一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 102976724 A (43)申请公布日 2013.03.20 CN 102976724 A *CN102976724A* (21)申请号 201110261551.X (22)申请日 2011.09.05 C04B 35/16(2006.01) F23D 14/64(2006.01) (71)申请人庄国明地址 516000 广东省惠州市惠阳区淡水排坊居委会排坊新开发区 13 巷 5 号 (72)发明人庄国明 (54) 发明名称一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备 (57) 摘要本发明涉及一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备，所述远红外。

2、芯片由以下重量百分比原料制成：硅酸锆 54 62，二硫化钼 4 5.5，氧化镍 5 6.5，硫化锌 4 6，二氧化钛 11 15，粘土 8 12，滑石 1 1.5，纳米铝 1.5 2.0，纳米银 1.0 1.5。本发明的有益效果为：在燃气工程中采用本发明所述的远红外芯片，使燃气雾化更加充分，空气和燃气一起进入混合仓，高速旋转，加入燃烧活化中心发生器不断产生活化中心，使燃烧更充分，节省燃气 10 -25左右。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页说明书 2 页附图 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请权利要。

3、求书 1 页说明书 2 页附图 1 页 1/1 页 2 1.一种远红外芯片，其特征在于，其由以下重量百分比原料制成：硅酸锆5462，二硫化钼45.5，氧化镍56.5，硫化锌46，二氧化钛1115，粘土812，滑石 1 1.5，纳米铝 1.5 2.0，以及纳米银 1.0 1.5。 2. 一种利用权利要求 1 所述的远红外芯片的节能设备，包括混合仓，其特征在于：混合仓左端设有进风口，混合仓右端设有混合气出口，混合仓内部左侧靠近进风口处设有导流罩，导流罩的右边设有旋风片，旋风片上设有若干个 45 度斜孔；混合仓的内侧壁上设有活化中心产生网，在。

4、混合仓的下部且位于旋风片的右侧焊接有能量棒，能量棒上端接有喷气管且喷气管伸入到混合仓内部，喷气管上设有若干个喷气口，能量棒下端设有进气口，能量棒的内部设有若干所述的远红外芯片，所述远红外芯片之间均设有催化网。权利要求书 CN 102976724 A 2 1/2 页 3 一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备技术领域 0001 本发明涉及材料领域，尤其涉及一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备。背景技术 0002 以硅酸锆和粘土为主体，经人工合成制造的常温远红外辐射材料，可以在一切燃油燃气的设备中使用，并且真正达到节油节气的目的。目前公开的专利号为。

5、 200410053375.0 的纳米远红外超导材料，和专利号为 200510037503.7 的纳米常温远红外线节能材料都未能保证节气率在10。如何使燃气设备中的空气与燃气混合和燃烧得更加充分，对节能来说也是非常重要的一个环节。发明内容 0003 本发明的目的是提供一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备，能够使各种燃气 ( 石油气、天然气、煤气等 ) 设备的节能率达到 10-25。 0004 本发明的目的是通过以下技术方案来实现： 0005 一种远红外芯片，由以下重量百分比原料制成：硅酸锆 54 62，二硫化钼 4 5.5，氧化镍 5 6.5，硫化锌 4。

6、 6，二氧化钛 11 15，粘土 8 12，滑石 1 1.5，纳米铝1.52.0，以及纳米银1.01.5。所述远红外芯片的制备过程包括：将各原料球磨达 800 目，过筛，用常规热石腊注浆法制成蜂窝状芯片，排腊后烧成达 1220 1260即可。 0006 一种利用所述远红外芯片的节能设备，包括混合仓，混合仓左端设有进风口，混合仓右端设有混合气出口，混合仓内部左侧靠近进风口处设有导流罩，导流罩的右边设有旋风片，旋风片上设有若干个 45 度斜孔，混合仓的内侧壁上设有活化中心产生网，在混合仓的下部且位于旋风片的右侧焊接能量棒，能量棒上端接有喷气管，并且。

7、喷气管伸入到混合仓内部，喷气管上设有若干个喷气口，能量棒下端设有进气口，能量棒的内部设有若干所述的远红外芯片，所述的远红外芯片之间均设有催化网。 0007 所述远红外芯片的成分配比为：硅酸锆为5462，二硫化钼为45.5，氧化镍为 5 6.5，硫化锌为 4 6，二氧化钛为 11 15，粘土为 8 12，滑石为 1 1.5，纳米铝为 1.5 2.0，纳米银为 1.0 1.5。 0008 本发明的有益效果为：在远红外材料制造的能量棒中，远红外 (50 )8 25m 法向比辐射率达到 0.92，全波段积分为 0.91，发射的主波峰向 3m 方向移动，使得。

8、 3m 附近的 CHX基团振转运动基频能更好的共振吸收，其动能增加，使得分子团变小，雾化更加充分；空气经过 70-90预热后和燃气一起进入混合仓，高速旋转，加入燃烧活化中心发生器不断产生活化中心，从而使燃烧迅速完成，燃烧充分，瞬间温度提高，达到节省燃气 10 -25左右。说明书 CN 102976724 A 3 2/2 页 4 附图说明 0009 下面根据附图对本发明作进一步详细说明。 0010 图 1 是一种利用本发明实施例所述的远红外芯片的节能设备的结构示意图。 0011 图中： 1、混合仓； 2、进风口； 3、混合气出口； 4、导导流罩；。

9、 5、旋风片； 6、活化中心产生网； 7、能量棒； 8、喷气管； 9、进气口； 10、远红外芯片； 11、催化网。具体实施方式 0012 实施例 1 ： 0013 一种远红外芯片，由以下重量的原料制成： 620g 硅酸锆， 50g 二硫化钼， 65g 氧化镍， 60g硫化锌， 110g二氧化钛， 120g粘土， 10g滑石， 20g纳米铝，以及15g纳米银，将上述原料充分混合，将混合后的原料球磨达 800 目，过筛，用常规热石腊注浆法，制成蜂窝状芯片，排腊后烧成达 1220 1260即可。 0014 实施例 2 ： 0015 一种远红外芯片，。

10、由以下重量的原料制成： 580g 硅酸锆， 40g 二硫化钼， 57g 氧化镍， 50g 硫化锌， 130g 二氧化钛， 100g 粘土， 12g 滑石， 17g 纳米铝， 12g 纳米银，将上述原料充分混合，将混合后的原料球磨达 800 目过筛，用常规热石腊注浆法，制成蜂窝状芯片，排腊后烧成达 1220 1260即可。 0016 实施例 3 ： 0017 一种远红外芯片，由以下重量的原料制成： 540g 硅酸锆， 55g 二硫化钼， 50g 氧化镍， 40g 硫化锌， 150g 二氧化钛， 80g 粘土， 15g 滑石， 15g 纳米铝， 10g 纳米银，将上述原。

11、料充分混合，将混合后的原料材料球磨达 800 目过筛，用常规热石腊注浆法，制成蜂窝状芯片，排腊后烧成达 1220 1260即可。 0018 如图 1 所示，一种利用本发明实施例所述的远红外芯片的节能设备，包括混合仓 1，混合仓 1 左端设有进风口 2，混合仓 1 右端设有混合气出口 3，混合仓 1 内部左侧靠近进风口 2 处设有导流罩 4，导流罩 4 的右边设有旋风片 5，旋风片 5 上设有若干个 45 度斜孔，混合仓1的内侧壁上设有活化中心产生网6，在混合仓1的下部且位于旋风片5的右侧焊接能量棒 7，能量棒 7 上端接有喷气管 8，并且喷气管 8 伸入到混。

12、合仓 1 内部，喷气管 8 上设有若干个喷气口，能量棒 7 下端设有进气口 9，能量棒 7 的内部设有若干远红外芯片 10，远红外芯片 10 之间均设有催化网 11。 0019 空气由进风口 2 进入混合仓 1，在导流罩 4 的引导下，通过旋风片 5 的 45 度斜孔 ( 斜孔数量大小按尺寸定，实现孔最多最大化 ) 后高速旋转，而燃气则从能量棒 7 的进气口 9 经过能量棒 7 处理后，分子动能增加，细化雾化充分，由喷气管 8 的喷气口 ( 含有的小孔 18 个以上 ) 全方位喷出，并且与旋转空气充分混合，撞击到附着于混合仓内壁的催化网 11 上时，产生负氧的活化中心，继续高速旋转混合推进，混合气体在混合气出口喷射，接到喷枪燃烧，达到节能的目的。说明书 CN 102976724 A 4 1/1 页 5 图 1 说明书附图 CN 102976724 A 5 。

摘要
申请专利号：	CN201110261551.X	申请日：	2011.09.05
公开号：	CN102976724A	公开日：	2013.03.20
当前法律状态：	撤回	有效性：	无权
法律详情：	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):F23D 14/64申请公布日:20130320\|\|\|实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/16申请日:20110905\|\|\|公开
IPC分类号：	C04B35/16; F23D14/64	主分类号：	C04B35/16
申请人：	庄国明
发明人：	庄国明
地址：	516000 广东省惠州市惠阳区淡水排坊居委会排坊新开发区13巷5号
优先权：
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内容摘要

本发明涉及一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备，所述远红外芯片由以下重量百分比原料制成：硅酸锆54～62％，二硫化钼4～5.5％，氧化镍5～6.5％，硫化锌4～6％，二氧化钛11～15％，粘土8～12％，滑石1～1.5％，纳米铝1.5～2.0％，纳米银1.0～1.5％。本发明的有益效果为：在燃气工程中采用本发明所述的远红外芯片，使燃气雾化更加充分，空气和燃气一起进入混合仓，高速旋转，加入燃烧活化中心发生器不断产生活化中心，使燃烧更充分，节省燃气10％-25％左右。

权利要求书

权利要求书一种远红外芯片，其特征在于，其由以下重量百分比原料制成：硅酸锆54～62％，二硫化钼4～5.5％，氧化镍5～6.5％，硫化锌4～6％，二氧化钛11～15％，粘土8～12％，滑石1～1.5％，纳米铝1.5～2.0％，以及纳米银1.0～1.5％。
一种利用权利要求1所述的远红外芯片的节能设备，包括混合仓，其特征在于：混合仓左端设有进风口，混合仓右端设有混合气出口，混合仓内部左侧靠近进风口处设有导流罩，导流罩的右边设有旋风片，旋风片上设有若干个45度斜孔；混合仓的内侧壁上设有活化中心产生网，在混合仓的下部且位于旋风片的右侧焊接有能量棒，能量棒上端接有喷气管且喷气管伸入到混合仓内部，喷气管上设有若干个喷气口，能量棒下端设有进气口，能量棒的内部设有若干所述的远红外芯片，所述远红外芯片之间均设有催化网。

说明书

说明书一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备
技术领域
本发明涉及材料领域，尤其涉及一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备。
背景技术
以硅酸锆和粘土为主体，经人工合成制造的常温远红外辐射材料，可以在一切燃油燃气的设备中使用，并且真正达到节油节气的目的。目前公开的专利号为200410053375.0的纳米远红外超导材料，和专利号为200510037503.7的纳米常温远红外线节能材料都未能保证节气率在10％。如何使燃气设备中的空气与燃气混合和燃烧得更加充分，对节能来说也是非常重要的一个环节。
发明内容
本发明的目的是提供一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备，能够使各种燃气(石油气、天然气、煤气等)设备的节能率达到10‑25％。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现：
一种远红外芯片，由以下重量百分比原料制成：硅酸锆54～62％，二硫化钼4～5.5％，氧化镍5～6.5％，硫化锌4～6％，二氧化钛11～15％，粘土8～12％，滑石1～1.5％，纳米铝1.5～2.0％，以及纳米银1.0～1.5％。所述远红外芯片的制备过程包括：将各原料球磨达800目，过筛，用常规热石腊注浆法制成蜂窝状芯片，排腊后烧成达1220℃～1260℃即可。
一种利用所述远红外芯片的节能设备，包括混合仓，混合仓左端设有进风口，混合仓右端设有混合气出口，混合仓内部左侧靠近进风口处设有导流罩，导流罩的右边设有旋风片，旋风片上设有若干个45度斜孔，混合仓的内侧壁上设有活化中心产生网，在混合仓的下部且位于旋风片的右侧焊接能量棒，能量棒上端接有喷气管，并且喷气管伸入到混合仓内部，喷气管上设有若干个喷气口，能量棒下端设有进气口，能量棒的内部设有若干所述的远红外芯片，所述的远红外芯片之间均设有催化网。
所述远红外芯片的成分配比为：硅酸锆为54～62％，二硫化钼为4～5.5％，氧化镍为5～6.5％，硫化锌为4～6％，二氧化钛为11～15％，粘土为8～12％，滑石为1～1.5％，纳米铝为1.5～2.0％，纳米银为1.0～1.5％。
本发明的有益效果为：在远红外材料制造的能量棒中，远红外(50℃)8～25μm法向比辐射率达到0.92，全波段积分为0.91，发射的主波峰向3μm方向移动，使得3μm附近的CHX基团振转运动基频能更好的共振吸收，其动能增加，使得分子团变小，雾化更加充分；空气经过70‑90℃预热后和燃气一起进入混合仓，高速旋转，加入燃烧活化中心发生器不断产生活化中心，从而使燃烧迅速完成，燃烧充分，瞬间温度提高，达到节省燃气10％‑25％左右。
附图说明
下面根据附图对本发明作进一步详细说明。
图1是一种利用本发明实施例所述的远红外芯片的节能设备的结构示意图。
图中：1、混合仓；2、进风口；3、混合气出口；4、导导流罩；5、旋风片；6、活化中心产生网；7、能量棒；8、喷气管；9、进气口；10、远红外芯片；11、催化网。
具体实施方式
实施例1：
一种远红外芯片，由以下重量的原料制成：620g硅酸锆，50g二硫化钼，65g氧化镍，60g硫化锌，110g二氧化钛，120g粘土，10g滑石，20g纳米铝，以及15g纳米银，将上述原料充分混合，将混合后的原料球磨达800目，过筛，用常规热石腊注浆法，制成蜂窝状芯片，排腊后烧成达1220℃～1260℃即可。
实施例2：
一种远红外芯片，由以下重量的原料制成：580g硅酸锆，40g二硫化钼，57g氧化镍，50g硫化锌，130g二氧化钛，100g粘土，12g滑石，17g纳米铝，12g纳米银，将上述原料充分混合，将混合后的原料球磨达800目过筛，用常规热石腊注浆法，制成蜂窝状芯片，排腊后烧成达1220℃～1260℃即可。
实施例3：
一种远红外芯片，由以下重量的原料制成：540g硅酸锆，55g二硫化钼，50g氧化镍，40g硫化锌，150g二氧化钛，80g粘土，15g滑石，15g纳米铝，10g纳米银，将上述原料充分混合，将混合后的原料材料球磨达800目过筛，用常规热石腊注浆法，制成蜂窝状芯片，排腊后烧成达1220℃～1260℃即可。
如图1所示，一种利用本发明实施例所述的远红外芯片的节能设备，包括混合仓1，混合仓1左端设有进风口2，混合仓1右端设有混合气出口3，混合仓1内部左侧靠近进风口2处设有导流罩4，导流罩4的右边设有旋风片5，旋风片5上设有若干个45度斜孔，混合仓1的内侧壁上设有活化中心产生网6，在混合仓1的下部且位于旋风片5的右侧焊接能量棒7，能量棒7上端接有喷气管8，并且喷气管8伸入到混合仓1内部，喷气管8上设有若干个喷气口，能量棒7下端设有进气口9，能量棒7的内部设有若干远红外芯片10，远红外芯片10之间均设有催化网11。
空气由进风口2进入混合仓1，在导流罩4的引导下，通过旋风片5的45度斜孔(斜孔数量大小按尺寸定，实现孔最多最大化)后高速旋转，而燃气则从能量棒7的进气口9经过能量棒7处理后，分子动能增加，细化雾化充分，由喷气管8的喷气口(含有的小孔18个以上)全方位喷出，并且与旋转空气充分混合，撞击到附着于混合仓内壁的催化网11上时，产生负氧的活化中心，继续高速旋转混合推进，混合气体在混合气出口喷射，接到喷枪燃烧，达到节能的目的。