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1、10申请公布号CN104091765A43申请公布日20141008CN104091765A21申请号201410333741122申请日20140714H01L21/60200601B81B7/0220060171申请人深迪半导体（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号2号楼30272发明人丰立涛74专利代理机构北京英特普罗知识产权代理有限公司11015代理人齐永红54发明名称一种针对MEMS惯性器件半导体的封装方法57摘要本发明公开了一种针对MEMS惯性器件半导体的封装方法，其特征在于该方法包括如下步骤S1采用COLCHIPONLEAD的引线框架；S2将。
2、大面积金属裸露焊盘通过化学刻蚀或机械冲压方式加工成梳齿状结构；S3针对MEMS惯性器件特性，进行材料筛选；S4实验设计DOE优化选择针对MEMS惯性器件方形扁平无引脚封装QFN的封装材料。通过改进方形扁平无引脚封装QFN所用到的引线框架，解决大面积金属裸露焊盘的热膨胀系数大，导热系数大，弹性模量高等问题，进而避免了机械应力，热应力对MEMS惯性器件工作状态的影响。51INTCL权利要求书1页说明书2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页10申请公布号CN104091765ACN104091765A1/1页21一种针对MEMS惯性器件半导体的封装方法，其特征在。
3、于该方法包括如下步骤S1采用COLCHIPONLEAD的引线框架；S2将大面积金属裸露焊盘通过化学刻蚀或机械冲压方式加工成梳齿状结构；S3针对MEMS惯性器件特性，进行材料筛选；S4实验设计DOE优化选择针对MEMS惯性器件方形扁平无引脚封装QFN的封装材料。权利要求书CN104091765A1/2页3一种针对MEMS惯性器件半导体的封装方法技术领域0001本发明涉及一种半导体的封装方法，尤其涉及一种针对MEMS惯性器件半导体的封装方法。背景技术0002现有方形扁平无引脚封装QFN，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热与载片。由于这一个大面积裸露焊盘一般为金属材质，金属的热膨胀系数大，。
4、导热系数大，弹性模量高，会在芯片的生产制造，以及使用过程中的不同阶段向芯片内部传导过多的热应力，机械应力等。而MEMS惯性器件本身并不是高功耗半导体器件，并无过高的散热需求。因此大面积金属裸露焊盘对MEMS惯性器件工作状态无任何好处。而且，目前标准的方形扁平无引脚封装QFN的封装材料选择也有着随意性，并无针对MEMS惯性器件特性而优化的封装材料组合。不同封装材料混合使用，而各种材料的膨胀和收缩系数不同，进而引起的应力机械应力，热应力附加在MEMS惯性器件上，导致MEMS惯性器件工作状态发生偏移。发明内容0003本发明的目的是解决现有技术中的大面积金属裸露焊盘的热膨胀系数大、导热系数大、弹性模量。
5、高，而导致MEMS惯性器件工作状态发送偏移的问题，提供一种针对MEMS惯性器件半导体的封装方法。0004本发明的技术方案是一种针对MEMS惯性器件半导体的封装方法，该方法包括如下步骤0005S1采用COLCHIPONLEAD的引线框架；0006S2将大面积金属裸露焊盘通过化学刻蚀或机械冲压方式加工成梳齿状结构；0007S3针对MEMS惯性器件特性，进行材料筛选；0008S4实验设计DOE优化选择针对MEMS惯性器件方形扁平无引脚封装QFN的封装材料。0009本发明能够有效减少了金属裸露焊盘的导热面积，梳齿状结构能够在一定程度上通过形变吸收各种封装材料混合使用时，由于各种材料的膨胀和收缩系数不同。
6、，进而引起的应力。这种应力附加在MEMS惯性器件上，会导致MEMS惯性器件工作状态发生偏移。又由于梳齿状结构实际上也能承担起承载芯片的作用，应用COLCHIPONLEAD的引线框架，并不要求改变目前方形扁平无引脚封装QFN的标准封装工艺。0010通过改进方形扁平无引脚封装QFN所用到的引线框架，解决大面积金属裸露焊盘的热膨胀系数大，导热系数大，弹性模量高等问题，进而避免了机械应力，热应力对MEMS惯性器件工作状态的影响。通过材料筛选，实验设计DOE来优化选择方形扁平无引脚封装QFN的封装材料组合，实现了消除MEMS惯性器件封装过程中由于不同材料混合使用和各种材料的膨胀和收缩系数不同，进而引起的。
7、应力机械应力，热应力附加在MEMS惯性说明书CN104091765A2/2页4器件上，导致MEMS惯性器件工作状态发生偏移这一个问题。具体实施方式0011为了使本发明实现的技术手段、技术特征、发明目的与技术效果易于明白了解，下面进一步阐述本发明。0012一种针对MEMS惯性器件半导体的封装方法，该方法包括如下步骤0013S1采用COLCHIPONLEAD的引线框架；0014S2将大面积金属裸露焊盘通过化学刻蚀或机械冲压方式加工成梳齿状结构；0015S3针对MEMS惯性器件特性，进行材料筛选；0016S4实验设计DOE优化选择针对MEMS惯性器件方形扁平无引脚封装QFN的封装材料。0017本发明。
8、能够有效减少了金属裸露焊盘的导热面积，梳齿状结构能够在一定程度上通过形变吸收各种封装材料混合使用时，由于各种材料的膨胀和收缩系数不同，进而引起的应力。这种应力附加在MEMS惯性器件上，会导致MEMS惯性器件工作状态发生偏移。又由于梳齿状结构实际上也能承担起承载芯片的作用，应用COLCHIPONLEAD的引线框架，并不要求改变目前方形扁平无引脚封装QFN的标准封装工艺。0018通过改进方形扁平无引脚封装QFN所用到的引线框架，解决大面积金属裸露焊盘的热膨胀系数大，导热系数大，弹性模量高等问题，进而避免了机械应力，热应力对MEMS惯性器件工作状态的影响。通过材料筛选，实验设计DOE来优化选择方形扁平无引脚封装QFN的封装材料组合，实现了消除MEMS惯性器件封装过程中由于不同材料混合使用和各种材料的膨胀和收缩系数不同，进而引起的应力机械应力，热应力附加在MEMS惯性器件上，导致MEMS惯性器件工作状态发生偏移这一个问题。0019综上所述仅为本发明较佳的实施例，并非用来限定本发明的实施范围。即凡依本发明申请专利范围的内容所作的等效变化及修饰，皆应属于本发明的技术范畴。说明书CN104091765A。