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一种软磁材料损耗测量系统及方法.pdf

  • 上传人:t****
  • 文档编号:4668779
  • 上传时间:2018-10-26
  • 格式:PDF
  • 页数:15
  • 大小:1.62MB
  • 摘要
    申请专利号:

    CN201410354357.X

    申请日:

    2014.07.23

    公开号:

    CN104122454A

    公开日:

    2014.10.29

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情:

    授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G01R 27/26申请日:20140723|||公开

    IPC分类号:

    G01R27/26

    主分类号:

    G01R27/26

    申请人:

    中国计量科学研究院

    发明人:

    张志高; 侯瑞芬; 贺建; 范雯; 林安利

    地址:

    100013 北京市朝阳区北三环东路18号

    优先权:

    专利代理机构:

    北京轻创知识产权代理有限公司 11212

    代理人:

    杨立

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    内容摘要

    本发明涉及一种软磁材料损耗测量系统及方法,首先信号源发出正弦波经放大后流经环形样品的初级绕组,初级绕组对环形样品励磁,使次级绕组产生次级感应电压V2,初级电流经过高频无感电阻R产生电压V1;利用双通道交换单元交换模数转换器AD1和AD2的输入,AD1采集V1,AD2采集V2时,计算V1和V2的乘积P1,调节双通道交换单元使AD1采集V2,AD2采集V1,计算V2和V1的乘积P2,选择合适的高频无感电阻和的次级绕组匝数,使得V1和V2在同一数量级,从P1和P2中可计算出真实的V1和V2乘积,有效的消除掉两路模数转换系统带来的相位差,实现预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗的准确测量。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种软磁材料损耗测量系统,其特征在于,包括DDS信号源、功率放大器、绕有初级绕组N1和次级绕组N2的环形样品、高频无感电阻R、双通道交换单元、第一模数转换器、第二模数转换器、第一可编程延时电路、第二可编程延时电路和数据处理单元;
    所述DDS信号源连接功率放大器,功率放大器与环形样品初级绕组N1的输入端连接,环形样品初级绕组N1的输出端与高频无感电阻R的一端连接,高频无感电阻R的另一端连接功率放大器;环形样品次级绕组N2两端和高频无感电阻R的两端均与双通道交换单元连接;双通道交换单元的输出端分别与第一模数转换器和第二模数转换器的输入端连接,第一模数转换器和第二模数转换器的输出端均与数据处理单元连接;所述DDS信号源还与第一可编程延时电路和第二可编程延时电路连接,为其提供同步采样脉冲;第一可编程延时电路与第一模数转换器连接,第二可编程延时电路与第二模数转换器连接;
    所述DDS信号源,其用于输出预定频率下的正弦波信号至功率放大器,还向第一可编程延时电路和第二可编程延时电路提供同步采样脉冲;
    所述功率放大器,其用于对正弦波信号进行放大处理;
    所述环形样品初级绕组N1,其用于对环形样品励磁,环形样品次级绕组N2产生次级感应电压V2,将电压信号输入到双通道交换单元;
    所述高频无感电阻R,其流过初级励磁电流产生电压V1,将电压信号输入到双通道交换单元;
    所述双通道交换单元,其用于交换第一模数转换器和第二模数转换器的输入,使其交换采集电压V1和电压V2;
    所述第一可编程延时电路和第二可编程延时电路,其用于分别控制第一 模数转换器和第二模数转换器的相位延时;
    所述第一模数转换器和第二模数转换器,其用于对输入的模拟信号采样,得到数字信号,并输出至数据处理单元;
    所述数据处理单元,其用于利用接收的数据计算预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗。

    2.  根据权利要求1所述一种软磁材料损耗测量系统,其特征在于,所述双通道交换单元包括第一继电器和第二继电器;
    所述第一继电器和第二继电器均为双刀双掷型继电器;所述第一继电器包括第一端接点连接A、第二端接点连接B及处于第一端接点A和第二端接点B之间的双掷刀S1;所述第二继电器包括第三端接点连接C、第四端接点连接D及处于第三端接点C和第四端接点D之间的双掷刀S2;
    所述第一继电器的第一端接点A和第二端接点B与第二继电器的第三端接点C和第四端接点D相互连接,所述次级感应电压V2和高频无感电阻的电压V1与分别与第一继电器和第二继电器的端接点连接,使两个电压输入到不同的继电器上。

    3.  根据权利要求2所述一种软磁材料损耗测量系统,其特征在于,所述第一继电器和第二继电器的组合连接方式为第一端接点A与第四端接点D连接,第二端接点B与第三端接点C连接,此时双掷刀S1和双掷刀S2同向拨动;
    所述环形绕组N2两端与第一继电器的第一端接点A连接,同时与第二继电器的第四端接点D连接;所述高频无感电阻R两端与第二继电器的第三端接点C连接,同时与第一继电器的第二端接点B连接;所述双掷刀S1与第一模数转换器连接,所述双掷刀S2与第二模数转换器连接;
    或者,所述环形绕组N2两端与第一继电器的第二端接点B连接,同时与第二继电器的第三端接点C连接;所述高频无感电阻R两端与第二继电器 的第四端接点D连接,同时与第一继电器的第一端接点A连接;所述双掷刀S1与第一模数转换器连接,所述双掷刀S2与第二模数转换器连接。

    4.  根据权利要求2所述一种软磁材料损耗测量系统,其特征在于,所述第一继电器和第二继电器的组合连接方式为第一端接点A与第三端接点C连接,第二端接点B与第四端接点D连接,此时双掷刀S1和双掷刀S2异向拨动;
    所述环形绕组N2两端与第一继电器的第一端接点A连接,同时与第二继电器的第三端接点C连接;所述高频无感电阻R两端与第二继电器的第四端接点D连接,同时与第一继电器的第二端接点B连接;所述双掷刀S1与第一模数转换器连接,所述双掷刀S2与第二模数转换器连接;
    或者,所述环形绕组N2两端与第一继电器的第二端接点B连接,同时与第二继电器的第四端接点D连接;所述高频无感电阻R两端与第二继电器的第三端接点C连接,同时与第一继电器的第一端接点A连接;所述双掷刀S1与第一模数转换器连接,所述双掷刀S2与第二模数转换器连接。

    5.  根据权利要求1所述一种软磁材料损耗测量系统,其特征在于,选择的高频无感电阻R的阻值和次级绕组N2的匝数,使电压V1和V2在同一个数量级。

    6.  根据权利要求1所述一种软磁材料损耗测量系统,其特征在于,数据处理单元对数据处理包括,
    当第一模数转换器测量电压V1,第二模数转换器测量电压V2时,计算电压V1和V2的乘积P1,计算公式如下,
    V(AD1)=B*cos[ω(t+t1)+φ]
    V(AD2)=A*cos[ω(t+t2)]
    P1=1T∫V(AD1)*V(AD2)dt=A*B2cos(θ+φ)]]>
    θ=ω(t1-t2)
    其中,A为V2峰值,B为V1峰值,ω为角频率,t为时间,ф为V2和 V1的相位角,t1为第一模数转换器相位延时,t2为第二模数转换器相位延时;
    当第一模数转换器测量电压V2,第二模数转换器测量电压V1时,计算电压V1和V2的乘积P2,计算公式如下,
    V(AD1)=A*cos[ω(t+t1)]
    V(AD2)=B*cos[ω(t+t2)+φ]
    P2=1T∫V(AD1)*V(AD2)dt=A*B2cos(θ-φ)]]>
    θ=ω(t1-t2)
    其中,A为V2峰值,B为V1峰值,ω为角频率,t为时间,ф为V2和V1的相位角,t1为第一模数转换器相位延时,t2为第二模数转换器相位延时,第一可编程延时电路和第二可编程延时电路使得第一模数转换器和第二模数转换器两通道的延时差t1-t2小于10ns;
    根据P1和P2计算预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗Ps,计算公式如下,
    P=P1+P22*cos(θ)≈P1+P22]]>
    Ps=N1*PN2*R*m]]>
    其中,N1为初级绕组匝数,N2为次级绕组匝数,R为高频无感电阻阻值,m为环形样品质量,在频率小于1MHz时,θ小于3.6度,cos(θ)约等于1。

    7.  一种软磁材料损耗测量方法,其特征在于,包括如下步骤:
    步骤1,所述DDS信号源输出预定频率下的正弦波信号至功率放大器,同时向第一可编程延时电路和第二可编程延时电路提供同步采样脉冲;
    步骤2,功率放大器对正弦波信号进行放大处理,进而环形样品的初级绕组N1为环形样品励磁,环形样品次级绕组N2产生次级感应电压V2,初级电流流过高频无感电阻R产生电压V1;
    步骤3,电压V1和V2输入到双通道交换单元,交换第一模数转换器和第二模数转换器的输入,使其交换采集电压V1和电压V2;
    步骤4,所述第一模数转换器和第二模数转换器分别在第一可编程延时电路和第二可编程延时电路的控制下对输入的模拟信号采样,得到数字信号并输出至数据处理单元;
    步骤5,数据处理单元利用接收的数据计算预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗。

    8.  根据权利要求7所述一种软磁材料损耗测量方法,其特征在于,步骤5的具体实现为:当第一模数转换器和第二模数转换器分别测量电压V1和V2时,计算V1和V2的乘积P1;当第一模数转换器和第二模数转换器分别测量电压V2和V1时,计算V1和V2的乘积P2;根据P1和P2计算预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗。

    9.  根据权利要求8所述一种软磁材料损耗测量方法,其特征在于,P1的计算公式如下,
    V(AD1)=B*cos[ω(t+t1)+φ]
    V(AD2)=A*cos[ω(t+t2)]
    P1=1T∫V(AD1)*V(AD2)dt=A*B2cos(θ+φ)]]>
    θ=ω(t1-t2)
    其中,A为V2峰值,B为V1峰值,ω为角频率,t为时间,ф为V2和V1的相位角,t1为第一模数转换器相位延时,t2为第二模数转换器相位延时;
    P2的计算公式如下,
    V(AD1)=A*cos[ω(t+t1)]
    V(AD2)=B*cos[ω(t+t2)+φ]
    P2=1T∫V(AD1)*V(AD2)dt=A*B2cos(θ-φ)]]>
    θ=ω(t1-t2)
    其中,A为V2峰值,B为V1峰值,ω为角频率,t为时间,ф为V2和V1的相位角,t1为第一模数转换器相位延时,t2为第二模数转换器相位延 时,第一可编程延时电路和第二可编程延时电路使得第一模数转换器和第二模数转换器两通道的延时差t1-t2小于10ns。

    10.  根据权利要求9所述一种软磁材料损耗测量方法,其特征在于,软磁材料的损耗Ps的计算公式如下,
    P=P1+P22*cos(θ)≈P1+P22]]>
    Ps=N1*PN2*R*m]]>
    其中,N1为初级绕组匝数,N2为次级绕组匝数,R为高频无感电阻阻值,m为环形样品质量,在频率小于1MHz时,θ小于3.6度,cos(θ)约等于1。

    说明书

    说明书一种软磁材料损耗测量系统及方法
    技术领域
    本发明涉及磁性材料性能测量领域,尤其涉及一种软磁材料损耗测量系统及方法。
    背景技术
    软磁材料是指矫顽力小,容易磁化和退磁的磁性材料。可以分为金属合金和铁氧体两大类,最近又发展出铁粉芯材料。软磁材料主要用于变压器、传感器、滤波器、电机等。广泛服务于航空航天、信息通讯、电力电子等高科技领域。近年来,软磁材料向高频、高磁导率、低损耗发展,软磁材料损耗的准确测量对产品质量提升意义重大。
    国际上普遍采用IEC60404-6和IEC62044-3推荐的功率表法测量软磁材料损耗,此方法是在环形样品上绕制两个绕组,一个为初级励磁绕组,一个为次级感应绕组,用功率表测量初级电流和次级电压乘积。环形样品的损耗可由功率直接导出。
    近年来,软磁材料不断进展,许多铁氧体材料和铁粉芯材料次级电压和初级电流之间的相位角接近90度,并且工作频率从几十kHz到几百kHz,这要求功率表在高频低功率因数下具有高准确度,这个条件难以达到。采用上述方法的测量设备,损耗的复现性大于百分之十,甚至到百分之几十,严重的阻碍了软磁材料的产品的研发和应用。
    发明内容
    本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足,提供一种软磁材料损耗测量系统及方法。
    本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种软磁材料损耗测量系 统,包括DDS信号源、功率放大器、绕有初级绕组N1和次级绕组N2的环形样品、高频无感电阻R、双通道交换单元、第一模数转换器、第二模数转换器、第一可编程延时电路、第二可编程延时电路和数据处理单元;
    所述DDS信号源连接功率放大器,功率放大器与环形样品初级绕组N1的输入端连接,环形样品初级绕组N1的输出端与高频无感电阻R的一端连接,高频无感电阻R的另一端连接功率放大器;环形样品次级绕组N2两端和高频无感电阻R的两端均与双通道交换单元连接;双通道交换单元的输出端分别与第一模数转换器和第二模数转换器的输入端连接,第一模数转换器和第二模数转换器的输出端均与数据处理单元连接;所述DDS信号源还与第一可编程延时电路和第二可编程延时电路连接,为其提供同步采样脉冲;第一可编程延时电路与第一模数转换器连接,第二可编程延时电路与第二模数转换器连接;
    所述DDS信号源,其用于输出预定频率下的正弦波信号至功率放大器,还向第一可编程延时电路和第二可编程延时电路提供同步采样脉冲;所述功率放大器,其用于对正弦波信号进行放大处理;所述环形样品初级绕组N1,其用于对环形样品励磁,环形样品次级绕组N2产生次级感应电压V2,将电压信号输入到双通道交换单元;所述高频无感电阻R,其流过初级励磁电流产生电压V1,将电压信号输入到双通道交换单元;所述双通道交换单元,其用于交换第一模数转换器和第二模数转换器的输入,使其交换采集电压V1和电压V2;所述第一模数转换器和第二模数转换器,其用于对输入的模拟信号采样,得到数字信号,并输出至数据处理单元;所述数据处理单元,其利用接收的数据计算预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗。
    本发明的有益效果是:本发明的可编程延时电路,控制AD系统采样起始时间,可使得AD1和AD2两通道的延时差小于10ns;通过双通道交换单元,分别利用模数转换器AD1和AD2同时采样V1和V2,AD1采集V1,AD2采集 V2,计算V1和V2的乘积P1;使AD1采集V2,AD2采集V1时,计算V2和V1的乘积P2;从P1和P2中可计算出真实的V1和V2乘积,有效的消除掉两路模数转换系统带来的相位差,实现预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗的准确测量。
    在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
    进一步,所述双通道交换单元包括第一继电器和第二继电器;
    所述第一继电器和第二继电器均为双刀双掷型继电器;所述第一继电器包括第一端接点连接A、第二端接点连接B及处于第一端接点A和第二端接点B之间的双掷刀S1;所述第二继电器包括第三端接点连接C、第四端接点连接D及处于第三端接点C和第四端接点D之间的双掷刀S2;
    所述第一继电器的第一端接点A和第二端接点B与第二继电器的第三端接点C和第四端接点D相互连接,所述次级感应电压V2和高频无感电阻的电压V1与分别与第一继电器和第二继电器的端接点连接,使两个电压输入到不同的继电器上。
    进一步,所述第一继电器和第二继电器的组合连接方式为第一端接点A与第四端接点D连接,第二端接点B与第三端接点C连接,此时双掷刀S1和双掷刀S2同向拨动;所述环形绕组N2两端与第一继电器的第一端接点A连接,同时与第二继电器的第四端接点D连接;所述高频无感电阻R两端与第二继电器的第三端接点C连接,同时与第一继电器的第二端接点B连接;所述双掷刀S1与第一模数转换器连接,所述双掷刀S2与第二模数转换器连接。或者,所述环形绕组N2两端与第一继电器的第二端接点B连接,同时与第二继电器的第三端接点C连接;所述高频无感电阻R两端与第二继电器的第四端接点D连接,同时与第一继电器的第一端接点A连接;所述双掷刀S1与第一模数转换器连接,所述双掷刀S2与第二模数转换器连接。
    进一步,所述第一继电器和第二继电器的组合连接方式为第一端接点A 与第三端接点C连接,第二端接点B与第四端接点D连接,此时双掷刀S1和双掷刀S2异向拨动;所述环形绕组N2两端与第一继电器的第一端接点A连接,同时与第二继电器的第三端接点C连接;所述高频无感电阻R两端与第二继电器的第四端接点D连接,同时与第一继电器的第二端接点B连接;所述双掷刀S1与第一模数转换器连接,所述双掷刀S2与第二模数转换器连接;或者,所述环形绕组N2两端与第一继电器的第二端接点B连接,同时与第二继电器的第四端接点D连接;所述高频无感电阻R两端与第二继电器的第三端接点C连接,同时与第一继电器的第一端接点A连接;所述双掷刀S1与第一模数转换器连接,所述双掷刀S2与第二模数转换器连接。
    进一步,选择的高频无感电阻R的阻值和次级绕组N2的匝数,使电压V1和V2在同一个数量级。
    进一步,数据处理单元对数据处理包括,当第一模数转换器测量电压V1,第二模数转换器测量电压V2时,计算电压V1和V2的乘积P1,计算公式如下,
    V(AD1)=B*cos[ω(t+t1)+φ]
    V(AD2)=A*cos[ω(t+t2)]
    P1=1T∫V(AD1)*V(AD2)dt=A*B2cos(θ+φ)]]>
    θ=ω(t1-t2)
    其中,A为V2峰值,B为V1峰值,ω为角频率,t为时间,ф为V2和V1的相位角,t1为第一模数转换器相位延时,t2为第二模数转换器相位延时;
    当第一模数转换器测量电压V2,第二模数转换器测量电压V1时,计算电压V1和V2的乘积P2,计算公式如下,
    V(AD1)=A*cos[ω(t+t1)]
    V(AD2)=B*cos[ω(t+t2)+φ]
    P2=1T∫V(AD1)*V(AD2)dt=A*B2cos(θ-φ)]]>
    θ=ω(t1-t2)
    其中,A为V2峰值,B为V1峰值,ω为角频率,t为时间,ф为V2和V1的相位角,t1为第一模数转换器相位延时,t2为第二模数转换器相位延时,第一可编程延时电路和第二可编程延时电路使得第一模数转换器和第二模数转换器两通道的延时差t1-t2小于10ns;
    根据P1和P2计算预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗Ps,计算公式如下,
    P=P1+P22*cos(θ)≈P1+P22]]>
    Ps=N1*PN2*R*m]]>
    其中,N1为初级绕组匝数,N2为次级绕组匝数,R为高频无感电阻阻值,m为环形样品质量,在频率小于1MHz时,θ小于3.6度,cos(θ)约等于1。
    本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种软磁材料损耗测量方法,包括如下步骤:
    步骤1,所述DDS信号源输出预定频率下的正弦波信号至功率放大器,同时向第一可编程延时电路和第二可编程延时电路提供同步采样脉冲;
    步骤2,功率放大器对正弦波信号进行放大处理,进而环形样品的初级绕组N1为环形样品励磁,环形样品次级绕组N2产生次级感应电压V2,初级电流流过高频无感电阻R产生电压V1;
    步骤3,电压V1和V2输入到双通道交换单元,交换第一模数转换器和第二模数转换器的输入,使其交换采集电压V1和电压V2;
    步骤4,所述第一模数转换器和第二模数转换器分别在第一可编程延时电路和第二可编程延时电路的控制下对输入的模拟信号采样,得到数字信号并输出至数据处理单元;
    步骤5,数据处理单元于利用接收的数据计算预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗。
    在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
    进一步,P1的计算公式如下,
    V(AD1)=B*cos[ω(t+t1)+φ]
    V(AD2)=A*cos[ω(t+t2)]
    P1=1T∫V(AD1)*V(AD2)dt=A*B2cos(θ+φ)]]>
    θ=ω(t1-t2)
    其中,A为V2峰值,B为V1峰值,ω为角频率,t为时间,ф为V2和V1的相位角,t1为第一模数转换器相位延时,t2为第二模数转换器相位延时;
    P2的计算公式如下,
    V(AD1)=A*cos[ω(t+t1)]
    V(AD2)=B*cos[ω(t+t2)+φ]
    P2=1T∫V(AD1)*V(AD2)dt=A*B2cos(θ-φ)]]>
    θ=ω(t1-t2)
    其中,A为V2峰值,B为V1峰值,ω为角频率,t为时间,ф为V2和V1的相位角,t1为第一模数转换器相位延时,t2为第二模数转换器相位延时,第一可编程延时电路和第二可编程延时电路使得第一模数转换器和第二模数转换器两通道的延时差t1-t2小于10ns。
    进一步,软磁材料的损耗Ps的计算公式如下,
    P=P1+P22*cos(θ)≈P1+P22]]>
    Ps=N1*PN2*R*m]]>
    其中,N1为初级绕组匝数,N2为次级绕组匝数,R为高频无感电阻阻值,m为环形样品质量,在频率小于1MHz时,θ小于3.6度,cos(θ)约等于1。
    附图说明
    图1为本发明所述一种软磁材料损耗测量系统框图;
    图2为本发明所述一种软磁材料损耗测量方法流程图。
    附图中,各标号所代表的部件列表如下:
    1、DDS信号源,2、功率放大器,3、环形样品,4、高频无感电阻R,5、双通道交换单元,6、第一模数转换器,7、第二模数转换器,8、第一可编程延时电路,9、第二可编程延时电路,10数据处理单元。
    具体实施方式
    以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
    如图1所示,一种软磁材料损耗测量系统,包括DDS信号源1、功率放大器2、绕有初级绕组N1和次级绕组N2的环形样品3、高频无感电阻R4、双通道交换单元5、第一模数转换器6、第二模数转换器7、第一可编程延时电路8、第二可编程延时电路9和数据处理单元10;
    所述DDS信号源1连接功率放大器2,功率放大器2与环形样品3初级绕组N1的输入端连接,环形样品3初级绕组N1的输出端与高频无感电阻R的一端连接,高频无感电阻R的另一端连接功率放大器2;环形样品3次级绕组N2两端和高频无感电阻R的两端均与双通道交换单元5连接;双通道交换单元5的输出端分别与第一模数转换器6和第二模数转换器7的输入端连接,第一模数转换器6和第二模数转换器7的输出端均与数据处理单元10连接;所述DDS信号源1还与第一可编程延时电路8和第二可编程延时电路9连接,为其提供同步采样脉冲;第一可编程延时电路8与第一模数转换器6连接,第二可编程延时电路9与第二模数转换器7连接。
    所述DDS信号源1,其用于输出预定频率下的正弦波信号至功率放大器2,还向第一可编程延时电路8和第二可编程延时电路9提供同步采样脉冲; 所述功率放大器2,其用于对正弦波信号进行放大处理;所述环形样品初级绕组N1,其用于对环形样品3励磁,环形样品次级绕组N2产生次级感应电压V2,将电压信号输入到双通道交换单元5;所述高频无感电阻R,其流过初级励磁电流产生电压V1,将电压信号输入到双通道交换单元5;所述双通道交换单元5,其用于交换第一模数转换器6和第二模数转换器7的输入,使其交换采集电压V1和电压V2;所述第一模数转换器6和第二模数转换器7,其用于对输入的模拟信号采样,得到数字信号,并输出至数据处理单元10;所述数据处理单元10,其用于利用接收的数据计算预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗。
    所述双通道交换单元5包括第一继电器和第二继电器;所述第一继电器和第二继电器均为双刀双掷型继电器;所述第一继电器包括第一端接点连接A、第二端接点连接B及处于第一端接点A和第二端接点B之间的双掷刀S1;所述第二继电器包括第三端接点连接C、第四端接点连接D及处于第三端接点C和第四端接点D之间的双掷刀S2;所述第一继电器的第一端接点A和第二端接点B与第二继电器的第三端接点C和第四端接点D相互连接,所述次级感应电压V2和高频无感电阻的电压V1与分别与第一继电器和第二继电器的端接点连接,使两个电压输入到不同的继电器上。
    实施例1,如图1所示,所述第一继电器和第二继电器的组合连接方式为第一端接点A与第四端接点D连接,第二端接点B与第三端接点C连接,此时双掷刀S1和双掷刀S2同向拨动;所述环形绕组N2两端与第一继电器的第一端接点A连接,同时与第二继电器的第四端接点D连接;所述高频无感电阻R两端与第二继电器的第三端接点C连接,同时与第一继电器的第二端接点B连接;所述双掷刀S1与第一模数转换器6连接,所述双掷刀S2与第二模数转换器7连接。
    实施例2,与实施例1不同的是所述环形绕组N2两端与第一继电器的第 二端接点B连接,同时与第二继电器的第三端接点C连接;所述高频无感电阻R两端与第二继电器的第四端接点D连接,同时与第一继电器的第一端接点A连接;所述双掷刀S1与第一模数转换器6连接,所述双掷刀S2与第二模数转换器7连接。
    实施例3,所述第一继电器和第二继电器的组合连接方式为第一端接点A与第三端接点C连接,第二端接点B与第四端接点D连接,此时双掷刀S1和双掷刀S2异向拨动;所述环形绕组N2两端与第一继电器的第一端接点A连接,同时与第二继电器的第三端接点C连接;所述高频无感电阻R两端与第二继电器的第四端接点D连接,同时与第一继电器的第二端接点B连接;所述双掷刀S1与第一模数转换器6连接,所述双掷刀S2与第二模数转换器7连接。
    实施例4,与实施例不同的是所述环形绕组N2两端与第一继电器的第二端接点B连接,同时与第二继电器的第四端接点D连接;所述高频无感电阻R两端与第二继电器的第三端接点C连接,同时与第一继电器的第一端接点A连接;所述双掷刀S1与第一模数转换器6连接,所述双掷刀S2与第二模数转换器7连接。
    选择的高频无感电阻R的阻值和次级绕组N2的匝数,使电压V1和V2在同一个数量级。
    数据处理单元对数据处理包括,当第一模数转换器测量电压V1,第二模数转换器测量电压V2时,计算电压V1和V2的乘积P1,计算公式如下,
    V(AD1)=B*cos[ω(t+t1)+φ]
    V(AD2)=A*cos[ω(t+t2)]
    P1=1T∫V(AD1)*V(AD2)dt=A*B2cos(θ+φ)]]>
    θ=ω(t1-t2)
    其中,A为V2峰值,B为V1峰值,ω为角频率,t为时间,ф为V2和V1的相位角,t1为第一模数转换器相位延时,t2为第二模数转换器相位延 时;
    当第一模数转换器测量电压V2,第二模数转换器测量电压V1时,计算电压V1和V2的乘积P2,计算公式如下,
    V(AD1)=A*cos[ω(t+t1)]
    V(AD2)=B*cos[ω(t+t2)+φ]
    P1=1T∫V(AD1)*V(AD2)dt=A*B2cos(θ+φ)]]>
    θ=ω(t1-t2)
    其中,A为V2峰值,B为V1峰值,ω为角频率,t为时间,ф为V2和V1的相位角,t1为第一模数转换器相位延时,t2为第二模数转换器相位延时,第一可编程延时电路和第二可编程延时电路使得第一模数转换器和第二模数转换器两通道的延时差t1-t2小于10ns。
    根据P1和P2计算预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗Ps,计算公式如下,
    P=P1+P22*cos(θ)≈P1+P22]]>
    Ps=N1*PN2*R*m]]>
    其中,N1为初级绕组匝数,N2为次级绕组匝数,R为高频无感电阻阻值,m为环形样品质量,在频率小于1MHz时,θ小于3.6度,cos(θ)约等于1。
    如图2所示,一种软磁材料损耗测量方法,包括如下步骤:
    步骤1,所述DDS信号源输出预定频率下的正弦波信号至功率放大器,同时向第一可编程延时电路和第二可编程延时电路提供同步采样脉冲;
    步骤2,功率放大器对正弦波信号进行放大处理,进而环形样品的初级绕组N1为环形样品励磁,环形样品次级绕组N2产生次级感应电压V2,初级电流流过高频无感电阻R产生电压V1;
    步骤3,电压V1和V2输入到双通道交换单元,交换第一模数转换器和第二模数转换器的输入,使其交换采集电压V1和电压V2;
    步骤4,所述第一模数转换器和第二模数转换器分别在第一可编程延时电路和第二可编程延时电路的控制下对输入的模拟信号采样,得到数字信号并输出至数据处理单元;
    步骤5,数据处理单元于利用接收的数据计算预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗。
    步骤5中在软磁材料损耗测量中,为了测量结果的可比性,V2必须为正弦波,而V1则有可能包含各次谐波。根据正交原理,当V2正弦时,V1的谐波对于V2和V1的乘积没有贡献,我们在下面讨论中无需考虑V1谐波分量。因此我们设定V1和V2的原始信号和它们的乘积满足公式:
    V2=A*cos(ωt)
    V1=B*cos(ωt+φ)
    P=1T∫V2*V1*dt=A*B2cos(φ)]]>
    公式中A为V2峰值,B为V1峰值,ω为角频率,t为时间,ф为V2和V1的相位角,P为V1和V2乘积;
    当第一模数转换器和第二模数转换器分别测量电压V1和V2时,计算V1和V2的乘积P1,计算公式如下,
    V(AD1)=B*cos[ω(t+t1)+φ]
    V(AD2)=A*cos[ω(t+t2)]
    P1=1T∫V(AD1)*V(AD2)dt=A*B2cos(θ+φ)]]>
    θ=ω(t1-t2)
    其中,A为V2峰值,B为V1峰值,ω为角频率,t为时间,ф为V2和V1的相位角,t1为第一模数转换器相位延时,t2为第二模数转换器相位延时;
    当第一模数转换器和第二模数转换器分别测量电压V2和V1时,计算V1 和V2的乘积P2,计算公式如下,
    V(AD1)=A*cos[ω(t+t1)]
    V(AD2)=B*cos[ω(t+t2)+φ]
    P2=1T∫V(AD1)*V(AD2)dt=A*B2cos(θ-φ)]]>
    θ=ω(t1-t2)
    其中,A为V2峰值,B为V1峰值,ω为角频率,t为时间,ф为V2和V1的相位角,t1为第一模数转换器相位延时,t2为第二模数转换器相位延时,第一可编程延时电路和第二可编程延时电路使得第一模数转换器和第二模数转换器两通道的延时差t1-t2小于10ns;
    根据P1和P2计算预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗Ps,计算公式如下,
    P=P1+P22*cos(θ)≈P1+P22]]>
    Ps=N1*PN2*R*m]]>
    其中,N1为初级绕组匝数,N2为次级绕组匝数,R为高频无感电阻阻值,m为环形样品质量,在频率小于1MHz时,θ小于3.6度,cos(θ)约等于1。
    本发明提出了通道交换方法,信号源发出正弦波经放大后流经环形样品的初级绕组,初级绕组对环形样品励磁,使次级绕组产生次级感应电压V2,初级电流经过高频无感电阻R产生电压V1;选择合适的高频无感电阻和的次级绕组匝数,使得V1和V2在同一数量级,利用双通道交换单元交换数转换器AD1和AD2的输入,AD1采集V1,AD2采集V2时,计算V1和V2的乘积P1,调节双通道交换单元使AD1采集V2,AD2采集V1,计算V2和V1的乘积P2,从P1和P2中可计算出真实的V1和V2乘积,有效的消除掉两路模数转换系统带来的相位差,实现预定频率和预定次级感应电压条件下软磁材料的损耗的准确测量。采用上述测量系统及方法,在频率范围为20Hz-1MHz时,各种软磁材料损耗的复现性小于百分之五。通过交换通道的方法,当AD系 统附加相移小于3.6度时,计算的损耗误差不超过0.2%。这足可以满足软磁材料损耗的测量要求。
    如图1所示,第一继电器盒第二继电器双刀双掷型继电器,结合实施例1进行如下介绍。
    V1接S1的右面两个接点同时还连接S2左面两个接点,V2接S2的右面两个接点同时还连接S1左面两个接点。利用双通交换单元模数转换器AD1和AD2同时采样V1和V2,当S1和S2同时切换到右边接点时,此时AD1采集V1,AD2采集V2,通过数据处理计算V1和V2的乘积P1;当S1和S2同时切换到左边接点时,此时AD1采集V2,AD2采集V1,通过数据处理计算V2和V1的乘积P2。
    DDS信号源同时提供同步采样脉冲,经过可编程延时电路1控制AD1采样,经过可编程延时电路2控制AD2采样,经过对可编程延时电路1和可编程延时电路2的编程,可使得AD1和AD2两通道的延时差小于10ns,对于最高频率为1MHz时,AD系统带来的附加相移小于3.6度。如果相移能够调整到0度,那么测量工作将变得极为简单,无需双通道交换单元。但是由于测量硬件系统的相移随温度、时间和输入量的大小等变化,因此只能将此相移控制在一定范围内。本发明利用通道交换技术来消除残余相移。
    以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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    一种 材料 损耗 测量 系统 方法
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