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1、(10)申请公布号 CN 104181738 A (43)申请公布日 2014.12.03 C N 1 0 4 1 8 1 7 3 8 A (21)申请号 201310204245.1 (22)申请日 2013.05.28 G02F 1/1362(2006.01) G02F 1/1368(2006.01) G02F 1/1343(2006.01) G02F 1/133(2006.01) G09G 3/36(2006.01) (71)申请人北京京东方光电科技有限公司 地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区 西环中路8号 (72)发明人王振伟 于尧 唐磊 李鑫 任键 王静 张莹 裴扬 (7。
2、4)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有 限公司 11270 代理人王黎延 张振伟 (54) 发明名称 一种像素单元、阵列基板、显示装置和像素驱 动方法 (57) 摘要 本发明公开了一种像素单元，包括：像素电 极、栅极、与栅极相连的栅极线、源极、与源极相 连的数据线；还包括：与所述像素电极同层设置 的第二电极、与所述像素电极相连的第一漏极以 及与所述第二电极相连的第二漏极；所述第一漏 极、所述第二漏极与所述源极之间设有沟道，且所 述第一漏极与所述第二漏极不接触；其中，沿所 述数据线的方向，所述第二电极的边缘平行于所 述像素电极的边缘，且两者不接触。本发明还同时 公开了一种阵列基板、像素驱动方法。
3、和显示装置， 本发明可克服现有因减小黑矩阵宽度导致的像素 单元边缘漏光的现象。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (10)申请公布号 CN 104181738 A CN 104181738 A 1/1页 2 1.一种像素单元，包括：像素电极、栅极、与栅极相连的栅极线、源极、与源极相连的数 据线；其特征在于，所述像素单元还包括：与所述像素电极同层设置的第二电极、与所述像 素电极相连的第一漏极以及与所述第二电极相连的第二漏极；所述第一漏极、所述第二漏 极与所述源极之间设有沟。
4、道，且所述第一漏极与所述第二漏极不接触； 其中，沿所述数据线的方向，所述第二电极的边缘平行于所述像素电极的边缘，且两者 不接触。 2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第二电极设置于像素单元中设 有数据线的一侧。 3.根据权利要求1或2所述的像素单元，其特征在于，所述第二电极与所述像素电极的 厚度相同。 4.根据权利要求1或2所述的像素单元，其特征在于，所述第二电极与所述像素电极选 用的材料相同。 5.根据权利要求1或2所述的像素单元，其特征在于，所述第二电极与所述像素电极的 间隔大于等于2um。 6.根据权利要求1或2所述的像素单元，其特征在于，所述第二电极与相邻像素单元的 像素。
5、电极的间隔大于等于2.5um。 7.根据权利要求1或2所述的像素单元，其特征在于，所述第二漏极的图案面积小于等 于所述第一漏极的图案面积。 8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1-7中任一项所述的像素 单元。 9.一种像素驱动方法，其特征在于，应用于权利要求8所述的阵列基板，栅极进行扫描 时，通过所述第一漏极对所述像素电极进行充电，通过所述第二漏极对所述第二电极进行 充电。 10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求8所述的阵列基板。 权 利 要 求 书CN 104181738 A 1/3页 3 一种像素单元、 阵列基板、 显示装置和像素驱动方法 技术领域 00。
6、01 本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种像素单元、阵列基板、显示装置和像 素驱动方法。 背景技术 0002 现有的像素单元平面结构如图1所示(图1中示出两个相邻的像素单元)，每个像 素中都包括：像素电极1、栅极2、与栅极2相连的栅极线7、源极3、与源极3相连的数据线 7、以及与像素电极1相连的漏极4。通电后，漏极4对像素电极1进行充电，液晶分子5在 电场的作用下发生偏转，此时像素单元边缘截面图如图2、3所示。现有技术中为增大液晶 显示面板的透过率，会采用减小彩膜基板上黑矩阵11的宽度的方法来实现，结合图1至图 3，图2为图1中所示像素单元左侧边缘的截面图，图3为图1中所示像素单元右侧边缘。
7、的 截面图，如图2、3所示，若减小黑矩阵11的宽度，由于像素单元边缘电场线的不均匀，发生 了弯曲，导致像素单元边缘分布的液晶分子取向与像素单元中部液晶分子的取向不一致， 排列紊乱，从而造成像素单元边缘漏光，影响显示效果。因此，现有技术为了防止漏光现象 的发生，如图2、3所示，所述黑矩阵11的边缘稍在垂直方向上对像素电极1的边缘有所覆 盖。 0003 这里，所述漏光现象发生在所述像素单元的长边侧，即图1中所示的像素单元的 左右两侧，这是由于液晶分子5沿着像素单元的长边排列，从像素单元左右方向看的话，因 为液晶分子在此方向的双折射率较小，所以容易漏光；而从像素单元上下(图1所示)方向 看的话，因为。
8、液晶分子在此方向的双折射率较大，所以不容易漏光。 发明内容 0004 有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种像素单元、阵列基板、显示装置和像素 驱动方法，可克服现有因减小黑矩阵宽度导致的像素单元边缘漏光的现象。 0005 为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的： 0006 本发明提供了一种像素单元，包括：像素电极、栅极、与栅极相连的栅极线、源极、 与源极相连的数据线；所述像素单元还包括：与所述像素电极同层设置的第二电极、与所 述像素电极相连的第一漏极以及与所述第二电极相连的第二漏极；所述第一漏极、所述第 二漏极与所述源极之间设有沟道，且所述第一漏极与所述第二漏极不接触； 0007 其中，。
9、沿所述数据线的方向，所述第二电极的边缘平行于所述像素电极的边缘，且 两者不接触。 0008 其中，所述第二电极设置于像素单元中设有数据线的一侧。 0009 其中，所述第二电极与所述像素电极的厚度相同。 0010 其中，所述第二电极与所述像素电极选用的材料相同。 0011 优选的，所述第二电极与所述像素电极的间隔大于等于2um。 0012 优选的，所述第二电极与相邻像素单元的像素电极的间隔大于等于2.5um。 说 明 书CN 104181738 A 2/3页 4 0013 其中，所述第二漏极的图案面积小于等于所述第一漏极的图案面积。 0014 本发明还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括上文所述。
10、的像素单元。 0015 本发明还提供了一种像素驱动方法，应用于上文所述的阵列基板，栅极进行扫描 时，通过所述第一漏极对所述像素电极进行充电，通过所述第二漏极对所述第二电极进行 充电。 0016 本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上文所述的阵列基板。 0017 本发明提供的像素单元、阵列基板、显示装置和像素驱动方法，所述像素单元，包 括：像素电极、栅极、与栅极相连的栅极线、源极、与源极相连的数据线；还包括：与所述像 素电极同层设置的第二电极、与所述像素电极相连的第一漏极以及与所述第二电极相连的 第二漏极；所述第一漏极、所述第二漏极与所述源极之间设有沟道，且所述第一漏极与所述 第二漏极不。
11、接触；其中，沿所述数据线的方向，所述第二电极的边缘平行于所述像素电极的 边缘，且两者不接触。栅极进行扫描时，第一漏极对像素电极进行充电，第二漏极对第二电 极进行充电，由于所述像素电极与第二电极接相同的电压，因此像素电极与第二电极边缘 电场叠加后形成与像素电极中部相同规则的电场线，所以像素电极边缘位置的液晶分子在 本发明所述电场的作用下有规则的排列，与像素单元中部液晶分子的取向相同，从而克服 了现有因减小黑矩阵宽度导致的像素单元边缘漏光的现象。 附图说明 0018 图1为现有像素单元的平面结构示意图； 0019 图2为图1中所示像素单元左侧边缘的截面图； 0020 图3为图1中所示像素单元右侧边。
12、缘的截面图； 0021 图4为本发明实施例所述像素单元的平面结构示意图； 0022 图5为图4中所示像素单元左侧边缘的截面图。 0023 附图标记说明： 0024 1像素电极；2栅极；3源极；4漏极；5液晶分子；6数据线；7、栅极线；8第二电极； 9第一漏极；10第二漏极；11黑矩阵。 具体实施方式 0025 本发明实施例的基本思想是：在像素单元中设置与像素电极同层的第二电极，并 设置与像素电极相连的第一漏极以及与第二电极相连的第二漏极；所述第二电极与像素电 极同层设置，所述第一漏极、所述第二漏极与所述源极之间设有沟道，且所述第一漏极与所 述第二漏极不接触；沿所述数据线的方向，所述第二电极的边。
13、缘平行于所述像素电极的边 缘，且两者不接触。 0026 为了实现本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实 施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是 本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普 通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范 围。 0027 图4为本发明实施例所述像素单元的平面结构示意图，如图4所示，所述像素单元 说 明 书CN 104181738 A 3/3页 5 包括：像素电极1、栅极2、与栅极2相连的栅极线7、源极3、与源极3相连的数据线6；还包。
14、 括：与像素电极1同层设置的第二电极8、与像素电极1相连的第一漏极9以及与第二电极 8相连的第二漏极10，所述源极及漏极的上层设置有钝化层，钝化层上设置有两个过孔，所 述像素电极1通过一个过孔与第一漏极9连接，所述第二电极8通过另一个过孔与第二漏 极10连接；其中，所述第一漏极、所述第二漏极与所述源极之间设有沟道，且所述第一漏极 与所述第二漏极不接触，减少相互干扰，因为第二漏极和data信号串扰很大，如果两个漏 极相互连接了，就会影响像素电极的信号；沿所述数据线6的方向，所述第二电极8的边缘 平行于所述像素电极1的边缘，且两者不接触。 0028 这里，可令所述第二电极8的长度等于所述像素电极1。
15、的长度，第二电极的长度也 可以不等于像素电极的长度，在此不作限定。所述第二电极8或像素电极1的长度是指第 二电极8或像素电极1在平行于数据线6方向上的长度。 0029 优选的，所述第二电极8设置于像素单元中设有数据线的一侧。 0030 优选的，所述第二电极8与所述像素电极1的厚度相同；所述第二电极8与所述像 素电极1选用的材料相同，如：透明导电材料：氧化铟锡(ITO)等。 0031 图5为图4中所示像素单元左侧边缘的截面图，结合图4和图5，通电后，栅极进行 扫描时，通过第一漏极9对像素电极1进行充电，通过第二漏极10对第二电极8进行充电， 图5中，由于像素电极1与第二电极8同层设置，所述像素电。
16、极1与第二电极8边缘电场叠 加后形成与像素电极1中部相同规则的电场线，所以像素电极1边缘位置的液晶分子5在 本发明所述电场的作用下有规则的排列，与像素单元中部液晶分子5的取向相同。这样，设 置在彩膜基板上的黑矩阵11可以设置较小的宽度，如图5所示，黑矩阵11的边缘在垂直方 向上可不与像素电极1的边缘位置重合，从而克服了现有因减小黑矩阵宽度导致的像素单 元边缘漏光的现象。 0032 实际应用过程中，鉴于曝光设备曝光能力的限制，所述第二电极8与所述像素电 极1的间隔大于等于2um，因为如果所述间隔再小的话，两电极可能会相互连接。另外，考虑 串扰的问题，所述第二电极8与相邻像素单元的像素电极1的间隔。
17、大于等于2.5um。 0033 优选的，如图4所示，为了不影响像素单元的开口率，所述第一漏极9以及第二漏 极10设置的较小，所述第一漏极9的图案面积小于现有TFT中漏极的图案面积，所述第二 漏极10的图案面积与所述第一漏极9的图案面积相当、或者小于第一漏极9的图案面积， 这是因为第二电极8所需的充电时间小于像素电极1所需的充电时间。 0034 本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括上文所述的像素单元， 所述阵列基板包括多行多列像素单元形成的像素阵列。 0035 本发明实施例还提供了一种像素驱动方法，应用于上文所述的阵列基板，栅极进 行扫描时，通过所述第一漏极对所述像素电极进行充电，通过所述第二漏极对所述第二电 极进行充电，所述像素电极与所述第二电极接相同的电压。 0036 本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上文所述的阵列基板。 0037 以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。 说 明 书CN 104181738 A 1/2页 6 图1 图2 图3 说 明 书 附 图CN 104181738 A 2/2页 7 图4 图5 说 明 书 附 图CN 104181738 A 。