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组合式SIM卡及其生产工艺.pdf

  • 上传人:Y94****206
  • 文档编号:4670755
  • 上传时间:2018-10-26
  • 格式:PDF
  • 页数:7
  • 大小:1.23MB
  • 摘要
    申请专利号:

    CN201410305728.5

    申请日:

    2014.06.30

    公开号:

    CN104036318A

    公开日:

    2014.09.10

    当前法律状态:

    驳回

    有效性:

    无权

    法律详情:

    发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G06K 19/077申请公布日:20140910|||实质审查的生效IPC(主分类):G06K 19/077申请日:20140630|||公开

    IPC分类号:

    G06K19/077

    主分类号:

    G06K19/077

    申请人:

    武汉天喻信息产业股份有限公司

    发明人:

    翟新胜; 刘杰

    地址:

    430223 湖北省武汉市东湖开发区华中科技大学科技园天喻大厦

    优先权:

    专利代理机构:

    湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

    代理人:

    许美红

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    内容摘要

    本发明公开了一种组合式SIM卡及其生产工艺,其中生产工艺包括以下步骤:预先在中间补偿基片上的第一SIM卡区域涂布一层光油,该第一SIM卡的表面积和厚度均小于第二SIM卡;将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体;将卡体铳切为标准卡片;在标准卡片上进行芯片位铣槽,并进行芯片封装;用第二SIM卡的模具在标准卡片上进行铳切;用第一SIM卡的模具在第二SIM上进行二次铳切。本发明通过在一张卡体上采用油墨分离原理完成2种不同厚度的SIM卡产品的集合,与同类产品相比本发明可在不增加现有设备投入的情况下,采用简单实用的工艺来完成。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种组合式SIM卡生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:
    预先在中间补偿基片上的第一SIM卡区域涂布一层光油,该第一SIM卡的表面积和厚度均小于第二SIM卡;
    将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体;
    将卡体铳切为标准卡片;
    在标准卡片上进行芯片位铣槽,并进行芯片封装;
    用第二SIM卡的模具在标准卡片上进行铳切;
    用第一SIM卡的模具在第二SIM上进行二次铳切。

    2.  根据权利要求1所述的组合式SIM卡生产工艺,其特征在于,在进行二次铳切时,在第二SIM卡上铳切出带缝隙的第一SIM卡。

    3.  根据权利要求1所述的组合式SIM卡生产工艺,其特征在于,在进行二次铳切时,在第二SIM卡上铳切不带缝隙的第一SIM卡。

    4.  根据权利要求1所述的组合式SIM卡生产工艺,其特征在于,所述第一SIM卡为4FF小卡,所述第二SIM卡为2FF小卡或者3FF小卡。

    5.  一种组合式SIM卡,其特征在于,包括承载卡体,该承载卡体上设有第一SIM卡和第二SIM卡,第一SIM卡置于第二SIM卡内,共用一个芯片,其中第一SIM卡的厚度小于第二SIM卡厚度。

    6.  根据权利要求5所述的组合式SIM卡,其特征在于,所述第一SIM卡周围有缝隙。

    7.  根据权利要求5所述的组合式SIM卡,其特征在于,所述第一SIM卡周围无缝隙。

    8.  根据权利要求5所述的组合式SIM卡,其特征在于,所述第一SIM卡为4FF小卡,所述第二SIM卡为2FF小卡或者3FF小卡。

    说明书

    说明书组合式SIM卡及其生产工艺
    技术领域
     本发明涉及SIM卡,尤其涉及一种组合式SIM卡及其生产工艺。 
    背景技术
    现有技术中,不同形态的组合式SIM卡(如2FF+4FF组合式)产品在生产过程中,需要专用的纸卡生产线+注塑生产线,其工艺复杂,而生产的产品由于是纸质为主体,在卡产品的耐候性方面(即耐热、耐酸碱、耐老化、抗压力)较差,因此如何要生产类似形态的卡产品,需要组建专门的生产厂,不利于技术及产品的推广,同时卡产品在使用过程中的结构强度也较小,容易损坏。 
    发明内容
    本发明要解决的技术问题在于针对现有技术中无法将不同形态的卡组合在一起的缺陷,提供一种组合式SIM卡及其生产工艺。
    本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
    提供一种组合式SIM卡生产工艺,包括以下步骤:
    预先在中间补偿基片上的第一SIM卡区域涂布一层光油,该第一SIM卡的表面积和厚度均小于第二SIM卡;
    将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体;
    将卡体铳切为标准卡片;
    在标准卡片上进行芯片位铣槽,并进行芯片封装;
    用第二SIM卡的模具在标准卡片上进行铳切;
    用第一SIM卡的模具在第二SIM上进行二次铳切。
    本发明所述的组合式SIM卡生产工艺中,在进行二次铳切时,在第二SIM卡上铳切出带缝隙的第一SIM卡。
    本发明所述的组合式SIM卡生产工艺中,在进行二次铳切时,在第二SIM卡上铳切不带缝隙的第一SIM卡。
    本发明所述的组合式SIM卡生产工艺中,所述第一SIM卡为4FF小卡,所述第二SIM卡为2FF小卡或者3FF小卡。
    本发明还提供一种组合式SIM卡,包括承载卡体,该承载卡体上设有第一SIM卡和第二SIM卡,第一SIM卡置于第二SIM卡内,共用一个芯片,其中第一SIM卡的厚度小于第二SIM卡厚度。
    本发明所述的组合式SIM卡中,所述第一SIM卡周围有缝隙。
    本发明所述的组合式SIM卡中,所述第一SIM卡周围无缝隙。
    本发明所述的组合式SIM卡中,所述第一SIM卡为4FF小卡,所述第二SIM卡为2FF小卡或者3FF小卡。
    本发明产生的有益效果是:本发明通过在一张卡体上采用油墨分离原理完成2种不同厚度的SIM卡产品的集合,与同类产品相比本发明可在不增加现有设备投入的情况下,采用简单实用的工艺来完成。
     
    附图说明
    下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:
    图1是本发明实施例有缝铳切的组合式SIM卡的结构示意图;
    图2是本发明实施例无缝铳切的组合式SIM卡的结构示意图;
    图3是本发明实施例组合式SIM卡生产工艺流程图;
    图4是本发明实施例组合式SIM卡的剖视图。
     
    具体实施方式
    为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
    本发明将两种不同形态、不同规格的SIM卡在一张SIM卡体上实现。
    如图1、图2所示,本发明实施例组合式SIM卡,包括承载卡体30,该承载卡体30上设有第一SIM卡10和第二SIM卡20,第一SIM卡置于第二SIM卡内,共用一个芯片,其中第一SIM卡10的厚度小于第二SIM卡20的厚度。将两种不同厚度的卡组合在同一个承载卡体30上,既能保证在不同的手机终端上使用而又不会出现由于厚度原因导致的接触不良问题,大大方便了用户。另外本发明实施例的组合式SIM卡的材质始终为一种材质,不会在使用中出现产品结构不牢固的问题。
    在本发明的一个实施例中,第一SIM卡为4FF小卡,第二SIM卡为2FF小卡或者3FF小卡。2FF形态的小卡用于大多数手机终端使用,4FF小卡目前用于IPHONE5系列手机终端使用。
    在第一SIM卡10周围可设置缝隙,便于将其掰离承载卡体1,但是掰离后无法再放回承载卡体30上。也可在第一SIM卡10周围不设置缝隙,第一SIM卡10脱离承载卡体30后还可以放回嵌入承载卡体30上,即嵌入作为第二SIM卡使用。
    如图3所示,本发明的组合式SIM卡生产工艺,包括以下步骤:
    S1、预先在中间补偿基片上的第一SIM卡区域涂布一层光油,该第一SIM卡的表面积和厚度均小于第二SIM卡;在中间补偿基片的第一SIM卡区域胶印表面光油时,出血设置0. 3mm左右。
    若卡面上需要设计图案,则还可预先在面层印刷基片即正面(芯片面)设计版面图文,也可在中间层(即中间补偿基片)的小卡区域印刷图文(如果有需求小卡面有图案,没有则可以不用在中间层印刷图文)。
    S2、将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体;三种基片均可采用ABS材料。油墨在热压时会阻隔与基片的融合,故涂有光油的第一SIM卡区域经热压后不会与底部印刷基片融合在一起,从而便于后期进行第一SIM卡底部印刷基片的分离。在热压之前可采用通针做定位检查,避免装订偏移。热压时,本发明的一个实施例中,可采用如下表1的卡体层压参数进行热压粘合: 

    S3、将卡体铳切为标准卡片;可将大张的卡体铳切为长85.4mm、宽54.1mm的卡片。
    S4、在标准卡片上进行芯片位铣槽,采用铣槽机对标准卡片进行芯片位铣槽,槽深度≤0.55mm,然后进行芯片封装;
    S5、用第二SIM卡的模具在卡片上进行铳切,铳切出可方便掰开第二SIM卡的缝隙;
    S6、用第一SIM卡的模具在第二SIM上进行二次铳切。经过二次铳切后,第二SIM卡的底部印刷基片很容易脱落。
    在步骤S6进行二次铳切时,在第二SIM卡上铳切出带缝隙的第一SIM卡,也可铳切出不带缝隙的第一SIM卡。
    本发明实施例以2FF小卡(PLUG-IN SIM)、4FF小卡(Nano-SIM)两种形态的组合SIM卡为例,组合SIM卡由3层结构组成,包括一层面层印刷图文的基片、一层中间补偿基片、一层底部印刷图文的基片,其中中间补偿基片上在4FF小卡区域涂布一层光油,经过热压合成为一张0.78mm厚度的卡体,再将大张的卡体切割成一个个承载卡体,经过铣槽并封装芯片后,并经2FF形态模具铳切后再进行4FF形态模具的二次铳切,利用油墨在热压时阻隔基片的融合特性,4FF小卡区域经过4FF模具冲切后,该区域基片脱落形成一个与卡体不同厚度的小卡。
    如图4所示,为组合式SIM卡的剖视图,包括面层印刷图文的基片11、中间补偿基片12、底部印刷图文的基片13以及芯片14。底部印刷图文的基片13缺失部分即为在油墨分离的作用下脱落的基片。
    承载卡体与2FF形态小卡的厚度为0.78mm,4FF形态小卡厚度为0.67mm,通过上述方法在一张卡体上采用油墨分离原理完成2种不同厚度的SIM卡产品的集合。与同类产品相比该方法在不增加设备投入的情况下,采用简单实用的工艺来完成。本发明的方法解决了2FF小卡与4FF小卡由于厚度问题不能在同一卡体上存在的诸多问题,同时又能保证在不同的手机终端上使用而不会出现由于厚度原因导致的接触不良问题。
    经过上述生产工艺生产的组合式SIM卡,与目前市面上流通的类似卡产品相比,节省了设备再投入的费用,同时有效的利用了现有卡厂均具备的生成方式及设备,大大节约了生产成本。
    应当理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

    关 键  词:
    组合式 SIM 及其 生产工艺
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