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1、(10)申请公布号 CN 102306622 A (43)申请公布日 2012.01.04 CN 102306622 A *CN102306622A* (21)申请号 201110269480.8 (22)申请日 2011.09.13 H01L 21/02(2006.01) H01L 21/312(2006.01) G03F 7/00(2006.01) (71)申请人 众网软件科技 （大连） 有限公司 地址 116000 辽宁省大连市中山区七一街 十一号银洲国际大厦 818 室 (72)发明人 辛丽华 (74)专利代理机构 大连科技专利代理有限责任 公司 21119 代理人 龙锋 (54) 发。
2、明名称 一种刻录方法 (57) 摘要 本发明提供一种刻录方法， 该方法包括如下 步骤 ： 在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶， 刻录胶 的厚度从晶圆中心到周边逐步均匀增加 ； 刻胶完 成后， 进行曝光 ； 曝光完成后， 进行显影 ； 显影完 成后， 进行蚀刻 ； 蚀刻完成后， 移除剩余的刻录 胶。 实施本发明的刻录方法， 通过在晶圆的被腐蚀 层表面镀刻录胶时将胶的分布厚度进行控制来获 得均匀度较好的电路图形， 让晶圆各个位置图形 的失真情况一致， 方便采用传统方法进行校正， 从 而控制性刻图形的一致性。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 。
3、1 页 说明书 2 页 附图 1 页 CN 102306629 A1/1 页 2 1. 一种刻录方法， 其特征在于 ： 包括如下步骤， S1、 在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶， 刻录胶的厚度从晶圆中心到周边逐步均匀增 加 ； S2、 刻胶完成后， 进行曝光 ； S3、 曝光完成后， 进行显影 ； S4、 显影完成后， 进行蚀刻 ； S5、 蚀刻完成后， 移除剩余的刻录胶。 权 利 要 求 书 CN 102306622 A CN 102306629 A1/2 页 3 一种刻录方法 技术领域 0001 本发明涉及半导体领域， 具体地说， 涉及一种半导体器件的刻录方法。 背景技术 0002 随着半导体。
4、技术的快速发展， 半导体器件越来越精密， 使得人们对工艺误差的控 制难度加大。刻录制程是半导体器件制造的一个重要环节， 在刻录制程中如何获得更好的 关健尺寸变得越来越重要。现有技术中刻录图形的方法是 ： 首先在晶圆的被蚀刻层表面镀 刻录胶， 且刻录胶厚度均匀 ； 然后进行显影步骤， 如果采用的是正刻录胶， 则曝光区的刻录 胶被移除掉 ； 然后进行蚀刻步骤， 在被蚀刻层上蚀刻出需要的电路图形 ； 最后将剩于的刻 录胶移除。采用现有方法显影步骤后检视发现， 图形关健尺寸均匀度较好。但是， 经过蚀刻 步骤后检视发现， 图形关键尺寸均匀度较差， 晶圆中心部分的图形关键尺寸比边缘部分的 图形关键尺寸变化。
5、小。 采用现有的方法， 使得蚀刻图形与所需要的电路图形相差较多， 且由 于在晶圆不同位置， 图形失真情况也不一样， 采用传统方法如光学趋近校正及曝光机趋近 校正由于其本身的局限也无法使蚀刻图形达到要求。有鉴于此， 需要提供一种新的刻录方 法以改善上述情况。 发明内容 0003 本发明要解决的技术问题在于， 针对现有技术的缺陷， 提供一种刻录方法， 该方法 包括如下步骤 ： S1、 在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶， 刻录胶的厚度从晶圆中心到周边逐步均匀增 加 ； S2、 刻胶完成后， 进行曝光 ； S3、 曝光完成后， 进行显影 ； S4、 显影完成后， 进行蚀刻 ； S5、 蚀刻完成后， 移除剩。
6、余的刻录胶。 0004 实施本发明的刻录方法， 具有以下有益效果 ： 通过在晶圆的被腐蚀层表面镀刻录 胶时将胶的分布厚度进行控制来获得均匀度较好的电路图形， 让晶圆各个位置图形的失真 情况一致， 方便采用传统方法进行校正， 从而控制性刻图形的一致性。 附图说明 0005 图 1 是本发明刻录方法的流程图。 具体实施方式 0006 现有技术中刻录图形的方法是 ： 首先在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶， 且刻录胶 厚度均匀 ； 然后进行显影步骤， 如果采用的是正刻录胶， 则曝光区的刻录胶被移除掉 ； 然后 进行蚀刻步骤， 在被蚀刻层上蚀刻出需要的电路图形 ； 最后将剩于的刻录胶移除。采用现 说 明 书。
7、 CN 102306622 A CN 102306629 A2/2 页 4 有方法显影步骤后检视发现， 图形关健尺寸均匀度较好。但是， 经过蚀刻步骤后检视发现， 图形关键尺寸均匀度较差， 晶圆中心部分的图形关键尺寸比边缘部分的图形关键尺寸变化 小。采用现有的方法， 使得蚀刻图形与所需要的电路图形相差较多， 且由于在晶圆不同位 置， 图形失真情况也不一样， 即使进行调整， 也不能达到很好的效果， 因此需要一种更好的 刻录方法来代替。 0007 图 1 是本发明刻录方法的流程图。如图所示， 该方法包括如下步骤 ： S1、 在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶， 刻录胶的厚度从晶圆中心到周边逐步均匀增 加 。
8、； S2、 刻胶完成后， 进行曝光 ； S3、 曝光完成后， 进行显影 ； S4、 显影完成后， 进行蚀刻 ； S5、 蚀刻完成后， 移除剩余的刻录胶。 0008 实施本发明的电子付费方法， 具有以下有益效果 ： 获得均匀度较好的电路图形， 且 晶圆各个位置图形的失真情况一致， 方便采用传统方法进行校正， 进一步控制性刻图形的 一致性。 0009 本发明是通过一些实施例进行描述的， 本领域技术人员知悉， 在不脱离本发明的 精神和范围的情况下， 可以对这些特征和实施例进行各种改变或等效替换。 另外， 在本发明 的教导下， 可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不会脱离本发明 的精神和范围。 因此， 本发明不受此处所公开的具体实施例的限制， 所有落入本申请的权利 要求范围内的实施例都属于本发明的保护范围。 说 明 书 CN 102306622 A CN 102306629 A1/1 页 5 图 1 说 明 书 附 图 CN 102306622 A 。