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1、10申请公布号CN104046251A43申请公布日20140917CN104046251A21申请号201410282464622申请日20140623C09G1/0220060171申请人青岛宝泰新能源科技有限公司地址266000山东省青岛市李沧区郑佛路17号8室72发明人范向奎54发明名称一种相变存储器材料用机械抛光液57摘要本发明公开了一种相变存储器材料用机械抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质表面活性剂59份，有机添加剂79份，调节剂13份，水性介质5055份，纳米石墨粉12份，高岭土13份，季戊四醇15份，氰尿酸三聚氰胺盐23份，蒙脱土13份，过氧化苯甲酰12份，乙酸正丁酯2。
2、3份，硬脂酰胺1015份。本发明的抛光液性能稳定，抛光效果好，可满足制备纳电子相变存储器中工艺的需要。51INTCL权利要求书1页说明书1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书1页10申请公布号CN104046251ACN104046251A1/1页21一种相变存储器材料用机械抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质表面活性剂59份，有机添加剂79份，调节剂13份，水性介质5055份，纳米石墨粉12份，高岭土13份，季戊四醇15份，氰尿酸三聚氰胺盐23份，蒙脱土13份，过氧化苯甲酰12份，乙酸正丁酯23份，硬脂酰胺1015份。权利要求书CN104046251A。
3、1/1页3一种相变存储器材料用机械抛光液技术领域0001本发明涉及一种相变存储器材料用机械抛光液。背景技术0002相变存储器因具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震动和抗辐射、成本具有竞争力等优点，而被国际半导体行业协会认为是最有可能取代目前的闪存存储器的下一代非易失性存储器。相变存储器技术的基本原理是以硫系化合物为存储介质，利用电能使材料在晶态与非晶态高阻之间相互转换实现信息的写入与擦除，信息的读出则靠测量电阻的变化实现。存储单元包括由电介质材料定义的细孔，相变材料沉积在细孔中，相变材料在细孔的一端上连接电极。电极接触使电流通过该通道产生焦耳热对该单元进行编程，或者。
4、读取该单元的电阻状态。0003目前，在构建相变存储单元时，通行的做法是先通过磁控溅射的方法沉积相变材料在由电介质材料定义的细孔中，然后通过反应离子刻蚀CRIE或者化学机械抛光的方法，将细空上方的相变材料进行去除。发明内容0004本发明所要解决的技术问题是提供一种相变材料用机械抛光液。0005为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是一种相变存储器材料用机械抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质表面活性剂59份，有机添加剂79份，调节剂13份，水性介质5055份，纳米石墨粉12份，高岭土13份，季戊四醇15份，氰尿酸三聚氰胺盐23份，蒙脱土13份，过氧化苯甲酰12份，乙酸正丁酯23份，硬脂酰胺1015份。0006本发明的抛光液性能稳定，抛光效果好，可满足制备纳电子相变存储器中工艺的需要。具体实施方式0007实施例1一种相变存储器材料用机械抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质表面活性剂59份，有机添加剂79份，调节剂13份，水性介质5055份，纳米石墨粉12份，高岭土13份，季戊四醇15份，氰尿酸三聚氰胺盐23份，蒙脱土13份，过氧化苯甲酰12份，乙酸正丁酯23份，硬脂酰胺1015份。说明书CN104046251A。