图 1 的说明也适用于图 3。 0046 与图 1 相比， 图 4 示出一个实施例， 其中磷光材料 11 不均匀地分布。为了减少散 射和 / 或吸收， 将模制玻璃 19a 或硅酮小板 (19b 施加到 InGaAlP 半导体芯片 3 的辐射出射面。

30、 13 上。模制玻璃 19a 和硅酮小板 19b 能够伸入散射层。由此 实现了在 InGaAlP 半导体芯片 3 上完全不存在发光材料颗粒 11。此外， 对图 1 的说明也适 用于图 4。 0047 图 5 示出一个实施例， 其中在散射层 8 朝向载体 2 的侧上设有自由混光层 10。所 述自由混光层 10 不具有散射颗粒 12 和磷光材料 11。自由混光层 10 的厚度在散射层 8 和 自由混光层 10 的总厚度的 20% 和 98% 之间， 优选为 50%。因此， 散射层 8 并不涉及在转换层 7 的上方的整个体积， 而是位于上混光区域中。通过电磁辐射在自由混光层 10 中的自由传 播， 。

31、由半导体芯片发射的光在射到散射层 8 上之前就已经部分地混合。此外， 对图 1 的说明 也适用于图 5。 0048 与图 5 相比， 图 6 示出一个实施例， 其中散射层 8 具有透镜的形状。所述散射层与 侧壁 5 齐平。散射层在侧壁之间的中部具有其最大厚度。换句话说， 在中心处设有最大数 量的散射颗粒。在自由混光层 10 中自由传播之后， 半导体芯片 3、 4 所发射的光射到散射颗 粒 12 上。这导致下述辐射分布， 所述辐射分布在其角分布方面比朗伯特分布更宽。此外， 对图 5 的说明也适用于图 6。 0049 图 6a 示意性地示出属于图 6 中的光电子器件的辐射曲线 21。转换层 7 的。

32、透镜形 状决定了下述辐射曲线 21， 所述辐射曲线 21 在角分布方面比朗伯特辐射曲线 20 更宽。对 于大于约 60 度的角而言， 非朗伯特辐射曲线 21 显示出比朗伯特辐射曲线更高的强度。此 外， 与朗伯辐射曲线 20 相比， 对于大于 90 度的辐射角而言， 非朗伯特辐射曲线 21 具有非零 的强度。 0050 与图 6 相比， 图 7 示出一个实施例， 其中在具有透镜形状的散射层 8 和转换层 7 之 间不设有自由混光层 10。辐射曲线 21 相当于图 6a 中的辐射曲线。自由混光层 10 不是强 制性需要的。但是必须使用更多散射颗粒 12， 以便实现如图 6 的实施例中一样的色彩混合。

33、 质量。这导致了更低的效率。此外， 对图 6 的说明也适用于图 7。 0051 图 8 示出类似于图 2 的一个实施例， 在此实施例中， 磷光材料 11 不均匀地分布在 转换层7中。 磷光材料11以小板的形式存在， 所述小板设置在InGaN半导体芯片4的辐射出 射面 17 上。在 InGaAlP 半导体芯片 3 的辐射出射面 13 上不设有磷光材料 11。由 AlGaInP 半导体芯片 3 发射的光在转换层 7 中不被吸收。与图 2 相比， 散射层 8 具有透镜的形状。所 述散射层与侧壁 5 齐平。散射层在侧壁之间的中部具有其最大厚度。换句话说， 在中部设 有最多数量的散射颗粒 12。 005。

34、2 图 9 示出图 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7 和 8 的模拟辐射曲线。图 1、 2、 3、 4 和 5 的实施例的辐 射曲线在模拟中是一致的。所述辐射曲线分别显示为朗伯特辐射曲线 20。特别是在 90 度 说 明 书 CN 103038880 A 8 6/7 页 9 时， 强度衰减到零。图 6、 7 和 8 的实施例的辐射曲线在模拟中是一致的。所述辐射曲线分 别显示为辐射曲线21， 其在角分布方面比朗伯特辐射曲线20更宽。 特别是在90度时， 强度 是在 0 度时的最大强度的约 10%。在约 110 度时强度才衰减到 0。 0053 图 10 示出具有光电子器件 1 的发光装置 。

35、100。光电子器件 1 耦联到具有反射器 101 的形式的次级光学系统上。由光电子器件发射的混合光 102 由反射器 101 沿向前的方 向反射。光电子器件 1 发射光的角度越大， 被反射器 101 沿向前的方向反射的混合光 103 的强度就越高。反射器 101 至少能够局部地具有抛物线的形状。光电子器件 1 位于抛物线 的焦点 104 的平面中。抛物线的最小值缺失。换句话说， 反射器 101 仅具有抛物线的侧壁。 反射器 101 与光电子器件 1 齐平。 0054 根据几个实施例对光电子器件进行了说明， 以用于图解说明基本思想。 在此， 实施 例不局限于特定的特征组合。 即使当某些特征和设计。

36、方案仅结合特殊的实施例或者各个实 施例来说明时， 所述特征和设计方案也能够分别与其它实施例中的其它特征组合。同样可 设想的是， 在实施例中省略或添加所示出的各个特征或特殊的设计方案， 只要保持实现通 用技术原理。 0055 附图标记列表 0056 1 光电子器件 0057 2 载体 0058 3 第一半导体芯片 0059 4 第二半导体芯片 0060 5 侧壁 0061 6 半导体芯片平面 0062 7 转换层 0063 8 散射层 0064 9 光直径 0065 10 自由混光层 0066 11 磷光材料， 特别是发光材料颗粒 0067 12 散射颗粒 0068 13 第一辐射出射面 006。

37、9 14 在第一光谱范围中的电磁辐射 0070 15 在第二光谱范围中的电磁辐射 0071 16 侧向浇注， 填充有二氧化钛的硅酮 0072 17 第二辐射出射面 0073 18 芯片上的透镜 （= 透明的浇注材料的滴状物） 0074 19a 模制玻璃 0075 19b 硅酮小板 0076 20 朗伯特辐射体的示意性辐射曲线 0077 21 比朗伯特辐射体的辐射曲线更宽的示意性辐射曲线 0078 22 浇注材料， 转换层 0079 23 浇注材料， 散射层 说 明 书 CN 103038880 A 9 7/7 页 10 0080 100 发光装置 0081 101 反射器 0082 102 由。

38、光电子器件发射的混合光 0083 103 由反射器反射的混合光 0084 104 至少局部地呈抛物线形的反射器的焦点 说 明 书 CN 103038880 A 10 1/12 页 11 图 1 说 明 书 附 图 CN 103038880 A 11 2/12 页 12 图 1a 说 明 书 附 图 CN 103038880 A 12 3/12 页 13 图 2 说 明 书 附 图 CN 103038880 A 13 4/12 页 14 图 3 说 明 书 附 图 CN 103038880 A 14 5/12 页 15 图 4 说 明 书 附 图 CN 103038880 A 15 6/12 页 16 图 5 说 明 书 附 图 CN 103038880 A 16 7/12 页 17 图 6 说 明 书 附 图 CN 103038880 A 17 8/12 页 18 图 6a 说 明 书 附 图 CN 103038880 A 18 9/12 页 19 图 7 说 明 书 附 图 CN 103038880 A 19 10/12 页 20 图 8 说 明 书 附 图 CN 103038880 A 20 11/12 页 21 图 9 说 明 书 附 图 CN 103038880 A 21 12/12 页 22 图 10 说 明 书 附 图 CN 103038880 A 22 。